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        CoFe2O4薄膜的制備及磁性研究

        2016-05-30 04:29:45吳鈺涵
        科技尚品 2016年4期
        關鍵詞:磁滯回線磁化強度層數(shù)

        吳鈺涵

        摘 要:采用溶膠凝膠旋涂法在LaNiO3-Si(100)襯底上制備不同厚度的CoFe2O4薄膜。分別用XRD、SEM和VSM對其結構和磁性進行分析。結果表明,隨著厚度的增加,飽和磁化強度逐漸增強,n=8的樣品飽和磁化強度達到了750emu/cm3。

        關鍵詞:CoFe2O4薄膜;磁性

        尖晶石鈷鐵氧體CoFe2O4(CFO)薄膜作為一種典型的硬磁材料,被認為是高密度存儲媒介優(yōu)質的候選材料,具有較強的各向異性、室溫下高的矯頑力、良好的機械硬度以及化學穩(wěn)定性。由于CFO薄膜具有的這些特性,使其引起了人們的廣泛關注。

        常用的CFO薄膜制備方法有以下幾種:金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)、磁控濺射法、溶膠凝膠(sol-gel)旋涂法、水熱法和脈沖激光沉積法(PLD)。sol-gel旋涂法由于制備方法簡單、過程可控、產(chǎn)量高、成本低且能夠在大面積的襯底上制備薄膜等特點,已經(jīng)在微電子器件等領域得到應用。本實驗采用sol-gel旋涂法在LaNiO3-Si襯底上制備了不同厚度的CFO薄膜,研究了厚度結構及其性能的影響。

        1 實驗過程

        ①以Co(NO3)2·6H2O、Fe(NO3)3·9H2O、檸檬酸、聚乙二醇為原料,以酒精和去離子水為溶劑,按比例配制CoFe2O4溶液,靜置在空氣中72h形成溶膠。②旋涂法制備薄膜。將CFO溶膠滴在LaNiO3-Si襯底上進行旋涂。旋涂儀的轉速和時間分別設為4000rmp和30s。再將旋涂之后的硅片放在烤膠臺上進行烘烤,200℃保溫10min,然后400℃保溫20min。重復此步驟2、4、8次,就得到了3個不同厚度的樣品。③將得到的樣品放在CVD低溫退火爐中進行退火,700℃退火10min。這樣,就得到了不同厚度的CFO薄膜。

        2 結果與分析

        圖1是樣品的XRD圖。從圖中可以看出,薄膜結晶較好,為多晶結構。圖中的衍射峰可以分為兩組,其中一組屬于LaNiO3,另一組屬于CoFe2O4,沒有其他相的存在。另外,從圖中可以觀察到,CoFe2O4的衍射峰強度隨著層數(shù)的增多而增強,結晶度變好。根據(jù)Scherrer公式,得到了CoFe2O4薄膜的晶粒尺寸,2、4、8層CoFe2O4薄膜的晶粒尺寸分別為18.13nm、19.73nm、20.36nm??梢钥闯鲭S著CoFe2O4層數(shù)的增加,晶粒逐漸增大,但增大幅度不明顯。

        圖2是n=8樣品的斷面FESEM圖,薄膜部分已用紅色線標出。從圖中可以看出,薄膜厚度均勻。經(jīng)過測量,厚度約為400nm。另外,可以看出CoFe2O4是以顆粒狀生長的,顆粒尺寸約為60nm。

        圖3是對不同層數(shù)CoFe2O4薄膜分別平行樣品表面測試的磁滯回線圖。從圖中可以看出,磁滯回線屬于典型的鐵磁材料的磁滯回線,樣品具有不為零的剩余磁化強度(Mr)和矯頑力(Hc)??梢钥闯觯S著層數(shù)的增加,樣品的飽和磁化強度(Ms)不斷增強,n=8的樣品Ms達到了750emu/cm3。這是可以理解的,薄膜越厚,薄膜內(nèi)部的磁疇就越多,當對樣品施加磁場的時候,沿著一個方向排列的磁矩就會越多。

        3 結論

        XRD結果表明,在LaNiO3-Si襯底上成功地制備了CoFe2O4薄膜,沒有產(chǎn)生雜相。隨著厚度的增加,結晶越來越好。SEM結果表明,CoFe2O4在襯底上以顆粒狀生長,顆粒尺寸約為60 nm。磁性分析表明,CoFe2O4的飽和磁化強度隨著層數(shù)的增加而增強,n=8的樣品飽和磁化強度達到了750emu/cm3。

        參考文獻

        [1]Ding,J.W.Cheah,L.Chen,T.Sritharan,J.L.Wang,Electric-field control of magnetic properties of CoFe2O4 films on Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 substrate[J].Thin Solid Films,2012,(522):420-424.

        [2]張亞磊,楊成韜,于永杰,等.CoFe2O4 薄膜厚度對其微結構和磁性能的影響[J].電子元件與材料,2010,(2):1-3.

        (作者單位:重慶大學城市科技學院)

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