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        參量改變對正方晶格納米島極化強(qiáng)度的影響

        2021-10-13 09:18:12盧俊邑滕保華
        大學(xué)物理 2021年10期

        陳 勝,盧俊邑,滕保華

        (電子科技大學(xué) 物理學(xué)院,四川 成都 611731)

        近年來,隨著對低維材料的不斷研究和制備,像納米島、納米管、納米線等材料表現(xiàn)出了一些非常奇妙的性質(zhì).由于納米低維材料在微電子器件、數(shù)據(jù)存儲器上有著巨大的應(yīng)用前景,從而引起了理論和實(shí)驗(yàn)的廣泛研究.理論研究可以采用考慮了橫場分量的橫場Ising模型(簡稱TIM)[1],作為在統(tǒng)計(jì)物理、量子力學(xué)中描述或預(yù)測鐵電及鐵磁材料相變性質(zhì)的重要模型,一定程度上能夠較好地與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對照分析.

        同時(shí),由于三維TIM模型沒有精確解[2],因此應(yīng)用了許多近似方法來研究該模型的過渡性質(zhì).平均場近似(MFA)將所有粒子的相互作用場看成一弱周期場,雖然公式簡單卻忽略了漲落,具有一定的局限性.T.Kaneyoshi利用關(guān)聯(lián)有效場理論(EFT)中的Zernike退耦近似處理(ZA)[3,4],Teng采用的費(fèi)米型格林函數(shù)的高階退耦合近似[5,6],其結(jié)果都優(yōu)于通常的MFA.

        本文基于橫場Ising模型,利用量子統(tǒng)計(jì)物理中的格林函數(shù)理論[7],分別利用通常退耦合近似(MFA)和高階退耦合近似研究正方晶格納米島的相變性質(zhì).首先介紹關(guān)于橫場Ising模型的格林函數(shù)求解過程,并采用通常的退耦合近似(MFA)和高階退耦合近似得到納米島贗自旋的極化強(qiáng)度以及橫向分量方程組.然后討論在特定情況下,MFA的一些非常規(guī)結(jié)果以及產(chǎn)生機(jī)理,并與高階退耦合近似的結(jié)果進(jìn)行比較.

        1 模型和公式

        雙層正方晶格納米島由2個(gè)具有正方晶格的單層納米島構(gòu)成,如圖1,每層平面的每個(gè)位置占據(jù)一個(gè)Ising自旋,僅有自旋向上和自旋向下,共計(jì)有9個(gè)自旋1/2的極性原子.對于鐵電材料,格點(diǎn)之間交換相互作用常數(shù)為Jij(>0).

        圖1 正方晶格納米島2D圖與3D圖(雙層)

        正方晶格鐵電納米島的哈密頓量表示為[3,4,8]

        (1)

        (2)

        我們對上述方程組2采用通常解耦合近似處理:

        (3)

        于是贗自旋的x和z分量可以寫成

        (4)

        (5)

        這就是通常平均場近似(MFA)的結(jié)果.為了得到優(yōu)于MFA的結(jié)果,對運(yùn)動方程鏈2進(jìn)一步推導(dǎo)

        (6)

        此處采用高階退耦合近似處理:

        (7)

        (8)

        贗自旋的極化強(qiáng)度z分量和x分量可以寫成

        (9)

        根據(jù)正方晶格納米島的結(jié)構(gòu),可以計(jì)算得到:

        (10)

        (11)

        (12)

        該系統(tǒng)只有3種位于不同環(huán)境中自旋,于是總極化強(qiáng)度P可以用〈Si〉、〈Sa〉(或b、c、d),〈Se〉(或f、g、h)表示

        (13)

        為了定性描述,我們以J為標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)行無量綱約化,(約化后的溫度t=kBT/J).

        2 數(shù)值結(jié)果與討論

        根據(jù)以前的研究[3],我們知道納米島的“相變重入”現(xiàn)象主要在由于層間交換相互作用和橫場.JR/J較大時(shí)和Ω/J較小時(shí),方程組4可能存在著偽解.為了研究高階退耦合近似對解的影響,我們在同一圖中描繪了MFA和高階退耦合近似的結(jié)果.

        2.1 P-Ω/J曲線

        我們研究了在內(nèi)外橫場相等(即Ω=ΩS)時(shí),JR/J=1.0,JS/J=0.0,t=0.02時(shí)的極化強(qiáng)度與橫場的依賴關(guān)系曲線(見圖2a).當(dāng)初始自旋不同向時(shí),例如取向?yàn)閨0↑↓〉時(shí),利用MFA我們將得到納米島鐵電性將在Ω/J=0.0~0.5區(qū)間內(nèi)逐漸增強(qiáng).在Ω/J=0.5時(shí)鐵電性達(dá)到峰值,此時(shí)的極化強(qiáng)度P=0.286,然后又從鐵電相轉(zhuǎn)變至順電相,這和T.Kaneyoshi利用EFT獲得的曲線趨勢(先增后減)大致是一致的[3].此轉(zhuǎn)變過程可以看成是經(jīng)歷了兩次相變,即順電相到鐵電相,然后在回到順電相.

        在高階退耦合近似下,為了避免奇異性,我們?nèi)S/J<<1.發(fā)現(xiàn)在高階退耦合近似與MFA的極化曲線在橫場較小時(shí)有非常大的不同,與MFA極化強(qiáng)度曲線直接從0緩緩到達(dá)峰值PΩ=0.5,再緩緩下降至0相比,高階退耦合近似首先在橫場0~ΩC的范圍內(nèi),極化曲線首先由一正值迅速下降到一個(gè)負(fù)值,然后在ΩC處發(fā)生突變變?yōu)橐徽?,然后緩緩下降?. 根據(jù)極化強(qiáng)度為0為順電相,大于0為鐵電相,小于0為反鐵電相.也就是說該相變過程在橫場0~ΩC范圍內(nèi)為鐵電相到順電相再到反鐵電相的轉(zhuǎn)變,在ΩC點(diǎn)由反鐵電相突變?yōu)殍F電相,然后極化強(qiáng)度逐漸減至0,實(shí)現(xiàn)了鐵電相到順電相的轉(zhuǎn)變,此過程經(jīng)歷了3次相變,具有3個(gè)轉(zhuǎn)變橫場Ω/J使得其發(fā)生相變.

        初始自旋取向?yàn)閨0↑↓〉

        若初始自旋取向?yàn)閨↑↑↑〉,發(fā)現(xiàn)無論是MFA還是高階退耦合近似得到的P-Ω/J曲線趨勢是完全一致的,雖然高階退耦合近似的曲線被MFA得到的曲線完全包裹,但曲線為一階梯形狀. MFA曲線中的階梯點(diǎn)和圖2(a)中曲線的轉(zhuǎn)折點(diǎn)為PΩ/J=0.5=0.286,此時(shí)從極化曲線觀察不到重入現(xiàn)象的發(fā)生.在曲線的轉(zhuǎn)折點(diǎn)后,極化曲線完全重合.也就是說當(dāng)Ω/J≥ΩC/J=0.5時(shí),極化強(qiáng)度方程組僅有唯一解.在根據(jù)無橫場(Ω=ΩS=0.0)時(shí),零溫下鐵電材料必處于基態(tài),自旋完全同向,即極化強(qiáng)度P=0.5,可以知道圖2(b)中曲線才是能正確描述納米島相變性質(zhì)的曲線.

        2.2 P-JR/J曲線

        類似地:在Ω/J=ΩS/J=1.0,JS/J=0.0時(shí),我們在圖3(a)和圖3(b)時(shí)中分別利用MFA和高階退耦合近似研究了T→0K時(shí)的極化強(qiáng)度與層間交換相互作用常數(shù)依賴關(guān)系,同樣分別取自旋取向|0↑↓〉和|↑↑↑〉,也可以得到兩組解.我們可以發(fā)現(xiàn)此時(shí)利用MFA得到的極化曲線與圖2中極化曲線形狀是一致的,只是方向相反.根據(jù)JR是增大鐵電材料自發(fā)強(qiáng)度,JR/J趨于無窮大時(shí),極化強(qiáng)度P=0.5,判斷得出圖3(b)才是正解所表示的曲線.

        初始自旋取向?yàn)閨0↑↓〉

        值得注意的是,和MFA選擇同樣的參量,利用高階退耦合近似只得到唯一解.與MFA得到的結(jié)果最大的區(qū)別在于極化曲線不是兩段階梯式上升,而是在前段JR/J較小時(shí)恒為0,然后到達(dá)臨界點(diǎn)JRC/J時(shí)開始慢慢遞增.通過計(jì)算得知在JR/J為無窮大時(shí)P=0.5,滿足物理意義.曲線的前段的直線P=0,可以這樣進(jìn)行解釋,由于橫場較大,開始時(shí)JR/J較小時(shí),鐵電性很弱,不足以誘發(fā)納米島產(chǎn)生自發(fā)極矩.而后隨著JR/J的增大,自發(fā)極矩逐漸增加,最終達(dá)到完全自旋同向.

        2.3 P-t曲線

        在圖4(a)和4(b)中我們分別利用MFA和高階退耦合近似研場究了弱橫場作用下(Ω/J=ΩS/J=0.1)正方晶格納米島的極化強(qiáng)度隨溫度的熱變化關(guān)系.在層間交換作用JR/J=2.0,隨著表面交換相互作用的減小,極化曲線逐漸左移,居里溫度不斷下降.并且在JS/J趨于0時(shí)出現(xiàn)彎曲,表現(xiàn)出階梯形狀,在前段陡然下降,而后趨于平緩下降,JS/J越小,極化曲線彎折得越明顯,這在蜂窩晶格納米島的研究中也有相似的現(xiàn)象[10].

        但是我們可以注意到,高階退耦合近似對橫場更為依賴,在弱場下,零溫下的極化強(qiáng)度隨JS/J的變化具有很大的差別.在相同的JS/J條件下,采用高階退耦合近似得到的極化曲線相對于MFA更為平緩,居里點(diǎn)更低.這是由于高階退耦合近似增大了交換相互作用與橫場的聯(lián)系,降低了MFA對于納米島鐵電性的夸大.

        MFA得到的極化圖

        3 總結(jié)

        本文在格林函數(shù)理論的框架下,分別利用MFA和高階退耦合近似求解運(yùn)動方程,研究了正方晶格鐵電納米島的極化曲線.表明了在初始自旋取向選取的不同,利用MFA可能導(dǎo)致在Ω/J較小時(shí)和JR/J較大時(shí)產(chǎn)生多解,即可能產(chǎn)生為偽解,觀察到重入現(xiàn)象的發(fā)生.而利用高階退耦合近似不但可以解釋更為豐富的相變過程,同時(shí)在初始自旋隨機(jī)時(shí),幾乎僅存在唯一解,能夠有效避免偽解的產(chǎn)生,能夠更好的與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符.本文還表明JS/J是造成極化曲線出現(xiàn)階梯形狀的主要原因,也應(yīng)證了高階退耦合近似充分考慮了橫場分量對于納米島相變的影響,可以降低MFA對于鐵電性的夸大,具有更廣的適用性.另外,Ising模型和格林函數(shù)理論基本上為大學(xué)階段內(nèi)容,通過正常的物理教學(xué)可以拓展學(xué)生視野,了解學(xué)科前沿,同時(shí)也豐富了課堂內(nèi)容,鍛煉了學(xué)生分析問題和解決問題的能力.

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