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        植酸摻雜聚吡咯制備及電化學(xué)性能

        2020-07-20 01:23:34楊穎謝國元
        工程塑料應(yīng)用 2020年7期
        關(guān)鍵詞:吡咯植酸充放電

        楊穎,謝國元

        [1.奇瑞商用車(安徽)有限公司,安徽蕪湖 241001; 2.南京鴻瑞塑料制品有限公司,南京 211178]

        作為一種新型的綠色儲能器件,超級電容器以其高的功率密度、循環(huán)穩(wěn)定性及可實現(xiàn)快速充放電、安全性高等優(yōu)點[1],在電動汽車、新能源發(fā)電、航空航天、國防科技等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電極材料作為超級電容器的重要組成部分,是影響超級電容器性能和生產(chǎn)成本的關(guān)鍵因素[2]。目前用于制備超級電容器的電極材料主要分為碳材料(碳納米管、石墨烯、活性炭等 )[3–4],金屬氧化物[5]、導(dǎo)電聚合物三大類[6–8]。

        以導(dǎo)電聚合物作為電極材料的準(zhǔn)電容雖具有較高的理論比電容,導(dǎo)電聚合物主要包括聚苯胺(PANI)、聚吡咯(PPy)、聚噻吩及其衍生物。導(dǎo)電聚合物的導(dǎo)電性能的摻雜結(jié)構(gòu)決定其導(dǎo)電性能,從而影響其作為超級電容器電極材料的電化學(xué)性能。與無機小分子酸相比,大分子質(zhì)子酸的摻雜更利于導(dǎo)電聚合物分子鏈上的電荷離域化,從而獲得更高的電導(dǎo)率[9–10]。K.Y.Shi等[11]利用具有高荷質(zhì)比的4,5-二羥基-1,3-苯磺酸(Tiron)在Ni片上利用電化學(xué)沉積方法制備PPy膜,Tiron摻雜可使PPy膜與Ni片緊密結(jié)合,表現(xiàn)出良好的電化學(xué)活性。Y.F.Tian等[12]采用小共軛分子蒽醌羧酸作為摻雜劑,研究了摻雜和未摻雜的PANI樣品的薄膜形態(tài)。結(jié)果表明,摻雜可增強導(dǎo)電/非導(dǎo)電區(qū)域之間的電子轉(zhuǎn)移,其可作為太陽能電池的陽極緩沖層。S.C.Qu等[13]則將共軛分子9-蒽甲酸用作摻雜劑,用電化學(xué)方法制備了摻雜的PANI膜。結(jié)果表明,與未摻雜PANI膜作為緩沖層的太陽能電池相比,其電導(dǎo)率提高,轉(zhuǎn)換效率提高了50%。Y.J.Wang等[14]采用含親水性官能團的質(zhì)子酸(含齊聚乙氧基的酸性磷酸酯)摻雜PANI,所得的導(dǎo)電聚苯胺水溶液成膜后電導(dǎo)率達(dá)10–1S/cm。Z.Li等[15]利用聚苯乙烯磺酸鹽摻雜聚(3,4-乙撐二氧噻吩),該膜表現(xiàn)出1 400 S/cm的電導(dǎo)率PSS膜在0.4 A/g的電流密度下可提供120 F/g的比電容。

        植酸也稱為環(huán)己六醇磷酸酯,其環(huán)保無毒,是一種天然的有機磷酸化合物。植酸結(jié)構(gòu)中豐富的磷酸根基團賦予其良好的摻雜特性。將植酸對PPy進行摻雜并探討其微結(jié)構(gòu)與電化學(xué)性能的關(guān)系,目前還鮮有報道。筆者利用植酸作為摻雜劑制備了不同比例的摻雜復(fù)合材料,利用植酸豐富的含氧基團與吡咯的多重氫鍵作用一方面誘導(dǎo)PPy鏈的生長,調(diào)控構(gòu)筑PPy的微結(jié)構(gòu);另一方面,利用植酸的磷酸根負(fù)離子對PPy進行有效摻雜,提高其導(dǎo)電性能的同時實現(xiàn)電化學(xué)性能的提升。

        1 實驗部分

        1.1 主要原材料

        植酸:分析純,國藥集團化學(xué)試劑有限公司;

        吡咯:分析純,山東西亞化學(xué)股份有限公司;

        過硫酸銨:分析純,天津市北辰方正試劑廠;

        乙醇:分析純,成都市科龍化工試劑廠。

        1.2 主要設(shè)備及儀器

        磁力攪拌器:85–1型,上海志威電器有限公司;

        電子天平:FA2004B型,上海精密實驗儀器公司;

        超聲波清洗器:KQ–100B型,昆山市超聲儀器有限公司;

        循環(huán)水式真空泵:SHZ–D(Ⅲ)型,上海志威電器有限公司;

        真空干燥箱:DZ–1BCⅡ型,上海志威電器有限公司;

        傅立葉變換紅外光譜(FTIR)儀:Nicoleet380型,賽默飛世爾科技公司;

        掃描電子顯微鏡(SEM):Nova Nano SEM 450型,賽默飛世爾科技公司;

        X射 線 衍 射 (XRD)儀:Utima IV型,日 本Rigaku公司;

        四探針測試儀:SDY–5型,廣州四探針科技公司;

        藍(lán)電測試系統(tǒng):LANHE CT2001A型,武漢市藍(lán)電電子股份有限公司;

        電化學(xué)工作站:Parstat2273型,美國普林斯頓公司。

        1.3 純 PPy 的制備

        取70μL(1 mmol)吡咯單體放入燒杯中,再加入20 mL去離子水,超聲分散使其混合均勻。后將過硫酸銨水溶液(1 mmol溶于5 mL水中)緩慢加入到燒杯中,控制滴加時間在5 min左右,同時磁力攪拌24 h后停止反應(yīng),將所得反應(yīng)液抽濾,所得固體分別用無水乙醇和去離子水反復(fù)洗滌,然后在60℃干燥24 h可得黑色的PPy。

        1.4 植酸摻雜PPy的制備

        取吡咯單體與植酸的物質(zhì)的量之比分別為1∶1,3∶1,5∶1,分別記為 Pyp1,Pyp3與 Pyp5。即當(dāng)吡咯取70 μL(1 mmol)時,植酸分別取0.666,0.222,0.133 g,首先將植酸溶于20 mL去離子水,超聲分散均勻后,再向溶液中加入70 μL(1 mmol)吡咯單體,在攪拌條件下向其中緩慢加入過硫酸銨水溶液(1 mmol溶于5 mL水中),控制滴加時間在5 min左右,同時在磁力攪拌器上反應(yīng)24 h。將所得反應(yīng)液抽濾,所得固體用乙醇和去離子水反復(fù)淋洗,在60℃下干燥24 h,得植酸摻雜PPy。

        1.5 性能測試

        FTIR表征:溴化鉀壓片,分辨率為4 cm–1。

        SEM觀察:測試前鍍鉑金,觀察表面并拍照。

        XRD測試:銅靶,λ=0.1541 nm。

        室溫電導(dǎo)率的測定:將PPy樣品經(jīng)壓片成型后(成型片的直徑為12.7 mm,壓力為20 MPa),利用四探針測試儀,采用四電極法測定室溫電導(dǎo)率。

        恒電流充放電測試:利用藍(lán)電測試系統(tǒng)來測試該材料的比電容。該體系為三電極系統(tǒng),其中Pt片和飽和甘汞電極(SCE)分別用作對電極和參比電極。取5 mg的PPy和0.9 mg的乙炔黑混合均勻,滴加1~2滴聚四氟乙烯,將該混合物壓制在石墨電極上制備工作電極。電解質(zhì)為1 M KCl。

        循環(huán)伏安(CV)測試:掃描范圍–0.7~–0.3 V,掃速為10 mV/s。

        電化學(xué)交流阻抗(EIS)測試:測試頻率為0.01~100 kHz ,振幅為 5 mV。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 復(fù)合材料FTIR表征

        純 PPy,Pyp1,Pyp3與 Pyp5的 FTIR 譜 圖如圖 1所示,純 PPy在 1 561 cm–1和 1 467 cm–1左右的吸收峰分別對應(yīng)了對稱與反對稱吡咯環(huán)的伸縮振動峰,位于1 204 cm–1附近的峰為C—N鍵的伸縮振動峰,在929 cm–1處出現(xiàn)了=C—H鍵的面外振動峰[16]。PyP1和PyP3中的FTIR中(圖1b,圖1 d),C—N鍵的伸縮振動峰由1204 cm–1分別紅移至1 179,1 185 cm–1,這可能是由于植酸中豐富的—OH與C—N間形成多重氫鍵的緣故。純PPy中位于929 cm–1附近=C—H的吸收峰在Pyp3中紅移至904 cm–1處,這是P=O與=C—H間的共軛效應(yīng)所致。值得一提的是,植酸摻雜PPy中均顯示了PPy特征峰,表明PPy在植酸的摻雜下成功聚合。

        圖 1 純 PPy,Pyp1,Pyp3,PyP5的 FTIR 譜圖

        2.2 植酸摻雜PPy的形貌表征

        圖2 為PPy及植酸摻雜PPy的SEM照片。由圖2a可見,純PPy的表面形貌為無規(guī)顆粒狀結(jié)構(gòu),顆粒尺寸為500~700 nm,這些亞微米顆粒相互堆積,形成數(shù)微米的聚集體,這種顆粒的堆積使純PPy形成以大孔為主的孔隙結(jié)構(gòu),不利于其導(dǎo)電性能及電化學(xué)性能的提高。經(jīng)過植酸摻雜后的PPy的顆粒尺寸明顯變小(如圖2b~圖2d),顆粒尺寸為200~400 nm,而且PPy顆粒之間的團聚堆積現(xiàn)象明顯減少,三種植酸摻雜PPy中,Pyp1與Pyp5中的PPy顆粒顯示出松散的分離結(jié)構(gòu),其電導(dǎo)率分別為0.03,0.52 S/cm,這不利于復(fù)合材料導(dǎo)電通路的形成,而Pyp3中的亞微米PPy顆粒之間相互搭接,形成典型的三維網(wǎng)路結(jié)構(gòu),其電導(dǎo)率為8.5 S/cm,比未摻雜PPy (4.3×10–3S/cm)高4個數(shù)量級。這說明植酸的引入量過多或過少均不利PPy獲得良好的3D網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。與純PPy相比,Pyp3孔徑明顯減小,表現(xiàn)出明顯的分級多孔結(jié)構(gòu),這種獨特的多孔結(jié)構(gòu)將有利于電解質(zhì)/電子的快速擴散/傳輸,從而利于其作為超級電容器電極材料電化學(xué)性能的提高。

        圖 2 純 PPy,Pyp1,Pyp3,Pyp5的 SEM 照片

        2.3 復(fù)合材料的XRD表征

        純PPy,Pyp1,Pyp3與Pyp5的XRD圖如圖3所示。從圖3可以看出,位于2θ=22°左右出現(xiàn)一寬的彌散的衍射峰,表明PPy分子鏈為無定形結(jié)構(gòu)。當(dāng)利用植酸進行摻雜后,位于2θ=22°左右的衍射峰的強度增大,而且Pyp1,Pyp3與Pyp5在2θ=17°左右出現(xiàn)一新的衍射峰,這表明植酸的引入可能有利于PPy分子鏈的有序生長。

        圖 3 純PPy,Pyp1,Pyp3,Pyp5的XRD圖

        2.4 植酸摻雜PPy的電化學(xué)性能

        植酸摻雜PPy在超級電容器電極材料中的潛在應(yīng)用可通過恒電流充放電、CV技術(shù)進行測試。圖4給出PPy,Pyp1,Pyp3與Pyp5在0.5 A/g的充放電曲線。從圖4a可以看出,純PPy及復(fù)合材料的充放電曲線幾乎為直線并且呈典型的對稱三角形形狀。具體的比電容可參照式(1)進行計算:

        圖4 純PPy,Pyp1,Pyp3,Pyp5的恒電流充放電曲線

        式中:C——比電容;

        I——恒定電流;

        Δt——放電時間;

        ΔV——t時間內(nèi)的電壓降;

        m——工作電極中活性物質(zhì)的質(zhì)量。

        計算得到PPy,Pyp1,Pyp3和Pyp5的比電容分別為 153,155,265 F/g 和 208 F/g。顯然,過多的植酸的引入(吡咯∶植酸=1∶1)不利于PPy比電容的提高。而Pyp3 (吡咯∶植酸=3∶1)的三維多孔結(jié)構(gòu)有利于離子滲透及界面電荷的傳輸,其比電容可達(dá)265 F/g。繼續(xù)減少植酸的引入量,則不利于PPy比電容的進一步提高。因此,在所有摻雜PPy中Pyp3可獲得最高的比電容,其作為超級電容器電極材料顯示出良好的優(yōu)越性。為了進一步探討其電化學(xué)性能,對Pyp3進行了循環(huán)伏安與交流阻抗測試,并與純PPy做對比。

        圖5 為純PPy與Pyp3的CV曲線,掃描速度為 10 mV/s,電位區(qū)間為 –0.7~–0.3 V,電解質(zhì)為1M KCl。

        圖5 純PPy,Pyp3的CV曲線圖

        純PPy的CV曲線偏離矩形,與之形成鮮明對比的是,Pyp3的CV曲線形狀則接近于矩形,表明其具有較理想的電容行為。結(jié)果表明,與純PPy相比,Pyp3表現(xiàn)出更好的電荷傳輸行為以及離子響應(yīng)。從圖5還可以看出,Pyp3表現(xiàn)出高的峰電流強度,表明在同一掃速下,與純PPy相比Pyp3具有更高的比電容,這與充放電的結(jié)果一致。交流阻抗可用來研究電極/電解質(zhì)界面的電導(dǎo)率,結(jié)構(gòu)以及電荷傳輸性能。圖6為PPy與Pyp3的交流阻抗譜圖。圖中Z′為阻抗實部,Z″為阻抗虛部。從圖6可以看出,交流阻抗曲線由三部分構(gòu)成:高頻區(qū)、中頻區(qū)和低頻區(qū)。在高頻區(qū),通過高頻區(qū)阻抗曲線與零基線的交點可以估算電極材料的 內(nèi) 阻 (Rs)[17]。Pyp3和 PPy的Rs均 小 于 1Ω,兩者低的Rs歸因于電極與電解質(zhì)間低的歐姆電阻。在中頻區(qū),曲線有一圓弧,它的直徑反映的是由于離子或電子遷移阻抗造成的傳荷電阻(Rct)。

        圖6 純PPy,Pyp3的交流阻抗譜圖

        由圖6可見,Pyp3與PPy均表現(xiàn)出小的傳荷電阻。低頻區(qū)曲線的斜率在45°~90°,對應(yīng)于介于Warburg擴散與理想電容離子擴散間的離子擴散機理,在理想電容器中表現(xiàn)為接近90°的直線[18]。明顯地,與PPy相比,Pyp3的低頻區(qū)的直線斜角更接近90°,說明,Pyp3表現(xiàn)出理想電容器的特性。

        3 結(jié)論

        采用化學(xué)氧化聚合法,將吡咯單體與植酸在氧化劑的存在下進行聚合制備得到植酸摻雜PPy,研究了植酸與吡咯的不同配比對復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)及電化學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,吡咯與植酸的物質(zhì)的量之比太低(1∶1)或太高(5∶1)均不利于植酸摻雜聚吡咯電化學(xué)性能的提高。當(dāng)吡咯與植酸的物質(zhì)的量之比為3∶1時,Pyp3表現(xiàn)為亞微米球相互搭接的3D網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),PPy的分子鏈有較高的規(guī)整性,其主要歸因于PPy與植酸間的多重氫鍵及共軛效應(yīng)。Pyp3作為超級電容器電極材料比電容為265 F/g,比純PPy的153 F/g高,具有更為理想的超電容特性。

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