欒厚福
縱觀近五年全國高考I、II、卷中關(guān)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的選做題,不難發(fā)現(xiàn),這些試題基本都是圍繞某一科研成果或化學(xué)史料等載體進行綜合命題。試題考查的角度基本相同,幾乎都是綜合考查核外電子排布式(圖)、電離能與電負(fù)性、中心原子的雜化類型與粒子的空間構(gòu)型、氫鍵與晶格能、晶體的結(jié)構(gòu)性質(zhì)與計算等五大考點。上述考點基本都是單一出現(xiàn),有的小題相對簡單,得分較容易,僅最后兩三問難度較大,整體看試題難度系數(shù)基本控制在0.55~0.60,這些考點在不同年份的試卷或同年的不同試卷中常交替考查,每年的考查角度也不盡相同,每道試題中以上五大考點80%左右基本相同。
現(xiàn)結(jié)合高考真題分析上述考點的具體落實情況和考查形式,并簡要分析相關(guān)考點的解答策略。
例題近年來我國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一系列意義重大的鐵系超導(dǎo)材料,其中一類為Fe-Sm-As-F-O組成的化合物。
回答下列問題:
(1)元素As與N同族。預(yù)測As的氫化物分子的立體結(jié)構(gòu)為,其沸點比NH的(填“高”或“低”),判斷理由是
(2)Fe成為陽離子時首先失去軌道電子,Sm的價層電子排布式為4f°6s*,Sm3+的價層電子排布式為
(3)比較離子半徑:F_O-(填“大于”等于”或“小于”)。
(4)一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示,晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示。
圖中F和O”共同占據(jù)晶胞的上下底面位置,若兩者的比例依次用x和1一x代表,則該化合物的化學(xué)式表示為;通過測定密度ρ和晶胞參數(shù),可以計算該物質(zhì)的?值,完成它們關(guān)系表達式:p=g.cm-3。
以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo),例如圖1中原子1的坐標(biāo)為
解析:(1)考查粒子的空間構(gòu)型與氫鍵知識。可類比NH。的空間構(gòu)型或根據(jù)雜化理論計算軌道數(shù)目,判斷AsH分子的立體結(jié)構(gòu);能從氫鍵角度解釋沸點NH》AsH。
(2)考查核外電子排布式。根據(jù)構(gòu)造原理,能正確書寫核外電子排布式或價層電子排布式,需注意基態(tài)原子形成離子時應(yīng)先失去最外層電子,與電子的排布順序不一定相同,如基態(tài)Fe形成Fe+時,依次失去4s能級上2個電子和3d能級上1個電子。
(3)考查粒子半徑。電子層結(jié)構(gòu)相同的不同粒子,可根據(jù)“核大徑小”判斷其半徑關(guān)系。
(4)考查晶胞的結(jié)構(gòu)與均攤法的應(yīng)用,以及晶體密度的計算和晶胞中點坐標(biāo)的確定等,綜合性較強。結(jié)合圖1可知Sm和As均處于4個面心,F(xiàn)e位于體心和4個棱上,F(xiàn)(含0-)位于上下底面和8個頂點,結(jié)合均攤法可確定晶胞中含Sm、As、Fe、F(含O-)數(shù)目均為2,結(jié)合F和O一所占比例,可確定化合物的化學(xué)式為SmFeAsO__F.;再結(jié)合該晶胞質(zhì)量
點評:本題很具有代表性,4道小題涵蓋了物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)大部分考點的考查形式,且試題突出對晶體的結(jié)構(gòu)與計算的考查。涉及利用均攤法計算化學(xué)組成、晶體密度與晶胞參數(shù)的計算、晶胞中點坐標(biāo)的確定等,幾乎包括了所有關(guān)于晶胞的相關(guān)計算。
為了做好關(guān)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)方面的試題,具體談下五大高頻考點的解答策略。
一、核外電子排布式(圖)的書寫方法熟記構(gòu)造原理,清楚核外電子按1s、2s、2p.3s.3p.4s.3d.4p.5s.....的能級順序進行排列。能正確書寫1-36號元素的核外電子排布式,尤其是Cr和Cu的核外電子排布式,書寫時需明確每個能級的軌道數(shù)目和最多容納的電子數(shù)目(見表1)。
價層電子排布式,即簡化電子排布式去掉方括號后的剩余部分,如Cl的價層電子排布式為3s3p'。能結(jié)合泡利原理和洪特規(guī)則畫出核外電子排布圖。注意同一軌道內(nèi)2個電子的自旋方向相反,電子排布在同一能級的不同軌道時,基態(tài)原子中電子總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道。
二、電離能與電負(fù)性的比較
牢記第一電離能和電負(fù)性的遞變規(guī)律(見表2)。
能結(jié)合半充滿或全充滿解釋第一電離能出現(xiàn)反常的原因,有些原子失去1個電子達到全充滿或半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),很難再失去電子,由此可比較某些元素第二電離能的相對大小等。
三、雜化軌道的判斷與粒子空間構(gòu)型的判斷方法
1.中心原子雜化軌道類型的判斷方法。(1)根據(jù)價層電子對數(shù)判斷。價層電子對數(shù)為2、3、4時,中心原子雜化類型分別為sp、sp和sp。
(3)根據(jù)等電子原理判斷。等電子體不僅結(jié)構(gòu)和性質(zhì)相似,中心原子的雜化類型也相似。
2.判斷分子或離子的立體構(gòu)型。
(1)根據(jù)價層電子對互斥理論判斷。
(2)利用等電子原理判斷陌生分子的立體構(gòu)型。如N2O與CO,是等電子體,立體構(gòu)型均為直線形,N,O的結(jié)構(gòu)式和CO,相似,為N=N-0。
(3)根據(jù)中心原子的雜化方式判斷,如:①CCI.SO的中心原子均為sp雜化且不含孤電子對,均為正四面體形結(jié)構(gòu);NHg、H,O中心原子均為sp雜化,且孤電子對數(shù)為1和2,立體構(gòu)型分別為三角錐形和V形。
sp'雜化,立體構(gòu)型均為平面結(jié)構(gòu);SO、HCHO中心原子為sp'雜化且不含孤電子對,立體構(gòu)型為平面三角形;若含1個孤電子對,則立體構(gòu)型為V形,如SO。
CH=CH、BeCl,中心原子均為sp雜化,立體構(gòu)型均為直線形。
四、氫鍵與晶格能的應(yīng)用
1.同主族元素的氣態(tài)氫化物,一般隨相對分子質(zhì)量的增大,分子間作用力增強,熔沸點升高,若某物質(zhì)的熔沸點反常,可利用分子間存在氫鍵解釋,如沸點HF》HC1,是因為HF分子間存在氫鍵。
2.根據(jù)分子的極性和相似相溶原理,可解釋物質(zhì)的溶解性問題。如NH。為極性分子,易溶于H,O等極性溶劑,而難溶于CCl,等非極性溶劑。
3.結(jié)合離子晶體熔點,可根據(jù)影響晶格能的因素進行解釋。形成離子晶體的離子半徑越小,所帶電荷越多,則晶格能越大。如熔點NaCl》KC1,是因為離子半徑Nat《Kt,即晶格能NaCl》KCl。
五、晶體的結(jié)構(gòu)性質(zhì)與計算
1.判斷晶體類型。
根據(jù)晶體的硬度、熔沸點和導(dǎo)電性等性質(zhì),能正確判斷晶體的類型。如:①碳化鋁,黃色晶體,熔點2200C,熔融態(tài)不導(dǎo)電,為原子晶體;②五氟化釩,無色晶體,熔點19.5”C,易溶于乙醇、氯仿、丙酮等,為分子晶體。
2.利用均攤法能確定晶體的化學(xué)式。
注意:①當(dāng)晶胞為六棱柱時,其頂點上的粒子被6個晶胞共用,每個粒子屬于該晶胞的部分為言,而不是g;同理,側(cè)棱、底面上的棱、面心依次被3、4、2個晶胞所共有。②審題時一定要注意是分子結(jié)構(gòu)還是晶體結(jié)構(gòu),若是分子結(jié)構(gòu),其化學(xué)式由圖中所有實際存在的原子個數(shù)決定,且原子個數(shù)可以不互質(zhì)(即原子個數(shù)比可以不約簡)。
3.關(guān)于晶胞的計算。
(1)根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)特點和有關(guān)數(shù)據(jù),求算晶胞的密度、晶胞的體積或晶胞的邊長。
對于立方晶胞,可建立如下求算途徑:
表示密度,N表示阿伏加德羅常數(shù),n表示lmol晶胞所含基本粒子或特定組合的物質(zhì)的量,M表示摩爾質(zhì)量)。
或根據(jù)晶胞質(zhì)量相等,即“n
(2)金屬晶體中體心立方堆積、面心立方堆積中相互關(guān)系(棱長為a,原子半徑為r)。
①面對角線長=2a,體對角線長=3a。②體心立方堆積4r=/3a,面心立方堆積4r=2a。
4.粒子坐標(biāo)的確定。
根據(jù)晶胞中粒子所處的位置和已知點坐標(biāo),可確定其他粒子的點坐標(biāo)。
關(guān)于晶胞結(jié)構(gòu)的計算,是物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)模塊學(xué)習(xí)的難點,解答這類題,一是要正確理解均攤法及其應(yīng)用,二是要有扎實的立體幾何知識,三是要熟悉常見晶體的結(jié)構(gòu)特征,做到融會貫通,舉一反三。
高考中除以上五大高頻考點外,有些試題中還偶爾涉及o鍵或鍵的計算、晶體中化學(xué)鍵類型的判斷等。以上列舉的五大高頻考點的相關(guān)解答策略,要能認(rèn)真理解,能結(jié)合具體試題具體分析,在實際做題中也要學(xué)會自我歸納總結(jié)提升,以達到事半功倍的效果。
(責(zé)任編輯謝啟剛)