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        存儲芯片:國內(nèi)企業(yè)尋求突破

        2019-02-22 12:22:13顧鴻儒
        中國電子報 2019年91期
        關(guān)鍵詞:存儲芯片存儲器半導(dǎo)體

        顧鴻儒

        2019年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行區(qū)間,市場需求波動大,走勢下滑,或?qū)⒊霈F(xiàn)2008年以來第一次超過兩位數(shù)的負(fù)增長,各大分析機構(gòu)紛紛調(diào)低2019年半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)預(yù)估。作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán),中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速也出現(xiàn)下降;但另一方面,受全球電子信息產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈調(diào)整的影響,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又獲得了難得的發(fā)展機遇。

        中國是全球最大的電子信息產(chǎn)品制造基地,PC和手機產(chǎn)量均居全球首位。這兩種產(chǎn)品也是目前消耗存儲器最多的主流產(chǎn)品。中國互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)在建設(shè)數(shù)據(jù)中心上態(tài)度非常積極,建設(shè)了世界級的數(shù)據(jù)中心,這些都將為存儲企業(yè)打開應(yīng)用市場。

        根據(jù)IC insight的預(yù)測,未來幾年中半導(dǎo)體領(lǐng)域增速最快的細(xì)分領(lǐng)域是存儲芯片,DRAM和NAND增速達(dá)到7.8%,比半導(dǎo)體整體市場高1個百分點。新勢能或?qū)哟鎯ζ鳟a(chǎn)業(yè)谷底回升。伴隨著云計算、大數(shù)據(jù)、物眹網(wǎng)、人工智能等新興技術(shù)的快速發(fā)展和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型,數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級增長,根據(jù)相關(guān)的預(yù)測,預(yù)計到2025年存儲總量要達(dá)到175ZB。

        在應(yīng)用端,用戶減小了對筆記本電腦換新機的需求,未來在筆記本電腦端的存儲器空間或呈現(xiàn)負(fù)數(shù)增長。另一方面,存儲器市場出現(xiàn)兩個應(yīng)用增長點:一是服務(wù)器。據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù),2020年服務(wù)器增長3.8%,主要帶動作用來自人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)技術(shù),應(yīng)用逐漸向云端遷移,進(jìn)一步催生服務(wù)器對存儲芯片的需求。二是5G應(yīng)用。2020年5G網(wǎng)絡(luò)商用即將快速推進(jìn),5G網(wǎng)絡(luò)智能手機將逐漸成為市場主流。2019年6月6日,工業(yè)和信息化部發(fā)布了 5G網(wǎng)絡(luò)商用牌照,經(jīng)過2019年半年的部署,5G網(wǎng)絡(luò)商用將在2020年邁出重要一步。與此同時,5G網(wǎng)絡(luò)的大帶寬、低時延、廣鏈接的特性對存儲提出了更大容量、更加穩(wěn)定、更快響應(yīng)的新要求。作為全球最大的智能手機市場,中國將成為智能手機存儲器的龍頭市場,為存儲器企業(yè)提供發(fā)展機遇。

        2019年,紫光集團(tuán)宣布組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群,正式進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域。長江存儲量產(chǎn)64層256Gb TLC 3D NAND閃存。長鑫存儲DRAM內(nèi)存芯片宣布投產(chǎn),其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相。

        在全球存儲器市場上,中國存儲器廠商幾乎都是“新進(jìn)者”,取得成績十分不易。中國存儲產(chǎn)業(yè)仍需要持續(xù)加強技術(shù)研發(fā),推動存儲產(chǎn)業(yè)水平提升。在存儲芯片、軟件定義存儲、超融合、數(shù)據(jù)保護(hù)等存儲領(lǐng)域,積極創(chuàng)新,不斷突破,打造龍頭企業(yè)。通過龍頭企業(yè),推動我國存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平持續(xù)提升。積極推動存儲產(chǎn)業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化工作,建立完善的存儲標(biāo)準(zhǔn)體系。根據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢,以重點技術(shù)領(lǐng)域為支撐,制定完善存儲領(lǐng)域的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系,參與存儲領(lǐng)域國際標(biāo)準(zhǔn)制定工作,組織企業(yè)積極參與國際標(biāo)準(zhǔn)化活動,加強國際技術(shù)合作。

        專家觀點

        中國科學(xué)院院士劉明:發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)模式和創(chuàng)新缺一不可

        中國要實行創(chuàng)新驅(qū)動的發(fā)展戰(zhàn)略,必須要有芯片的支撐。存儲器市場巨大,中國是存儲器的消費大國,但是目前中國的閃存基本依賴于進(jìn)口。因此,存儲器是中國必須發(fā)展的領(lǐng)域。全球DRAM和閃存有壟斷化現(xiàn)象,三星、美光等占據(jù)了 95%的DRAM市場份額。中國的存儲產(chǎn)業(yè)剛剛起步,未來還需要投入很多力量。

        存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展商業(yè)模式創(chuàng)新和技術(shù)創(chuàng)新缺一不可。半導(dǎo)體是全球化的產(chǎn)業(yè),一定要在國際合作共贏的模式下發(fā)展。同時,企業(yè)要關(guān)注共性技術(shù)和原創(chuàng)技術(shù)的開發(fā)。

        紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京:在創(chuàng)新環(huán)境和模式下打造存儲生態(tài)

        閃存是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展最快的領(lǐng)域之一。現(xiàn)階段,每平方毫米存儲密度已經(jīng)超過8GB。這是非常喜人的成就,也為未來發(fā)展創(chuàng)造了新的空間。3D NAND繼續(xù)往上堆疊的技術(shù)空間仍然很大,這開辟了非常廣闊的新技術(shù)空間。存儲產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,給信息技術(shù)的發(fā)展提供了新的動力。5G、AI、云計算、大數(shù)據(jù)對存儲提出了更高的要求。以AI深度學(xué)習(xí)為例,云計算大數(shù)據(jù)的發(fā)展受到CPU與存儲器數(shù)據(jù)交換的帶寬限制,大量的數(shù)據(jù)交換對系統(tǒng)延遲提出更高要求,需要探索新的技術(shù),打破原有瓶頸。

        人類對數(shù)據(jù)存儲要求是無止境的。市場的需求一定會反應(yīng)到底層技術(shù),也給我們帶來新的機會。在這種創(chuàng)新環(huán)境和模式下,更需要我們打造存儲生態(tài)。

        得一微電子總經(jīng)理吳大畏:發(fā)展存儲控制芯片是一場耐力賽

        存儲控制芯片產(chǎn)業(yè)存在馬太定律,即越領(lǐng)先越快支持新介質(zhì),越容易獲得市場;NFL定律,即問題分散,主控公司容易在局部領(lǐng)先,很難全面超越。

        存儲控制芯片發(fā)展是一場耐力賽,沒有彎道超車的機會,因為發(fā)展路線清晰。在存儲控制芯片領(lǐng)域選擇跟隨這種策略是一個很務(wù)實的選擇,因為其產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本完成了整合。跟隨的意思是存量替代,減少了市場風(fēng)險,但是注定艱難。實現(xiàn)引領(lǐng)的快慢與對生態(tài)系統(tǒng)整體成熟依賴度正相關(guān)。實現(xiàn)引領(lǐng)快的領(lǐng)域,是非技術(shù)因素更可發(fā)揮作用的領(lǐng)域;實現(xiàn)慢的,往往是非技術(shù)因素難以主導(dǎo)的領(lǐng)域。

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