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        低頻疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁下磁心損耗的測量與模型

        2018-03-05 17:19:12葉建盈
        電工電能新技術(shù) 2018年1期
        關(guān)鍵詞:磁心磁滯回線偏磁

        葉建盈, 陳 為

        (1. 福建工程學(xué)院信息科學(xué)與工程學(xué)院, 福建 福州 350118;2. 福州大學(xué)電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院, 福建 福州 350108)

        1 引言

        功率變換器中磁元件的勵(lì)磁除了無直流偏磁和直流偏磁下PWM波勵(lì)磁外,還有低頻疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁,包括功率因數(shù)校正電路(PFC)電感器的工頻整流波疊加PWM波勵(lì)磁和逆變輸出濾波電感上的工頻疊加PWM波勵(lì)磁等,其波形要比其他磁元件勵(lì)磁的波形復(fù)雜,它們的磁化過程比直流濾波電感、功率電感或諧振電感等的磁化過程復(fù)雜得多?,F(xiàn)有磁心損耗研究的重點(diǎn)基本都集中在研究無直流偏磁和直流偏磁下PWM波勵(lì)磁的磁心損耗測量和模型[1-6],由于勵(lì)磁波形的復(fù)雜性,高、低頻多頻疊加工況下磁元件磁心損耗的精確測量和模型建立一直是學(xué)術(shù)界的難題,業(yè)界對(duì)此類勵(lì)磁下的磁心損耗的研究并不多。

        文獻(xiàn)[7]通過對(duì)斯坦麥茨方程SE參數(shù)進(jìn)行修正,以計(jì)算功率變換器中磁化過程的連續(xù)模式(CCM)和斷續(xù)模式(DCM)工況下的高頻磁心損耗。進(jìn)一步將兩種模式下的模型應(yīng)用于計(jì)算功率因數(shù)校正電路中PFC電感的每個(gè)高頻周期磁心損耗。最后通過取工頻周期內(nèi)每個(gè)高頻周期磁心損耗的平均值來評(píng)估PFC電感的總磁心損耗。

        文獻(xiàn)[8]認(rèn)為磁心損耗與磁通密度變化率息息相關(guān),功率變換器中電感的勵(lì)磁電壓大多情況是方波或準(zhǔn)方波,因此可將一個(gè)開關(guān)周期分為磁通密度變化率dB/dt不同的兩個(gè)階段,每個(gè)階段的dB/dt保持不變。在此思路上,將整個(gè)工頻半周期內(nèi)的磁通密度B(t)波形分為k段(t0~tk),每段內(nèi)的磁通密度變化率dB/dt不變,從而提出了若干個(gè)高頻周期內(nèi)的磁心損耗計(jì)算公式,并將該公式應(yīng)用于SIMPLIS電路仿真軟件計(jì)算PFC電感的磁心損耗。

        文獻(xiàn)[9-12]對(duì)逆變輸出濾波電感的磁心損耗進(jìn)行了研究,研究的依據(jù)都是基于動(dòng)態(tài)磁滯回線的面積可以有效反映磁心損耗的基本思想,共同點(diǎn)都是對(duì)電感的動(dòng)態(tài)磁滯回線形狀進(jìn)行分析和研究。由于工頻偏磁PWM波勵(lì)磁工況電感磁心的動(dòng)態(tài)磁滯回線是由許多高頻周期的磁滯回線組成,且每個(gè)高頻周期的動(dòng)態(tài)磁滯回線是非閉合的,因此在計(jì)算磁心損耗時(shí),不能簡單地引用動(dòng)態(tài)磁滯回線的計(jì)算方法。文獻(xiàn)[9-12]中將不閉合的動(dòng)態(tài)磁滯回線近似為準(zhǔn)閉合的回線,并通過多項(xiàng)式函數(shù)對(duì)等效面積進(jìn)行擬合計(jì)算,進(jìn)而計(jì)算逆變輸出濾波電感的磁心損耗。

        文獻(xiàn)[13]將逆變輸出濾波電感的動(dòng)態(tài)磁滯回線近似為一個(gè)磁滯回線。通過計(jì)算逆變輸出濾波電感在B-H平面上每個(gè)高頻周期磁通密度和磁場強(qiáng)度的最大值點(diǎn)和最小值點(diǎn),從而構(gòu)造兩個(gè)包絡(luò)線,并認(rèn)為包絡(luò)線之間所包圍的每個(gè)平行四邊形面積是磁心損耗的高頻分量,整個(gè)包絡(luò)線中間空白部分為低頻分量,通過雙包絡(luò)線法實(shí)現(xiàn)了磁心損耗中高頻分量的分離。

        為了能夠有效地對(duì)低頻疊加PWM波勵(lì)磁下磁心損耗進(jìn)行評(píng)估,本文首先介紹磁元件動(dòng)態(tài)磁滯回線的測量原理,建立測量多頻復(fù)合磁心損耗的測量平臺(tái);通過深入分析多頻復(fù)合下的低頻和每個(gè)高頻周期內(nèi)磁心的勵(lì)磁和去磁過程,分離出工頻和高頻分量所對(duì)應(yīng)的損耗,并建立模型;最后通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其有效性和準(zhǔn)確性。

        2 低頻疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁下磁心損耗的測量

        2.1 動(dòng)態(tài)磁滯回線的測量原理

        磁性材料動(dòng)態(tài)磁滯回線的面積代表一個(gè)周期內(nèi)的磁心損耗密度,但是,對(duì)于低頻疊加高頻PWM波復(fù)合情況,當(dāng)?shù)皖l周期是高頻周期的N倍時(shí),一個(gè)低頻周期的動(dòng)態(tài)磁滯回線不僅包含了N個(gè)高頻周期過程,也包含了低頻周期過程,比單個(gè)頻率的動(dòng)態(tài)磁滯回線要復(fù)雜得多,其動(dòng)態(tài)磁滯回線示意圖如圖1所示。

        圖1 低頻疊加PWM波復(fù)合下的動(dòng)態(tài)磁滯回線示意圖Fig.1 Dynamic hysteresis loop under complex excitation with superimposing of low and high frequency PWM

        動(dòng)態(tài)磁滯回線測量磁心損耗的最大特點(diǎn)是可看出磁心損耗在B-H平面的形成過程,以及勵(lì)磁和去磁過程其形狀的變化情況,因此可以根據(jù)形成的細(xì)節(jié)對(duì)低頻和高頻分量進(jìn)行研究。采用雙繞組交流采樣法,動(dòng)態(tài)磁滯回線的測量原理如下:采樣被測磁元件的二次側(cè)勵(lì)磁感應(yīng)電壓u2(t)和勵(lì)磁電流i1(t),再將勵(lì)磁電壓和電流轉(zhuǎn)換為瞬態(tài)磁通密度B(t) 和瞬態(tài)磁場強(qiáng)度H(t),進(jìn)而在B-H平面生成動(dòng)態(tài)磁滯回線,然后通過計(jì)算一個(gè)周期內(nèi)磁滯回線的平均面積即可得到磁心損耗密度。具體的分析過程如下:

        磁化過程磁心損耗的功率表達(dá)式為:

        (1)

        式中,Tg為低頻周期。

        根據(jù)電磁感應(yīng)定律可得被測磁元件二次側(cè)感應(yīng)電壓為:

        (2)

        式中,N為被測磁元件的匝數(shù);Ae為磁心橫截面積。

        再根據(jù)安培環(huán)路定律可得流經(jīng)被測磁元件的電流為:

        (3)

        式中,le為磁心等效磁路長度。

        將式(2)和式(3)帶入式(1)可得到磁心損耗密度公式為:

        (4)

        式中,Sall為一個(gè)低頻周期內(nèi)動(dòng)態(tài)磁滯回線的總面積;Sk為第k個(gè)高頻周期的動(dòng)態(tài)磁滯回線面積。

        上述的分析和式(4)說明磁心損耗密度為一個(gè)低頻周期內(nèi)動(dòng)態(tài)磁滯回線所包圍面積的平均值,也就是說,通過測量和計(jì)算不同工況下每個(gè)動(dòng)態(tài)磁滯回線的面積就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)磁心損耗的測量,同時(shí)可以看出每個(gè)高頻動(dòng)態(tài)磁滯回線的大小和形狀的形成過程。因此,本文從動(dòng)態(tài)磁滯回線的角度測量和計(jì)算復(fù)合勵(lì)磁工況下的磁心損耗,以便了解多頻復(fù)合磁化過程和磁心損耗形成的細(xì)節(jié)。

        2.2 復(fù)合勵(lì)磁下磁心損耗的測量電路

        為了研究此類高、低頻多頻疊加勵(lì)磁下的磁心損耗,設(shè)計(jì)了測量電路,如圖2所示。電路中包含了高頻PWM波勵(lì)磁源電路和低頻勵(lì)磁源電路,通過將這兩種勵(lì)磁疊加并施加到被測磁元件上,實(shí)現(xiàn)高頻磁通密度和低頻磁通密度分量的單獨(dú)調(diào)節(jié)和控制。該工況下的低頻電壓分量往往比較小,為了便于調(diào)節(jié)幅值大小,低頻勵(lì)磁電源由交流穩(wěn)壓電源和降壓變壓器組成;高頻PWM電源由全橋DC/AC逆變電路組成。

        圖2 低頻疊加高頻PWM波勵(lì)磁的磁心損耗測量原理圖Fig.2 Core losses test scheme under complex excitation with superimposing of low and high frequency PWM

        圖2中,隔直電容Cb阻隔由于逆變橋可能的控制不平衡所引起的直流分量,確保高頻PWM電源施加到被測磁元件L上的勵(lì)磁中無偏磁,同時(shí)也對(duì)低頻電源起隔離作用,以免低頻電源影響到高頻PWM源;電感L1的主要作用是隔離高頻PWM電壓使得高頻源不會(huì)影響到低頻源Usin。

        磁心損耗的測量通過采用2.1節(jié)的動(dòng)態(tài)磁滯回線面積計(jì)算法實(shí)現(xiàn)。采用高精度數(shù)字示波器對(duì)被測電感L的勵(lì)磁電流i1和二次側(cè)感應(yīng)電壓u2進(jìn)行采樣,進(jìn)一步將采樣獲得的數(shù)據(jù)經(jīng)過計(jì)算機(jī)處理和計(jì)算,將勵(lì)磁電流和電壓轉(zhuǎn)換為瞬態(tài)磁場強(qiáng)度H(t)和瞬態(tài)磁通密度B(t),并在B-H平面形成動(dòng)態(tài)磁滯回線。則通過計(jì)算低頻周期內(nèi)的所有動(dòng)態(tài)磁滯回線的面積可以得到被測磁元件在低頻疊加高頻PWM波復(fù)合勵(lì)磁下的磁心損耗,同時(shí)也可以通過計(jì)算每個(gè)高頻周期內(nèi)的動(dòng)態(tài)磁滯回線面積獲得高頻周期內(nèi)的磁心損耗。

        3 磁心損耗低頻與高頻分量分離的理論分析

        由2.1節(jié)的測量原理可知,通過計(jì)算動(dòng)態(tài)磁滯回線的總面積和高頻周期內(nèi)的面積可獲得該工況下的總磁心損耗和每個(gè)高頻周期內(nèi)的磁心損耗。但對(duì)于低頻疊加高頻PWM波的勵(lì)磁,磁滯回線中低頻分量和高頻分量相互交融和相互影響,為了便于磁元件的分析設(shè)計(jì)和掌握該工況下磁心損耗的組成成分和變化規(guī)律,有必要將高頻分量從中分離出來。

        通過深入分析發(fā)現(xiàn),根據(jù)磁化過程的不同,每個(gè)高頻周期Ts內(nèi)的動(dòng)態(tài)磁滯回線的形狀和閉合方式有所不同,可以歸納為四種情況:正向勵(lì)磁過程(第I、IV象限)、反向勵(lì)磁過程(第II、III象限)、正向去磁過程(第I象限)和反向去磁過程(第III象限)。

        (1)正向勵(lì)磁過程和反向勵(lì)磁過程

        正向勵(lì)磁過程如圖3所示。其中圖3(a)為兩個(gè)高頻周期內(nèi)的動(dòng)態(tài)磁滯回線,可以認(rèn)為第一個(gè)動(dòng)態(tài)磁滯回線A1-B1-C1-D1到第二個(gè)動(dòng)態(tài)磁滯回線D1-E1-F1-G1是沿著低頻勵(lì)磁曲線的方向往上走,使得動(dòng)態(tài)磁滯回線不是一個(gè)閉合曲線,而是沿著低頻磁滯回線的正向勵(lì)磁曲線方向移動(dòng),這個(gè)過程低頻勵(lì)磁部分所對(duì)應(yīng)的是磁心儲(chǔ)能過程。

        圖3 正向勵(lì)磁過程動(dòng)態(tài)磁滯回線Fig.3 Dynamic hysteresis loop of forward excitation process

        每個(gè)高頻周期Ts內(nèi)的動(dòng)態(tài)磁滯回線面積Sk的計(jì)算公式為:

        (5)

        該面積可以由圖3(b)中的Sk1和Sk2兩部分面積組成,那么,可以將這兩部分面積重新拆分成低頻分量Sg-k2和高頻分量Sh-k1:

        Sk=Sh-k1+Sg-k2

        (6)

        低頻分量面積Sg-k2的計(jì)算公式為:

        (7)

        因此這種情況的高頻分量計(jì)算公式為:

        (8)

        反向勵(lì)磁過程(第II、III象限)與正向勵(lì)磁過程類似,不同僅在于這個(gè)過程磁場強(qiáng)度為負(fù)值,其高頻計(jì)算公式仍采用式(8)。

        (2)正向去磁過程和反向去磁過程

        正向去磁過程如圖4所示。圖4(a)為兩個(gè)高頻周期內(nèi)的動(dòng)態(tài)磁滯回線,可以認(rèn)為第一個(gè)動(dòng)態(tài)磁滯回線A2-B2-C2-D2到第二個(gè)動(dòng)態(tài)磁滯回線D2-E2-F2-G2是沿著低頻去磁曲線的方向往下走,同樣使得動(dòng)態(tài)磁滯回線不是一個(gè)閉合曲線,而是沿著低頻磁滯回線的正向去磁曲線方向移動(dòng),這個(gè)過程低頻勵(lì)磁部分所對(duì)應(yīng)的是磁心釋放能量過程。

        圖4 正向去磁過程動(dòng)態(tài)磁滯回線Fig.4 Dynamic hysteresis loop of forward demagnetizing process

        根據(jù)式(5),可以獲得一個(gè)高頻周期Ts內(nèi)的面積Sk,且該面積可以由Sk5和Sk6組成,那么,可以將這兩部分面積重新拆分成圖4(b)中的低頻分量Sg-k6和高頻分量Sh-k5:

        Sk=Sh-k5-Sg-k6

        (9)

        低頻分量的計(jì)算公式為:

        (10)

        因此這種情況的高頻分量計(jì)算公式為:

        (11)

        同理,反向去磁過程(第III象限)與正向去磁過程類似,不同僅在于這個(gè)過程磁場強(qiáng)度為負(fù)值,其高頻計(jì)算公式仍采用式(11)。

        綜上所述,通過式(8)或式(11)就可將低頻疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁下每個(gè)高頻周期磁心損耗中的高頻分量和低頻分量進(jìn)行分離,因此通過該計(jì)算方法可以很清楚地了解每個(gè)高頻周期內(nèi)磁心損耗的分布情況,為進(jìn)一步分析該工況下的磁心損耗提供理論基礎(chǔ)。

        4 磁心損耗低頻與高頻分量分離的實(shí)驗(yàn)

        根據(jù)第3節(jié)分析的低頻和高頻磁心損耗分離方法,對(duì)該工況下磁心損耗進(jìn)行測量,通過實(shí)驗(yàn)手段將該工況下每個(gè)高頻周期中的磁心損耗的高頻和低頻分量分離出來,為后續(xù)的模型建立提供基礎(chǔ)。

        根據(jù)圖2搭建了磁心損耗測量平臺(tái),對(duì)TP4(生產(chǎn)廠商:浙江天通電子股份有限公司)環(huán)形鐵氧體磁心在低頻疊加高頻PWM波復(fù)合勵(lì)磁下的損耗進(jìn)行測量,磁心的尺寸參數(shù)具體見表1。繞組采用100×φ0.1mm 厘茲線,匝數(shù)為25。復(fù)合勵(lì)磁源中低頻勵(lì)磁采用頻率和交流磁通密度分別為50Hz和0.3T的正弦波勵(lì)磁,高頻PWM勵(lì)磁采用頻率和交流磁通密度分別為20kHz和0.1T的方波勵(lì)磁。

        表1 鐵氧體TP4磁心參數(shù)Tab.1 Core parameters of Ferrite TP4

        圖5為被測電感的勵(lì)磁電流i1(t)和二次側(cè)繞組的感應(yīng)電壓u2(t)。將u2(t)和i1(t)兩采樣值通過計(jì)算和處理得到瞬態(tài)磁通密度B(t)和瞬態(tài)磁心磁場強(qiáng)度H(t)。

        圖5 工頻偏磁PWM波勵(lì)磁下的電壓和電流波形Fig.5 Voltage and current waveforms of power frequency bias

        將磁場強(qiáng)度H(t)和磁通密度B(t)應(yīng)用于B-H平面可得到工頻周期Tg內(nèi)的動(dòng)態(tài)磁滯回線,如圖6所示。該回線由N=Tg/Ts個(gè)高頻動(dòng)態(tài)磁滯回線組成且形成一個(gè)閉合的曲線。圖7為不同高頻周期動(dòng)態(tài)磁滯回線和局部放大圖。為了便于觀察,只列出四組動(dòng)態(tài)磁滯回線,每組由兩個(gè)動(dòng)態(tài)磁滯回線組成??梢钥闯?,不同的磁場強(qiáng)度H(t)在高頻周期Ts內(nèi)的高頻動(dòng)態(tài)磁滯回線形狀和面積都是不同的,即將工頻偏磁N等分后,在不同的工頻偏磁位置磁心損耗都是不相同的。圖7右邊部分為工頻正向勵(lì)磁過程的單個(gè)高頻動(dòng)態(tài)磁滯回線,可以看出高頻周期內(nèi)磁滯回線在磁化過程形成的細(xì)節(jié),而且形成的是非閉合的曲線,這與第3節(jié)的正向勵(lì)磁過程的理論分析是一致的,說明了本文計(jì)算方法可以通過實(shí)驗(yàn)的手段對(duì)磁心損耗的工頻和高頻分量進(jìn)行分離。

        圖6 工頻偏磁下的動(dòng)態(tài)磁滯回線Fig.6 Dynamic hysteresis loop of power frequency bias

        圖7 不同高頻周期動(dòng)態(tài)磁滯回線和局部放大圖Fig.7 Dynamic hysteresis loop and local enlarged drawing of different high frequency cycles

        圖8為各個(gè)高頻周期動(dòng)態(tài)磁滯回線面積的波形圖。根據(jù)式(5)可得到一個(gè)工頻周期內(nèi)N個(gè)高頻周期的動(dòng)態(tài)磁滯回線面積(見圖8中Sk波形),Sk反映了工頻周期內(nèi)的磁心損耗變化規(guī)律;根據(jù)式(7)或式(10)可以得到工頻周期N等分后每個(gè)周期的工頻分量面積(見圖8中Sg-k波形),Sg-k為第k個(gè)高頻周期的工頻分量所對(duì)應(yīng)的面積,體現(xiàn)了每個(gè)高頻周期內(nèi)工頻分量在磁心中的能量存儲(chǔ)和釋放情況,正值表示外部電路往磁心存儲(chǔ)能量,負(fù)值表示磁心對(duì)外部電路釋放能量。根據(jù)式(8)或式(11)則可以得到每個(gè)高頻周期內(nèi)磁心損耗的高頻分量(見圖8中Sh-k波形),Sh-k為第k個(gè)高頻周期的高頻分量所對(duì)應(yīng)的面積。可見工頻疊加高頻PWM波復(fù)合勵(lì)磁下磁元件磁心損耗的高頻分量的變化趨勢與正弦波的變化趨勢相當(dāng),但是形狀略不同,且工頻分量相比于高頻分量相對(duì)比較小,因此工頻對(duì)磁心損耗的影響主要體現(xiàn)在每個(gè)高頻周期內(nèi)偏磁的不同引起高頻磁心損耗的不同。

        圖8 各個(gè)高頻周期動(dòng)態(tài)磁滯回線面積Fig.8 Area of dynamic hysteresis loop with different high frequency cycles

        因此,通過動(dòng)態(tài)磁滯回線測量原理和高頻、低頻磁心損耗的分離方法,可以有效地實(shí)現(xiàn)低頻疊加高頻PWM波復(fù)合勵(lì)磁下磁元件磁心損耗的低頻和高頻分量的分離。

        5 磁心損耗中高頻分量的建模與驗(yàn)證

        將低頻電壓疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁中的低頻部分當(dāng)作低頻偏磁處理,并將低頻偏磁N等分分布到每個(gè)高頻周期中,由于高頻分量的頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于低頻偏磁的頻率,那么每個(gè)高頻周期內(nèi)的低頻偏磁可以近似認(rèn)為不變,如圖9所示。則每個(gè)周期內(nèi)高頻分量的磁心損耗可以認(rèn)為是對(duì)應(yīng)不同直流偏磁工況下的磁心損耗。

        圖9 工頻偏磁的近似等效Fig.9 Approximate equivalent waveform of power frequency bias

        將文獻(xiàn)[6]提出的直流偏磁下的磁心損耗模型應(yīng)用在該工況下磁心損耗的計(jì)算,可獲得模型為:

        (12)

        (13)

        式中,k為低頻疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁下的高頻周期數(shù);Hg(k)為第k周期的工頻偏磁;Bm為高頻磁通密度分量;Ppwm-nb為無偏磁工況下磁心損耗;k1、k2、κ1、κ2、δ1、δ2、α、β分別為該材料的磁心損耗參數(shù)。

        低頻周期內(nèi)磁心損耗高頻分量的總損耗為:

        (14)

        由動(dòng)態(tài)磁滯回線測量原理可知,獲得的高頻磁心損耗分量的計(jì)算結(jié)果為面積,為了便于模型的驗(yàn)證和對(duì)比,進(jìn)一步將式(12)磁心損耗的模型轉(zhuǎn)換為面積的公式:

        Sh(k)=TsPcv(k)

        (15)

        式中,Ts為高頻周期。

        首先,對(duì)TP4磁心材料在直流偏磁下占空比為0.5的PWM波勵(lì)磁的磁心損耗進(jìn)行測量,并將測量結(jié)果與直流偏磁工況下的模型式(12)進(jìn)行擬合,可以獲得直流偏磁下磁心損耗模型的擬合系數(shù):k1=0.19,k2=1.78×10-5,α=1.946,β=2.48,κ1=0.3501,κ2=6.0181,δ1=0.8248,δ2=0.6729。因此,通過這些系數(shù)和式(12)或式(14)就可以計(jì)算出低頻周期內(nèi)的每個(gè)高頻周期的磁心損耗高頻分量。

        然后,測量低頻疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁下的磁心損耗。復(fù)合勵(lì)磁源中低頻勵(lì)磁采用頻率和交流磁通密度分別為50Hz和0.25T的正弦波勵(lì)磁,高頻PWM勵(lì)磁采用頻率為20kHz的方波,交流磁通密度的峰值Bm分別為0.06T、0.08T 和0.1T。通過實(shí)驗(yàn)和模型式(14)的計(jì)算可得到Bm為0.08T時(shí)每個(gè)高頻周期的磁心損耗高頻分量對(duì)比圖,如圖10所示。

        圖10 工頻周期內(nèi)的高頻分量實(shí)驗(yàn)值與模型值的比較Fig.10 Comparison between model calculation and measurement for high-frequency component with power cycle

        可以看出,實(shí)驗(yàn)值和模型值比較接近,都能有效地反映在磁化過程的磁心損耗高頻分量的變化情況,正向勵(lì)磁和去磁過程的磁心損耗與反向勵(lì)磁和去磁過程的磁心損耗高頻分量是對(duì)稱的,且勵(lì)磁過程和去磁過程的高頻分量磁心損耗略有不同。

        最后,對(duì)該工況下工頻周期內(nèi)磁心損耗高頻分量的總損耗進(jìn)行對(duì)比驗(yàn)證。表2為上述勵(lì)磁下的磁心損耗實(shí)驗(yàn)值和模型計(jì)算值的數(shù)據(jù)??梢钥闯觯磐芏裙ゎl分量對(duì)磁心損耗具有一定的影響,所提出的模型能夠有效地地評(píng)估預(yù)測工頻疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁下磁心損耗的高頻分量。

        表2 復(fù)合勵(lì)磁下磁心損耗高頻分量的實(shí)驗(yàn)值和模型值Tab.2 Model calculation and measurement for high-frequency component with complex excitation

        綜上所述,磁通密度低頻分量對(duì)磁心損耗的影響不可忽視,本文提出的高頻模型不僅足以準(zhǔn)確評(píng)估該勵(lì)磁下磁心損耗的總高頻分量,還可以很好地評(píng)估每個(gè)高頻周期內(nèi)磁心損耗的高頻分量。另外,磁心損耗的低頻分量可通過形式簡單的斯坦麥茨方程SE模型計(jì)算得到。因此,高頻、低頻磁心損耗分量的分離方法和高頻模型的建立可以為該工況下磁元件損耗的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供有效的手段。

        6 結(jié)論

        (1)介紹和分析了動(dòng)態(tài)磁滯回線測量磁心損耗的測量原理,設(shè)計(jì)了低頻疊加PWM波復(fù)合勵(lì)磁下磁心損耗的測量電路,并建立了基于動(dòng)態(tài)磁滯回線測量磁心損耗的測量裝置,可以實(shí)現(xiàn)不同磁通密度高頻分量和低頻分量下磁心損耗的測量。

        (2) 對(duì)復(fù)合勵(lì)磁下磁心的動(dòng)態(tài)磁滯回線進(jìn)行深入分析和研究,提出了磁心損耗的高頻和低頻分量的分離方法,進(jìn)一步提出了高頻和低頻分量的計(jì)算公式,并通過實(shí)驗(yàn)獲得了該工況下磁心損耗的低頻和高頻分量值。

        (3)利用直流偏磁下PWM波勵(lì)磁的磁心損耗模型,將其應(yīng)用到低頻周期內(nèi)每個(gè)高頻周期的損耗計(jì)算,得到了復(fù)合勵(lì)磁下磁心損耗的高頻分量模型,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了模型的可行性和精度。

        (4) 磁心損耗高頻和低頻分量的分離方法以及高頻模型可用于評(píng)估不同工況下PFC電感和逆變輸出濾波電感的磁心損耗,也可用于優(yōu)化不同控制策略下PFC電感和逆變輸出濾波電感的磁心損耗。

        (5) 本文提出的模型參數(shù)較少,對(duì)功率變換器中磁元件磁心損耗在工程分析和設(shè)計(jì)的應(yīng)用具有一定價(jià)值。

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