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        Floquet規(guī)范轉變誘導拓撲π模產(chǎn)生的理論分析

        2021-08-26 08:59:40宋萬鴿祝世寧
        人工晶體學報 2021年7期
        關鍵詞:哈密頓量能隙能帶

        宋萬鴿,祝世寧,李 濤

        (南京大學現(xiàn)代工程與應用科學學院,南京 210023)

        0 引 言

        隨著整數(shù)量子霍爾效應和量子自旋霍爾效應的發(fā)現(xiàn)[1-3],拓撲絕緣體逐漸引起了人們的關注[4-5]。拓撲絕緣體的能帶具有獨特的拓撲特性,可以用非平庸的受對稱性保護的拓撲序來描述[6-8]。在非零的拓撲序下,拓撲絕緣體在整體上是絕緣的,而在其表面存在著導通的表面態(tài)。這種表面態(tài)具有單向傳輸?shù)奶攸c,并且是受拓撲保護的,因此具有背散射免疫的特性,對局部結構擾動和無序表現(xiàn)出較強的魯棒性。近年來,不同種類的拓撲態(tài)已經(jīng)在各種各樣的體系中被發(fā)現(xiàn),包括準晶體[9]、高階拓撲絕緣體[10]、非厄米系統(tǒng)[11]和周期性驅(qū)動的Floquet系統(tǒng)[12]等。其中,在一維拓撲結構中,Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型是一個結構簡單而內(nèi)涵豐富的系統(tǒng)。它描述的是聚乙炔鏈中由C—C單雙鍵交替排列的鏈中插入相鄰兩個單鍵或兩個雙鍵構成的扭結(kink和antikink)中發(fā)現(xiàn)的一種拓撲孤子態(tài)[13-14],即所謂的零模[15]。零模具有對局部結構擾動和無序的魯棒性,已被用于實現(xiàn)魯棒性光傳輸[16]、拓撲激光[17]、邏輯運算[18]等方面。

        另一方面,周期性驅(qū)動的Floquet系統(tǒng)也表現(xiàn)出了豐富的拓撲效應,F(xiàn)loquet系統(tǒng)的哈密頓量在時間上是周期性的,即H(t+T)=H(t),其中T為周期。人們可通過調(diào)節(jié)頻率和幅度來設計準能帶結構并探索非平庸的物理效應。例如異常的拓撲Floquet邊界模式[19]、“ 0”和“π” Majorana模式[20]以及關聯(lián)的Floquet相[21]等。其中,周期性驅(qū)動的SSH模型也逐漸吸引了人們的關注[22-25],人們發(fā)現(xiàn)了其中蘊含一種全新的拓撲π模[22]。與靜態(tài)零模不同,π模式表現(xiàn)出周期性的振蕩特征。此外π模也具有拓撲保護特性,因此對結構擾動也表現(xiàn)出良好的魯棒性。

        值得一提的是,前面提到的多種拓撲態(tài)有一個共同點,即它們都出現(xiàn)在具有不同拓撲相的兩個系統(tǒng)之間的界面上,這就是著名的體邊對應關系[8]。然而,最近有研究表明,在Floquet系統(tǒng)中,即使拓撲相是一致的,但如果Floquet規(guī)范場[26-27]不同,也有可能產(chǎn)生拓撲邊界態(tài)。這種規(guī)范相變引起的拓撲態(tài)及單向傳播現(xiàn)象在彎曲的硅波導陣列系統(tǒng)中成功被實驗觀測到[28],但是背后的物理機理還未完全清楚。

        本文深入研究了Floquet系統(tǒng)中規(guī)范場對于系統(tǒng)準能帶以及π模式演化的影響。通過將Floquet系統(tǒng)與Jackiw-Rebbi (JR)模型[29]進行類比,推導出了π能隙質(zhì)量項與Floquet規(guī)范的關系,從而闡明了Floquet規(guī)范的物理內(nèi)涵,揭示了Floquet規(guī)范轉變誘導拓撲π模的產(chǎn)生機理。

        1 周期性驅(qū)動的SSH模型

        考慮在一個光波導陣列當中實現(xiàn)周期性驅(qū)動的SSH模型[22-25]。根據(jù)波導陣列的亥姆霍茲方程與薛定諤方程的形式上的一致性,波導的傳播方向?qū)跁r間。因此,如果將波導進行周期性彎曲,則可實現(xiàn)體系的含時調(diào)制。圖1(a)是周期性調(diào)制的SSH模型示意圖,可以看到,波導之間的間距隨著傳播方向z而周期性地發(fā)生變化。如果假設波導彎曲調(diào)制滿足正弦型調(diào)制,即x0(z)=Acos(2π/Pz),那么波導之間的間距滿足d(z)=d0±Acos(ωz+φ),這里d0是波導之間的平均間距,z為傳播方向,A為彎曲幅度,ω=2π/P為彎曲頻率,φ為彎曲的初相(這里φ=0),即所謂的Floquet規(guī)范[26-28]。耦合系數(shù)c隨z變化的關系可以近似寫為c(z)=c0±δccos(ωz+φ),其中c0是波導之間的平均耦合系數(shù),δc是耦合系數(shù)的最大變化量??梢钥吹?,c是具有周期性的,在一個周期內(nèi),最強最弱的耦合系數(shù)分別為c0+δc和c0-δc。該體系哈密頓量可以寫為:

        圖1 (a)波導陣列中周期性調(diào)制的SSH模型示意圖;(b)Floquet規(guī)范轉變界面示意圖

        (1)

        下面,考慮把兩個具有不同F(xiàn)loquet規(guī)范的陣列拼在一起,形成一個Δφ≠0的界面,如圖1(b)所示(這里左邊陣列φ1=φ0=0,右邊φ2=φ1+Δφ=π,其他參數(shù)一致,Δφ是左右陣列的規(guī)范差)。雖然兩個陣列的拓撲不變量是相同的,即該界面處沒有拓撲相變,但是如果φ2=φ1+π,即Δφ=π,那么在該界面處會由于Floquet規(guī)范的轉變而出現(xiàn)π模[28],如圖2(b)所示,可以看到界面處也出現(xiàn)了局域的場分布。為了解釋規(guī)范相變引起拓撲態(tài)的物理機理,本文采用Floquet理論[24,30-31]來處理該周期性驅(qū)動的系統(tǒng)。

        圖2 (a)周期性驅(qū)動SSH模型中π模的場分布;(b)具有Floquet規(guī)范轉變的π模的場分布??偛▽Ц鶖?shù)為80,F(xiàn)loquet規(guī)范轉變界面位于第40根波導附近

        根據(jù)Floquet理論,該體系的薛定諤方程的解可以寫成Floquet態(tài)的疊加:

        |ψα(z)〉=exp(-iεαz)|uα(z)〉

        (2)

        式中:εα是準能量,為ω的整數(shù)倍;|uα(z)〉是相應的Floquet模式,是P的周期函數(shù)|uα(z+P)〉=|uα(z)〉。

        將式(2)代入薛定諤方程,可以得到相應的特征值方程:

        (3)

        將哈密頓量H(z)和Floquet模式|uα(z)〉進行頻譜分解,得到:

        (4)

        (5)

        由此,可以得出與時間(z)無關的Floquet方程:

        (6)

        下面,將Floquet理論應用于周期性彎曲波導陣列系統(tǒng)。圖1(b)所示的具有規(guī)范轉變的Floquet波導系統(tǒng)的哈密頓量可以寫為:

        (7)

        式中:N是每個陣列的波導數(shù)(N是偶數(shù)),總波導數(shù)是2N。根據(jù)Floquet理論,可以將式(7)的哈密頓量表示為與時間無關的項和與時間周期相關項之和:

        H(z)=H0+Hp(z)

        (8)

        其中:

        (9)

        以及:

        (10)

        H0和Hp可以進一步寫為2N×2N矩陣形式:

        (11)

        以及:

        Hp(t)=H1e-iωt+H-1eiωt

        (12)

        注意,這里將傳播常數(shù)β0設為零作為參考值。式(12)中分量H1和H-1表示為:

        (13)

        因此,式(6)中與時間無關的Floquet方程可以用塊矩陣運算符表示為以下特征值問題:

        (14)

        其中Floquet哈密頓量為:

        (15)

        式(14)揭示了Floquet理論的本質(zhì)。它可以將一維時間周期問題轉換為二維時間無關問題,除了原來的空間維度i之外,另一個人工維度由Floquet指數(shù)n構成,又稱Floquet復制帶,第n個Floquet復制帶的準能量會出現(xiàn)nω的偏移[24,30-31]。若將式(15)在足夠大的n處截斷,可以求得收斂的特征向量(即本征模式分布)和特征值(即準能量)。

        2 Floquet規(guī)范轉變誘導拓撲π模的產(chǎn)生機理

        為了解釋該π模式的出現(xiàn)原因,可以在Bloch基中重新寫出系統(tǒng)的哈密頓量。為此,必須考慮如圖1(a)所示的具有周期性的體系。根據(jù)平移對稱性,可以將實空間中的哈密頓量式(1)變換到動量空間k中[31]:

        H(k,z)=[(c0-δccos(ωz+φ))+(c0+δccos(ωz+φ))cos(k)]σx+(c0+δccos(ωz+φ))sin(k)σy

        (16)

        式中:k是準動量(晶格常數(shù)設置為1);σx,σy是Pauli矩陣。由于該哈密頓量遵循反對易關系{H(k,z),σz}=0[22],因此該系統(tǒng)具有由Pauli算子σz定義的手性對稱性。在這種情況下,式(15)中的Floquet哈密頓量HF的矩陣塊可以寫為:

        H0=[c0+c0cos(k)]σx+c0sin(k)σy

        (17)

        (18)

        將式(17)和式(18)代入式(15)中,可以得到動量空間中的Floquet哈密頓量HF。這里取五個Floquet復制帶,即n=0、±1和±2,因此HF是10×10的矩陣:

        (19)

        求解式(19),可以得到關于準動量k的準能譜,如圖3所示??梢钥吹剑诟哳l下(例如ω/4c0=2),不同的復制帶被完全分開,并且π能隙是打開的,但是是平庸的(見圖3(a))。隨著頻率降低(ω/4c0=1),復制帶彼此恰好接觸(例如,n=0和n=±1,n=±1和n=±2,見圖3(b))。進一步降低頻率(例如ω/4c0=0.5),復制帶可以相互交疊并重新打開非平庸的π能隙(見圖3(c))。但是,當將驅(qū)動頻率降低到ω/4c0=1/3時,其中n=2和n=-1(n=-2并且n=1)復制帶恰好交叉,則π能隙會重新閉合(見圖3(d))。因此,隨著頻率從0增大,π能隙會在ω/4c0=1/3處開始打開,在ω/4c0=1處關閉,并且在該區(qū)域會形成拓撲π模式。

        圖3 動量空間中不同彎曲頻率的準能量譜,清楚地顯示了Floquet系統(tǒng)中π能隙的開-閉-開機制

        為了研究Floquet規(guī)范轉變的影響,將Floquet哈密頓量簡化為僅包含n=1和n=0之間的兩個相關Floquet復制帶。相應的Floquet哈密頓量HF為:

        (20)

        式(20)的準能譜如圖4(a)所示,包含四條能帶。因為π能隙與兩個中心能帶密切相關,因此在排除了第一和第四能帶而保持中心能帶不變的情況下,可以得到緊湊的有效哈密頓量:

        (21)

        其中對角線項代表兩個不受擾動的Floquet帶(n=0的上帶,n=1的下帶),非對角線項對應于周期性彎曲調(diào)制引起的兩個帶的耦合。

        式(21)的特征值為:

        (22)

        下面,將式(22)在k=k0附近展開,并保留k的第一階近似,得到:

        (23)

        若假設δc/c0→0,則k0和Δπ可以近似表示為:

        (24)

        (25)

        則式(23)的準能量可以進一步簡化為:

        (26)

        式(26)的能帶如圖4(b)中黑色加粗點線所示,注意式(26)僅在k=k0附近有效。

        可以從準能量色散方程式(26)中得出Floquet波導系統(tǒng)的類似狄拉克哈密頓量的形式HFD:

        (27)

        其中I2×2是單位矩陣。Floquet-Dirac質(zhì)量項為mπ=(Δπ/2)e-iφ,其中φ即為Floquet規(guī)范,在這里充當質(zhì)量項的相位。特別地,如果Floquet規(guī)范反向,即φ→φ+π。則質(zhì)量項mπ→(Δπ/2)e-i(φ+π)=-(Δπ/2)e-iφ=-mπ將獲得相反的符號。根據(jù)式(7),兩個陣列的Floquet規(guī)范分別為φ1和φ2(φ2=φ1+π)。因此該系統(tǒng)具有相反的π能隙質(zhì)量項,即mπ1=-mπ2。盡管兩個陣列的都具有非平庸且相等的拓撲變量(Gπ=1),但Floquet規(guī)范相變會引起相反的π能隙質(zhì)量項,因此根據(jù)Jackiw-Rebbi模型[29],在質(zhì)量項反轉的界面處會出現(xiàn)拓撲局域模式,即所謂的規(guī)范相變誘導的π模式,如圖4(c)所示。

        圖4 (a)動量空間中的準能量譜,其中僅考慮兩個復制帶(n=0,1);(b)形成π能隙的準能量譜,黑色加粗虛線是通過在k=k0附近保留k的一階近似并假定δc/c0→0得到的;(c)Floquet規(guī)范相變誘導π界面態(tài)產(chǎn)生的示意圖

        3 結 論

        本文利用Floquet理論對周期性驅(qū)動的SSH模型進行了分析,構建出類似于Jackiw-Rebbi模型的哈密頓量,研究了Floquet系統(tǒng)中規(guī)范對于系統(tǒng)準能帶以及模式的影響。闡明了Floquet規(guī)范的物理內(nèi)涵為π能隙質(zhì)量項的相位。由此揭示了Floquet規(guī)范轉變誘導拓撲π模的產(chǎn)生機理,即Floquet規(guī)范轉變會造成π能隙的質(zhì)量項的反號,帶來能帶的翻轉,從而在界面處誘導產(chǎn)生拓撲π模。

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