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        用于HF接收機的高純度頻率源的研制

        2019-04-17 08:29:32程明周葉華姜建飛
        時間頻率學報 2019年1期
        關鍵詞:低通濾波器雜散接收機

        程明,周葉華,姜建飛,2

        (1.中國電子科技集團公司第三十六研究所,嘉興 314033;2.通信信息控制和安全技術國防重點實驗室,嘉興 314033)

        0 引言

        短波通信,這一傳統(tǒng)的通信方式,由于其通信距離遠、成本低廉、抗打擊毀壞能力強等優(yōu)點,在軍事遠程通信、無線電導航、授時系統(tǒng)、廣播等領域得到廣泛應用[1-3]。盡管自20世紀70年代以來,隨著衛(wèi)星通信的異軍突起,衛(wèi)星通信在相當大的程度上取代了短波通信,但隨著人們對衛(wèi)星通信的易損耗性、耗資巨大等局限性的認知,短波通信又重新得到重視。從軍事角度而言,沒有一種單一的遠程通信可以滿足所有需求,因而世界上主要發(fā)達國家的C4ISR系統(tǒng)都部署了短波通信系統(tǒng),而且發(fā)揮著越來越重要的作用[4-7]。其中,0.3~300 kHz用于超遠程海軍通信,0.3~30 kHz多用于潛艇通信和無線電導航,500 kHz~15 MHz用于無線電廣播,2~30 MHz(HF(high frequency)頻段為主)用于三軍超視距通信、陸軍戰(zhàn)術移動通信、我國BPM授時系統(tǒng)等[8-12]。短波頻段電磁頻譜異常擁擠和復雜,因此要求短波接收機必須具有大動態(tài)的特點,而研制大動態(tài)接收機必然需要高純度頻率源作為本振,因為頻率源的相位噪聲和雜散抑制影響接收機的瞬時動態(tài)范圍和靈敏度,同時換頻速度也影響接收機的偵察搜索速度及截獲能力,因此研制高純度的頻率源是研制高性能短波接收機的關鍵技術。

        1 方案原理

        現(xiàn)因某機載工程需要,需要研發(fā)一款高性能大動態(tài)短波接收機,工作頻段為HF頻段:2~30 MHz。HF接收機的一本振頻率為:76.8~104.8 MHz,要求頻率源具有小步進、捷變頻、高純度等特點。下面對其詳細指標和設計方案進行論述。

        1.1 主要技術指標要求

        用于HF接收機的高純度頻率源的主要技術指標要求如下:

        ①輸出頻率范圍:76.8~104.8 MHz;

        ②頻率步進:1 Hz;

        ③雜散抑制:≥85 dB;

        ④相位噪聲:≤-140 dBc/Hz@10 kHz;

        ⑤換頻速度:≤10 μs;

        ⑥標頻輸入:100 MHz,0~5 dBm,相噪優(yōu)于-155 dBc/Hz@10 kHz。

        ⑦頻率準確度與穩(wěn)定度:同外部標頻。

        1.2 方案選擇

        目前,頻率合成的方法一般包括如下幾種:直接頻率合成技術、鎖相頻率合成技術(PLL)和直接數(shù)字頻率合成技術(DDS)。

        ①直接式頻率合成技術運用倍頻器、分頻器、混頻器、諧波發(fā)生器等部件,對頻標源進行加減乘除運算,采用濾波器取出所需的頻率;具有換頻速度快、相噪低等優(yōu)點,但體積較大,雜散抑制也很難做好。

        ②鎖相式頻率合成技術利用鑒相器、分頻器、環(huán)路濾波器、壓控振蕩器等器件組成,鎖相環(huán)鎖定后輸出特定頻率,具有電路簡單、成本低、體積小等優(yōu)點。

        ③直接數(shù)字頻率合成技術采用數(shù)字電路技術得到離散的數(shù)字序列,然后經過D/A變換得到模擬信號,具有換頻速度快、頻率分辨率高、體積功耗小等優(yōu)點[13]。

        經過慎重考慮和評審,課題組認為該高純度頻率源采用鎖相式頻率合成技術與直接數(shù)字頻率合成技術相結合的方案比較合適,兼具低相噪、高分辨率、高雜散抑制、捷變頻等優(yōu)點。

        1.3 詳細設計方案

        具體方案如圖1所示,該方案采用鎖相式頻率合成技術與直接數(shù)字頻率合成技術相結合的方式,主要由鎖相源和DDS兩部分組成,鎖相源用做DDS的時鐘,鎖相源頻率為900/1 000 MHz,時鐘選擇可變的原因是為了規(guī)避DDS某些雜散。鎖相源輸出頻率fCLK(即DDS時鐘)可用下面公式表示:

        fCLK=N·fPD,

        (1)

        式(1)中,N為環(huán)路分頻比,對于該方案N為9或10;fPD為環(huán)路鑒相頻率,對于該方案fPD為100 MHz。

        DDS輸出頻率fDDS可用下面公式表示:

        (2)

        式(2)中,F(xiàn)TW為DDS的頻率控制字,假定DDS有32 bit控制字。

        該方案主要由以下單元組成:鑒相器、環(huán)路濾波器、壓控振蕩器(VCO)、放大器、功率分配器、DDS、低通濾波器等。工作原理如下,輸入標頻為100 MHz,來自超低相噪恒溫晶振,標頻分頻比R=1;鑒相頻率為100 MHz;環(huán)路分頻比N=9或10。高純度頻率的DDS頻標為900/1 000 MHz,需要100 MHz鑒相才能做到最低相噪,分頻比為9/10。AD公司的(鎖相環(huán)路)PLL,集成VCO芯片,具有體積小的優(yōu)點,在低鑒相頻率時(20 MHz以下)鑒相器基底噪聲為-230 dBc/Hz,具有較好的基底噪聲,但在100 MHz鑒相時鑒相器基底噪聲只有-220 dBc/Hz,有較大惡化,并且該類集成芯片換頻速度一般超過100 μs,做不到捷變頻。DDS集成的時鐘倍頻功能,使用的集成VCO噪聲較差,鑒相器在100 MHz是基底噪聲也不是最低,因此不適合本方案。PEREGRINE公司PE33241芯片,在100 MHz鑒相時基底噪聲仍然可以做到-230 dBc/Hz,為目前行業(yè)最低水平;并且該芯片采用并行控制,在換頻發(fā)送數(shù)據(jù)時可以做到最快速度;采用鑒相芯片PE33241自己搭建鎖相環(huán),可以選用分離的性能較好的集成VCO,從而使鎖相環(huán)輸出900/1 000 MHz具有更好的相位噪聲[14-15]。經環(huán)路鎖定后,VCO輸出頻率為900/1 000 MHz,用作DDS的時鐘信號,通過控制DDS,輸出76.8~104.8 MHz信號。DDS輸出具有一定的時鐘雜散,因此需要加低通濾波器加以濾除,該低通濾波器的截止頻率可以設計為120 MHz。

        圖1 頻率源方案

        1.4 與上一代方案比較

        上一代HF接收機用頻率源的主要技術指標如下:①接收機工作頻段:HF頻段;②頻率步進:10 Hz;③相位噪聲:≤-133 dBc/Hz@10 kHz;④換頻速度:≤50 μs;⑤雜波抑制:≥85 dB。

        因為受制于當時的元器件水平等原因,上一代HF接收機用頻率源的方案比較復雜,基本原理如圖2所示,詳細方案可見參考文獻6[16]。該方案主要由以下幾部分組成:①標頻分配電路;②大步進環(huán)路;③梳狀譜發(fā)生器電路;④DDS小步進電路;⑤主鎖相環(huán);⑥預置電壓電路。頻標為100 MHz恒溫晶振信號,然后3分路用作各自標頻。通過梳狀譜和大步進混頻環(huán)實現(xiàn)大步進功能,通過DDS實現(xiàn)小步進,主鎖相環(huán)的VCO1鎖定后輸出相對比較高的頻率,然后再通過分頻器N除下來,得到比較高的雜散抑制和低相噪。換頻速度主要通過預置頻率電壓來實現(xiàn),但也很難做到捷變頻。

        與上一代方案比較,新方案具有如下優(yōu)點:①方案大大簡化,只需一個環(huán)路和DDS即可實現(xiàn);②因為不再需要多環(huán)電路,因此可以實現(xiàn)捷變頻,這對接收機而言是個重要進步;③可以實現(xiàn)更低的相位噪聲。

        1.5 DDS工作流程

        DDS是該頻率源的關鍵電路,應對DDS工作流程特別重視,DDS工作流程設計的優(yōu)劣將決定該頻率源能否可靠的工作,本方案的DDS工作流程如圖3所示[17-18]。

        注:DDS為直接數(shù)字頻率合成器;PD為鑒相器;LF為低通濾波器;VCO為壓控晶振器;MIX為混頻器;REF為頻標

        圖3 DDS工作流程示意圖

        2 性能分析與仿真

        該方案的性能分析與仿真,是基于已知芯片性能的基礎上展開,因此有必要說明一下主要芯片的性能。

        ①PLL芯片(PE33241):整數(shù)分頻,5/6預分頻模式最大工作頻率為4 GHz,10/11預分頻模式最大工作頻率為5 GHz;鑒相器基底相噪為-230 dBc/Hz(5/6預分頻模式);最大鑒相頻率為100 MHz,標頻輸入最大為100 MHz;具有并行和串行控制模式[19]。

        ②DDS芯片(AD9910):最大時鐘1 GHz,具有時鐘倍頻功能,模擬輸出最大400 MHz;14位DAC,32 bit控制字,頻率分辨率0.23 Hz;最大串行控制速率70 Mbit/s;窄帶雜散抑制大于80 dB。

        2.1 相噪與頻率分辨力分析

        該方案鎖相芯片采用PE33241,在鑒相頻率為100 MHz時,其歸一化基底噪聲為:

        Nfloor=-230+10lg100 000 000=-150 dBc/Hz@10 kHz,

        (3)

        那么輸出1 GHz時鐘時,環(huán)路分頻比N=10,1 GHz時鐘的相噪估算為:

        NCLK=Nfloor+20lgN。

        (4)

        那么,NCLK=-150+20lg10=-130 dBc/Hz@10 kHz。

        設置以下參數(shù),對1 GHz時鐘信號的相噪仿真和換頻速度如圖4和圖5所示。標頻輸入為100 MHz,標頻相位噪聲為≤-155 dBc/Hz@10 kHz。標頻分頻比R=1;鑒相頻率為100 MHz;環(huán)路分頻比N=9,N=10;環(huán)路帶寬取約1 MHz;鎖相芯片采用PE33241,采用該公司已有建模庫;環(huán)路濾波器采用有源比例4階濾波器;VCO頻率為900~1 000 MHz;調諧靈敏度38~45 MHz/V。

        圖4 1 GHz相位噪聲仿真

        圖5 換頻速度仿真

        由以上計算和仿真可知,1 GHz時鐘信號的理論相噪約為-130 dBc/Hz@10 kHz,為DDS輸出高純度超低相噪信號創(chuàng)造了必要條件。

        DDS輸出頻率的相噪可用公式(5)表示:

        (5)

        DDS輸出76.8 MHz時,理論相噪估算如式(6)所示:

        (6)

        DDS輸出90 MHz時,理論相噪估算如式(7)所示:

        (7)

        DDS輸出104.8 MHz時,理論相噪估算如式(8)所示:

        (8)

        DDS輸出的頻率分辨率計算如式(9)所示:

        (9)

        從以上分析和計算可知,DDS輸出信號理論相噪優(yōu)于-149 dBc/Hz@10 kHz,頻率分辨率為0.23 Hz,滿足設計要求。

        2.2 換頻速度與雜散抑制分析

        對于本方案,頻率源的換頻速度(T)主要由兩部分組成:時鐘切換速度(TCLK)和DDS換頻速度(TDDS)。

        T=TCLK+TDDS

        (10)

        由時鐘切換速度仿真圖5可知,時鐘切換速度為3 μs。

        由于DDS響應極快,因此DDS的換頻速度主要由送數(shù)時間決定。由于單機設計需要,DDS只能采用串行總線控制,串行總線速率為25 MHz,DDS在進行初始化后,只需發(fā)送寄存器地址和32 bit的頻率控制字即可,因此送數(shù)時間不超過2 μs。

        T=TCLK+TDDS=3+2=5 μs。

        (11)

        由以上分析可知,頻率源的理論換頻速度不超過10 μs,滿足捷變頻的要求[20]。

        DDS輸出信號為76.8~104.8 MHz,是由DDS的時鐘(1 GHz)分頻所得,因此DDS輸出的雜散和相噪相對1 GHz都有一定優(yōu)化,DDS輸出的雜散抑制主要取決于DDS本身的雜散抑制能力,基本不受時鐘制約,因此選用AD公司14位的DDS芯片,如果布線合理的話,DDS輸出近端雜散抑制超過80 dB并不難[6]。

        由于DDS輸出信號的遠端具有較大的雜散信號,因此需要使用低通濾波器加以濾除雜散信號,該低通濾波器的設計比較簡單,可以采用一般的七階chebyshev濾波器即可,仿真如圖6所示。

        該低通濾波器的設計參數(shù)為:L1=94 nH,L2=102 nH,L3=94 nH;C1=40 PF,C2=65 PF,C3=65 PF,C4=40 PF。

        由仿真可知,該低通濾波器在200 MHz以上具有超過50 dB的抑制,為了防止該濾波器在遠端有翹起情況,還可以在該低通濾波器后加一個簡單的集成LTCC濾波器,加強對1 GHz以外雜散的抑制[19]。

        圖6 低通濾波器仿真圖

        3 模塊系統(tǒng)集成

        模塊集成在一個100 mm×50 mm×15 mm的腔體中。為了節(jié)省體積,采用4層板布線,板材為羅杰斯5880,包括VCO、分路、放大、環(huán)路濾波、DDS、低通濾波器等電路。尤其需要關注DDS電路的設計,應注意以下幾方面:①數(shù)模電源分離設計;②上電硬復位;③寄存器初始化,后續(xù)控制只發(fā)送頻率控制字,以節(jié)省控制時間;④控制速率不可過高,波形容易畸變;⑤電源雜散應該處理干凈,否則影響雜散抑制能力。

        頻率源電路如圖7所示,實物見圖8所示。

        圖7 頻率源電路圖

        圖8 頻率源實物圖

        4 模塊測試與分析討論

        模塊加工完成后,課題組對模塊的性能進行了測試。測試性能指標見下表1所示。測試條件為:

        ①常溫條件下測試;

        ②電源輸入為+5 V/12 V;

        ④標頻輸入為100 MHz,幅度為0 dBm;標頻相噪:-155 dBc/Hz@10 kHz,穩(wěn)定度為≤3×10-7/d;

        ⑤采用頻譜儀測試幅度與雜散抑制,示于圖9;

        ⑥采用信號源分析儀測試相位噪聲,示于圖10。

        圖9 100.596 MHz雜散抑制測試圖

        圖10 78.666 74 MHz相噪測試圖

        表1 頻率源模塊指標測試表

        測試結果為,輸出頻率范圍為76.8~104.8 MHz,輸出幅度為13~16 dBm,雜散抑制為86~99 dB,相位噪聲為-145~-149 dBc/Hz@10 kHz,頻率分辨率小于1 Hz,換頻速度小于10 μs,均滿足設計要求。在完成測試后,課題組還對該模塊進行了環(huán)境試驗,試驗結果表明該模塊具有較好的環(huán)境適應性,為實際工程應用奠定了較好的基礎。

        在該模塊研制完成后,課題組認為有幾個方面值得總結和探討:

        ①相噪方面。實測相噪比仿真稍差,原因可能是PE33241芯片的在鑒相頻率為100 MHz時,底噪比理論值有較大的惡化,而芯片datasheet上又沒有明確說明,這種情況在設計時應引起重視。

        ②雜散方面。為了降低雜散對靈敏度的影響,要求DDS輸出在接收機一中頻的頻率(74.8 MHz)雜散抑制大于110 dB以上,這對于DDS而言是非常難的。如果批量生產時,該頻率點雜散抑制超標,我們可以改變時鐘的方式規(guī)避,此時要注意的是時鐘切換速度必須要快。

        ③上電初始化。當該模塊用在不同的單機和系統(tǒng)上時,課題組發(fā)現(xiàn)有上電初始化失敗的情況,經過測試分析,發(fā)現(xiàn)原因為不同的系統(tǒng)和單機電源上電情況不同,在電源還沒完全穩(wěn)定的情況,就貿然給DDS進行了初始化,導致初始化失敗。解決辦法就是在單機上電后增加1~2 s延時,再進行DDS初始化,后面問題不再復現(xiàn)。

        ④數(shù)據(jù)計算方面。應選用高位數(shù)DSP進行計算,保證頻率控制字計算精度,才能保證頻率分辨率。另外,應優(yōu)化浮點數(shù)計算算法,提高計算速度,否則會影響控制速度。

        ⑤通用性方面。該頻率源時鐘頻率較高,因此DDS可以輸出200 MHz以內的高質量信號,輸出范圍可以有比較大的拓展空間,可以滿足不同體制HF接收機的需求,具有較高的通用性。

        ⑥相噪優(yōu)化方面。如果要想DDS輸出更好相噪的信號,可以對DDS的時鐘信號進行改進,時鐘考慮采用100 MHz直接倍頻的方式得到,那么1 GHz時鐘相噪可以有3~4 dB的提升,但因為受制于DDS的基底噪聲(-151 dBc/Hz@10 kHz)限制,也很難具有大的提升空間。同時,靈活性和通用性會有一定的損失[20-21]。

        ⑦頻率分辨率優(yōu)化。該方案采用32 bit的AD9910,所以頻率分辨率為0.23 Hz。因為目前單機的標頻為恒溫晶振,穩(wěn)定度為≤3×10-7/d,所以頻率分辨率可以滿足目前單機的使用需求。但隨著系統(tǒng)逐漸采用高穩(wěn)定原子鐘作為時標,0.23 Hz的頻率分辨率將不再滿足要求。我們后續(xù)打算對該DDS電路進行改進,DDS擬采用AD9912芯片,該DDS芯片頻率控制字達到48位,理論分辨率可以做到3.5 μHz。

        ⑧換頻速度優(yōu)化。在發(fā)送順序方面還可以做更進一步優(yōu)化,可以考慮先發(fā)送鎖相環(huán)的控制字,讓其進入鎖定狀態(tài),其鎖定過程大約需要3 μs,在鎖定過程中,可以再發(fā)送DDS控制字,這樣可以節(jié)省DDS的發(fā)送時間2 μs,因此總換頻速度可以控制在3 μs左右。

        ⑨國產化率方面不足。該設計的核心芯片為PE33241和AD9910,都為進口器件,因此在國產化率方面存在不足。隨著國家在芯片方面進行的戰(zhàn)略性投資, 13所及一些民品公司已經有一些射頻與DDS芯片產品問世,相信在不遠的將來,我們國家也能生產此類高性能的芯片。

        5 結語

        本文介紹了一種用于HF接收機的高純度頻率源的研制,給出了設計原理和仿真,并進行了模塊系統(tǒng)集成和電路加工,課題組對模塊進行了實際測試。測試結果表明,該頻率源模塊的輸出頻率、相位噪聲、雜散抑制、頻率分辨率、換頻速度等指標均滿足設計要求;主要指標較上一代短波接收機有了大幅提升,具有如下幾方面的優(yōu)點:

        ①更低相噪。相噪可以做到優(yōu)于-145 dBc/Hz@10 kHz,相噪優(yōu)化了10 dB;

        ②更快速度。換頻速度小于10 μs,換頻速度提升了4倍;

        ③更具通用性、靈活性,輸出頻率范圍可進行大范圍拓展,而性能不會有大的下降;

        ④模塊化,方便批量生產和調試,方便移用和維修;

        ⑤體積和功耗更小,只有原來的約1/5;

        ⑥成本也有比較大幅度的下降。

        當然該頻率源也存在國產率不高方面的缺點。由于本文包含課題組的一些實際工作經驗和想法,鑒于課題組成員的水平和認知局限,本文難免存在不當之處,敬請各位同行、專家不吝賜教并給予指正。

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