周麗亞,周棲桐,趙聰俐,姜艷軍,馬麗,賀瑩
(1河北工業(yè)大學(xué)化工學(xué)院,天津 300130;2天津中醫(yī)藥大學(xué)健康科學(xué)與工程學(xué)院,天津 301617)
自單原子層石墨烯發(fā)現(xiàn)后,以其為代表的二維納米材料得到了深入的研究,除石墨烯外,其他的二維材料,尤其是過渡態(tài)金屬硫化物,特別是二硫化鉬(MoS2),由于價(jià)格低、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、良好的電催化活性等優(yōu)異性能引起了研究工作者極大的興趣[1-4]。MoS2本身的導(dǎo)電率較低,二維的片層結(jié)構(gòu)之間主要依賴范德華力隔開的S—Mo—S鍵緊密堆疊而成,在循環(huán)使用的過程中易發(fā)生團(tuán)聚,抑制了電子的傳遞能力,降低了導(dǎo)電能力[5-6]。為了解決上述問題,擴(kuò)大MoS2的使用范圍,已經(jīng)有研究通過各種方法改善MoS2的性能,如Yousaf等[7]采用水熱法利用乙二醇為還原劑在MoS2納米片上負(fù)載了Co和Ni的納米顆粒,由于Co和Ni之間的協(xié)同作用提高了電催化活性,降低了電子傳遞的阻礙,在析氫電催化反應(yīng)中體現(xiàn)出催化性能要優(yōu)于商品化的Pt/C催化劑。Wang等[8]利用水熱法和溶劑法連續(xù)反應(yīng)制備了海膽狀的CoS/MoS2納米球,CoS納米顆粒生長(zhǎng)在MoS2納米片層的表面,納米片自組裝成球形納米顆粒,制備的納米復(fù)合物有豐富的活性位點(diǎn)和高的導(dǎo)電性。但將MoS2復(fù)合材料應(yīng)用于生物傳感器領(lǐng)域要求電極表面的納米材料具有盡可能高的比表面積。因此,如何在有限的電極表面盡可能多地提高納米材料的表面積、提高電子轉(zhuǎn)移能力,是發(fā)揮二維納米材料優(yōu)異性能的關(guān)鍵。鉑和鈀同屬于鉑族元素,具有良好的生物兼容性和電催化性能,因此將金屬Pt、Pd修飾在MoS2上,利用MoS2中的硫原子使Pt、Pd在分子層中共價(jià)結(jié)合,通過沿z軸的范德華力作用堆疊在一起,可以改變MoS2的能帶結(jié)構(gòu)、增加導(dǎo)電性能、提高生物相容性,從而拓展MoS2在傳感、儲(chǔ)能等多領(lǐng)域的應(yīng)用。
當(dāng)前國(guó)家大力提倡餐桌上的安全和環(huán)境保護(hù),有機(jī)磷農(nóng)藥(OPs)作為常用的一類殺蟲劑在控制農(nóng)作物病蟲害和農(nóng)業(yè)增產(chǎn)增收方面發(fā)揮著重要作用,但是過度使用OPs而引起的農(nóng)藥殘留問題已經(jīng)成為影響環(huán)境和食品安全的重大隱患。生物傳感器法檢測(cè)OPs由于具有響應(yīng)快、操作簡(jiǎn)便、微型化和可現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn)成為當(dāng)今研究的熱點(diǎn)[9]。本文首先將塊狀二硫化鉬剝離成片層狀二硫化鉬納米片,并將Pt和Pd金屬納米顆粒負(fù)載于二硫化鉬納米片上,通過SEM、TEM、XRD和XPS等材料學(xué)表征手段考察其結(jié)構(gòu)和組成,并將該納米復(fù)合物修飾玻碳電極制備乙酰膽堿酯酶生物傳感器,考察其對(duì)OPs的檢測(cè)性能。
乙酰膽堿酯酶(AChE,EC3.1.1.7)、馬拉硫磷、甲基對(duì)硫磷和pluronic F127購(gòu)買于Sigma;二硫化鉬(MoS2)、抗壞血酸、氯化硫代乙酰膽堿(ATCl)、四氯鈀酸鈉(Na2PdCl4)、氯亞鉑酸鉀(K2PtCl4)、氯鉑酸(H2PtCl6)、鐵氰化鉀[K3Fe(CN)6]、Pt/C、殼聚糖等購(gòu)自上海阿拉丁公司。
電化學(xué)工作站(CHI650E),上海辰華儀器有限公司;高速控溫離心機(jī)(3K18),Sigma公司;掃描電子顯微鏡(JSM-6700F),日本JEOL公司;透射電子顯微鏡(2100f),日本JEOL公司;X射線光電子能譜(Escalab 250Xi),上海辰華儀器有限公司;數(shù)控超聲波清洗器(KQ2200DB),昆山市超聲儀器有限公司。
1.3.1 Pt-Pd/MoS2的制備
首先將塊狀二硫化鉬剝離成層狀,取MoS260mg,加入乙醇和水(體積比9∶11)共10mL,將混合物置于超聲振蕩器中,50Hz超聲8h后,在離心機(jī)中3000r/min離心20min,取上清液,置于高速離心機(jī)中10000r/min離心10min,取沉淀物,真空冷凍干燥后備用。
將F127(10mg)充分溶解于0.7mL H2PtCl6(10mmol/L)、0.7mL K2PtCl4(10mmol/L)和0.7mL Na2PdCl4(10mmol/L)的混合溶液中,加入1mg的剝離后的MoS2混合均勻后,加入1.0mL 30mmol/L的抗壞血酸溶液,然后在超聲波50Hz、40℃下反應(yīng)6h。反應(yīng)結(jié)束后,用水和乙醇離心洗滌(14000r/min、10min)各3次去除模板F127,干燥后得到MoS2表面負(fù)載Pt和Pd納米顆粒的納米復(fù)合物(Pt-Pd/MoS2)。
1.3.2 介孔鉑鈀雙金屬納米花的制備過程
利用Yamauchi課題組[10]的改進(jìn)方法,具體步驟如下:將F127(60mg)充分溶解于1.2mL H2PtCl6(20mmol/L)、1.8mL K2PtCl4(20mmol/L)和0.6mL Na2PdCl4(20mmol/L)的混合溶液中,加入60μL的鹽酸溶液(6.0mol/L)混合均勻后,加入3.0mL 0.1mol/L的抗壞血酸溶液,然后在超聲波50Hz、40℃反應(yīng)4h。反應(yīng)結(jié)束后,用水和乙醇離心洗滌(14000r/min,10min)各3次去除模板F127,干燥后得到產(chǎn)物介孔鉑鈀雙金屬納米花(MPtPdN)。
玻碳電極首先用0.05μm和0.3μm的拋光粉在麂皮上進(jìn)行打磨,然后依次在硝酸溶液(0.1mol/L)、乙醇和超純水中超聲清洗,直至玻碳電極的表面呈光滑的鏡面。將Pt-Pd/MoS2(0.75μg)加入到1.0mL 0.2%的殼聚糖溶液中,超聲至形成均一的懸濁液。取6.0μL殼聚糖和Pt-Pd/MoS2復(fù)合物懸滴到處理好的玻碳電極上,室溫下自然干燥,得到Pt-Pd/MoS2/GCE電極,然后將6.0μL AChE溶液懸滴到Pt-Pd/MoS2/GCE電極上,室溫下自然干燥,然后用pH=7.5的磷酸鹽緩沖溶液(PBS)清洗掉多余的AChE,干燥后即得到AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE電極。電極置于4℃冰箱中待用。作為對(duì)比MoS2/GCE、Pt/C/GCE和MPtPdN/GCE電極同樣按照類似的方法制備。
采用三電極體系,飽和甘汞電極為參比電極,鉑絲電極為輔助電極,修飾的玻碳電極為工作電極。在室溫條件下,利用循環(huán)伏安法(CV)和交流阻抗法(EIS)考察修飾電極的過程對(duì)響應(yīng)電流的影響;通過時(shí)間電流法考察電極的響應(yīng)性和酶對(duì)底物的親和能力;差分脈沖伏安法(DPV)測(cè)定OPs檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)曲線。
1.5.1 電活性表面積的計(jì)算
通過Randles-Sevcik方程[式(1)]計(jì)算電活性表面積。
式中,n為參與反應(yīng)的電子數(shù);Ip為氧化峰電流值,μA;C為K3Fe(CN)6的濃度,mol/cm3;D為K3Fe(CN)6在溶液中的擴(kuò)散系數(shù),D=0.63×10-5cm2/s(20℃);v為掃描速度,V/s;A為電極的電活性表面積。
1.5.2 動(dòng)力學(xué)參數(shù)的計(jì)算
表觀米氏常數(shù)(Km)是衡量酶和底物親和能力的重要參數(shù),反映生物傳感器電極表面生物酶的動(dòng)力學(xué)特征。利用時(shí)間電流法,固定工作電壓為0.65V,在持續(xù)攪拌下每隔一段時(shí)間向PBS溶液中加入一定量不同濃度的ATCl溶液,得到時(shí)間-電流曲線(i-t曲線)。Km值可以通過Lineweaver-Burk方程[式(2)]進(jìn)行計(jì)算。
式中,Is為加入ATCl后的電極的初始響應(yīng)電流;C'為ATCl的濃度;Imax為電極的最大響應(yīng)電流。通過分析Is與ATCl濃度的倒數(shù)關(guān)系[式(2)的斜率和截距],可計(jì)算得到Km值。
1.5.3 農(nóng)藥抑制率的測(cè)定及計(jì)算方法
在含有ATCl的PBS溶液中利用差分脈沖伏安法(DPV)測(cè)量AChE/CS-MPtPdN/GCE電極在OPs抑制前后在0.65V電壓下的響應(yīng)電流峰值(抑制前后的響應(yīng)電流峰值記為I0和I1),由式(3)可以計(jì)算得到響應(yīng)的抑制率。
市場(chǎng)上購(gòu)買的卷心菜和黃瓜清洗干凈后,瀝干水分。取2g蔬菜樣品噴灑上2mL不同濃度的OPs,置于4℃冰箱中保存24h。再將混合物研磨成漿,加入10mL PBS(0.1mol/L,pH=8.5)超聲混勻,離心后將上清液轉(zhuǎn)移到100mL的容量瓶中,并用PBS溶液稀釋到刻度;取20mL上述溶液進(jìn)行DPV測(cè)試。
Pt-Pd/MoS2的制備過程如圖1所示。圖2和圖3分別為剝離后的層狀MoS2和Pt-Pd/MoS2的掃描電鏡和透射電鏡照片,從圖2(a)和圖3(a)可以看出剝離后的MoS2呈現(xiàn)出層狀,且其邊緣有清晰的邊界,由圖2(b)和圖3(b)可以明顯看到在MoS2的表面上有大量納米顆粒附著,納米顆粒在片層表面分布均勻,基本沒有出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象。圖3(c)是Pt-Pd/MoS2的高倍透射電鏡照片,納米顆粒的尺寸在2~5nm,通過對(duì)晶格間距的分析,可知晶間條紋為0.274nm和0.625nm對(duì)應(yīng)MoS2的(100)和(002)晶面[11]。晶間條紋為0.222nm和0.234nm對(duì)應(yīng)Pt(111)和Pd(002)的晶面[12]。這說明Pt和Pd的納米顆粒成功修飾在MoS2的表面。通過面掃元素分析圖[圖3(d)]說明Pt-Pd/MoS2中S、Mo、Pt、Pd元素同時(shí)存在,也證明了Pt和Pd已經(jīng)成功負(fù)載在MoS2納米片上。
圖1 Pt-Pd/MoS2的制備過程
圖2 剝離后的層狀MoS2和Pt-Pd/MoS2的掃描電鏡圖
圖3 剝離后的層狀MoS2和Pt-Pd/MoS2的透射電鏡圖
通過XPS表征方法考察MoS2和Pt-Pd/MoS2的化學(xué)組成和元素價(jià)態(tài)。圖4(a)為MoS2和Pt-Pd/MoS2的全波長(zhǎng)譜圖,與MoS2的譜圖相比,除了都存在Mo、S、O、N、C元素外,在Pt-Pd/MoS2上有明顯的Pt和Pd的特征峰。圖4(b)是Mo 3d的高分辨譜,位于229.5eV和232.5eV處的峰是Mo的3d3/2和3d5/2自旋軌道,歸屬于MoS2中Mo4+,226.5eV處的峰是MoS2中S2-的2s軌道的特征峰[13-14],236.0eV處的峰歸屬于Mo6+的3d3/2軌道,這可能是由于MoS2的表面有部分被氧化成為MoO3[12];圖4(c)是Pd 3d的高分辨譜,335.1eV和341.5eV處的峰分別歸屬于Pd0的3d5/2和Pd2+的3d3/2軌道;圖4(d)是Pt 4f的高分辨譜,72.7eV和76.1eV處的峰歸屬于Pt 4f7/2和Pt 4f5/2自旋軌道[15],說明在制備的材料中存在Pt金屬納米顆粒;圖4(e)是S 2p的高分辨譜,161.7eV和163.1eV處的峰分別歸屬于S2-的2p1/2和2p3/2的特征峰[16]。
圖4 MoS2和Pt-Pd/MoS2的XPS圖譜
圖5(a)為空白電極、Pt-Pd/MoS2/GCE、Pt/C/GCE、MPtPdN/GCE和MoS2/GCE在含有5.0mmol/L K3Fe(CN)6和0.1mol/L KCl的PBS(0.1mol/L,pH=7.5)溶液中的循環(huán)伏安圖,由圖可以看出,綠色線條對(duì)應(yīng)Pt-Pd/MoS2/GCE電極的掃描結(jié)果具有最大的氧化還原峰,略高于商品化的Pt/C制備的電極,同時(shí)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于MPtPdN/GCE和Pt/C/GCE,說明制備的Pt-Pd/MoS2納米復(fù)合物在降低貴金屬用量的同時(shí)達(dá)到更好的電化學(xué)性能。圖5(b)為空白電極、Pt-Pd/MoS2/GCE、Pt/C/GCE、MPtPdN/GCE和MoS2/GCE的交流阻抗圖,Pt-Pd/MoS2/GCE在低頻區(qū)的半圓直徑最小,明顯低于MoS2/GCE,說明Pt-Pd/MoS2/GCE與其他電極相比具有較小的阻抗,這主要是因?yàn)镻t和Pd本身就是良好的電子傳遞介體,其次Pt和Pd調(diào)節(jié)了二硫化鉬納米片的能帶結(jié)構(gòu),使其電導(dǎo)性能提高。通過Randles-Sevcik公式計(jì)算Pt-Pd/MoS2/GCE電極的電活性表面積為0.2917cm2。
圖5(c)是空白電極、Pt-Pd/MoS2/GCE、MoS2/GCE、AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE和AChE/MoS2/GCE在含有1.0mmol/L ATCl的PBS(0.1mol/L,pH=7.5)中的循環(huán)伏安圖。由圖5(c)可以看到,只有AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE和AChE/MoS2/GCE兩支電極在0.65V附近出現(xiàn)明顯的不可逆氧化峰,而其他的電極都沒有氧化峰出現(xiàn),同時(shí)AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE(綠色)比AChE/MoS2/GCE(紫色)的峰電流值更高,也進(jìn)一步印證了Pt-Pd/MoS2具有優(yōu)異的電化學(xué)性能。圖5(d)為AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE在50~150mV/s的掃描速度下的循環(huán)伏安圖,由掃描速度和氧化峰電流值的擬合曲線可知,掃描速度在50~150mV/s范圍,掃描速度與氧化峰電流值呈線性關(guān)系,擬合方程為y=0.01227x+3.165(R2=0.9960),相較于掃描速度的平方根與氧化峰電流值的關(guān)系,具有更好的擬合效果,因此可說明在AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE電極表面發(fā)生的反應(yīng)屬于表面控制。
圖5 制備電極的電化學(xué)性能
2.3.1 pH對(duì)生物傳感器響應(yīng)的影響
由于反應(yīng)體系的pH對(duì)AChE充分發(fā)揮催化活性具有顯著的影響,因此考察不同的pH(6.5~8.5)對(duì)氧化峰電流的影響。如圖6(a)所示,在pH為7.5時(shí)具有最大的氧化峰電流值,這與AChE的最適pH一致,因此后續(xù)試驗(yàn)選擇pH為7.5。
天上繁星歷歷,星光在宇宙中旅行千百億年,將能量匯聚在一起,又分散開來,分分合合之間,無數(shù)的時(shí)空生生滅滅,連光都逃不出的宇宙,它的邊界在哪里?由星空往下,在茫茫寰宇中,大唐像一片樹葉?長(zhǎng)安像樹葉之中的一個(gè)斑點(diǎn)?萬花谷?針尖一般的美夢(mèng)。現(xiàn)在夜露下降,凝結(jié)在萬花谷的草木之上,滋養(yǎng)生息,任其枯榮成敗。由三星望月到云錦臺(tái),由一間小剎到仙跡巖,由攬星潭到天工坊,由水月宮到千機(jī)閣,由聾啞村到更遠(yuǎn)的絕情谷,桃源的燈火一盞一盞地滅掉。再平常不過的夏天的夜晚,習(xí)習(xí)涼風(fēng),吹起夏蟲鳴,草木香,催發(fā)人世好夢(mèng)。
2.3.2 酶負(fù)載量對(duì)生物傳感器響應(yīng)的影響
酶的負(fù)載量也是影響電極性能的主要因素,考察了不同的AChE負(fù)載量對(duì)氧化峰電流的影響。如圖6(b)所示,隨著酶修飾量由0.04U增加至0.06U,氧化峰電流值也隨之增大,但當(dāng)AChE的量再增大,氧化峰電流值略有降低,這可能是由于過多的AChE會(huì)造成酶活性位點(diǎn)的相互遮蓋,影響酶的活性,因此后續(xù)試驗(yàn)選擇酶的負(fù)載量為0.06U。
2.3.3 Pt-Pd/MoS2的修飾量對(duì)生物傳感器響應(yīng)的影響
考察在電極上修飾不同質(zhì)量的Pt-Pd/MoS2(0.25~1.25μg)對(duì)氧化峰電流值的影響。如圖6(c)所示,在Pt-Pd/MoS2的修飾量從0.25μg增大至0.75μg時(shí),氧化峰電流值不斷增大,Pt-Pd/MoS2的修飾量再增大,氧化峰電流值不再增大反而略有降低,這是由于Pt-Pd/MoS2具有良好的導(dǎo)電能力,修飾適量的Pt-Pd/MoS2納米復(fù)合物,尤其是納米材料形成單層膜的情況下,會(huì)使傳感器達(dá)到最大的靈敏度,但Pt-Pd/MoS2的修飾量過大時(shí),會(huì)在電極的表面形成不均勻的雙層或多層膜,對(duì)電子傳遞產(chǎn)生阻礙。因此后續(xù)試驗(yàn)選擇Pt-Pd/MoS2的修飾量為0.75μg。
圖6 試驗(yàn)條件的優(yōu)化
2.3.4 農(nóng)藥抑制時(shí)間的影響
電極在OPs中的抑制時(shí)間是影響抑制率的重要因素,因此,將電極在馬拉硫磷的溶液中抑制不同時(shí)間,考察其對(duì)抑制率的影響。如圖6(d)所示,抑制時(shí)間為100~400s時(shí),抑制率不斷增大,繼續(xù)增大抑制時(shí)間,抑制率無明顯的變化,表明此時(shí)馬拉硫磷與AChE的結(jié)合狀態(tài)已達(dá)到飽和[17-19]。后續(xù)試驗(yàn)選擇400s為抑制時(shí)間。
圖7是AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE的時(shí)間電流工作曲線。試驗(yàn)條件是在持續(xù)磁力攪拌的PBS(0.1mol/L,pH=7.5)的溶液中,工作電壓0.65V下,每隔50s加入不同濃度的ATCl。由圖7可知,隨著溶液濃度的不斷增加,電流值呈階梯狀不斷增大,且在5s左右達(dá)到穩(wěn)定,說明AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE對(duì)ATCl具有良好的響應(yīng)性,且ATCl的濃度在100~3200μmol/L范圍內(nèi)與電流大小呈現(xiàn)線性關(guān)系,且當(dāng)ATCl的濃度為3200μmol/L后,響應(yīng)電流值趨于穩(wěn)定,這符合典型的米氏過程,根據(jù)L-B方程,ATCl濃度與電流值的雙倒數(shù)作圖可以計(jì)算得出表觀米氏常數(shù)[圖7(b)],AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE傳感器上AChE的Km為883μmol/L。
圖7 AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE的時(shí)間電流曲線
圖8 制備電極在不同濃度的馬拉硫磷和甲基對(duì)硫磷抑制400s后的DPV圖
表1 Pt-Pd/MoS2對(duì)馬拉硫磷的檢測(cè)性能與相關(guān)文獻(xiàn)的比較
考察AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE在卷心菜中的馬拉硫磷和甲基對(duì)硫磷兩種農(nóng)藥的回收率,見表2所示。AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE傳感器對(duì)于卷心菜中的有機(jī)磷農(nóng)藥的檢測(cè)回收率為91.4%~103%,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.9%~4.5%。研究結(jié)果表明該生物傳感器具有較好的回收率和準(zhǔn)確性,可用于實(shí)際樣品的分析。
表2 實(shí)際樣品中OPs的回收試驗(yàn)(n=3)
圖9 不同干擾物對(duì)測(cè)定馬拉硫磷氧化峰電流值的影響
將制備好的電極儲(chǔ)藏在4℃的干燥環(huán)境中,每隔一段時(shí)間測(cè)量在含有1mmol/L ATCl的0.1mol/L PBS(pH 7.5)中的DPV曲線。試驗(yàn)結(jié)果表明,儲(chǔ)藏38天后仍能保持90%以上的初始響應(yīng)電流值,顯示了良好的儲(chǔ)藏穩(wěn)定性,電流值在長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)藏后有一定程度的降低,可能是儲(chǔ)藏過程中酶活力降低導(dǎo)致的。
用同樣的制備方法制備6支電極,分別測(cè)量在1×10-10mol/L的馬拉硫磷溶液中抑制10min后,在含有1mmol/L ATCl的PBS(0.1mol/L,pH=7.5)中的DPV曲線,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為4.69%;并對(duì)同一支電極在1×10-10mol/L的馬拉硫磷有機(jī)農(nóng)藥抑制10min后,在1mmol/L的ATCl中重復(fù)測(cè)定8次的DPV曲線,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為4.58%,表明AChE/Pt-Pd/MoS2/GCE具有良好的重現(xiàn)性。
利用Pt-Pd/MoS2在玻碳電極表面固定AChE,制備了AChE生物傳感器,當(dāng)酶負(fù)載量為0.06U、Pt-Pd/MoS2的修飾量為0.75μg、緩沖溶液pH為7.5時(shí),生物傳感器具有較好的響應(yīng)性。測(cè)定動(dòng)力學(xué)參數(shù)Km為883μmol/L;并以馬拉硫磷和甲基對(duì)硫磷為代表,研究了制備電極的檢測(cè)性能,馬拉硫磷的檢測(cè) 范 圍 為1×10-14~1×10-5mol/L,檢 測(cè) 限 為4.69×10-14mol/L;甲基對(duì)硫磷的檢測(cè)范圍為1×10-15~1×10-5mol/L,檢測(cè)限為5.23×10-15mol/L(S/N=3)。同時(shí)電極具有良好的抗干擾性、儲(chǔ)藏穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。貴金屬納米顆粒和MoS2納米片的結(jié)合,一方面貴金屬納米顆粒為本來就具有邊緣活性的MoS2納米片材料提供了更豐富的活性位點(diǎn),同時(shí)增大了比表面積;另一方面,MoS2納米片具有的二維穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),可以在保證發(fā)揮高效的電化學(xué)活性的同時(shí)降低貴金屬的用量,降低生產(chǎn)成本,為二維納米材料構(gòu)建高效生物傳感器提供了思路,其應(yīng)用范圍可以拓展到傳感器制備和電催化等領(lǐng)域。