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        CuSbS2納米顆粒的水熱合成法制備

        2019-08-26 01:30:27支國偉史翠花楊露劉季錦花
        山東工業(yè)技術(shù) 2019年24期
        關(guān)鍵詞:反應時間

        支國偉 史翠花 楊露 劉季錦花

        摘 要:隨著社會的發(fā)展,能源問題愈發(fā)嚴峻,CuSbS2作為一種具有高吸光系數(shù)、理想光學帶隙和性質(zhì)穩(wěn)定的光電材料,在薄膜太陽能電池和光催化方面有廣闊的應用前景。本論文采用水熱合成法制備CuSbS2納米顆粒,研究不同反應時間對CuSbS2性能的影響。研究結(jié)果表明,當反應時間為32h時所得到的納米顆粒為正交晶系硫銅銻礦結(jié)構(gòu)CuSbS2,為四方棒狀結(jié)構(gòu),其帶隙為1.37eV。

        關(guān)鍵詞:水熱合成法;CuSbS2納米顆粒;反應時間

        DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2019.24.121

        1 引言

        二十一世紀以來,隨著商品經(jīng)濟社會的發(fā)展,能源問題日益凸顯,可再生且分布廣泛的太陽能成為新能源使用的首選。通過太陽能電池和光催化劑可以良好的利用太陽能。其中,CuSbS2納米顆粒其帶隙約為1.5eV,同時在可見光范圍內(nèi)光吸收系數(shù)較大(>104cm-1)[1],在太陽能電池和光催化劑中有良好的應用,成為了近年來研究的新寵。

        目前,CuSbS2薄膜太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率已達到了3.1%[2]。Pal M等人通過加入乙二胺溶劑與水進行混合作為反應介質(zhì),所得到的CuSbS2晶體形貌為四方狀結(jié)構(gòu)且穩(wěn)定,是正交晶相,幾乎無雜相。在120℃溶液(V乙二胺:V水=4:1)內(nèi)反應12h所制得的CuSbS2晶體結(jié)晶性最好,理論光電轉(zhuǎn)換效率23%。本文采用水熱合成法制備CuSbS2納米顆粒。

        2 實驗

        2.1 CuSbS2納米顆粒的制備

        以硝酸銅、氯化銻、硫脲分別作為銅源、銻源以及硫源,配制前驅(qū)體溶液。置于水熱反應釜中,在鼓風干燥箱中加熱至180℃,反應20-32h,制備出納米顆粒。

        2.2 性能及表征

        使用X-射線衍射儀(XRD)分析樣品的物相結(jié)構(gòu)。采用掃描電鏡(SEM)分析所制備薄膜的表面形貌。使用紫外-可見分光光度計(UV-vis)測試納米顆粒的光學性能。

        3 結(jié)果與討論

        3.1 物相結(jié)構(gòu)

        圖1為不同反應溫度的CuSbS2納米顆粒的XRD圖譜。從圖1中可以看出,在反應時間為20h~32h均有CuSbS2納米顆粒的衍射峰,在2θ=28.43°、28.73°、34.30°出現(xiàn)CuSbS2的衍射峰,對應于正交晶系硫銅銻礦結(jié)構(gòu)CuSbS2(JCPDS44-1417)的(111)、(410)、(501)晶面,同時存在大量的Sb2S3雜相,但是,隨著反應時間的增加,Sb2S3雜相衍射峰減弱,雜相減少。

        3.2 微觀形貌

        圖2是不同反應時間CuSbS2的SEM照片。從圖2(a)可以看出反應時間為20h時,納米顆粒為長片狀顆粒,同時表面有許多小顆粒。當反應時間為24h時,出現(xiàn)了一個長四方棒狀顆粒,表面也有較多的小顆粒。當反應時間為28h時,出現(xiàn)了不規(guī)則狀的顆粒和少量的小四方棒狀顆粒以及小顆粒物質(zhì)附在顆粒表面。當反應時間為32h時,出現(xiàn)了四方棒狀顆粒,但是表面有許多的小顆粒狀物質(zhì)。

        3.3 光學性能分析

        圖3(a)是CuSbS2納米顆粒的吸收光譜。反應時間為20h的CuSbS2納米顆粒在波長為900nm出吸光度上升,隨著反應時間的增加,CuSbS2納米顆粒在波長為900nm處吸光度迅速下降。圖3(b)是CuSbS2納米顆粒的光學帶隙圖,可以算出反應時間為20h、24h、28h、32h的光學帶隙分別為1.31eV、1.33eV、1.34eV、1.37eV,這與文獻中報道的1.5eV相差很大,說明存在雜相。帶隙的變大,也說明了隨著反應時間的增加,CuSbS2納米顆粒中的雜相減少。

        4 結(jié)論

        通過水熱合成法制備正交晶系硫銅銻礦結(jié)構(gòu)CuSbS2納米顆粒,隨著反應時間的增加,顆粒中的雜相減少,形貌隨反應時間而有了很大變化。其中反應時間為32h的CuSbS2納米顆粒雜相最少,光學帶隙為1.37eV。

        參考文獻:

        [1]舒博.CuSbS2晶制備及其光電性能研究[D].上海:上海師范大學,2016.

        [2]Choi Y C,Yeom E J,Ahn T K,et al.CuSbS2-sensitized inorganic-organic heterojunction solar cells fabricated using a metal-thiourea complex solution[J].Angewandte Chemie,2015,127(13):4077-4081.

        [3]Pal M,Luna Y T,González R S,et al.Phase controlled synthesis of CuSbS2 nanostructures: Effect of reaction conditions on phase purity and morphology[J].Materials & Design,2017,136(15):165-173.

        基金項目:感謝江蘇省大學生創(chuàng)新訓練重點項目(201813573014Z)支持本論文的研究。

        作者簡介:支國偉(1998-),男,山西大同人,本科在讀,主要從事薄膜太陽能電池的研究。

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