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        超導(dǎo)直流電纜低溫絕緣材料的研究

        2020-11-27 19:52:22徐禮強(qiáng)
        商品與質(zhì)量 2020年52期

        徐禮強(qiáng)

        遼寧省檢驗檢測認(rèn)證中心(遼寧省產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗院) 遼寧沈陽 110000

        1 常規(guī)直流電纜絕緣介質(zhì)

        早期常規(guī)直流電纜主要包括充油電纜和浸漬紙絕緣電纜,隨著有機(jī)聚合物材料如交流聚乙烯(XLPE)等的發(fā)展,充油電纜逐漸被以XLPE 絕緣直流電纜為代表的聚合物擠包固體絕緣電纜替代[1]。根據(jù)固體電介質(zhì)能帶理論,由于聚合物材料的禁帶寬、導(dǎo)帶窄,載流子在禁帶中傳導(dǎo)困難,只能在導(dǎo)帶與價帶中傳導(dǎo),在恒定電場下極易產(chǎn)生空間電荷積聚,進(jìn)而導(dǎo)致局部電場畸變,嚴(yán)重時甚至引起絕緣擊穿,這是聚合物擠包絕緣用于直流電纜時存在的一個突出問題。

        聚合物絕緣用于直流電纜的另一個顯著缺陷是最大電場轉(zhuǎn)移問題。在雷電沖擊或操作沖擊電壓等暫態(tài)情況下,其電場按介電常數(shù)(ε)分配[2]。直流電場下,空載或者恒定溫度時,主絕緣介質(zhì)中的電場按E=U/rln(R/r)分布,其中r 表示導(dǎo)體半徑,R 表示絕緣層半徑,U 表示絕緣層承受電壓,最大電場強(qiáng)度分布于導(dǎo)體表面;隨著半徑的增大,電場強(qiáng)度減小,絕緣表面的電場強(qiáng)度最小。負(fù)載時,隨著載荷的增大,溫度上升,電導(dǎo)率變大,電導(dǎo)率最大可增大3 個數(shù)量級,最大電場可能轉(zhuǎn)移至絕緣表面,而在超導(dǎo)電纜中,溫度變化通常在10K 之內(nèi),甚至更小,溫度變化可以忽略。

        2 HTS 直流電纜基本結(jié)構(gòu)

        HTS 直流電纜和HTS 交流電纜結(jié)構(gòu)類似,從絕緣結(jié)構(gòu)方面,可以分為熱介質(zhì)絕緣HTS 電纜和低溫介質(zhì)絕緣HTS 電纜。

        由于固體絕緣在低溫下的內(nèi)部應(yīng)力易引起開裂問題,低溫絕緣結(jié)構(gòu)HTS 直流電纜無法采用超過一定厚度的固體絕緣結(jié)構(gòu),只能采用絕緣薄膜繞包結(jié)構(gòu)。薄膜繞包結(jié)構(gòu)在層與層之間存在間隙,當(dāng)絕緣層浸漬在液氮中時,液氮滲入絕緣層間隙,構(gòu)成固- 液復(fù)合絕緣結(jié)構(gòu)[3]。

        根據(jù)前述麥克斯韋方程可知,HTS 直流電纜通電瞬間,電場強(qiáng)度與介電常數(shù)成反比分布,有ε1·E1=ε2·E2,液氮的相對介電常數(shù)(ε=1.43)遠(yuǎn)大于空氣,而薄膜的相對介電常數(shù)通常在2.5 左右,例如纖維素紙的介電常數(shù)為2.21,這就使得液氮和薄膜絕緣層分界面上的電場突變減小,有利于減少局部放電;當(dāng)HTS直流電纜穩(wěn)態(tài)運(yùn)行時,電場強(qiáng)度與電導(dǎo)率成反比分布,液氮的電導(dǎo)率為2×10-14S/m,絕緣薄膜的電導(dǎo)率通常在10-14S/m 左右,例如牛皮紙的電導(dǎo)率為2.44×10-14S/m,兩者的電導(dǎo)率接近,邊界處電場突變小,因此有利于電場均勻分布。

        3 HTS 直流電纜用低溫絕緣材料

        3.1 聚丙烯層壓紙

        聚丙烯層壓紙(PPLP)是日本住友公司開發(fā)的以多孔紙漿材料、聚丙烯薄膜為原料壓制而成的絕緣材料。PPLP 具有較高的電氣強(qiáng)度、較低的介質(zhì)損耗、良好的浸漬性能,且在-196℃條件下仍具有較好的力學(xué)性能,是目前低溫絕緣超導(dǎo)電纜中最常用的絕緣材料。PPLP 在液氮溫度下的體積電阻率為2.9×1016Ω·cm,WJKIM 等研究發(fā)現(xiàn),隨著溫度的上升,PPLP 的體積電阻率下降,300K 時體積電阻率為1014Ω·cm,充電時間對PPLP 空間電荷聚集的影響不大,直流電壓下PPLP 的壽命指數(shù)高于交流電壓下的壽命指數(shù)。液氮溫度下PPLP 的介電常數(shù)為2.21,介質(zhì)損耗因數(shù)為8×10-4,直流擊穿強(qiáng)度為113.85kV/mm,其中直流擊穿強(qiáng)度比工頻擊穿強(qiáng)度高50% 左右。

        3.2 聚酰亞胺

        聚 酰 亞 胺(PI) 的 介 電 常 數(shù) 為3.0-3.2, 電 阻 率 為2.0×1017Ωcm,0.1% 直流擊穿強(qiáng)度為380kV/mm,是交流擊穿強(qiáng)度的1.9 倍。JKSEONG 等研究發(fā)現(xiàn),PI 在均勻電場下的直流擊穿強(qiáng)度比非均勻強(qiáng)度下的直流擊穿強(qiáng)度高不到5%。直流擊穿強(qiáng)度數(shù)據(jù)分散性較小,其絕緣性能較穩(wěn)定;溫度下降,PI 薄膜的擊穿強(qiáng)度顯著提高。沖擊電壓下,液氮中PI 薄膜的擊穿強(qiáng)度變化規(guī)律和PPLP 類似,隨著拉伸應(yīng)力的增大而減小,但減小幅度很小。直流電壓作用下,液氮中PI 薄膜在拉伸狀態(tài)下的擊穿強(qiáng)度隨著拉力的增加先增大后減小,但是變化不明顯,變化幅度明顯小于PPLP。說明PI 對拉伸應(yīng)力的適應(yīng)能力優(yōu)于PPLP,是一種適用于液氮環(huán)境的良好繞包絕緣材料。

        4 結(jié)語

        低溫絕緣HTS 直流電纜是HTS 電力電纜的發(fā)展方向,低溫絕緣結(jié)構(gòu)HTS 直流電纜的本體絕緣可以選擇液氮浸漬絕緣薄膜的繞包復(fù)合絕緣結(jié)構(gòu);對低溫絕緣材料進(jìn)行納米復(fù)合改性和氟化處理,改善其耐電暈性能、耐局部放電性能,提高其電氣強(qiáng)度是低溫絕緣材料的研究熱點和重要發(fā)展方向。

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