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        基于表面張力的復(fù)合微組裝技術(shù)研究

        2021-01-11 13:35:34王彬開(kāi)
        關(guān)鍵詞:液橋恢復(fù)力動(dòng)量

        常 博, 徐 彬, 王彬開(kāi), 李 席, 王 敏

        (陜西科技大學(xué) 機(jī)電工程學(xué)院, 陜西 西安 710021)

        0 引言

        微組裝是微納機(jī)電系統(tǒng)集成、柔性電路及微型傳感器制造過(guò)程中關(guān)鍵的一個(gè)環(huán)節(jié),其組裝精度直接制約著微納機(jī)電系統(tǒng)及微型設(shè)備的性能.然而在微觀尺度下,與微器件[1,2]質(zhì)量、體積相關(guān)的力(如重力)遠(yuǎn)小于與其表面積相關(guān)的力(如表面張力、范德華力等)[3],造成了微型器件黏附在微型夾持器上,難以準(zhǔn)確釋放及定位.常見(jiàn)微組裝方法有機(jī)器人微組裝[4,5]、流體自組裝[6,7]、基于表面張力的自組裝[8-12]等.機(jī)器人微組裝通常借助于各類夾持器,如壓電夾持器、真空夾持器、電磁夾持器等,該類方法的組裝速率高,但組裝精度往往取決于機(jī)器人本身的精度.流體自組裝通常是在流體表面或內(nèi)部進(jìn)行,該類自組裝的精度較高,但操作相對(duì)比較復(fù)雜,對(duì)組裝環(huán)境要求較高.表面張力自組裝是利用液滴的表面張力驅(qū)動(dòng)微器件完成與基底的自組裝,組裝精度可優(yōu)于1微米[13].

        本文提出一種復(fù)合微組裝方法,將機(jī)器人微組裝技術(shù)與表面張力自組裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來(lái),利用機(jī)器人微組裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)微器件的快速拾取及初次定位,利用表面張力自組裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)微型器件的釋放以及與基底的高精度自對(duì)齊,最終達(dá)到同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效高精度的微器件組裝.

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 樣品制備

        本文中的微器件是尺寸為500μm × 500μm × 200μm的方形鋁制芯片(如圖1(a)所示).芯片通過(guò)激光打標(biāo)機(jī)(HG-LU-5,武漢華工)切割鋁片獲得,激光加工參數(shù)為:速度1 000 mm/s,頻率150 KHz,單向掃描填充方式.芯片待組裝的目標(biāo)區(qū)域定義為基底,基底是在不銹鋼片上加工制成,尺寸與芯片尺寸匹配(500μm × 500μm).為了把液滴限制在基底上,基底加工成如圖1(b)所示的凸臺(tái)結(jié)構(gòu),凸臺(tái)形狀、大小、尺寸需與微芯片保持一致,可通過(guò)激光打標(biāo)機(jī)的填充工藝獲得,凸臺(tái)的激光加工參數(shù)為:速度1 000 mm/s,頻率200 KHz,單向掃描填充方式.

        (a)500 μm×500 μm×200 μm鋁制芯片

        1.2 實(shí)驗(yàn)方法

        本文提出的復(fù)合微組裝方法是將機(jī)器人微組裝與表面張力自組裝相結(jié)合,基本操作流程如圖2所示.首先利用精密注射裝置在基底上(凸臺(tái)結(jié)構(gòu))注射定量液滴(如圖2(a)~(c)所示);然后利用微夾持器拾取微芯片,將其轉(zhuǎn)移到目標(biāo)位置并釋放(如圖2(d)~(e)所示),微芯片與液滴接觸后,微芯片與基底之間形成了一個(gè)液橋,在液橋表面張力的作用下,微芯片與基底對(duì)齊;最后,液滴蒸發(fā),完成微芯片與基底的自組裝(如圖2(f)~(h)所示).

        (a)基底與凸臺(tái) (b)液滴注射

        1.3 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

        復(fù)合微組裝實(shí)驗(yàn)臺(tái)如圖3所示.主要由電動(dòng)位移平臺(tái)、手動(dòng)位移臺(tái)、壓電夾持器、精密注射裝置、視覺(jué)系統(tǒng)五部分組成.電動(dòng)位移平臺(tái)(X/Z軸M-122.2DD1,Y軸M-414.3PD,Physik Instrumente)用于實(shí)現(xiàn)樣品的高精度快速移動(dòng).手動(dòng)位移臺(tái)用于視覺(jué)系統(tǒng)的調(diào)焦及定位.壓電夾持器由壓電彎曲片(PSt150/5x5/7,芯明天)和微夾持器兩部分組成,用于微芯片的拾取與釋放.精密注射裝置(CENTRIS CG 3P 1/4-28,TECAN)實(shí)現(xiàn)微量液滴的精密注射.視覺(jué)系統(tǒng)由工業(yè)相機(jī)(BFLY-U3-236C-C,Edmund Optics)和顯微鏡頭(VZM 1000i,Edmund Optics)兩部分組成,可對(duì)微組裝過(guò)程進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控與記錄.

        2 結(jié)果與討論

        2.1 液橋表面自由能及表面張力仿真

        表面張力自組裝是液滴表面自由能最小化的結(jié)果.如圖4所示,微芯片與基底上的液滴接觸后,基底與微芯片之間形成液橋.根據(jù)能量最小化原理,液體表面張力總是試圖通過(guò)收縮系統(tǒng)液氣界面表面積,使系統(tǒng)向著能量最小的方向發(fā)展并達(dá)到平衡狀態(tài)[14].在此過(guò)程中產(chǎn)生的力被稱為恢復(fù)力 ,將驅(qū)動(dòng)微芯片與基底完成自對(duì)齊.

        液橋的總能量E可表示為:

        E=ES+Eg

        (1)

        式(1)中:ES為界面能量;Eg表示液橋所具有的勢(shì)能.考慮到各個(gè)界面的能量,ES為:

        ES=γSlv+γlvSlv+γlrSlr

        (2)

        式(2)中:γ為液體表面張力;Slv為液氣界面面積;γlc為液體與芯片的表面張力;Slc為液體與芯片的接觸面積;γlr為液體與基底的表面張力;Slr為液體與基底的接觸面積.液滴所具有的勢(shì)能:

        Eg=ρghV

        (3)

        式(3)中:ρ為液體的密度;V為液滴體積;g為重力加速度.在整個(gè)自組裝過(guò)程中,假設(shè)豎直方向高度不變,即可忽略勢(shì)能Eg的變化對(duì)恢復(fù)力的影響.芯片在水平方向上是由X方向和Y方向受到的恢復(fù)力構(gòu)成,X方向受到的恢復(fù)力[15]可表示為:

        (4)

        Y方向受到的恢復(fù)力可表示為:

        (5)

        2.2 自組織邊界條件

        液滴能否被局限在基底上是表面張力自組裝成功與否的關(guān)鍵[16],這與基底結(jié)構(gòu)、潤(rùn)濕性及液滴體積有密切關(guān)系.本文中使用的自組裝基底為不銹鋼凸臺(tái)結(jié)構(gòu).可通過(guò)吉布斯準(zhǔn)則[17]預(yù)測(cè)液滴在具有凸臺(tái)結(jié)構(gòu)的基底上的最大接觸角,從而得出基底上可局限的最大液滴量.如圖5(a)所示,θ是液滴在邊緣的最大接觸角,θ0是靜態(tài)接觸角,α是凸臺(tái)結(jié)構(gòu)相鄰邊的夾角,最大接觸角θ的表達(dá)式為:

        θ=(180 °-α)+θ0

        (6)

        經(jīng)測(cè)量,純凈水在不銹鋼基底上的靜態(tài)接觸角θ0為48 °,基底相鄰邊的夾角α為90 °.因此,可得純凈水在不銹鋼基底上最大的接觸角為138 °.

        (a)液滴在具有凸臺(tái)結(jié)構(gòu)的基底上的接觸角

        局限在基底上的液滴可被認(rèn)為是圖5(b)所示的球冠,其體積可根據(jù)式(7)來(lái)計(jì)算.

        V=πH*(3r2+H2)/6

        (7)

        H=R+R*sin(θ-90 °)

        (8)

        R=r/cos(θ-90 °)

        (9)

        式(7)、(8)、(9)中:r代表基底邊長(zhǎng)的一半;H代表球冠的高度;R代表球冠的半徑.根據(jù)式(7) 、(8) 、(9)以及基底邊長(zhǎng)d是500μm,可得本文所使用的基底可限制的最大液滴量為335 nL.

        2.3 仿真結(jié)果

        2.3.1 仿真模型

        本文利用Surface Evolver[18]軟件建立了如圖6所示的微芯片自組裝仿真模型.模型包括三個(gè)關(guān)鍵元素:微芯片、基底、液橋.建立模型的初始條件如下:芯片與基底的距離(液橋高度)h=0.2 mm,微芯片尺寸為500μm× 500μm × 100μm,基底的幾何尺寸為500μm × 500μm,X方向的錯(cuò)動(dòng)量Δx為0~0.2 mm,液滴表面張力為0.072 8 N/m,密度為1 000 Kg/m3.錯(cuò)動(dòng)量為微芯片中心和基底中心之間的距離.

        圖6 微芯片與基底存在水平錯(cuò)動(dòng)時(shí)的仿真模型

        2.3.2 錯(cuò)動(dòng)量對(duì)表面自由能及恢復(fù)力的影響

        芯片相對(duì)于基底在X、Y、Z方向上的錯(cuò)動(dòng)量分別為Δx、Δy、Δz.本文以X方向?yàn)槔?,分析了液滴體積、錯(cuò)動(dòng)量對(duì)微芯片自組裝過(guò)程中液橋表面自由能E和恢復(fù)力Fx的影響.

        圖7(a)展示了液滴體積、X方向錯(cuò)動(dòng)量對(duì)液橋表面自由能E的影響,結(jié)果表明:液滴體積不變時(shí),液橋表面自由能隨著X方向錯(cuò)動(dòng)量的增加而變大;錯(cuò)動(dòng)量相同時(shí),液橋表面自由能隨著液滴體積的增加而變大.當(dāng)錯(cuò)動(dòng)量為零時(shí),液橋表面自由能最小,這個(gè)模型解釋了表面張力自組裝的表面能最小化機(jī)理——即液滴總是趨向于使其表面能最小化狀態(tài)演化.

        (a)不同錯(cuò)動(dòng)量及不同液滴體積下的液橋表面自由能

        恢復(fù)力Fx可通過(guò)對(duì)能量E求X方向的偏導(dǎo)得到,圖7(b)展示了液滴體積、X方向錯(cuò)動(dòng)量對(duì)恢復(fù)力的影響.結(jié)果表明:液滴體積不變時(shí),微芯片受到的恢復(fù)力隨著錯(cuò)動(dòng)量的增加而變大;相同錯(cuò)動(dòng)量下,微芯片受到的恢復(fù)力隨液滴體積的增加而變大.這是因?yàn)橐旱误w積或錯(cuò)動(dòng)量增大時(shí),液橋的表面積變大,系統(tǒng)的表面自由能也就隨之增大,從而引起恢復(fù)力的增大.當(dāng)錯(cuò)動(dòng)量為零時(shí),恢復(fù)力為零,這意味著芯片最終會(huì)停留在與基底完全對(duì)齊的位置.

        2.3.3 旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量對(duì)表面自由能和恢復(fù)力的影響

        旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量是指微芯片對(duì)角線相對(duì)于基底對(duì)角線的旋轉(zhuǎn)角度.本文建立了如圖8所示的微芯片自組裝模型,分析了旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量對(duì)微芯片自組裝過(guò)程中液橋表面自由能和恢復(fù)力的影響.設(shè)定X、Y方向的錯(cuò)動(dòng)量均為0,液橋高度為0.1 mm,液滴體積為25 nL.以芯片與基底的中點(diǎn)為原點(diǎn),逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)方向定義為正向,旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量在0 °~45 °之間.

        圖8 微芯片與基底存在旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)時(shí)的仿真模型

        圖9展示了旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量與液橋表面自由能和恢復(fù)力之間的關(guān)系.結(jié)果顯示:隨著旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量的增加,液橋的表面自由能增加,微芯片所受的恢復(fù)力變大.這是因?yàn)樾D(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量的增加使液橋的表面積變大,液橋的表面自由能隨之增加,進(jìn)而引起了恢復(fù)力的增加.當(dāng)旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量為零的時(shí)候,液橋表面自由能最小,也就是芯片與基底完全對(duì)齊的位置.

        圖9 旋轉(zhuǎn)錯(cuò)動(dòng)量與表面能及自組裝恢復(fù)力的關(guān)系

        2.4 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

        為進(jìn)一步驗(yàn)證復(fù)合微組裝方法的可行性,本文使用500μm × 500μm× 100μm的方形微芯片,進(jìn)行如圖10所示的復(fù)合微組裝實(shí)驗(yàn),研究了液滴體積、錯(cuò)動(dòng)量對(duì)復(fù)合微組裝成功率的影響.每組實(shí)驗(yàn)重復(fù)10次.圖10展示了錯(cuò)動(dòng)量為200μm、液滴體積為30 nL時(shí)的微芯片復(fù)合微組裝過(guò)程,其中(a)~(c)為側(cè)視圖,(d)~(f)為俯視圖.首先將微芯片運(yùn)送到基底上方,芯片與液滴接觸形成液橋(如圖10(a)、(d)所示);當(dāng)芯片從微夾持器中釋放后,微芯片在液橋表面張力的作用下完成與基底的自對(duì)齊(如圖10(b)、(e)所示);當(dāng)液滴蒸發(fā)后,微芯片與基底實(shí)現(xiàn)組裝(如圖10(c)、(f)所示).

        (a)芯片與液滴接觸主視 (d)芯片與液滴接觸俯視

        表1顯示了不同液滴體積下的自組裝成功率.該實(shí)驗(yàn)中錯(cuò)動(dòng)量恒定為200μm,液滴體積范圍為10~200 nL,每組實(shí)驗(yàn)重復(fù)10次.結(jié)果表明液滴體積處于20~110 nL之間時(shí),自組裝成功率可達(dá)100%.當(dāng)液滴量為10 nL時(shí),自組裝失敗,這是因?yàn)橐旱翁?,蒸發(fā)太快,造成了芯片與基底的干接觸,摩擦力增大,從而阻礙了芯片與基底的自對(duì)齊.當(dāng)液滴量達(dá)到200 nL時(shí),自組裝失敗.根據(jù)實(shí)驗(yàn)觀測(cè),200 nL的液滴無(wú)法被限制在基底上,液滴溢出是自對(duì)齊失敗的主要原因.此外,液滴體積對(duì)自組裝時(shí)間也有影響,液滴體積越大,所需要蒸發(fā)的時(shí)間越長(zhǎng),自組裝時(shí)間也越長(zhǎng).因此,為提高自組裝的成功率與速率,應(yīng)盡可能采用較小體積的液滴.

        表1 液滴量對(duì)表面張力自組裝的影響

        表2為不同錯(cuò)動(dòng)量下的微芯片自組裝成功率,該實(shí)驗(yàn)中液滴體積恒定為30 nL,錯(cuò)動(dòng)量范圍為50 ~ 500μm,每組實(shí)驗(yàn)重復(fù)10次.結(jié)果表明錯(cuò)動(dòng)量即使增大到與微芯片本身尺寸一樣,自組裝成功率仍為100%.此外,實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示不同錯(cuò)動(dòng)量下的自組裝時(shí)間在100 ms~500 ms之間,這表明微芯片的自組裝時(shí)間受到液滴體積影響較大,錯(cuò)動(dòng)量對(duì)組裝時(shí)間影響較小.

        表2 錯(cuò)動(dòng)量對(duì)表面張力自組裝的影響

        3 結(jié)論

        本文提出一種復(fù)合微組裝技術(shù),將機(jī)器人微組裝與表面張力自組裝技術(shù)相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)高效高精度的微芯片與基底的自組裝.本文通過(guò)建立表面張力自組裝有限元仿真模型,研究了錯(cuò)動(dòng)量以及液滴體積對(duì)自組裝過(guò)程中表面自由能和恢復(fù)力的影響.結(jié)果表明:隨著錯(cuò)動(dòng)量和液滴體積的增加,表面自由能和恢復(fù)力變大.

        本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了液滴體積以及錯(cuò)動(dòng)量對(duì)自組裝成功率的影響.結(jié)果表明當(dāng)錯(cuò)動(dòng)量在50 ~ 500μm范圍內(nèi),液滴體積在30 ~ 110 nL范圍內(nèi)時(shí),自組裝成功率可達(dá)100%.錯(cuò)動(dòng)量對(duì)自組裝的成功率影響不大,只要在滿足條件液滴量下,自組裝成功率均可達(dá)100%.這表明該技術(shù)允許微器件與基底之間存在較大的錯(cuò)動(dòng)量.本文提出的復(fù)合微組裝方法為微納機(jī)電系統(tǒng)及柔性可拉伸設(shè)備的高效高精度集成提供了一個(gè)嶄新的思路.

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