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        基于位置敏感半導(dǎo)體光電器件的同步輻射光斑位置檢測(cè)

        2020-12-18 08:42:06曾建榮李中亮邊風(fēng)剛
        核技術(shù) 2020年12期
        關(guān)鍵詞:光通量光束光斑

        孟 楠 曾建榮 李中亮 邊風(fēng)剛

        1(中國(guó)科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所 上海201800)

        2(中國(guó)科學(xué)院上海高等研究院 上海201204)

        3(中國(guó)科學(xué)院大學(xué) 北京100049)

        同步輻射具有高亮度、準(zhǔn)單色性、高準(zhǔn)直、理想偏振等其他光源無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物、材料、信息等領(lǐng)域[1]。同步輻射光在光束線傳輸過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)狹縫、單色器、反射鏡等光學(xué)元件,光束線元件位置或姿態(tài)變化會(huì)引發(fā)樣品處光斑漂移或強(qiáng)度變化。尤其是單色器第二晶體或反射鏡角度的變化,這些器件距離樣品較遠(yuǎn),微小的角度偏差將會(huì)帶來(lái)樣品處光斑位置的較大變化。同步輻射實(shí)驗(yàn)通常需要對(duì)光斑位置、光斑尺寸、光通量的穩(wěn)定性進(jìn)行監(jiān)測(cè),以確保實(shí)驗(yàn)過(guò)程中獲得可靠數(shù)據(jù)。隨著科學(xué)研究發(fā)展,用戶對(duì)于X 射線空間分辨率的要求越來(lái)越高,各光束線光斑尺寸通常工作在微米量級(jí)的范圍,光斑穩(wěn)定性要求控制在光斑尺寸的百分之幾以內(nèi)。因此需要在光束線站中安裝微米級(jí)甚至亞微米級(jí)分辨率的X射線位置探測(cè)器用于監(jiān)測(cè)光束位置的變化。

        同步輻射光束線常用的位置探測(cè)器(X-ray Beam Position Monitor,XBPM),采用光電轉(zhuǎn)換的像素傳感器來(lái)探測(cè)光束截面強(qiáng)度分布,或依據(jù)位置變化帶來(lái)的光強(qiáng)分配來(lái)測(cè)量光束傳輸過(guò)程中的位置變化[2]。常見(jiàn)的XBPM 有以下幾種:絲掃描型[3-4]、刀片強(qiáng)度分配型、薄膜散射型和發(fā)光靶型。絲掃描型的結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單,其探針由石墨絲或耐高溫金屬絲制成,可實(shí)現(xiàn)一維探測(cè)。其原理是通過(guò)監(jiān)測(cè)探針掃描光束時(shí)光電流變化對(duì)應(yīng)掃描位置來(lái)檢測(cè)光束,其分辨率可在1μm 左右。如果插入件間距沒(méi)有發(fā)生改變,則不需要重新掃描就可以知道光束位置的變化[5],可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)光束位置的變化[3]。刀片型探測(cè)器是由4 片或兩片電極材料探測(cè)光電流分配的變化。對(duì)單色光刀口插入光束中,可實(shí)現(xiàn)較高的分辨率[6]。其測(cè)量的光束的中心位置和位置變化通過(guò)間接推導(dǎo)獲得[7],往往需要經(jīng)過(guò)標(biāo)定才能得到絕對(duì)位置,并且刀片之間需要有一定的間距導(dǎo)致無(wú)法測(cè)量小光斑。薄膜型束流位置探測(cè)器是一種精度較高的位置探測(cè)器,數(shù)據(jù)處理后能夠分辨光線位置微米級(jí)變化,但缺點(diǎn)是入射光束會(huì)被吸收[2]。發(fā)光靶型XBPM 可以直接觀察光靶上的光斑,其優(yōu)勢(shì)在于即時(shí)監(jiān)測(cè)光斑的位置變化,缺陷是不具備數(shù)字化功能,無(wú)法獲得光強(qiáng)分布與光斑尺寸,也無(wú)法獲得光斑的穩(wěn)定性信息。電荷耦合器件(Charge Coupled Devices,CCD)和互補(bǔ)型氧化物金屬半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)兩類圖像傳感器[8]也具有位置監(jiān)測(cè)功能,然而CCD傳感器缺陷在于多電壓、高功耗、低速度[9],并且不能探測(cè)光通量,通常不用于光斑位置監(jiān)測(cè)。

        綜上所述,在同步輻射實(shí)驗(yàn)中,仍然缺少簡(jiǎn)便實(shí)用,且具有較高準(zhǔn)確度的多功能位置探測(cè)器。一個(gè)功能是末端型的BPM,既可以測(cè)量光斑位置又可以較好地測(cè)量光強(qiáng)的裝置,一種是光束穿透型的BPM,既能夠觀測(cè)到光束中心的位置,又不影響下游的實(shí)驗(yàn)用光。本文報(bào)告了第一種BPM 的設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。該末端型BPM 有1D 和2D 的分類。一般是利用光電位置探測(cè)器(Position Sensitive Detector,PSD)來(lái)探測(cè)光束位置,位置分辨率較好,并可以測(cè)試X線的通量和光斑尺寸。

        1 原理及制作

        1.1 PSD原理及結(jié)構(gòu)

        PSD 機(jī)理是半導(dǎo)體的橫向光電效應(yīng),1957 年Wallmark[10]首先提出利用這個(gè)現(xiàn)象監(jiān)測(cè)光點(diǎn)位置。商用的PSD位置傳感器結(jié)構(gòu)如圖1,其構(gòu)造與PIN光電二極管類似[11]。利用p層的表面電阻特性,在p型層兩端會(huì)得到一組正比于電極距離X1和X2的光電流輸出信號(hào)IX1和IX2。IX1和IX2之和等于光束入射至PN 結(jié)中產(chǎn)生電流I0。該特性可用式(1)和式(2)表達(dá):

        圖1 一維PSD結(jié)構(gòu)Fig.1 Structure diagram of one dimensional PSD

        由式(1)、式(2)可得式(3):

        由式(3),通過(guò)測(cè)量電流IX1和IX2可以確定入射光斑距離探測(cè)器中點(diǎn)的距離XA,以此確定入射位置。

        上述PSD 原理可以推廣至二維。常見(jiàn)的類型有:Duo-lateral型、Tetra-lateral型和Pin-cushion型。

        Duo-lateral型PSD結(jié)構(gòu)如圖2所示,共有4個(gè)輸出電極,X1、X2 電極連接在上表面,Y1、Y2 電極連接在下表面[11]。測(cè)試原理與一維PSD相同,定義光束出射方向?yàn)閆方向(垂直紙面向內(nèi)),Duo-lateral型PSD可以同時(shí)探測(cè)光束的X和Y方向(X、Y、Z構(gòu)成左手坐標(biāo)系)的位置[11],見(jiàn)式(4)、(5)。

        圖2 Duo-lateral型PSDFig.2 Structure diagram of Duo-lateral PSD

        Tetra-lateral型PSD結(jié)構(gòu)如圖3所示,共有4個(gè)輸出電極且都連接在上表面[11]。相比于Duo-lateral型PSD,Tetra-lateral 型PSD 缺點(diǎn)是輸出電極處在同一表面,電極之間相互作用導(dǎo)致邊角處位置畸變?cè)龃?。?yōu)點(diǎn)是容易施加反向偏壓,暗電流小,響應(yīng)速率高。其測(cè)量原理與Duo-lateral 型PSD 相同,通過(guò)式(4)、(5)計(jì)算入射光斑位置[11]。

        Pin-cushion 型PSD 是Tetra-lateral 型PSD 的 一種變形,結(jié)構(gòu)如圖4 所示,共有4 個(gè)輸出電極且都連接在上表面[11]。相較于Tetra-lateral 型PSD,Pincushion 型PSD 具有更大的活躍面積(Active Area),電極之間相互作用小,暗電流小,響應(yīng)快速以及減少周長(zhǎng)失真[11]。不同于Tetra-lateral型和Duo-lateral型PSD,由于Pin-cushion 型PSD 的輸出電極做了一些幾何學(xué)上的修正處理,測(cè)量光斑入射位置同時(shí)需要4個(gè)電極輸出的電流信號(hào),可見(jiàn)式(6)、(7):

        圖3 Tetra-lateral型PSDFig.3 Structure diagram of Tetra-lateral PSD

        圖4 Pin-cushion型PSDFig.4 Structure diagram of a Pin-cushion PSD

        1.2 PSD選型及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

        實(shí)驗(yàn)選用日本濱松生產(chǎn)的Pin-cushion 型PSD S5991-01,S5991-01 長(zhǎng)(16.5±0.2)mm、寬(14.5±0.2)mm,探測(cè)面積9 mm×9 mm。S5991-01封裝接線如圖5(a)所示,S5991-01 有10 個(gè)接口,接口1、5、6、10分別對(duì)應(yīng)輸出電極X1、Y1、X2、Y2。接線完成之后兩側(cè)各有兩個(gè)接口,每個(gè)接口對(duì)應(yīng)一個(gè)電極,輸出電極X2、Y2 位于一側(cè),X1、Y1 位于另一側(cè)。將光電二極管及電路板封裝在密閉的空間內(nèi),避免可見(jiàn)光的影響,利用6485 型靜電計(jì)(讀數(shù)率1 000 Hz,電流測(cè)量范圍20 fA~20 mA)測(cè)試器件暗電流,經(jīng)測(cè)試,封裝后探測(cè)器的暗電流數(shù)值為2.8×10-9A。

        圖5 Pin-cushion型PSD S5991-01元件(a)及探測(cè)器的組裝實(shí)物(b)Fig.5 Schematic diagram of S5991-01 chip(a)and photograph of the assembly(b)

        2 實(shí)驗(yàn)設(shè)置

        測(cè)試實(shí)驗(yàn)基于上海同步輻射裝置(Shanghai Synchrotron Radiation Facility,SSRF)X 光學(xué)測(cè)試線(BL09B1)進(jìn)行,該光束線專用于光束線設(shè)備及光學(xué)元件檢測(cè)。測(cè)試光路和布局框圖如圖6(a)、(b)所示,探測(cè)器安裝于距離光源40 m 處,即距離單色器19 m,白光狹縫調(diào)整在XBPM 上的光斑尺寸為6 mm×2 mm,調(diào)整單色器的布拉格角和雙晶失諧角度輸出不同能量、不同通量的光束用于探測(cè)器的測(cè)試。位置測(cè)量使用KOHZU公司制作的高精度運(yùn)動(dòng)X-Y 平臺(tái)組(單步長(zhǎng)均小于等于2 μm),在10 keV 條件下進(jìn)行測(cè)試,同步輻射X 光束經(jīng)過(guò)光學(xué)系統(tǒng)后入射至探測(cè)器的光敏面,電機(jī)分別沿著X、Y方向移動(dòng),探測(cè)器將X光轉(zhuǎn)換為光電流,對(duì)探測(cè)器4路光電流,用6485靜電計(jì)采集后實(shí)時(shí)存儲(chǔ)至計(jì)算機(jī)。

        圖6 測(cè)量原理圖(a)及系統(tǒng)布局方框圖(b)Fig.6 The layout of the experimental device(a)and flow diagram of system layout(b)

        3 測(cè)試和分析

        3.1 位置測(cè)量與探測(cè)器標(biāo)定

        電機(jī)沿Y 方向以步長(zhǎng)28.5 μm 從-8 mm 移動(dòng)至8 mm 處,移動(dòng)范圍16 mm,采集數(shù)據(jù)點(diǎn)561 個(gè);沿X方向以步長(zhǎng)245 μm 從-15 mm 移動(dòng)至15 mm 處,移動(dòng)范圍30 mm,采集數(shù)據(jù)點(diǎn)122 個(gè)。探測(cè)器沿Y 方向、X方向移動(dòng)4路電流信號(hào)讀出結(jié)果如圖7(a)、(b)所示。

        圖7 探測(cè)器沿不同方向移動(dòng)四路電流測(cè)試結(jié)果 (a)Y方向,(b)X方向Fig.7 Test results of currents of four electrodes when the detector moved in different directions (a)Y direction,(b)X direction

        通過(guò)式(7)計(jì)算圖7(a)中測(cè)試得到的電流信號(hào),可獲得用于標(biāo)定探測(cè)器刻度系數(shù)的無(wú)量綱參數(shù)C1:

        同理通過(guò)式(6)計(jì)算圖7(b)測(cè)試得到的電流信號(hào),可獲得另一無(wú)量綱參數(shù)C2:

        由此可以得到探測(cè)器沿Y方向和X方向移動(dòng)位置信息與C1和C2的關(guān)系圖8(a)、(b)。由圖8(a)、(b)可見(jiàn),探測(cè)器邊緣位置測(cè)試曲線非線性,四象限探測(cè)器測(cè)試曲線線性區(qū)域與光斑尺寸有關(guān)[12]。

        圖8 探測(cè)器位置信息與C1(a)、C2(b)關(guān)系曲線Fig.8 Relationship curve between detector position and C1(a),C2(b)

        分別選取圖8(a)、(b)的線性區(qū)域?qū)潭认禂?shù)進(jìn)行標(biāo)定。標(biāo)定結(jié)果顯示單位位置改變對(duì)應(yīng)C1改變2.0×10-4μm-1,C2改變-2.0×10-4μm-1,說(shuō)明探測(cè)器沿不同方向移動(dòng)刻度系數(shù)的標(biāo)定結(jié)果相同??潭认禂?shù)是探測(cè)器的固定參數(shù),用于將測(cè)量的光電信號(hào)轉(zhuǎn)化為光斑位置信息。

        3.2 光通量變化監(jiān)測(cè)

        探測(cè)器將入射至光敏面的X 光轉(zhuǎn)換為電流信號(hào),監(jiān)測(cè)電流變化可以了解光通量變化。同時(shí),對(duì)光通量變化監(jiān)測(cè)的靈敏性也是衡量探測(cè)器性能的重要因素。光通量變化測(cè)試采取如下方案:

        1)通過(guò)探測(cè)器移入移出,模擬測(cè)試光通量變化。

        2)通過(guò)控制狹縫改變光斑尺寸,測(cè)試光通量變化。

        3)在能量10 keV 條件下保持光斑位置處于探測(cè)器中心,測(cè)試光通量隨時(shí)間的變化,測(cè)試時(shí)間8 h。

        探測(cè)器沿Y方向、X方向移動(dòng)測(cè)得光通量變化與位置信號(hào)關(guān)系分別如圖9(a)和(b)所示。隨著探測(cè)器進(jìn)入光路通量增加、光斑被整個(gè)探測(cè)器接收后保持恒定、探測(cè)器移出光路時(shí)逐漸減少,測(cè)量光電流信號(hào)形成明顯的三段變化。

        圖9 探測(cè)器沿Y方向(a)、X方向(b)移動(dòng)時(shí)的光通量變化以及不同狹縫寬度下光通量的變化(c)和光通量隨時(shí)間的變化(d)Fig.9 Change of flux when detector moves in Y direction(a),X direction(b),and changes of flux under different slit widths(c),relationship between flux and time(d)

        光斑尺寸與光通量變化關(guān)系如圖9(c)所示,隨光斑減小光通量線性減少,表明光斑光強(qiáng)呈均勻分布。光通量隨時(shí)間變化測(cè)試結(jié)果如圖9(d)。光通量基本不隨時(shí)間變化,數(shù)值基本穩(wěn)定在峰值的99%~100%之間。光通量變化趨勢(shì)與儲(chǔ)存環(huán)內(nèi)電子束流變化有關(guān),上海光源運(yùn)行模式是恒流模式,束線光通量數(shù)值較為穩(wěn)定。測(cè)試結(jié)果表明探測(cè)器輸出信號(hào)可反映光束線上光通量的實(shí)時(shí)變化。

        器件總信噪比可由式(10)計(jì)算得到[13]。其中:I為4 個(gè)象限總光電流,in為各象限的噪聲,近似認(rèn)為各象限噪聲一致。探測(cè)器總暗電流in為2.8×10-9A,實(shí)驗(yàn)中測(cè)量的總光電流I 一般在2.9×10-6A,計(jì)算可得RSN為4.3×106。

        3.3 光斑尺寸測(cè)量

        光斑尺寸可以通過(guò)分析光強(qiáng)分布信息得出。圖9(a)、(b)對(duì)光通量的監(jiān)測(cè)結(jié)果包含了光強(qiáng)分布信息,對(duì)其做1 階微分可得到光強(qiáng)變化率關(guān)系圖10。由圖10(a)中可以看到沿Y 方向也即垂直方向光強(qiáng)變化率是矩形函數(shù),表明光斑光強(qiáng)沿Y 方向均勻分布。其矩形函數(shù)寬度就是光斑的垂直方向尺寸,即2 mm。做類似分析(圖10(b))可以發(fā)現(xiàn)光斑水平方向光強(qiáng)也呈均勻分布,寬度大小為5.9 mm。光斑是一個(gè)光強(qiáng)分布均勻的5.9 mm×2 mm 的矩形光斑。結(jié)果表明使用本文研發(fā)的探測(cè)器可以有效探測(cè)光斑光強(qiáng)分布和光斑尺寸。

        光斑分布均勻情況下,探測(cè)器的分辨率可由x0、y0標(biāo)準(zhǔn)差表征,由式(10)、(11)、(12)得出[13]:

        式中:σx0、σy0是探測(cè)器X、Y 方向的分辨率;(x0,y0)是以探測(cè)器中心為原點(diǎn)時(shí)光斑中心位置;b、a 分別是矩形光斑的長(zhǎng)寬;RSN是探測(cè)器的信噪比。根據(jù)等式可知,光斑中心距離探測(cè)器中心越近,光斑尺寸越小,信噪比越高,探測(cè)器分辨率越好。矩形光斑尺寸為5.9 mm×2 mm 的條件下,可計(jì)算出探測(cè)器中心處(x0=0,y0=0)X、Y 方向最小分辨率分別為1.5μm、0.48 μm,但限于芯片S5991-01 分辨率最小為1.4μm,所以該探測(cè)器中心處Y 方向最小分辨率為1.4μm。對(duì)于圓形光斑,探測(cè)器各方向分辨率一致,且分辨率要比同尺寸矩形光斑更高。

        圖10 探測(cè)器沿不同方向移動(dòng)時(shí)的總電流變化率 (a)Y方向,(b)X方向Fig.10 The change rates of the total current when the detector moves in different directions (a)Y direction,(b)X direction

        3.4 探測(cè)器適用性研究

        同步輻射光束線站實(shí)驗(yàn)中通常需要不同的實(shí)驗(yàn)條件,探測(cè)器在不同條件的適用性將影響其使用性能。本文通過(guò)改變光子能量和光斑尺寸,分別測(cè)試了不同條件下該探測(cè)器的使用效果。在光子能量改變范圍6~18 keV、狹縫大小改變范圍1 700~200μm條件下分別對(duì)探測(cè)器進(jìn)行測(cè)試。KOHZU 電機(jī)沿Y方向以步長(zhǎng)28 μm從-10 mm移動(dòng)至10 mm處,移動(dòng)范圍20 mm,采集數(shù)據(jù)點(diǎn)718個(gè)。

        不同光斑尺寸和不同能量下探測(cè)器的刻度系數(shù)標(biāo)定結(jié)果如圖11 所示。在狹縫寬度改變的條件下刻度系數(shù)變化范圍和方差分別是(-2.07×10-4μm-1,-2.00×10-4μm-1)、4.57×10-12,能量改變條件下刻度系 數(shù) 變 化范圍和方 差 分別為(-2.08×10-4μm-1,-2.01×10-4μm-1)、5.12×10-12,標(biāo)定結(jié)果有輕微浮動(dòng),穩(wěn)定保持在-2.00×10-4μm-1左右。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明隨著測(cè)試條件的改變,該探測(cè)器可滿足不同能量和光通量的監(jiān)測(cè)需求。

        3.5 光斑漂移量測(cè)量

        同步輻射實(shí)驗(yàn)中光斑的漂移影響著實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性,并且很多實(shí)驗(yàn)時(shí)間在1~2 h 內(nèi),為了進(jìn)一步測(cè)試探測(cè)器的應(yīng)用效果,采用該探測(cè)器對(duì)不同能量下光斑漂移量進(jìn)行短時(shí)間測(cè)試。調(diào)整探測(cè)器位置使光斑入射至探測(cè)器中心,分別在10 keV、14 keV、18 keV條件下采集數(shù)據(jù)1.5 h,采集頻率10次每秒。光斑漂移量結(jié)果如圖12所示。

        圖11 不同狹縫寬度(a)和不同能量條件(b)下刻度系數(shù)標(biāo)定結(jié)果Fig.11 Calibration results of scale factor under different slit widths(a)and different energy(b)

        圖12 不同能量下光斑不同方向漂移(右上角插圖為光斑抖動(dòng))(a)10 keV、X(水平)方向,(b)10 keV Y(垂直)方向,(c)14 keV、X方向,(d)14 keV、Y方向,(e)18 keV、X方向,(f)18 keV、Y方向Fig.12 Beam spot drifts in different directions at different energies(inlet in the upper right corner is beam vibration)(a)10 keV,X direction(horizontal),(b)10 keV,Y direction(vertical),(c)14 keV,X direction,(d)14 keV,Y direction,(e)18 keV,X direction,(f)18 keV,Y direction

        從圖12可以看出,在10 keV、14 keV、18 keV條件下光斑抖動(dòng)量X方向?yàn)?8 μm、15 μm、20 μm;Y方向?yàn)?5 μm、15 μm、15 μm。光斑在X、Y方向抖動(dòng)幅度差距不大,并且光斑X方向抖動(dòng)與漂移接近,Y方向光斑漂移明顯大于抖動(dòng)。如圖13 所示,在10 keV、14 keV、18 keV條件下光斑漂移范圍X方向分別為13 μm、10 μm、22 μm;Y 方向分別為68 μm、54 μm、40 μm??梢钥闯鲈摼€站實(shí)驗(yàn)測(cè)試期間光斑漂移Y方向大于X方向,且Y方向漂移一個(gè)峰的周期約為3.5 min。在對(duì)于光斑位置穩(wěn)定性需求較高的實(shí)驗(yàn)中,光斑漂移會(huì)對(duì)實(shí)驗(yàn)造成巨大的影響,例如測(cè)試高度異質(zhì)結(jié)樣品的XAFS實(shí)驗(yàn)以及晶體很小的衍射實(shí)驗(yàn),譜學(xué)顯微實(shí)驗(yàn)更是要求光斑水平漂移小于40 μm[14]。影響光斑漂移的因素可能來(lái)自于單色器[14]以及儲(chǔ)存環(huán)內(nèi)電子束流的擾動(dòng),在一次束流注入周期內(nèi)儲(chǔ)存環(huán)內(nèi)電子束流強(qiáng)度衰減以及不同束流注入周期內(nèi)儲(chǔ)存環(huán)內(nèi)電子束流運(yùn)行軌道變化都會(huì)產(chǎn)生光斑漂移[15-16]。使用該探測(cè)器可以快速有效地測(cè)定線站實(shí)驗(yàn)光斑的穩(wěn)定性等重要性能,為實(shí)驗(yàn)用光提供及時(shí)診斷和指導(dǎo)。

        圖13 BL09B1線站不同能量下X和Y方向光斑漂移Fig.13 Beam spot drafts along X and Y direction under different energies on BL09B1

        4 結(jié)語(yǔ)

        本文介紹了一種基于二維Pin-cushion 型PSD的同步輻射光束微型位置探測(cè)器。該探測(cè)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、調(diào)試方便、易于測(cè)試。實(shí)際測(cè)試中,光斑的位置可以通過(guò)事先標(biāo)定電流信號(hào)與位置信號(hào)的對(duì)應(yīng)關(guān)系計(jì)算得出;光束的通量信息以及變化可以通過(guò)探測(cè)到的總電流得出;通過(guò)對(duì)總電流微分可以得出光斑的光強(qiáng)分布以及光斑尺寸;通過(guò)光斑位置的持續(xù)監(jiān)測(cè)能夠檢測(cè)光斑的抖動(dòng)和漂移信息。基于SSRF 光學(xué)測(cè)試線的應(yīng)用測(cè)試表明,該探測(cè)器可有效地監(jiān)測(cè)光束的光斑位置、光斑尺寸、光通量和光強(qiáng)分布,X、Y方向最小位置測(cè)量分辨率可達(dá)1.5 μm、1.4 μm。該探測(cè)器能夠?qū)獍呶恢孟嚓P(guān)重要信息進(jìn)行快速及時(shí)的測(cè)量,為實(shí)驗(yàn)用光提供及時(shí)診斷和指導(dǎo),進(jìn)而滿足同步輻射實(shí)驗(yàn)的用光要求。

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