張書豪,何 進(jìn),李 碩,王 豪,常 勝,黃啟俊

(武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,湖北 武漢 430072)

隨著5G 技術(shù)的普及,信息的傳輸量和傳輸速度將再上一個臺階,這對通信系統(tǒng)提出了更高的要求。低噪聲放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)作為無線通信系統(tǒng)中構(gòu)成射頻接收模塊的關(guān)鍵器件,在諸如雷達(dá)測距、衛(wèi)星導(dǎo)航、電子對抗等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用[1]。

作為接收機(jī)的第一級電路,LNA 對接收到的信號進(jìn)行放大,由于信號較為微弱,容易受到噪聲干擾,因此LNA 需要能夠抑制噪聲,提高信噪比,進(jìn)而提高接收機(jī)的靈敏度。近年來高性能低噪聲放大器的研究在國內(nèi)外取得了一定的進(jìn)展,如Nawaz 等[2]采用0.13 μm SiGe BiCMOS 工藝研制了一種28/60 GHz 波段可調(diào)的LNA,分別具有16.2/15 dB 的增益和2.8/3.35 dB 的噪聲系數(shù);Li 等[3]基于22 nm CMOS 工藝設(shè)計了兩款分別應(yīng)用于E 波段和W 波段的LNA,其中E 波段LNA 具有20 dB 的增益和4.6 dB 的噪聲系數(shù);W波段LNA 則具有18.2 dB 的增益。近年來,LNA 的設(shè)計不斷取得更低的噪聲與更高的增益,這也是將來一段時間內(nèi)低噪聲放大器發(fā)展的方向。

本文使用65 nm CMOS 工藝設(shè)計了一種工作在77 GHz 附近的低噪聲放大器,其采用四級放大器級聯(lián)的方式構(gòu)成,引入了反饋電感與補(bǔ)償電感,對提高增益、減小噪聲與回波損耗有一定的作用。仿真結(jié)果表明,本文提出的LNA 在增益與噪聲系數(shù)方面有一定的優(yōu)勢,同時在線性度與穩(wěn)定度方面也有良好的表現(xiàn)。

1 電路設(shè)計

1.1 電感源極負(fù)反饋技術(shù)分析

電感源極負(fù)反饋技術(shù)是LNA 設(shè)計中的一種常用的方法,采用這種技術(shù)設(shè)計的放大器往往具有較低的噪聲系數(shù)和可觀的功率增益。

圖1(a)給出了一種電感源極負(fù)反饋的基本結(jié)構(gòu),其中Ls是源極負(fù)反饋電感,Lg是柵極串聯(lián)電感,由圖1(b)的小信號模型可得電路的輸入阻抗:

圖1 (a)電感反饋共源極放大器模型;(b)小信號模型Fig.1 (a) Model of common-source amplifier with source feedback inductor;(b)Small-signal model

由上式可知,當(dāng)Ls、Cgs、Lg產(chǎn)生諧振時,可以實現(xiàn)工作頻段內(nèi)較好的輸入阻抗匹配。輸入阻抗匹配時,諧振頻率為[4]:

通過計算[5]可得在輸入阻抗匹配時最小噪聲系數(shù):

可以看出,Lg的引入使電路在輸入阻抗匹配時還獲得較低的噪聲系數(shù),而引入Ls也在一定程度上緩和了阻抗匹配與噪聲匹配的矛盾。為了使電路的性能達(dá)到最優(yōu),電感Ls則需要合理取值。因為電感Ls會在放大器的源極引入阻抗,如果Ls過大則會使增益降低,噪聲系數(shù)增加;同時只有在Ls與柵、源極的寄生電容Cgs產(chǎn)生諧振時才會使回波損耗達(dá)到最低,功率匹配達(dá)到最優(yōu)。

根據(jù)上述原理,本文LNA 中所用的帶源極反饋電感的共源級放大器如圖2 所示,其中L1和C1構(gòu)成L 型匹配。在放大器源極引入的電感Ls與柵源寄生電容Cgs產(chǎn)生諧振,寄生電容的剩余部分則與Lg諧振,并與L 型匹配共同組成了輸入端的阻抗匹配。綜合增益、噪聲、回波損耗等因素,最終確定Ls的值為17.5 pH。

圖2 帶源極反饋電感的共源極放大器Fig.2 Common source amplifier with source feedback inductor

1.2 電感補(bǔ)償技術(shù)分析

本文采用四級放大器級聯(lián)的方式設(shè)計LNA,其中后三級為帶有補(bǔ)償電感的共源共柵放大器,其電路圖如圖3(a)所示,為了便于計算,將晶體管寄生電容Cgd1、Cds1、Cgs2等效為C1、C2,便得到圖3(b)所示的高頻等效模型。

圖3 (a)有補(bǔ)償電感的共源共柵放大器原理圖;(b)高頻等效模型Fig.3 (a)Schematic of cascode amplifier with compensation inductor;(b)High-frequency equivalent model

該電路的小信號模型如圖4 所示,通過計算可以得到[6]:

圖4 帶補(bǔ)償電感的共源共柵放大器小信號模型Fig.4 The small-signal model of cascode amplifier with compensation inductor

由式(4),(5),(6)可以看出,引入補(bǔ)償電感Lm后,共源共柵放大器的輸出阻抗隨工作頻率的上升而增加。輸出阻抗的增加也使放大器的增益有明顯提升,該放大器的增益可表述為:

經(jīng)過計算與建模分析,最終確定第二級使用的補(bǔ)償電感為30 pH,后兩級的補(bǔ)償電感為40 pH。

1.3 阻抗匹配設(shè)計

對于工作在高頻段的低噪聲放大器,無源器件對放大器的阻抗匹配有較大影響,因此要選擇合適的阻抗匹配電路的結(jié)構(gòu),并對無源器件進(jìn)行合理選擇。因為本文采用四級放大器級聯(lián)的方式設(shè)計電路,所以每級間都需要進(jìn)行阻抗匹配。

共源級放大器隔離度通常較低,容易受到后級電路的阻抗干擾,因此本文在第一級和第二級之間采用T 型阻抗匹配,如圖5(a)所示。其中C1是第一級放大器晶體管的漏極電容,C2是第二級放大器晶體管的柵極電容,C3是隔直電容,L1是漏極電感。L1、L2、C3組成T 型匹配網(wǎng)絡(luò),這種結(jié)構(gòu)相較于傳統(tǒng)的LC 諧振網(wǎng)絡(luò)有更大的帶寬、更高的隔離度,L1還可以降低后級信號的干擾。

本文的低噪聲放大器二、三級與三、四級之間均采用相同的L 型阻抗匹配,如圖5(b)所示。其中L3是漏極電感,C6是隔直電容,C4是前一級的漏極電容,C5是后一級的柵極電容。L3與C6構(gòu)成LC 諧振網(wǎng)絡(luò),實現(xiàn)L 型阻抗匹配。

圖5(c)所示的則是低噪聲放大器的輸出阻抗匹配,采用T 型阻抗匹配結(jié)構(gòu),其中C7是第四級的漏極電容。L4和C7組成低通濾波器,L4、L5、L6組成T 型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),L5和C8組成帶通濾波器,共同實現(xiàn)了50 Ω 阻抗匹配。電路中所使用的電感均單獨進(jìn)行建模并仿真優(yōu)化,最終確定L4=35 pH,L5=L6=40 pH,C8=180 fF。

圖5 阻抗匹配電路Fig.5 Impedance matching circuit

1.4 整體設(shè)計

綜合上文各個模塊的設(shè)計方案,本文的LNA 電路圖由圖6 給出。第一級放大器采用共源極結(jié)構(gòu),并帶有源極負(fù)反饋傳輸線,該傳輸線可以優(yōu)化噪聲系數(shù),改善輸入阻抗匹配;后三級放大器采用共源共柵結(jié)構(gòu),并帶有級間補(bǔ)償傳輸線,以提高增益并降低噪聲系數(shù)。電路中C1～C5負(fù)責(zé)交流耦合與阻抗匹配,TL1是源極反饋傳輸線,TL2～TL4是級間補(bǔ)償傳輸線,有提高增益的作用。

圖6 低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)Fig.6 Low-noise amplifier circuit structure

經(jīng)過仿真與優(yōu)化,最終確定的晶體管尺寸為M1:22 μm;M2、M3、M4、M5:39 μm;M6、M7:42 μm,偏置電壓Vb=600 mV,Vdd=1.2 V。

2 版圖與后仿真結(jié)果

2.1 無源結(jié)構(gòu)三維模型

為了得到更為精確的電路性能,采用全波三維電磁高頻結(jié)構(gòu)仿真器對電路的無源元件(包括變壓器、電容、傳輸線、金屬連線和過孔等)構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)進(jìn)行了整體電磁仿真和優(yōu)化,如圖7 所示。

圖7 LNA 三維模型Fig.7 Three-dimensions model of LNA

將所生成的無源多端口S參數(shù)文件與晶圓廠提供的PDK 中的有源器件進(jìn)行聯(lián)合仿真,就可以得到后仿真電路原理圖,從而獲得整體LNA 設(shè)計的最終性能。

2.2 版圖設(shè)計

本文采用65 nm CMOS 工藝設(shè)計版圖。在符合設(shè)計規(guī)則[7]的前提下,為了確保信號路徑的通暢,盡可能地降低回波損耗,設(shè)計中將所有的有源器件按一個方向排放;為了提高信號傳輸效率,減少金屬線的傳輸損耗,設(shè)計時用頂層與次頂層金屬實現(xiàn)信號線與電感等無源器件;為了減少電源噪聲的干擾,所有直流電源都進(jìn)行了大電容去耦合處理。圖8 為本文77 GHz LNA 的版圖,整個芯片版圖尺寸(包括變壓器、電容、傳輸線、金屬連線和所有測試焊盤)為400 μm×860 μm,其中G-S-G 焊盤的中心間距為150 μm。

圖8 77 GHz LNA 版圖Fig.8 Layout of 77 GHz LNA

2.3 后仿真結(jié)果

S參數(shù)仿真曲線如圖9 所示,從S參數(shù)仿真結(jié)果可以看出LNA 的增益和反射情況。中心頻點為79 GHz,在此處最大增益S21為22 dB,-3 dB 帶寬為73.5～83.5 GHz;中心頻點處輸入回波損耗S11為-28.5 dB,輸出回波損耗S22為-20.5 dB。而在-10 dB帶寬73～85.5 GHz 的范圍內(nèi)S22小于-10 dB,說明LNA 輸出阻抗與50 Ω 負(fù)載在較寬的頻帶內(nèi)匹配良好,輸出端的T 型阻抗匹配有效擴(kuò)展了帶寬。

圖9 LNA 的S 參數(shù)仿真曲線Fig.9 S-parameter simulation of LNA

圖10 給出了LNA 的噪聲系數(shù)(NF)仿真結(jié)果,在79 GHz 處NF=7.1 dB。而在75～90 GHz 的范圍內(nèi)噪聲系數(shù)小于8 dB,同時與最小噪聲的對比顯示,兩者差別很小,說明輸入噪聲匹配較好。

圖10 LNA 噪聲系數(shù)仿真Fig.10 Noise figure simulation of LNA

圖11 給出了LNA 線性度的曲線。在中心頻率處輸入1 dB 壓縮點為-23 dB,線性度滿足應(yīng)用要求。圖12 為穩(wěn)定因子的曲線,結(jié)果顯示在65～90 GHz 范圍內(nèi)放大器十分穩(wěn)定。本文的LNA 與其他參考文獻(xiàn)的對比由表1 給出。

表1 本文LNA 與部分參考文獻(xiàn)的對比Tab.1 Comparison of this LNA and other thesises

圖11 LNA 線性度仿真Fig.11 Linearity simulation of LNA

圖12 LNA 穩(wěn)定因子仿真Fig.12 Stability factor simulation of LNA

3 結(jié)論

本文基于65 nm CMOS 工藝設(shè)計了一種77 GHz低噪聲放大器。LNA 采用四級放大器級聯(lián)的方式設(shè)計,引入了電感源極負(fù)反饋技術(shù)和電感補(bǔ)償技術(shù),并通過對器件尺寸的合理選擇與無源器件的建模分析,使電路取得了較低的噪聲與較高的增益。經(jīng)過仿真驗證,LNA 在1.2 V 電源電壓下,功耗為41 mW,在中心頻點處的增益為22 dB,噪聲系數(shù)為7.1 dB,可滿足應(yīng)用需求。輸入/輸出回波損耗均小于-10 dB,說明電路的輸入/輸出阻抗匹配良好。同時電路擁有良好的線性度與穩(wěn)定因子,證明LNA 可以穩(wěn)定工作。本文的LNA 在E 波段射頻接收機(jī)中有一定的應(yīng)用前景。