趙昱萌，凡守濤，韓宇，王川

(北京遙感設(shè)備研究所，北京 100854)

0 引言

多芯片組件(multi-chip module,MCM)是微波產(chǎn)品的重要組成部分，其集成度的高低將直接影響到產(chǎn)品的小型化與輕量化[1-3]。當(dāng)前，軍用領(lǐng)域絕大多數(shù)的MCM使用的還是傳統(tǒng)的二維多芯片組件(2D-MCM)形式，2D-MCM組裝方式由于受到二維平面上布局密度以及布線線寬的影響，其組裝密度已趨于理論最大值，很難進(jìn)一步提高。為了實(shí)現(xiàn)更高的集成密度，多芯片組件需要進(jìn)一步利用第三維空間，轉(zhuǎn)變?yōu)槿S多芯片組件(3D-MCM)形式。3D-MCM以微波垂直互連工藝為基礎(chǔ)，是實(shí)現(xiàn)微波產(chǎn)品小型化的關(guān)鍵技術(shù)，代表了微波集成技術(shù)的前沿方向[4-12]。但是，3D-MCM對(duì)微波信號(hào)垂直傳輸?shù)倪B續(xù)性、組件的裝配精度、垂直互連的可靠性等各個(gè)方面均有較高的要求，具有較大設(shè)計(jì)復(fù)雜度，需要開(kāi)展大量的仿真設(shè)計(jì)工作。

1 3D-MCM仿真

3D-MCM的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，最外層是金屬管殼，管殼內(nèi)的上、下2層印制板上均放置芯片，2層印制板間通過(guò)金屬焊球相互連接，金屬球不僅具有印制板三維堆疊的功能，還可以起到隔離作用，防止信號(hào)泄露，使得芯片距離變小從而讓組件體積更小。

圖1 3D-MCM組件結(jié)構(gòu)示意圖

球柵陣列封裝(ball grid array package,BGA)技術(shù)是應(yīng)用在集成電路上的一種表面黏著技術(shù)[13]，在3D-MCM中可以利用BGA球形陣列作為上下基板的互連通路和物理支撐。采用BGA技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)是封裝體積小，在實(shí)際的應(yīng)用中可以非常簡(jiǎn)便地操作[14-15]。但是，將BGA互連應(yīng)用于基板之間微波信號(hào)的垂直互連還需要進(jìn)行更加深入地研究。在本文的研究中主要是把印刷電路板(printed circuit board,PCB)作為上下層的基板，通過(guò)使用BGA技術(shù)實(shí)現(xiàn)基板之間的支撐以及板間的信號(hào)互連。在本文中，通過(guò)開(kāi)展仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)Ku波段微波信號(hào)的垂直互連，解決BGA技術(shù)在微波組件中的應(yīng)用問(wèn)題。

三維集成在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)，大大增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，特別是對(duì)于Ku波段高頻信號(hào)的匹配傳輸。因此，在開(kāi)展具體的3D-MCM設(shè)計(jì)前，需要進(jìn)行大量的仿真、優(yōu)化工作。仿真內(nèi)容主要包括BGA管殼輸入/輸出端口與下層印制板上傳輸線的垂直互連以及下層印制板與上層印制板傳輸線的垂直互連。

1.1 BGA管殼輸入/輸出端口與下層印制板上傳輸線的垂直互連

1.1.1 仿真模型

BGA管殼與下層印制板間的垂直互連主要由陶瓷基板、下層印制板以及二者之間的互連金絲3部分組成，如圖2所示。其中，陶瓷基板上微波信號(hào)的垂直傳輸通過(guò)圓形焊盤、類同軸結(jié)構(gòu)金屬化孔以及方形焊盤實(shí)現(xiàn)。為了解決金絲互連導(dǎo)致的阻抗失配問(wèn)題，在下層印制板上還添加了T形匹配枝節(jié)。由于BGA焊球體積較大，對(duì)微波信號(hào)傳輸有一定影響，因此在仿真管殼端口時(shí)加入底部焊球及系統(tǒng)印制板。

圖2 BGA管殼輸入/輸出端口與下層印制板上傳輸線垂直互連的仿真模型

1.1.2 仿真結(jié)果

通過(guò)調(diào)節(jié)圓形焊盤大小、圓形焊盤隔離環(huán)直徑大小、類同軸結(jié)構(gòu)金屬化孔中接地孔與中心高頻信號(hào)傳輸孔之間的間距、方形焊盤大小、方形焊盤隔離環(huán)大小、T型微帶匹配枝節(jié)大小以及金絲數(shù)量等，實(shí)現(xiàn)了微波信號(hào)垂直互連良好的匹配。根據(jù)工藝要求以及焊盤大小影響到傳輸孔間距，工藝標(biāo)準(zhǔn)最小孔距為0.2 mm，因此在優(yōu)化孔距過(guò)程中從0.2 mm 開(kāi)始仿真。微帶線受管殼上表面的高度與介質(zhì)參數(shù)影響，通過(guò)ADS軟件可以計(jì)算出微帶線的大致寬度，搭建好模型后再微調(diào)微帶線寬度。經(jīng)過(guò)綜合優(yōu)化，最后優(yōu)選的圓形焊盤直徑為0.45 mm，類同軸結(jié)構(gòu)金屬化孔中接地孔與中心高頻信號(hào)傳輸孔之間的間距為0.9 mm，方形焊盤優(yōu)選邊長(zhǎng)0.4 mm，T型微帶匹配枝節(jié)長(zhǎng)0.4 mm、寬0.1 mm。仿真結(jié)果如圖3所示，在整個(gè)Ku頻段內(nèi)BGA管殼輸入/輸出端口與下層印制板上傳輸線垂直互連傳輸?shù)幕夭〒p耗≤-15 dB，插損<0.1 dB。

圖3 BGA管殼輸入/輸出端口與下層印制板上傳輸線垂直互連傳輸?shù)幕夭〒p耗與插損

1.2 下層印制板與上層印制板傳輸線垂直互連的仿真設(shè)計(jì)

1.2.1 仿真模型

下層印制板與上層印制板微波信號(hào)傳輸?shù)拇怪被ミB采用基板植球的方法，主要由下層印制板微帶線、金屬球、類同軸金屬化孔以及上層印制板微帶線組成，如圖4所示。其中，中心金屬球一端與下層印制板微帶線連接，另一端與上層印制板中的類同軸金屬化孔連接。

圖4 下層印制板與上層印制板傳輸線垂直互連的仿真

1.2.2 仿真結(jié)果

通過(guò)調(diào)節(jié)圓形焊盤隔離環(huán)直徑大小、類同軸結(jié)構(gòu)金屬化孔中接地孔與中心高頻信號(hào)傳輸孔之間的間距、接地金屬球與傳輸信號(hào)金屬球之間的間距可以實(shí)現(xiàn)微波信號(hào)垂直互連的良好匹配。工藝要求影響到金屬球間距，工藝標(biāo)準(zhǔn)最小球距為0.6 mm，因此在優(yōu)化球距過(guò)程中從0.6 mm開(kāi)始仿真。下層印制板微帶線受層間高度與印制板介質(zhì)參數(shù)影響，通過(guò)ADS軟件可以計(jì)算出微帶線的大致寬度，搭建好模型后再微調(diào)微帶線寬度。經(jīng)過(guò)綜合優(yōu)化，焊盤隔離環(huán)的直徑為0.3 mm，類同軸結(jié)構(gòu)金屬化孔中接地孔與中心高頻信號(hào)傳輸孔之間的間距為0.7 mm，接地金屬球與傳輸信號(hào)金屬球之間的間距為0.6 mm，金屬球直徑為0.5 mm。仿真結(jié)果如圖5所示，在整個(gè)Ku頻段內(nèi)下層印制板與上層印制板傳輸線垂直互連的回波損耗≤-15 dB，插損<0.2 dB。

圖5 下層印制板與上層印制板傳輸線的回波損耗與插損

2 Ku波段功分放大3D-MCM設(shè)計(jì)

Ku波段功分放大3D-MCM主要實(shí)現(xiàn)以下功能：輸出Ku頻段本振信號(hào)、Ku頻段發(fā)射機(jī)輸入激勵(lì)信號(hào)、信號(hào)模擬器基準(zhǔn)信號(hào)以及自校信號(hào)，其具體功能包括放大、濾波、混頻、功率控制等。

2.1 電路原理

Ku波段功分放大3D-MCM的原理框圖如圖6所示。輸入射頻信號(hào)通過(guò)功分器分為4路，其中第1路直接輸出參考信號(hào)；第2路通過(guò)開(kāi)關(guān)與功率控制器輸出自校信號(hào)；第3路通過(guò)開(kāi)關(guān)、放大器、功率控制器輸出發(fā)射激勵(lì)信號(hào)；最后一路經(jīng)過(guò)檢波器輸出檢波信號(hào)。

圖6 Ku波段功分放大3D-MCM模塊原理框圖

2.2 電路板設(shè)計(jì)

在原理框圖與仿真結(jié)果的基礎(chǔ)上進(jìn)行具體的電路設(shè)計(jì)，包括元器件排布，空間信號(hào)隔離，射頻信號(hào)、控制信號(hào)、電源的走線、垂直互連等。Ku波段功分放大3D-MCM組件內(nèi)部分為下層印制板與上層印制板，分別如圖7,8所示。

圖7 Ku功分放大3D-MCM下層印制板

圖8 Ku功分放大3D-MCM上層印制板

2.3 Ku波段功分放大組件實(shí)物測(cè)試

Ku波段功分放大3D-MCM實(shí)物照片如圖9所示，外形尺寸為21 mm×16 mm×4 mm。在原理樣機(jī)裝配完成后使用專用的測(cè)試夾具進(jìn)行測(cè)量，Ku波段內(nèi)輸出發(fā)射激勵(lì)信號(hào)功率與開(kāi)關(guān)隔離度實(shí)測(cè)值如圖10所示。詳細(xì)測(cè)試結(jié)果與設(shè)計(jì)指標(biāo)對(duì)比如表1 所示，結(jié)果滿足設(shè)計(jì)要求。

圖9 Ku波段功分放大3D-MCM實(shí)物

指標(biāo)設(shè)計(jì)要求值實(shí)測(cè)值 輸出參考信號(hào)功率/dBm0～104.0～5.2 輸出自校信號(hào)功率/dBm0～54.5～5 輸出自校信號(hào)衰減態(tài)功率/dBm-25～-20-23.2～-21.6 輸出自校信號(hào)開(kāi)關(guān)隔離度/dB≥35>40 輸出發(fā)射激勵(lì)信號(hào)功率/dBm10.5～14.510.7～11.0

圖10 輸出功率與開(kāi)關(guān)隔離度的實(shí)測(cè)值折線

3 結(jié)束語(yǔ)

本文從實(shí)現(xiàn)微波三維集成模塊的實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，針對(duì)微波信號(hào)垂直互連傳輸匹配差、傳輸插損大等技術(shù)問(wèn)題開(kāi)展仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)，并根據(jù)仿真結(jié)果開(kāi)展了Ku波段功分放大3D-MCM組件的設(shè)計(jì)、裝配以及測(cè)試工作。實(shí)測(cè)結(jié)果表明，3D-MCM組件在實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)的同時(shí)很好地滿足了設(shè)計(jì)指標(biāo)要求，具有十分重要的意義。