高云飛,許寶才,高海濤,段榮霞,孟 娜
(1.河北工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)工業(yè)基礎(chǔ)教學(xué)部,石家莊 050091; 2.河北工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)材料工程系,石家莊 050091; 3.63850部隊(duì),白城 137001; 4.陸軍工程大學(xué)石家莊校區(qū)車輛與電氣工程系,石家莊 050003)
耐高溫電阻材料有耐高溫合金、非金屬化合物、導(dǎo)電陶瓷等。其中耐高溫合金長期工作在高溫環(huán)境下,表面會(huì)形成氧化層,導(dǎo)致材料的導(dǎo)電性能發(fā)生變化。非金屬化合物制備工藝較為復(fù)雜,且高溫下易氧化,無法滿足使用要求[1-3]。導(dǎo)電陶瓷是集金屬電學(xué)性質(zhì)和陶瓷結(jié)構(gòu)特性于一身的高性能功能材料,具有優(yōu)良的抗氧化、抗腐蝕、耐高溫、高機(jī)械強(qiáng)度等特點(diǎn)[4-6]。熱電陶瓷材料因具有耐高溫、耐氧化、無污染等特性,使其在特殊領(lǐng)域如航天航空、電廠及供暖廢熱的轉(zhuǎn)化利用、熱電轉(zhuǎn)換制冷、高溫吸波材料、高溫超材料吸波體、超級電容材料等領(lǐng)域得到了研究和應(yīng)用。熱電材料都具有較好的導(dǎo)電性能,并且隨溫度變化相對較小,作為電阻膜涂層應(yīng)用時(shí),不會(huì)形成熱電偶,因此不必考慮熱電效應(yīng)帶來的影響[7-10]。鈷酸鈣(Ca3Co4O9)氧化物型熱電陶瓷材料是一種P型熱電材料,具有不易潮解、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),在1 000 K的中高溫條件下仍能保持較好的電阻性能,是一種比較理想的電阻膜材質(zhì)[11-14]。本研究采用溶膠凝膠法結(jié)合燒結(jié)涂層技術(shù),在氧化鋁基板上制備了Ca3Co4O9薄膜涂層,研究了薄膜的物相組成、組織形貌、高溫狀態(tài)下薄膜的溫阻特性與吸波性能,獲得了組織性能可控的Ca3Co4O9電阻膜型高溫吸波超材料。
制備Ca3Co4O9粉體及涂層使用的化學(xué)原料如表1所示,使用的主要實(shí)驗(yàn)設(shè)備如表2所示。
表1 制備鈷酸鈣所用實(shí)驗(yàn)原料Table 1 Raw materials for preparation of calcium cobalt
表2 實(shí)驗(yàn)所用儀器設(shè)備Table 2 Instruments and equipment for experiments
溶膠凝膠法制備鈷酸鈣粉體的具體流程如下:
將硝酸鈣、硝酸鈷按照Ca3Co4O9的n(Ca)∶n(Co)=3∶4的摩爾配比用電子天平準(zhǔn)確稱量,并加入少量去離子水,在燒杯中使用磁力攪拌器充分?jǐn)嚢?,將這兩種硝酸鹽充分溶解形成酒紅色透明溶液。按Ca、Co金屬離子與檸檬酸的摩爾比為1∶1.2稱取檸檬酸,將檸檬酸加入到硝酸鹽溶液中,繼續(xù)攪拌使檸檬酸充分溶解在硝酸鹽溶液中,形成前驅(qū)溶液。將溶液置于80 ℃水浴鍋中,恒溫加熱并充分?jǐn)嚢?,使溶液中的水分逐漸揮發(fā),產(chǎn)生水解縮合反應(yīng),溶液逐漸變?yōu)槿苣z。當(dāng)溶膠中的水分進(jìn)一步減少,并產(chǎn)生大量氣泡,形成黏稠狀凝膠時(shí),取出凝膠并置于120 ℃干燥箱中干燥得到蓬松多孔的干凝膠。將紫紅色干凝膠收集在坩堝中,并將坩堝放置在電阻爐中煅燒,煅燒溫度為800 ℃,煅燒2 h隨爐冷卻后取出,得到黑色蓬松塊狀材料。將黑色蓬松塊放入瑪瑙研缽中研磨破碎,再放入球磨機(jī)中球磨2 h后取出,烘干過篩得到粒徑細(xì)小均勻的鈷酸鈣粉體。
鈷酸鈣薄膜是通過刮涂鈷酸鈣漿料得到的,因此,首先要制備鈷酸鈣漿料。鈷酸鈣漿料是將制備的鈷酸鈣粉體均勻地分散到有機(jī)載體中形成的,具體制備方法是:按97∶3的質(zhì)量比稱取松油醇和乙基纖維素,在100 ℃下充分加熱攪拌4~6 h,使乙基纖維素完全溶于松油醇中,作為有機(jī)載體;將上述有機(jī)載體和鈷酸鈣粉體按照質(zhì)量比1∶1分別稱量并放置在燒杯中,并加入少量的硅膠作為黏結(jié)劑,將燒杯置于100 ℃恒溫水浴鍋,使用電子攪拌器充分?jǐn)嚢?.5 h以上使鈷酸鈣粉體與有機(jī)載體混合均勻,即可得到鈷酸鈣漿料。在制備好鈷酸鈣漿料后,使用刮板和具有超材料單元圖案的絲網(wǎng)印刷模板,在超聲清洗后的氧化鋁陶瓷片上刮涂,靜置0.5 h流平后,再放入干燥箱內(nèi)80 ℃烘干3 h,最后再放入電爐中800 ℃高溫?zé)Y(jié)4 h,使鈷酸鈣薄膜形成并與氧化鋁基板牢固地結(jié)合,緩慢冷卻到室溫避免溫度突變產(chǎn)生較大的應(yīng)力集中,最終得到鈷酸鈣電阻膜型超材料吸波體。
采用北京普析通用儀器有限公司的XD6型X射線衍射分析儀對粉體和薄膜的物相組成進(jìn)行分析,選用Cu靶Kα射線,工作電壓為36 kV,工作電流為20 mA,掃描角度為10°~90°,掃描速度為8(°)/min。采用北京中科科儀股份有限公司的KYKY-EM6200型掃描電子顯微鏡觀察粉體和薄膜的表面形貌。采用蘇州晶格電子有限公司生產(chǎn)的ST-2258C型多功能數(shù)字式四探針測試儀測試薄膜的常溫方塊電阻阻值,采用自制的高溫電阻測試系統(tǒng)對鈷酸鈣薄膜的溫阻特性進(jìn)行測試,采用弓形法測試超材料在不同溫度下的吸波性能。
圖1為溶膠凝膠法制備所得鈷酸鈣粉體的XRD圖譜。通過與標(biāo)準(zhǔn)的PDF卡片對比可以看出,制備的鈷酸鈣粉體為Ca9Co12O28相,無其他雜相存在。Ca9Co12O28相可以看做三個(gè)Ca3Co4O9相與氧原子結(jié)合組成,是Ca3Co4O9的富氧形式,因此它與Ca3Co4O9相的結(jié)構(gòu)是一樣的,都是絕緣層Ca2CoO3和導(dǎo)電層CoO2沿c軸交替排列而成。此外,鈷酸鈣粉體衍射峰的強(qiáng)度較高,襯底較低,說明制備的鈷酸鈣粉體結(jié)晶較好,晶相生長良好。
圖1 鈷酸鈣粉體的XRD圖譜Fig.1 XRD pattern of calcium cobalt powder
圖2為制備的鈷酸鈣粉體的SEM照片。從照片中可以看出,制備的鈷酸鈣粉體顆粒均勻、表面光滑,晶粒生長良好,具有一定的取向生長,呈明顯的片層狀結(jié)構(gòu),晶粒尺寸約在1~2 μm。說明制備的鈷酸鈣粉體結(jié)晶較好,無雜質(zhì),是單一的鈷酸鈣組分,顆粒細(xì)小更容易制備漿料進(jìn)行薄膜的刷涂。
圖2 鈷酸鈣粉體的SEM照片F(xiàn)ig.2 SEM images of calcium cobalt powder
將獲得的鈷酸鈣粉體制備成均勻漿料并涂覆于氧化鋁基板上,在電阻爐內(nèi)燒結(jié)制成鈷酸鈣薄膜,氧化鋁基板及鈷酸鈣薄膜膜層的XRD圖譜如圖3所示,通過與標(biāo)準(zhǔn)的PDF卡片對比發(fā)現(xiàn),與粉體衍射峰不同的是,鈷酸鈣薄膜上由Ca3Co4O9相及基板的Al2O3相組成的,除了Al2O3相外無其他雜相存在。這說明在薄膜燒結(jié)過程中,富氧形態(tài)的Ca9Co12O28相分解為Ca3Co4O9相,燒結(jié)更有利于Ca3Co4O9相的形成。圖中存在Al2O3相的衍射峰,是氧化鋁陶瓷基板的衍射峰,由于鈷酸鈣薄膜的厚度較小(20 μm左右),Al2O3相的衍射峰襯底也比較高。
圖3 鈷酸鈣薄膜的XRD圖譜Fig.3 XRD patterns of calcium cobalt thin films
圖4為在氧化鋁基板上燒結(jié)制備的鈷酸鈣薄膜的表面與斷口形貌。從圖中可以看出,制備的鈷酸鈣薄膜均勻但存在孔隙,這是由鈷酸鈣漿料的制備過程中加入的有機(jī)載體高溫下分解揮發(fā)后形成的。從圖4(b)可見膜厚度比較均勻,在20 μm左右,涂層薄膜與基體界面無明顯分層現(xiàn)象。
圖4 鈷酸鈣薄膜的表面形貌(a)與斷口形貌(b)Fig.4 Surface morphology (a) and fracture morphology (b) of calcium cobalt thin films
鈷酸鈣薄膜常溫下的方阻通過四探針測試儀進(jìn)行測試,電阻通過萬用表進(jìn)行測試,根據(jù)薄膜的形狀可以簡單地對薄膜的電阻和方阻之間進(jìn)行換算,設(shè)鈷酸鈣薄膜的尺寸長為l,寬為w,厚度為d,則鈷酸鈣薄膜的電阻可表示為:
(1)
式中:ρ為薄膜的電阻率;S為薄膜面積。薄膜方阻Rs可表示為:
(2)
可以看出,在測得薄膜電阻的數(shù)值后,通過式(2)即可算出方阻的大小。在尺寸為55 mm×20 mm的氧化鋁基板上制備長30 mm,寬20 mm的鈷酸鈣薄膜樣品,分別采用四探針測量薄膜常溫下的電阻率和方阻,萬用表測量常溫電阻,數(shù)據(jù)如表3所示。
表3 鈷酸鈣薄膜樣品室溫下的測量數(shù)據(jù)Table 3 Measurement data of calcium cobalt thin film samples at room temperature
根據(jù)計(jì)算可以得出薄膜的平均厚度為20 μm,與電鏡觀察到的情況相符,薄膜常溫下的電阻率為1.7×10-3Ω·m,方阻四探針測量值為84.9 Ω/□,而根據(jù)電阻計(jì)算的方阻數(shù)值為85.3 Ω/□,誤差較小(0.4 Ω/□)。因此,設(shè)計(jì)并自制了高溫電阻測試系統(tǒng)測試鈷酸鈣薄膜的溫阻特性,如圖5所示。在薄膜的兩側(cè)印刷銀電極,通過高溫不銹鋼片連接兩側(cè)電極及固定測試基板,將測試樣品放入電爐中,兩側(cè)的高溫不銹鋼片通過高溫導(dǎo)電絲云母線與電爐外的VC890D數(shù)字萬用表連接,每升高50 ℃測試樣品的電阻,測試范圍為50~800 ℃。
圖5 鈷酸鈣薄膜溫阻特性測試系統(tǒng)Fig.5 Testing system for temperature-resistance characteristics of calcium cobalt thin films
圖6為采用自制的高溫電阻測試系統(tǒng)測得的鈷酸鈣薄膜的溫阻特性曲線,測量溫度范圍為25~800 ℃。從圖中可以看出:當(dāng)溫度由常溫升至300 ℃時(shí),鈷酸鈣薄膜的電阻隨著溫度的升高迅速下降;當(dāng)溫度繼續(xù)上升至800 ℃時(shí),鈷酸鈣薄膜的電阻值基本保持在40 Ω左右。
圖6 鈷酸鈣薄膜的溫阻特性曲線Fig.6 Temperature-resistance curve of calcium cobalt thin films
由于超材料的電阻膜主要根據(jù)方阻值進(jìn)行設(shè)計(jì),根據(jù)式(2)計(jì)算,將測得的鈷酸鈣薄膜的溫阻特性曲線轉(zhuǎn)換為方阻-溫度特性曲線,如圖7所示??梢钥闯?,鈷酸鈣薄膜方阻的變化趨勢與電阻變化趨勢相同,隨著溫度的升高,方阻逐漸降低至20 Ω/□附近,在300 ℃至800 ℃的溫度區(qū)間內(nèi),鈷酸鈣薄膜的方阻值基本保持穩(wěn)定。
圖7 鈷酸鈣薄膜的方阻-溫度特性曲線Fig.7 Square resistance-temperature characteristic curve of calcium cobalt thin films
以高溫方阻數(shù)值為依據(jù)設(shè)計(jì)了超材料單元結(jié)構(gòu)圖案,采用絲網(wǎng)印刷方法制備了方塊形超材料吸波結(jié)構(gòu),超材料單元結(jié)構(gòu)如圖8所示,制備的超材料測試樣品如圖9所示。研究了制備涂層的不同溫度下的吸波性能,高溫下的反射率曲線如圖10所示,800 ℃高溫下,該樣品仿真值在9.2 GHz的電磁波反射率為-14.8 dB,在15 GHz的電磁波反射率為-9.6 dB,樣品實(shí)測值在9.4 GHz的電磁波反射率為-12.2 dB,在15.1 GHz的電磁波反射率為-7.9 dB。結(jié)果表明在800 ℃,涂層的反射率與設(shè)計(jì)結(jié)果基本吻合,在8~18 GHz顯示出了對電磁波雙吸收峰特征。
圖8 超材料單元結(jié)構(gòu)Fig.8 Structural of metamaterial unit
圖9 超材料測試樣品(180 mm×180 mm)Fig.9 Metamaterial test sample(180 mm×180 mm)
圖10 800 ℃下反射率測試結(jié)果與仿真結(jié)果對比Fig.10 Comparison of reflectivity test results and simulation results at 800 ℃
(1)本文通過溶膠凝膠法制備了鈷酸鈣粉體,通過XRD檢測分析認(rèn)為鈷酸鈣粉體為Ca9Co12O28相,無其他雜相存在。Ca9Co12O28相可以看做三個(gè)Ca3Co4O9相與氧原子結(jié)合組成,是Ca3Co4O9的富氧形式。
(2)采用燒結(jié)法在氧化鋁基板上制備出了鈷酸鈣薄膜,薄膜成分為Ca3Co4O9相。燒結(jié)過程中,富氧形態(tài)的Ca9Co12O28相分解為Ca3Co4O9相。制備的鈷酸鈣薄膜表面較為致密,由細(xì)小的鈷酸鈣晶粒組成,晶粒尺寸分布比較均勻,晶粒的取向生長比較明顯,呈細(xì)小的片狀結(jié)構(gòu)。薄膜與氧化鋁基板之間結(jié)合緊密。
(3)通過測試發(fā)現(xiàn),鈷酸鈣薄膜的電阻隨著溫度的升高而降低,方阻逐漸降低至20 Ω/□左右,在300 ℃至800 ℃的溫度區(qū)間內(nèi),鈷酸鈣薄膜的方阻值基本保持穩(wěn)定。
(4)以鈷酸鈣材料制備的高溫吸波超材料,在800 ℃高溫下該樣品在9.4 GHz的電磁波反射率為-12.2 dB,在15.1 GHz的電磁波反射率為-7.9 dB,有望實(shí)現(xiàn)雷達(dá)波在高溫下的寬頻吸收。這些研究為基于耐熱陶瓷涂層的高溫吸波超材料的設(shè)計(jì)與制備提供了一定的參考。