劉 倩， 熊傳兵， 湯英文， 李曉珍， 王世龍

(閩南師范大學 物理與信息工程學院， 福建 漳州 363000)

1 引 言

LED是一種典型的節(jié)能、環(huán)保的綠色照明光源[1]。但是，LED的使用效果仍受到封裝形式、生產(chǎn)材料以及應用環(huán)境等因素的影響，雖然它具有低發(fā)熱量的優(yōu)點，但是在使用過程中產(chǎn)生的熱量對生產(chǎn)器件的局限性仍需要進一步的完善。根據(jù)行業(yè)發(fā)展所需，在1994年由日本三菱公司提出了一種新型的芯片級封裝(簡稱CSP)形式[2]，由于CSP封裝器件出光面為五面光的體光源，且具有體積小、重量輕、色彩飽和度高、色域較寬、高效低耗、壽命長、節(jié)能環(huán)保的特點，因此很快便廣泛地應用于器件的生產(chǎn)中。經(jīng)過短暫的幾年時間，它已成為了集成電路中重要的封裝形式。同時，LED也正在向著微型化的趨勢發(fā)展，因此在2012年左右，CSP倒裝芯片的封裝技術逐步被引用到LED封裝行業(yè)，形成了當今的CSP-LED器件[3]。

自2015年7月三星公司發(fā)布LM131ALED封裝芯片[4]采用了CSP技術以來，很快飛利浦公司就推出了五面發(fā)光的CSP封裝的WHITE系列產(chǎn)品[5]，韓國首爾半導體公司在同年9月發(fā)布了WICOP2系列產(chǎn)品[6]。經(jīng)過多年的LED發(fā)展歷程，這次芯片級封裝的重大改革使得電路板上的LED的組裝密度有了極大的提高。因此，CSP-LED產(chǎn)品很快便應用于背光源和汽車前照燈光源[7-8]，這一變革使得汽車照明和液晶行業(yè)有了蓬勃的發(fā)展。但由于大功率LED芯片尺寸較小，發(fā)光光譜較窄，且不含紅外波段，所以產(chǎn)生的熱量基本不能通過熱輻射的方式散發(fā)出去[9]。因此相比于傳統(tǒng)的鹵素燈和氙氣燈，局部熱流密度較大，特別是對于由多個LED光源模塊采用串聯(lián)或并聯(lián)的方式密集封裝組成的集成光源，這樣密集分布的設計必然將會導致電路變得更加復雜并且熱量堆積問題更為嚴重，進而使芯片的光通量降低，發(fā)光顏色出現(xiàn)偏差，甚至造成電子元器件設備燒壞或老化，導致芯片使用壽命降低[10]。因此，采用合理的芯片排布間距設計使LED工作時產(chǎn)生的熱量及時導出，對保證其良好的發(fā)光效果與延長使用壽命起著至關重要的作用[11]。但CSP白光LED芯片的結構布局對器件性能影響方面的研究，尚未有報道。

LED光源主要是由封裝基板、芯片和熒光粉組成，通過芯片發(fā)出藍光來激發(fā)表面的熒光粉產(chǎn)生黃光，再由藍光和黃光混合而產(chǎn)生白光[12]。當前，金屬鋁基板、金屬復合基板和陶瓷基板是LED主要的封裝基板源，其中金屬鋁基板具有優(yōu)良的加工性能、電學性能和散熱性能，因此在LED照明、LED車燈和LED-TV背光源方面具有廣泛的應用[13]。本文通過改變鋁基板上四顆串聯(lián)芯片的排布間距，根據(jù)電致發(fā)光特性(EL)研究了藍光和CSP白光LED芯片器件光電性能參數(shù)的變化。合理的排布間距對熱流密度大所導致的熱擁堵問題能夠有所緩減，同時可以對芯片起到保護作用，從而可獲得光色電熱綜合性能更為優(yōu)異的光學器件。

2 實 驗

樣品為自制的同批次的合格LED燈珠。LED封裝采用三安S-55CBFSD-A芯片、KER3000硅膠和BM302D黃色熒光粉。將具有相同外延結構和芯片制造工藝的四顆芯片以串聯(lián)的方式焊接在大小為2.2 cm×2.2 cm相同結構的正方形鋁基板上，得到排布間距分別為0.2，0.4，0.8，1，2，3，4，5 mm的藍光LED芯片和CSP白光LED芯片樣品(如圖1)，做了相同的四組樣品，以減少實驗偶然性誤差。

圖1 (a)CSP白光LED結構簡化圖;(b)芯片樣品的簡化圖。

Fig.1 (a)Simplified structure of CSP white LED. (b)Simplified diagram of the chip sample.

本文分別測試了相同結構的藍、白光兩種不同芯片的變電流EL譜及光學特性參數(shù)。在實驗過程中，對藍、白光LED采用電流范圍為10～1 500 mA的恒流驅動，在數(shù)據(jù)采集方面采用遠方測試儀測量實驗中的LED在不同排布間距下的相關光電參數(shù)。在測定時，采用遠方光譜分析系統(tǒng)在LED額定工作電流下進行光電參數(shù)測量。本文選擇排布間距為0.2，0.4，0.8，1，3，5 mm的樣品中其中一組實驗數(shù)據(jù)進行討論與分析。

3 結果與討論

3.1 藍光和CSP白光LED芯片自發(fā)熱對比

圖2為藍光LED和CSP白光LED芯片的器件溫度-電流變化曲線。溫度是影響LED結構的重要因素之一，通過熱敏電阻測得的芯片基板溫度可以很好地反映芯片結溫指標。因為都是采用具有相同結構的芯片，所以變化規(guī)律都隨電流增大呈亞線性升高，只是白光在同一電流變化量下具有較大的器件溫度，相比白光而言，藍光器件溫度變化較小。白光芯片是用藍光LED芯片激發(fā)YAG熒光粉產(chǎn)生黃光、再混合一定比例的藍光轉化為白光，由于熒光粉存在下轉換問題，一個藍光光子的能量就大于一個黃光光子，所以藍光光子激發(fā)相同的黃光光子，便會有多余的能量以熱能的形式散出。故相比藍光而言，白光的器件溫度變化會更大。 并且隨著LED排布間距減小，同一電流變化量的情況下，器件溫度差更加顯著，且隨著驅動電流增大，藍、白光的溫度差值隨之增大；但是當電流達到極端大電流1 A時，溫度差變化又逐步趨于下降。我們將這一現(xiàn)象歸因于熒光粉的轉換效率下降[14]，隨著樣品排布間距減小，加劇了熱量的產(chǎn)生。

圖2 (a)不同排布間距下藍、白光芯片溫度變化對比；(b)不同排布間距下藍、白光芯片溫度差曲線。

Fig.2 (a)Comparison chart of the temperature change of blue and white light chips at different arrangement intervals. (b)Graph of the temperature difference between blue and white light chips at different arrangement intervals.

3.2 排布間距對藍、白光芯片光譜的影響

由于密集封裝的LED芯片多應用于大電流環(huán)境下，所以本文選用1.3 A恒定電流下藍、白光光譜對比圖(如圖3)進行分析。藍、白光LED樣品在0.2 mm和5 mm不同的排布間距下，對應的峰值波長分別為457，453，462，455 nm。結果顯示，隨著排布間距減小，其波長呈現(xiàn)紅移現(xiàn)象，且CSP白光LED光譜紅移現(xiàn)象比較明顯，藍、白光的光譜強度分別衰減為原來的51.5%和40.1%，白光的光譜強度隨著排布間距減小，衰減現(xiàn)象更加顯著。其主要原因是排布間距減小而產(chǎn)生的高溫效應會引起電子的運動加劇，導致產(chǎn)生藍光的能量降低，波長增大，從而出現(xiàn)明顯的紅移現(xiàn)象；熱效應進一步使熒光粉的非輻射復合增多，熱擁堵效應加劇，導致熒光粉轉化效率降低，輻射強度下降，所以黃光光譜強度較藍光光譜強度減弱[15-16]，白光光譜強度降低也隨排布間距減小而更加明顯。

圖3 不同排布間距下藍(a)、白(b)光光譜對比圖。

Fig.3 Contrast diagrams of blue(a) and white(b) light spectra intensity under different row spacing

3.3 排布間距對藍、白光芯片光電性能的影響

圖4為藍、白光LED芯片在不同排布間距下的正向I-V特性曲線。隨著正向驅動電流的增加，實際電路中PN結的正向導通電壓也隨之增大，在通過PN結的正向電流大小變化幅度較大的條件下，正向電壓卻能維持在10～12 V之間，且在10～400 mA之間電壓隨電流的變化增幅較大，隨后在電流為400～1 000 mA時基本呈線性增長；當電流增大到1 A以上時，電壓的增長趨勢減緩。其原因是發(fā)光二極管中PN結加正向偏壓時，外加電壓的方向與自建場的方向相反，使空間電荷區(qū)中的電場減弱。于是，內(nèi)電場對電子擴散運動的阻礙減弱，隨著擴散電流加大，PN結呈現(xiàn)低阻性，故電壓變化趨于平穩(wěn)。隨著電流的增大，CSP白光LED芯片排布間距在3 mm以下時，電壓呈下降的變化趨勢。電壓下降是因為LED散熱不良引起的熱效應導致的有源層中熱生缺陷增多，位錯密度變大，漏電流現(xiàn)象加劇，使載流子注入效率增加，芯片結構內(nèi)部的串聯(lián)電阻均變小，正向電壓降低[17-18]。

圖4 不同排布間距下藍(a)、白(b)光I-V特性曲線。

Fig.4I-Vcharacteristic curves of blue(a) and white(b) light under different arrangement spacing

圖5為藍光LED 和CSP白光LED在不同的排布間距下的光功率與電流關系曲線，當驅動電流值小于800 mA 時，藍、白光的光功率都呈相對上升的趨勢，但CSP白光LED的光功率相對較弱。根據(jù)白光LED 的發(fā)光原理，由于熒光粉的轉換效率小于100%，藍光激發(fā)黃色熒光粉時能量會有損失，相同電流驅動下，白光LED 的光功率比相同結構的藍光LED 芯片的光功率值偏小。當驅動電流為1 A以上時，光功率整體呈下降趨勢，藍、白光在0.2 mm時分別降低到最大光功率的75.28%和28.88%。顯然，隨著排布間距減小，白光光功率的衰減更加顯著，主要是因為排布間距減小，非輻射復合中心的增加使LED光功率更容易受到熱效應的影響而衰減，同時CSP白光LED的YAG熒光粉也受熱效應的影響而退化引起的。

圖5 不同排布間距下藍(a)、白(b)光變電流的光功率對比圖。

Fig.5 Diagrams showing the comparison of optical power of blue(a) and white(b) light varying currents at different arrangement spacings

光通量是表征光器件的光源質量高低的一個重要指標，是通過人的眼睛對輻射通量的反應程度的物理量。國家照明委員會用平均值法確定了人眼對各種波長的平均相對靈敏度，稱為人眼的視見函數(shù)。而光通量

(1)

其中，e(λ)為光譜輻射能通量，也稱為輻射功率；v(λ)為人眼的視見函數(shù)。

圖6為變電流條件下的藍、白光光通量曲線對比圖，圖中顯示：當驅動電流較小時，藍、白光LED具有相似的變化規(guī)律，即隨著電流增大，光通量基本都呈線性增長；隨著正向電流增加到1 A以上，藍光LED光通量呈次線性增長，CSP白光LED呈現(xiàn)明顯的下降趨勢，在5,3,1,0.8,0.4,0.2 mm的排布間距下，光通量分別降低為最大光通量的96.42%、91.04%、61.15%、47.41%、15.42%。表明排布間距越小，光通量下降效果更加顯著。這是由于LED在大電流密度的驅動下，由于芯片熱擁堵效應使LED的峰值波長紅移，導致藍光部分的輻射通量與視見函數(shù)的積分變大，

圖6 不同排布間距下藍(a)、白(b)光變電流的光通量對比圖。

Fig.6 Luminous flux comparison diagram of blue(a) and white(b) light varying currents at different arrangement intervals

而黃色部分的輻射通量與視見函數(shù)的積分變小，黃光部分比藍光部分變化量大[19]，所以白光的光通量隨排布間距的減小而降低，且下降率更高。

發(fā)光效率是衡量電光源質量高低的最重要參量。藍、白光LED芯片的外延結構和芯片制造工藝是一致的,僅有CSP白光LED芯片在藍光LED芯片表面涂敷YAG熒光粉上的不同。變電流條件下的藍、白光流明效率曲線對比如圖7所示，驅動電流為10～1 500 mA 時，CSP白光LED的流明效率明顯高于藍光，且白光LED芯片和藍光LED芯片的電流Droop效應變化趨勢基本一致，主要表現(xiàn)為驅動電流大于20 mA時，光效均呈現(xiàn)下降的趨勢，該現(xiàn)象與Tanner等的研究結果相一致[20-21]。實驗結果顯示，在大電流的驅動條件下，CSP白光LED下降的趨勢更為明顯，隨著排布間距減小，白光LED芯片效率衰減率分別為55.43%、66.08%、76.95%、83.52%、89.76%、94.69%。這是因為YAG熒光粉處于Ce3+的5d離子層受溫度影響大，易受晶體場作用發(fā)生能級分裂，溫度越高，晶格震動越劇烈，晶體場增強，5d能級分裂加劇，使基態(tài)與激發(fā)態(tài)之間的能量變得接近，導致量子效率隨間距減小而降低顯著。選擇不同排布間距的芯片，其Droop效應表現(xiàn)出較大的差異，主要歸因于熒光粉的轉換效率下降，藍光激發(fā)黃色熒光粉時的能量損耗，造成發(fā)光效率隨電流增加而下降。隨著電流密度的增加，出現(xiàn)了“電流泄露”現(xiàn)象，造成PN結結區(qū)的載流子的復合幾率下降[22]。排布間距減小而引起的熱效應又使主波長移動、熒光粉發(fā)光的強度下降，使得混光不匹配，從而導致了隨著排布間距減小，白光LED發(fā)光效率下降的速度比藍光LED下降得更快。

圖7 不同排布間距下藍(a)、白(b)光光效對比圖。

Fig.7 Comparison of blue(a) and white(b) luminous efficiency under different arrangement spacings

3.4 排布間距對CSP-LED芯片的影響

3.4.1 變電流EL光譜對比分析

圖8(a)～(d) 為CSP白光LED芯片排布間距為0.2，0.8，3，5 mm 時的變電流EL譜。從圖中可以看出，正向電流為20～1 500 mA時，CSP-LED芯片的EL譜峰值波長分別紅移了16，13，7,7 nm，同時隨著注入電流密度的逐漸增大，能帶填充效應增強，引起半峰寬展寬，可見CSP白光LED芯片在小排布間距下，芯片內(nèi)部結構發(fā)生了明顯的改變。且電流在1 A以上時，隨著排布間距的減小，峰值波長的光譜積分強度下降趨勢更加顯著，分別降低了1.75，2.71，10.46，15.99。這主要是由于白光LED芯片的熱擁堵引起了發(fā)光阱層的熱應力，導致EL光譜強度下降顯著。

圖8 CSP-LED芯片排布間距為0.2(a)，0.8(b)，3(c)，5(d) mm時的變電流EL譜。

Fig.8 EL spectra of variable current when the spacing of CSP-LED chips is 0.2(a), 0.8(b), 3(c), 5(d) mm, respectively.

3.4.2 排布間距對CSP-LED芯片熒光粉的影響

不同排布間距下CSP白光LED在不同的驅動電流下的色溫特性曲線如圖9(a)所示。結果顯示，隨著電流密度的增大，白光的色溫整體趨于上升趨勢。電流密度較小時，不同電流對色溫影響的作用不顯著；在大電流條件下，隨著樣品排布間距減小為3 mm以下，色溫增大趨勢非常明顯。主要原因是由于排布間距減小時，芯片內(nèi)部散熱不良引起的熱擁堵現(xiàn)象導致藍光相對于黃光的比例在逐步增加，顏色由暖光向冷光轉變[23]。圖9(b)是在變化電流下LED的光譜紅色比參數(shù)圖，紅色比是紅光在整個可見光中所占的比例，結果顯示電流在1 A左右時，紅色比開始呈現(xiàn)下降的趨勢，衰減率分別為3.57%、5.76%、9.93%、14.29%、16.20%、38.73%。表明排布間距越小，紅光衰減越明顯。間距為3 mm以上時，隨著電流增大，變化基本呈持平趨勢。LED色溫的上升和紅色比的下降，表明由于排布間距減小使得熒光粉退化是CSP白光LED衰減的主要原因。

圖9 不同排布間距下白光色溫(a)、紅色比(b)變化曲線。

Fig.9 Color temperature(a) and red ratio curves(b) of white light at different arrangement intervals

4 結 論

以相同結構的藍光LED器件作為CSP白光LED激發(fā)光譜，研究了變電流條件下不同排布間距對藍、白光LED熱擁堵效應的影響。實驗結果表明,當驅動電流增大到1 A 以上的極端電流條件時，隨著注入電流的增大，白光LED芯片的溫度顯著升高，峰值波長的光譜紅移，電壓、光功率、光通量、光效等光電性能都呈現(xiàn)指數(shù)衰減趨勢；最后對排布間距和LED熒光粉的熱影響進行了分析，表明排布間距越小，紅色比越低，熒光粉的退化更加顯著。由于排布間距減小而引發(fā)的熱效應促進了芯片與YAG熒光粉的相互熱作用，使CSP白光LED芯片在0.2 mm的排布間距下，光譜強度降低了59.9%，同時光效衰減了94.69%，導致芯片光電性能較差，壽命較短。當CSP-LED芯片的排布間距為3 mm時，從實際生產(chǎn)的成本角度出發(fā)，已經(jīng)表現(xiàn)出優(yōu)良的光電性能，這對我國CSP車燈及Mini背光面的國產(chǎn)化及LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有十分重要的意義。