佟 倩,張秀雙,魏曉敏,紀(jì)薇薇,王 紫,沈 洋
(遼寧省鹽堿地利用研究所,遼寧 盤錦 124010)
已有研究表明,硅肥(鋼渣)的施用有明顯抑制水稻吸收Cd 的作用,水稻各部位的含Cd 量隨硅肥用量增加而明顯下降[1,2]。 磷肥(鈣鎂磷肥)也明顯抑制水稻植株吸收Cd, 隨著用量的增加,水稻植株各部分的殘留量顯著降低, 大量施用后可使數(shù)季水稻 Cd 的吸收量顯著降低[3-5];磷肥、硅肥按一定比例施入對(duì)水稻植株吸收Cd 也有明顯的抑制作用[3-7]。 但上述研究使用的硅肥和磷肥主要為鋼渣和鈣鎂磷肥等堿性材料,研究結(jié)果表明,抑制作用的主要機(jī)理是提高土壤pH,同時(shí)肥料中的Ca2+、Mg2+與 Cd2+共沉淀, 根表面 Ca2+、Mg2+和 Cd2+競(jìng)爭(zhēng)吸收也是抑制Cd 在作物體內(nèi)積累的重要原因, 硅和磷在修復(fù)改良過程中的作用難以確定[6-13]。
為此,本研究使用磷酸二氫鈉(NaH2PO4)和硅酸鈉(Na2SiO3)分析純?cè)噭楦牧紕?,研究硅和磷?duì)Cd 污染水稻土的修復(fù)改良作用。
供試土樣采自沈陽(yáng)農(nóng)業(yè)大學(xué)稻作室試驗(yàn)田。
研究所用的改良劑:磷酸二氫鈉(NaH2PO4)和硅酸鈉(Na2SiO3)分析純?cè)噭?/p>
水稻品種:彎穗9741,由沈陽(yáng)農(nóng)業(yè)大學(xué)水稻研究所提供。
試驗(yàn)設(shè)計(jì)共12 個(gè)處理, 各處理3 次重復(fù),裝土 3 kg/盆,向其中加入外源 Cd(10 mg·kg-1),盆缽隨機(jī)排列。 同時(shí)每盆施入尿素(N 46%)0.43 g·kg-1(70%基施,30%追施);氯化鉀(K2O 30%)0.25 g·kg-1。
具體處理為 C1(P:0.1 g·kg-1)、C2(P:0.5 g·kg-1)、C3 (P:1 g·kg-1)、C4 (P:2 g·kg-1)、C5(Si:2 g·kg-1,P:0.1 g·kg-1)、C6(Si:2 g·kg-1,P:0.5 g·kg-1)、C7(Si:2 g·kg-1,P:1 g·kg-1)、C8(Si:2 g·kg-1,P:2 g·kg-1)、C9 (Si:4 g·kg-1,P:0.1 g·kg-1)、C10(Si:4 g·kg-1,P:0.5 g·kg-1)、C11(Si:4 g·kg-1,P:1 g·kg-1)、C12(Si:4 g·kg-1,P:2 g·kg-1)。 處理中 Si 和 P 的量為 SiO2和 P2O5的量, 實(shí)際施入 NaH2PO4和Na2SiO3為其轉(zhuǎn)化量。
水稻于五月下旬插秧,3 穴 /盆、1 株 /穴,生育期定量澆水,按常規(guī)管理。 水稻成熟后收獲。 測(cè)定水稻根、莖葉、糙米中Cd 含量。
水稻植株中Cd 含量的測(cè)定: 采用濕式消解法,硝酸∶高氯酸(5∶1)消解,原子吸收分光光度法測(cè)定[14-15]。
2.1.1 Si 和 P 配合施入對(duì)水稻根中 Cd 含量的影響 將采回的水稻根洗凈泥土、烘干、磨碎,用硝酸-高氯酸消煮, 原子吸收光譜法測(cè)定鎘含量,測(cè)定結(jié)果如表1 所示, 并對(duì)所測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行方差分析(表2),結(jié)果表明,使用不同用量的 Si 和P 對(duì)水稻根部吸收Cd 的影響是不同的。 與處理C1 相比, 各處理對(duì)水稻根系吸收Cd 均存在極顯著差異的影響。 從表1 還可以看出,隨著Si 和P 用量的增加水稻根中Cd 的含量減少, 這說明隨著改良劑的加入,可以降低水稻根中Cd 的含量。 在配合施用時(shí)效果要好于單一施用時(shí), 說明兩種改良劑的交互作用為相互促進(jìn)作用,明顯降低了水稻根中 Cd 的含量。 處理 C12 時(shí), 根中 Cd 含量最小。
表1 不同處理對(duì)水稻根中Cd 含量的影響 單位:mg/kg
表2 不同處理對(duì)水稻根吸收Cd 影響的方差分析
2.1.2 Si 和 P 配合施入對(duì)水稻莖葉中 Cd 含量的影響 將收獲后的水稻莖葉風(fēng)干、磨碎,用硝酸-高氯酸消煮,原子吸收光譜法測(cè)定Cd 含量,測(cè)定結(jié)果如表3 所示,并對(duì)所測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行方差分析(表4),結(jié)果表明,施用不同用量的Si 或P 對(duì)水稻莖葉吸收Cd 的影響是不同的。 與處理C1 相比,各處理對(duì)水稻莖葉吸收Cd 均存在極顯著差異的影響,即添加不同質(zhì)量的改良劑,將對(duì)水稻莖葉吸收Cd 產(chǎn)生一定的影響,同時(shí)各處理間均存在一定的差異性。從表中可以看出,隨著單一改良劑用量的增加,水稻莖葉中的Cd 含量有降低的趨勢(shì)。 在配合施用時(shí)效果要好于單一施用時(shí), 明顯降低了水稻莖葉中Cd 的含量。 莖葉中Cd 含量最小的處理為C12,趨勢(shì)與根中Cd 含量大致相同。
表3 不同處理對(duì)水稻莖葉中Cd 含量的影響 單位:mg/kg
表4 不同處理對(duì)水稻莖葉吸收Cd 影響的方差分析
2.1.3 Si 和 P 配合施入對(duì)水稻糙米中 Cd 含量的影響 將收獲后的水稻籽粒去皮、磨碎,用硝酸-高氯酸消煮,原子吸收光譜法測(cè)定Cd 含量,測(cè)定結(jié)果如表5 所示,并對(duì)所測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行方差分析(表6),結(jié)果表明,施用不同量的改良劑對(duì)水稻糙米吸收Cd 的影響是不同的。 與處理C1 相比,各處理對(duì)水稻糙米吸收Cd 均存在極顯著差異的影響。糙米中Cd 的含量出現(xiàn)減少的趨勢(shì), 這說明添加這兩種改良劑后能夠降低糙米中Cd 含量。 在配合施用時(shí)效果要好于分別單一施用時(shí), 說明兩種改良劑的交互作用為相互促進(jìn)作用, 明顯降低了水稻糙米中Cd 的含量。 處理C12 改良劑用量時(shí),糙米中Cd 含量最小。
2.2.1 Si 和 P 對(duì)水稻幼苗與水稻成株根中 Cd 含量的影響對(duì)比 由圖1 可以看出,同一處理水稻成株根中Cd 含量比水稻幼苗根中Cd 含量高,這說明水稻根吸收Cd 量與水稻受Cd 脅迫時(shí)間有關(guān),在水稻生長(zhǎng)期內(nèi),水稻受Cd 脅迫時(shí)間越長(zhǎng),水稻根吸收Cd 量越大。
表5 不同處理對(duì)水稻糙米中Cd 含量的影響 單位:mg/kg
表6 不同處理對(duì)水稻糙米中吸收Cd 影響的方差分析
圖2 為水稻幼苗與水稻成株根中Cd 含量增減率,由圖可以看出,處理C12 比對(duì)照降低的百分率最大,而相同處理下,水稻成株根中Cd 含量降低的百分率大于水稻幼苗根中Cd 含量降低百分率。 這說明,Si 和P 對(duì)水稻根吸收Cd 的影響與水稻生長(zhǎng)期長(zhǎng)短有關(guān),在水稻生長(zhǎng)期內(nèi),水稻生長(zhǎng)期越長(zhǎng), 兩種改良劑對(duì)水稻根吸收Cd 的改良效果越好。
綜上所述,水稻根吸收Cd 的量與Cd 脅迫時(shí)間有關(guān),受Cd 脅迫時(shí)間越長(zhǎng),其吸收Cd 量越大。Si 和P 兩種改良劑不能改變根吸收Cd 的整體趨勢(shì), 但隨生長(zhǎng)周期的延長(zhǎng),Si 和P 對(duì)水稻根吸收Cd 的改良率增大。
2.2.2 Si 和 P 對(duì)水稻幼苗與水稻成株莖葉中 Cd含量的影響對(duì)比 由圖3 可以看出,同一處理下,水稻成株莖葉中Cd 含量比水稻幼苗莖葉中Cd含量高, 這說明水稻莖葉吸收Cd 量與水稻受Cd脅迫時(shí)間有關(guān),在水稻生長(zhǎng)期內(nèi),水稻受Cd 脅迫時(shí)間越長(zhǎng),水稻莖葉吸收Cd 量越大。
圖4 為水稻幼苗與水稻成株莖葉中Cd 含量增減率,由圖可以看出,處理C12 比對(duì)照降低的百分率最大,而相同處理下,水稻成株莖葉中Cd含量降低的百分率大于水稻幼苗莖葉中Cd 含量降低百分率。 這說明,Si 和P 對(duì)水稻莖葉吸收Cd的影響與水稻生長(zhǎng)期長(zhǎng)短有關(guān),在水稻生長(zhǎng)期內(nèi),水稻生長(zhǎng)期越長(zhǎng),兩種改良劑對(duì)水稻莖葉吸收Cd的改良效果越好。
綜上所述, 向土壤中添加硅酸鈉和磷酸二氫鈉后,隨單一改良劑用量的增加,水稻各部位鎘含量呈現(xiàn)降低的趨勢(shì), 且水稻對(duì)鎘的吸收主要集中在根部,而向地上部位遷移降低。硅酸鈉和磷酸二氫鈉的配合施用改良效果更好。因此,配合添加硅肥和磷肥可以作為改良鎘污染水稻土的一種措施,降低稻米對(duì)鎘的吸收,為人類食用無污染稻米提供保障。