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        基于二階陷波器的三相四開關(guān)永磁同步發(fā)電系統(tǒng)中性點(diǎn)直流偏置電壓抑制研究*

        2018-08-03 04:19:50趙榮祥
        機(jī)電工程 2018年7期
        關(guān)鍵詞:低通濾波器變流器中性點(diǎn)

        侍 文,朱 翀,楊 歡,趙榮祥

        (浙江大學(xué) 電氣工程學(xué)院,浙江 杭州 310027)

        0 引 言

        電壓源型三相六開關(guān)變流器作為能量轉(zhuǎn)換的核心,在風(fēng)力發(fā)電等工業(yè)場(chǎng)合得到了廣泛應(yīng)用。變流器是系統(tǒng)可靠性的基礎(chǔ),受到了越來越廣泛的關(guān)注[1-5]。功率半導(dǎo)體器件(IGBTs、MOSFETs)及其驅(qū)動(dòng)電路工作在開關(guān)狀態(tài),較易發(fā)生故障,在電力電子設(shè)備故障中,約有60%的故障是由開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)電路引起的[6]。因此,研究變流器的容錯(cuò)運(yùn)行問題就顯得尤為重要。

        為了解決變流器的容錯(cuò)控制問題,文獻(xiàn)[7]采用器件冗余的方法,當(dāng)六開關(guān)變流器發(fā)生故障后立即使冗余器件投入運(yùn)行,這會(huì)增加系統(tǒng)的運(yùn)行成本;另一種方法是將故障后的系統(tǒng)運(yùn)行在四開關(guān)模式下,故障相引至電容中性點(diǎn),無需增加額外的開關(guān)器件[8-10]。

        變流器的輸出性能與PWM技術(shù)密切相關(guān),相較于六開關(guān)變流器,四開關(guān)變流器只有4個(gè)非零基本矢量,因而調(diào)制方法較為復(fù)雜。文獻(xiàn)[11-13]對(duì)四開關(guān)變流器的性能與調(diào)制方法進(jìn)行了研究,但都是基于中性點(diǎn)上下電容電壓相等的前提下,實(shí)際上,在四開關(guān)變流器中,某一相輸出直接接到了電容中性點(diǎn),必然導(dǎo)致中性點(diǎn)上下電容電壓呈周期性波動(dòng);文獻(xiàn)[14-15]在考慮中性點(diǎn)電壓波動(dòng)情況下,提出改進(jìn)的SVPWM調(diào)制方法,但忽略了中性點(diǎn)電壓偏置對(duì)調(diào)制的影響;文獻(xiàn)[16]分析了三相四開關(guān)網(wǎng)側(cè)變換器線性調(diào)制所需母線電壓與負(fù)載電流、中性點(diǎn)電壓偏置之間的關(guān)系;文獻(xiàn)[17]在PWM并網(wǎng)變換器的控制中,為了消除中性點(diǎn)電壓直流偏置,采用了二階低通濾波器來濾除上下電容電壓差中的交流分量,但在低速永磁同步發(fā)電機(jī)中,由于定子電流頻率較低,二階低通濾波器不能兼顧濾波效果和動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

        本文將對(duì)三相四開關(guān)變流器的過調(diào)制原理、中性點(diǎn)電壓的組成進(jìn)行研究,并提出一種基于二階自適應(yīng)陷波器的中性點(diǎn)直流偏置電壓抑制策略。

        1 線性調(diào)制所需最小直流母線電壓與中性點(diǎn)電壓直流偏置的關(guān)系

        三相四開關(guān)永磁同步發(fā)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)拓?fù)淙鐖D1所示。

        圖1 三相四開關(guān)永磁同步發(fā)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)拓?fù)?/p>

        系統(tǒng)參數(shù)如表1所示。

        模擬A相開關(guān)管發(fā)生故障,永磁同步發(fā)電機(jī)A相連接到直流電容中點(diǎn),電容C1和C2的電壓分別為Vdc1、Vdc2,對(duì)直流側(cè)列寫電流方程:

        (1)

        將式(1)中ic1、ic2相減可得:

        (2)

        對(duì)式(2)兩邊積分可得:

        (3)

        由式(3)可知:永磁同步發(fā)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在穩(wěn)態(tài)運(yùn)行過程中,中性點(diǎn)上下電容電壓差呈定子電流頻率脈動(dòng),脈動(dòng)幅值的大小由A相電流幅值Im決定。當(dāng)電機(jī)加減負(fù)載時(shí),isa的積分不為零,此時(shí)電容電壓差將引入一定的直流偏置。

        對(duì)于表貼式永磁同步發(fā)電機(jī)而言,最大轉(zhuǎn)矩電流比控制等價(jià)于零d軸電流控制?;贛PTA控制策略的永磁同步發(fā)電機(jī)矢量圖如圖2所示。

        圖2 基于MPTA控制策略的永磁同步發(fā)電機(jī)矢量圖us—定子電壓矢量;is—定子電流矢量;ψs—定子磁鏈?zhǔn)噶?;ψf—轉(zhuǎn)子磁鏈?zhǔn)噶浚沪萺—轉(zhuǎn)子磁鏈?zhǔn)噶拷?,θr=ωrt;θs—定子磁鏈?zhǔn)噶拷?;δ—定、轉(zhuǎn)子磁鏈間的夾角

        發(fā)電機(jī)的輸出轉(zhuǎn)矩方程為:

        (4)

        由于id=0,根據(jù)磁鏈方程,定子磁鏈d軸分量與轉(zhuǎn)子磁鏈相等,將發(fā)電機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩用定子磁鏈來表示:

        (5)

        式中:|ψs|—定子磁鏈的幅值。

        由圖2可得,發(fā)電機(jī)定子磁鏈幅值、定子電壓幅值在穩(wěn)態(tài)時(shí)的表達(dá)式為:

        (6)

        (7)

        三相四開關(guān)變流器運(yùn)行于線性調(diào)制區(qū)域的等價(jià)條件為:

        (8)

        三相四開關(guān)變流器的開關(guān)占空比表達(dá)式為:

        (9)

        中性點(diǎn)上下電容電壓和為:

        Vdc1(t)+Vdc2(t)=VDC

        (10)

        聯(lián)立式(3,10),可得電壓Vdc2(t)為:

        (11)

        由圖2可得:

        (12)

        定子電流矢量is的幅值等于isq,故isa為:

        (13)

        將式(13)代入式(11),可得:

        (14)

        由圖2可得定子電壓表達(dá)式為:

        (15)

        將式(7,14,15)代入到式(9)中,可以得到B、C相占空比表達(dá)式:

        (16)

        式(16)中,X和φb分別為:

        (17)

        (18)

        式(18)中,Y和φc分別為:

        (19)

        將式(16,18)代入式(8)中,求關(guān)于VDC的不等式,可以得到VDCmin:

        |ΔVDC|

        (20)

        式(20)給出了三相四開關(guān)變流器運(yùn)行于線性調(diào)制區(qū)所需直流母線電壓與發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)矩Te、轉(zhuǎn)速ωr以及直流偏置|ΔVDC|之間的關(guān)系。

        發(fā)電機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩恒定時(shí)(Te=300 Nm),維持線性調(diào)制所需直流母線電壓與發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)速、直流偏置電壓之間的關(guān)系,如圖3所示。

        圖3 線性調(diào)制所需電壓與轉(zhuǎn)速、中性點(diǎn)電壓偏置的關(guān)系(Te=300 Nm)

        從圖3中可以看出:隨著中性點(diǎn)電壓直流偏置|ΔVDC|的增加,線性調(diào)制所需的直流母線電壓也需要增大。發(fā)電機(jī)運(yùn)行在額定轉(zhuǎn)速50 r/min,當(dāng)直流偏置|ΔVDC|=0 V時(shí),線性調(diào)制所需的直流母線電壓為510 V;當(dāng)|ΔVDC|=20 V時(shí),線性調(diào)制所需最小直流母線電壓為530 V;當(dāng)直流偏置達(dá)到|ΔVDC|=60 V時(shí),線性調(diào)制所需的直流母線電壓將會(huì)達(dá)到570 V;當(dāng)直流偏置電壓進(jìn)一步加大時(shí),線性調(diào)制所需直流母線電壓將進(jìn)一步增大,極易造成變流器系統(tǒng)運(yùn)行于過調(diào)制區(qū)域,進(jìn)而引發(fā)發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)矩的低頻脈動(dòng)。這主要是因?yàn)楫?dāng)中性點(diǎn)電壓偏置較大時(shí),基本電壓矢量U1或U2的幅值會(huì)減小,根據(jù)伏秒定律,合成參考矢量us一定時(shí),該基本電壓矢量所需的作用時(shí)間也會(huì)增加,較易造成矢量作用總時(shí)間超出調(diào)制周期,進(jìn)而引發(fā)變流器系統(tǒng)的過調(diào)制。所以在三相四開關(guān)機(jī)側(cè)變流器的控制中,應(yīng)盡量避免出現(xiàn)中性點(diǎn)電壓偏置。

        永磁同步發(fā)電系統(tǒng)參數(shù)如表1所示。

        表1 永磁同步發(fā)電系統(tǒng)參數(shù)

        2 中性點(diǎn)電壓直流偏置的提取

        中性點(diǎn)電壓直流偏置抑制最關(guān)鍵的是直流偏置電壓的獲取。首先需要一個(gè)濾波器對(duì)中性點(diǎn)上下電容電壓差進(jìn)行濾波,得到中性點(diǎn)電壓的直流偏置量,令濾波后的直流偏置電壓為中性點(diǎn)電壓偏置抑制環(huán)的閉環(huán)反饋量。由式(3)可知,電容電壓差主要由直流分量、ωr(定子電流的頻率)相關(guān)的交流量?jī)刹糠纸M成。在三相四開關(guān)網(wǎng)側(cè)變流器中,由于電容電壓波動(dòng)的頻率為50 Hz,文獻(xiàn)[17]采用的是二階低通濾波器來濾取直流偏置電壓,二階低通濾波器的傳遞函數(shù)為:

        (21)

        而在容錯(cuò)運(yùn)行的三相四開關(guān)機(jī)側(cè)變流器中,低速運(yùn)行的永磁同步發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)速變化較大,電容電壓波動(dòng)的頻率較低且范圍較大,增加了二階低通濾波器的設(shè)計(jì)難度。當(dāng)永磁同步發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)速為15 r/min時(shí),定子電流頻率為2 Hz,電容電壓脈動(dòng)的頻率同樣也為2 Hz,如圖4所示。

        圖4 二階低通濾波器截止頻率不同時(shí)的頻域特性

        當(dāng)二階低通濾波器的截止頻率為10 Hz時(shí),幅頻特性在2 Hz處的增益為0 dB,此時(shí)的二階低通濾波器無法濾除電容電壓差中的2 Hz的交流量。低通濾波器得到的直流偏置電壓中會(huì)含有大量的2 Hz的交流信號(hào),經(jīng)過旋轉(zhuǎn)變換后在故障相電流給定中表現(xiàn)為2倍頻的形式,即頻率為4 Hz的信號(hào),經(jīng)電流控制后會(huì)在發(fā)電機(jī)的定子電流中出現(xiàn)2倍頻的諧波電流,產(chǎn)生劇烈的低頻脈動(dòng)轉(zhuǎn)矩。

        若將低通濾波器的截止頻率設(shè)為0.5 Hz,二階低通濾波器在2 Hz處的幅值增益約為-23 dB,此時(shí)頻率為2 Hz的信號(hào)經(jīng)過低通濾波器后,其幅值衰減為原來的1/10,濾波效果勉強(qiáng)能接受。若需要更佳的濾波效果,需要進(jìn)一步降低二階低通濾波器的截止頻率,導(dǎo)致系統(tǒng)帶寬的降低,影響系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度。

        電容電壓差主要由兩部分組成,直流分量、ωr(定子電流的頻率)相關(guān)的交流量。提取中性點(diǎn)的直流偏置電壓,只需要濾除ωr頻率的電壓分量,即可得到中性點(diǎn)電壓的直流偏置量,因此針對(duì)二階低通濾波器在容錯(cuò)型低速永磁同步發(fā)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)應(yīng)用中的局限性,本文采用了一種自適應(yīng)的二階陷波器來提取中性點(diǎn)的直流偏置電壓,二階陷波器只對(duì)ωr頻率的電壓分量具有阻礙作用,傳遞函數(shù)為:

        (22)

        式中,ωr—定子電流頻率,即永磁同步發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)速ωm與極對(duì)數(shù)pn的乘積。

        實(shí)際運(yùn)行過程中,ωr由轉(zhuǎn)速傳感器獲得,隨發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)速變化而變化,這樣二階陷波器可以實(shí)時(shí)的調(diào)整其中心頻率。采用二階陷波器可以明顯提高濾波器的截止頻率,如圖5所示。

        圖5 低通濾波器與陷波器的性能比較

        截止頻率的提高可以提高中性點(diǎn)電壓控制環(huán)的帶寬,加快系統(tǒng)的響應(yīng)速度,可以更快地消除永磁同步發(fā)電機(jī)加減速過程中引入的直流偏置電壓。

        3 基于定子電流補(bǔ)償?shù)臋C(jī)側(cè)變流器中性點(diǎn)電壓偏置抑制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        基于定子電流補(bǔ)償?shù)臋C(jī)側(cè)變流器中性點(diǎn)電壓控制系統(tǒng)控制結(jié)構(gòu)框圖如圖6所示。

        圖6 機(jī)側(cè)變流器中性點(diǎn)電壓控制結(jié)構(gòu)框圖Wi(s)—A相電流的閉環(huán)傳遞函數(shù),穩(wěn)定運(yùn)行時(shí),其值近似為1;GΔV(s)—中性點(diǎn)電壓偏移量與故障相電流ia之間的小信號(hào)開環(huán)傳遞函數(shù)

        (23)

        圖7 基于定子電流補(bǔ)償?shù)闹行渣c(diǎn)電壓直流偏置控制原理框圖

        根據(jù)圖6,可以得到基于定子電流補(bǔ)償?shù)臋C(jī)側(cè)變流器中性點(diǎn)電壓直流偏置控制系統(tǒng)的開環(huán)傳遞函數(shù)為:

        (24)

        按最小轉(zhuǎn)速15 r/min(2 Hz)來整定中性點(diǎn)直流電壓偏置控制環(huán),當(dāng)KP=0.02、KI=0.052 5,系統(tǒng)截止頻率為0.715 Hz,相角裕度為37°,系統(tǒng)穩(wěn)定性較好,整定后開環(huán)系統(tǒng)Bode圖,如圖8所示。

        圖8 中性點(diǎn)電壓直流偏置控制開環(huán)系統(tǒng)波特圖

        動(dòng)態(tài)響應(yīng)較采用二階低通濾波器快,整定后的中性點(diǎn)電壓控制環(huán)的性能較好,在保證穩(wěn)定性的前提下提高了動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度。

        4 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

        為驗(yàn)證抑制策略的正確性,筆者進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,三相四開關(guān)永磁同步發(fā)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)如圖9所示。

        圖9 三相四開關(guān)永磁同步發(fā)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

        其中,IGBT模塊采用Semikron公司的SKM200GB12V;控制器采用TI公司的TMS320F2808定點(diǎn)DSP芯片;直流母線電壓為600 V,直流側(cè)電容C1=C2=2 400 μF;開關(guān)頻率f=10 kHz。實(shí)驗(yàn)中,移除A相的開關(guān)信號(hào)來模擬A相開關(guān)器件故障,并將A相直接接到電容中性點(diǎn)與B、C相構(gòu)成三相四開關(guān)變流器。

        采用二階低通濾波器控制的中性點(diǎn)電容電壓波形如圖10所示。

        圖10 采用低通濾波器控制的中性點(diǎn)電壓動(dòng)態(tài)波形

        采用二階自適應(yīng)陷波器的中性點(diǎn)電容電壓波形如圖11所示。

        圖11 采用陷波器控制的中性點(diǎn)電容電壓動(dòng)態(tài)波形

        初始中性點(diǎn)直流偏置電壓|ΔVDC|=70 V,發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)速為15 r/min,發(fā)電機(jī)定子電流頻率為2 Hz。

        圖10中,在t=0.5 s時(shí),中性點(diǎn)電壓偏置抑制環(huán)的給定設(shè)為0,即|ΔVDC|*=0 V,經(jīng)過9.5 s,即t=10 s時(shí),直流偏置|ΔVDC|仍未到達(dá)0。當(dāng)采用二階自適應(yīng)濾波器時(shí),如圖11所示在t=3 s時(shí),中性點(diǎn)電壓偏置抑制環(huán)的給定設(shè)為0,即|ΔVDC|*=0 V,經(jīng)過5 s,即t=8 s時(shí),直流偏置|ΔVDC|已基本上為0。

        采用二階陷波器時(shí),直流偏置電壓消除后達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)的中性點(diǎn)上下電容電壓波形如圖12所示。

        圖12 穩(wěn)態(tài)下電容電壓波形

        由圖12可以看出:電容電壓按正弦形式脈動(dòng),中性點(diǎn)直流偏置電壓已經(jīng)基本消除。

        采用二階自適應(yīng)陷波器和低通濾波控制的發(fā)電機(jī)電磁轉(zhuǎn)矩波形如圖13所示。

        圖13 中性點(diǎn)電壓控制穩(wěn)態(tài)下轉(zhuǎn)矩波形

        中性點(diǎn)電壓控制穩(wěn)態(tài)下電磁轉(zhuǎn)矩FFT分析如圖14所示。

        結(jié)合圖14(a,b)電磁轉(zhuǎn)矩的傅立葉分析,采用低通濾波器控制的發(fā)電機(jī)電磁轉(zhuǎn)矩中存在幅值較大2倍頻諧波成分,造成發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)矩產(chǎn)生劇烈的低頻脈動(dòng)。

        圖14 中性點(diǎn)電壓控制穩(wěn)態(tài)下電磁轉(zhuǎn)矩FFT分析

        這是由于采用二階低通濾波器時(shí),在定子電流頻率處無法提供足夠的衰減率,中性點(diǎn)電壓中的定子電流頻率分量會(huì)被引入到補(bǔ)償?shù)墓收舷嚯娏髦?,?jīng)定子電流控制后,會(huì)產(chǎn)生2倍頻的定子電流成分,從而造成發(fā)電機(jī)電磁轉(zhuǎn)矩低頻脈動(dòng),而二階陷波器在定子電流頻率處的衰減率極高,可以完全濾除中性點(diǎn)電壓中的定子電流頻率分量的交流量。

        實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:二階陷波器不僅加快了中性點(diǎn)電壓控制環(huán)的響應(yīng)速度,也改善了發(fā)電機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩的質(zhì)量。

        5 結(jié)束語

        本文提出了一種采用二階陷波器的基于定子電流補(bǔ)償?shù)臋C(jī)側(cè)變流器中性點(diǎn)直流偏置電壓抑制策略,可以有效消除電機(jī)在加減負(fù)載時(shí)引入的中性點(diǎn)直流偏置電壓,得出結(jié)論:

        該抑制算法能有效解決容錯(cuò)型三相四開關(guān)永磁同步發(fā)電系統(tǒng)中的中性點(diǎn)直流偏置電壓?jiǎn)栴},使中性點(diǎn)電壓偏置抑制環(huán)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度加快,有效降低永磁同步發(fā)電機(jī)的輸出電磁轉(zhuǎn)矩中的2倍頻分量。

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