張慧慧，夏齊萍

(合肥經(jīng)濟(jì)學(xué)院 工學(xué)院，安徽 合肥 230000)

Ag-ITO復(fù)合納米薄膜具有很強(qiáng)的活性組分，被廣泛應(yīng)用在工業(yè)生產(chǎn)中，在Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的合成和制備過(guò)程中，需要結(jié)合對(duì)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特性分析，建立Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特征分析模型，通過(guò)光譜特征分析方法，建立Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的聚合化學(xué)分析模型，采用光響應(yīng)的配體分析方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特征分析，利用Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光響應(yīng)分子分析方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光響應(yīng)基團(tuán)參數(shù)分析[1]。本文構(gòu)建Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的鎳-光反應(yīng)催化模型，通過(guò)單電子轉(zhuǎn)移的過(guò)程控制方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)烷基交叉偶聯(lián)反應(yīng)設(shè)計(jì)，結(jié)合鎳金屬催化劑和一級(jí)烷基鹵代物底物反應(yīng)的方法，采用X射線衍射分析(XRD)和掃描電鏡(SEM)分析方法，在Ni(0)/Ni(II)雙電子轉(zhuǎn)移過(guò)程中[2-3]，根據(jù)相應(yīng)烷基鎳物種的分布特性，實(shí)現(xiàn)對(duì)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特性參數(shù)分析，引入光響應(yīng)分子和伯胺分析，以光學(xué)活性芐基甲基醚作為催化劑，通過(guò)雙芳基乙烷類(lèi)反應(yīng)特性，使得Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光學(xué)純度得以保持，根據(jù)均勻有序的孔道分布，實(shí)現(xiàn)光電特性分析在Ag-ITO復(fù)合納米薄膜中的應(yīng)用。

1 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的結(jié)構(gòu)與表面性質(zhì)

1.1 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的結(jié)構(gòu)分析

分析Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的結(jié)構(gòu)分布，采用光電特性分析，在可見(jiàn)光照射條件下，分析強(qiáng)吸附位點(diǎn)的光響應(yīng)，結(jié)合金屬有機(jī)試劑交叉偶聯(lián)反應(yīng)的方法[4]，得到復(fù)合納米薄膜的A/MS和L(2)/MS.A/MS孔道結(jié)構(gòu)，得到Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的化學(xué)結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的結(jié)構(gòu)

引入介孔氧化硅(MS)的可見(jiàn)光照射分布特征，采用光電分析方法，在紫外光照射下，分析吸附-脫附等溫線分布，采用光響應(yīng)性基團(tuán)分析PDA-TPI反應(yīng)曲線[5]，得到Ag-ITO復(fù)合納米薄膜烷基伯胺和光響應(yīng)基團(tuán)的元素分析圖，如圖2所示。

圖2 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的元素分析圖

根據(jù)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜結(jié)構(gòu)特性和元素組成分析，得到Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的結(jié)構(gòu)組成如表1所示。

表1 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的結(jié)構(gòu)組成

結(jié)合對(duì)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的結(jié)構(gòu)分布，基于等溫線計(jì)算Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的結(jié)構(gòu)性質(zhì)參數(shù)，如圖3所示。

圖3 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的等溫線

1.2 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜表面性質(zhì)分析

結(jié)合XRD譜圖分析，在Ni(0)/Ni(II)雙電子轉(zhuǎn)移過(guò)程中，根據(jù)相應(yīng)烷基鎳物種的分布特性，構(gòu)建Ag-ITO復(fù)合納米薄膜表面孔徑分布模型[6]，得到Ag-ITO復(fù)合納米薄膜表面孔徑分布見(jiàn)表2。

表2 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜表面孔徑分布參數(shù)

由此，結(jié)合鎳金屬催化劑和一級(jí)烷基鹵代物底物反應(yīng)的方法，在Ni(0)/Ni(II)雙電子轉(zhuǎn)移過(guò)程中[7]，得到Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的UV-Vis吸收光譜分布如圖4所示。

圖4 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的UV-Vis吸收光譜分布

2 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特性

2.1 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電反應(yīng)

在Ni(0)/Ni(II)雙電子轉(zhuǎn)移過(guò)程中，根據(jù)相應(yīng)烷基鎳物種的分布特性，實(shí)現(xiàn)對(duì)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電響應(yīng)特征分析[8]，在UV光電照射前后，分析AL(m)/MS強(qiáng)吸附位點(diǎn)的吸附量變化分布特性，采用化學(xué)計(jì)量的氧化劑NaClO作為吸附劑[9]，得到Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特征分布的綜合評(píng)價(jià)參數(shù)見(jiàn)表3。

表3 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電評(píng)價(jià)參數(shù)

根據(jù)表3的Ag-ITO復(fù)合納米薄膜光電評(píng)價(jià)參數(shù)，得到催化循環(huán)過(guò)程如圖5所示。

圖5 催化循環(huán)過(guò)程

根據(jù)鍵能和鍵極化度差別分布，生成Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的零價(jià)鎳[10]，得到不同的進(jìn)樣濃度分布下光電特性響應(yīng)的峰面積響應(yīng)如圖6所示。

圖6 Ag-ITO復(fù)合納米薄膜光電特性響應(yīng)的峰面積響應(yīng)

3 實(shí)驗(yàn)測(cè)試分析

通過(guò)雙芳基乙烷類(lèi)反應(yīng)特性，使得Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光學(xué)純度得以保持，采用烷基自由基與二價(jià)鎳結(jié)合的方法，分析不同的光學(xué)純度下的色譜分布，見(jiàn)表4。

表4 不同光學(xué)純度的色譜分布

根據(jù)色譜分布，萃取后分出水相，得到不同保留時(shí)間下，流量、柱溫對(duì)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特性響應(yīng)值如圖7所示。

(a)流量對(duì)響應(yīng)值的影響

(b)柱溫對(duì)響應(yīng)值的影響圖7 不同保留時(shí)間Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特性響應(yīng)值

分析上述測(cè)試結(jié)果得知，光電特性響應(yīng)值隨流量變化而變化，流量越小，光電特性響應(yīng)值越高，光電特性響應(yīng)值與柱溫呈反比，柱溫越低，光電特性響應(yīng)值越高；Ag-ITO復(fù)合納米薄膜在鎳催化雙烷基親電試劑交叉偶聯(lián)下，UV-Vis吸收光譜能力較好，吸附量變化可忽略不計(jì)，提高了Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的化學(xué)穩(wěn)定性。

4 結(jié)論

本文構(gòu)建Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的鎳-光反應(yīng)催化模型，通過(guò)單電子轉(zhuǎn)移的過(guò)程控制方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)烷基交叉偶聯(lián)反應(yīng)設(shè)計(jì)，結(jié)合金屬有機(jī)試劑交叉偶聯(lián)反應(yīng)的方法，得到復(fù)合納米薄膜的A/MS和L(2)/MS.A/MS孔道結(jié)構(gòu)，在紫外光照射下，分析吸附-脫附等溫線分布，采用光響應(yīng)性基團(tuán)是PDA-TPI反應(yīng)曲線分析，得到Ag-ITO復(fù)合納米薄膜烷基伯胺和光響應(yīng)基團(tuán)的元素分析圖，分析不同的光學(xué)純度下的色譜分布，實(shí)現(xiàn)Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的光電特性化學(xué)分析，提高了Ag-ITO復(fù)合納米薄膜的制備穩(wěn)定性。