周 紅， 嚴(yán) 宇， 陶德元， 黃本淑

(四川大學(xué)錦城學(xué)院電子信息學(xué)院， 成都 611731)

1 引 言

負(fù)反饋放大與集成運(yùn)放中的“虛短虛斷”和主要參數(shù)的快速計(jì)算一直是阻礙讀者深入研學(xué)的關(guān)鍵.本文從深度負(fù)反饋的逐步加強(qiáng)和對(duì)反饋元件Re、Rf的雙向等效折合后，再計(jì)算ib、ube、輸入阻抗Rif、輸出阻抗R0f、放大倍數(shù)Auf，并繪制出反相、同相集成運(yùn)放簡圖和usc電位變化趨勢,以達(dá)到直觀形象、記憶深刻、一勞永逸、運(yùn)用自如之目的.

2.1 Re負(fù)反饋引起的虛短虛斷

對(duì)圖1放大器由Re引起的電流串聯(lián)負(fù)反饋之雙向等效折合,按下面5個(gè)步驟進(jìn)行.

① 用帶反饋電壓的uef=(1+β)ib·Re≡ib·(1+β)Re，就可把右邊ib后面的(1+β)Re電阻串聯(lián)到以ib為輸入回路的電路中，如圖2左邊所示.

圖1 電流串聯(lián)負(fù)反饋簡化圖

圖2 電流串聯(lián)負(fù)反饋折合簡化圖

③ 通過上面①、②雙向等效折合可得如圖2 所示的完整簡化電路[1-3].先對(duì)輸入回路列出以ib為標(biāo)準(zhǔn)的回路方程有

(1)

(a)Re=0無反饋時(shí)：由us=ib(Rs+rbe)求得ib=0.666 mA,ube=ib.rbr=0.666 V,都相當(dāng)大.

(b)Re=3 kΩ有反饋時(shí)：由us=ib(Rs+rbe(1+β).Re)求得

ib=0.0128 mA,ube=ib.rbr=0.0128 V, 兩者就因有Re=3 kΩ才使得原ib=0.666 mA,ube=0.666 V，很快就有同時(shí)下降到趨于零的特征.

④ 從圖2中又看出有反饋時(shí)的輸入阻抗已由原來的Ri=rbe，變成

Rif=rb′b+(1+β)(re+Re)

(2)

顯然這是電路中Re引起的電流串聯(lián)負(fù)反饋造成的輸入阻抗增加，它可使放大器能從βib中獲得更多的反饋電壓uef.Re越大，uef=(1+β)ib.Re也越大，當(dāng)Re的上升使ube=(ub-uef)趨于零時(shí)，三極管發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子也趨于零，有ube=(ub-uef)和ib同時(shí)趨于零的現(xiàn)象，這就是虛短與虛斷的本質(zhì).事實(shí)上，這種三極管be間“星火燎原”的起始點(diǎn),在工程應(yīng)用上對(duì)“電壓而言”可看成是“短路或映射而過”，對(duì)“電流而言”可看成是“斷開或拒之門外”[4-8].

Rof=Rc

(3)

2.2 反相集成運(yùn)放的導(dǎo)出與usc的變化趨勢

(4)

從圖2可知, 當(dāng)放大器處于深度負(fù)反饋時(shí) , 在Re逐漸增大的前提下, 認(rèn)為輸入回路中的電阻(1+β)Re>>(Rs+rbe)可把這右邊的趨于零忽略不計(jì).此后再看隨Re逐漸增大,使射極電位uef逐漸升高直至ube幾乎趨于零，這就在b、e之間同時(shí)出現(xiàn)了虛短與虛斷現(xiàn)象.

虛短時(shí)，在工程上把三極管的b和e看成接在一起了, 由us形成的電流ib在電阻(1+β)Re上產(chǎn)生的電壓就是輸入電壓, 即us=ib.(1+β)Re.

根據(jù)放大器的電壓放大倍數(shù)定義, 有

(5)

圖3 電流串聯(lián)負(fù)反饋的集成運(yùn)放

圖4 us、uc的電位變化趨勢

3 電壓并聯(lián)負(fù)反饋的虛短虛斷與反相集成運(yùn)放之導(dǎo)出

3.1 Rf負(fù)反饋引起的虛短虛斷

對(duì)圖5放大器由Rf引起的電壓并聯(lián)負(fù)反饋之雙向等效折合.

首先，把Rf從三極管基極b到c的接法，通過(ube-uce)的壓差除以Rf所獲得的電流if用輸入電壓ube表達(dá)出來;然后再把if變成是用uce除以Rf的形式表達(dá)出來[9-12].所以，

(6)

就把原圖中Rf從b到c的接法改成從b到e之間的Rf1了,它會(huì)旁路is的成份.

這樣就直接把if表示成uce除以Rf的形式了，它說明原來Rf的一端可繼續(xù)維持在c端，而Rf另一端可從b直接接到e了, 它會(huì)旁路βib的成份.

③ 通過①、②兩次對(duì)Rf的等效折合可得到如圖6所示電路，先對(duì)輸入回路列出以ib為標(biāo)準(zhǔn)的回路方程有

(7)

使us作用到三極管be之間的電壓ube要減少很多，從而使ib也要減少.

(8)

從圖5可見，Rf1隨著Rf的減小而減小, 它會(huì)從is中分走更多的電流，使真正流入到三極管b、e之間的電流ib減少.當(dāng)ib減到接近于零時(shí)(虛斷與虛短同時(shí)出現(xiàn))，is幾乎全部流過Rf1了，這時(shí)us的電壓幾乎全降在RS上.即有uS=iSRS這就是be間虛短的典型應(yīng)用[13-14].

④ 從圖6還可以看出Rf經(jīng)雙向等效折合后，它與Rc處于并聯(lián)，所以輸出阻抗為Rof=Rc//Rf

圖5 電壓并聯(lián)負(fù)反饋簡化圖

圖6 電壓并聯(lián)負(fù)反饋折合簡化圖

feedback

3.2 反相集成運(yùn)放的導(dǎo)出與usc的變化趨勢

由圖5的輸出回路可求得輸出電壓如下.

(9)

電壓放大倍數(shù)：

(10)

(11)

圖7 電壓并聯(lián)負(fù)反饋的運(yùn)放表示

圖8 us、uc電位變化趨勢

4 電壓串聯(lián)負(fù)反饋的虛短虛斷與同相集成運(yùn)放之導(dǎo)出

4.1 由Re1和Rf引起的虛短虛斷

由圖9可以看出總體電路為電壓串聯(lián)負(fù)反饋.

① 用T1的Re1對(duì)第一級(jí)有電流串聯(lián)負(fù)反饋的作用，因此首先應(yīng)把ib1在Re1上產(chǎn)生的反饋電壓：ue1=(1+β1)ib1·Re1≡ib1·(1+β1)Re1，這樣就可把ib1后面的(1+β1)Re1電阻串接到以ib1為輸入的回路中去.

圖9 兩級(jí)電壓串聯(lián)負(fù)反饋簡化圖

② 由T2反饋電流if在Re1上產(chǎn)生的電壓：

圖10 電壓串聯(lián)負(fù)反饋折合簡化圖

④ 由圖10輸入回路列出以ib1為標(biāo)準(zhǔn)的回路方程,有

(12)

⑤ 由圖10看出輸入阻抗

(1+β1)Re1

(13)

⑥ 從圖10也看出輸出阻抗

Rof=Rc2//(Rf+Re1)

(14)

輸出阻抗的減少可使放大器接更多的外接負(fù)載，此電路在信號(hào)處理的同相運(yùn)用中得到廣泛應(yīng)用.

4.2 同相運(yùn)放的導(dǎo)出與usc的變化趨勢

圖11 兩級(jí)電壓串聯(lián)負(fù)反饋集成運(yùn)放

(15)

(1)us與uc2必須接到同一個(gè)集成運(yùn)放的前后兩個(gè)正端，才叫同相.

(2)is、if都必須同時(shí)從Re1的上端流到地，即e1到c2間只保留Rf就夠了.

(3)is必須盡可能與if相等.

能滿足以上三個(gè)條件的同相集成運(yùn)放如圖13所示.

圖12 us～uc2的電位變化趨勢

圖13 電壓串聯(lián)負(fù)反饋的運(yùn)放表示

series negative feedback

下面再從電路計(jì)算的角度來分析同相集成運(yùn)放的構(gòu)成，若把由圖10的ic2輸出回路作定量計(jì)算有

(16)

(17)

(18)

5.1 由Re2和Rf引起的虛短虛斷

由圖14可以看出Re2對(duì)T2本級(jí)有電流串聯(lián)負(fù)反饋，再由電路中Rf將這種負(fù)反饋傳遞到T1前級(jí)，所以總體電路叫電流并聯(lián)負(fù)反饋.

圖14 電流并聯(lián)負(fù)反饋簡化圖

對(duì)T1前級(jí)而言有：

這已表明if是ube1的函數(shù)了.

∵ue2=(1+β2)ib2Re2=(1+β2)(β1ib1)Re2，而ube1=ib1rbe1，

③ 綜上①②兩點(diǎn)，既可將Rf折合到T1的be之間，也可將Rf折合到T2射極e2到地之間，如圖15所示.

圖15 電流并聯(lián)負(fù)反饋折合簡化圖

由輸入回路列出以ib1為標(biāo)準(zhǔn)的回路方程.有

(19)

有旁路ib1的作用

(20)

④ 從圖15的輸出回路看出Rf與Re2都與直接輸出無關(guān)，所以Rof=Rc2.

5.2 同相集成運(yùn)放的導(dǎo)出與usc之變化趨勢

由圖15輸出回路在us瞬時(shí)極性由負(fù)變正時(shí)，uc2也將由負(fù)變正，這時(shí)有

(21)

(22)

(2)us、uc2的電位變化趨勢如圖17.

圖16 兩個(gè)集成運(yùn)放的級(jí)聯(lián)電路

圖17 us、ue2的電位趨勢

圖18 電流并聯(lián)負(fù)反饋的同相集成運(yùn)放

integrated operational amplifier

6 結(jié) 論