蔣琳 舒秋艷 王波
摘 要:磁控電抗器是采用飽和鐵芯電抗器串接入高壓主回路,提供感性無功。有環(huán)氧樹脂干式和油浸式供選,具有體積小、噪音小、諧波小的特點(diǎn)。閥控系統(tǒng)是磁控電抗器控制的核心系統(tǒng),本文詳細(xì)的介紹了磁控電抗器的控制原理及閥控系統(tǒng)的參數(shù)選擇,對磁控電抗器的設(shè)計、選型及生產(chǎn)制作等有很重要的參考作用。
關(guān)鍵詞:磁控電抗器;閥控系統(tǒng);控制系統(tǒng)
DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.04.249
0 引言
磁控電抗器的控制主電路(晶閘管電路)是實(shí)現(xiàn)控制器調(diào)節(jié)磁控電抗器的紐帶,在此項(xiàng)目中起著十分重要的作用。本章將以110kV的磁控電抗器為例,從電路的設(shè)計、晶閘管及二極管的選取、電阻電容元件的參數(shù)設(shè)計等幾個方面對其進(jìn)行詳細(xì)的介紹。
1 磁控電抗器的控制原理
從磁控電抗器的原理中可以了解到,磁控電抗器的控制電壓主要取自高壓電源側(cè),現(xiàn)以A相為例,其原理如圖1所示:
從圖1中我們可以看到,控制器發(fā)出脈沖分別接在脈沖變壓器TA1和TA2的低壓側(cè),高壓側(cè)便產(chǎn)生脈沖經(jīng)二極管箝位后加到晶閘 管的門極與陰極之間,當(dāng)晶閘管兩端承受正向電壓時,晶閘管可以導(dǎo)通,改變晶閘管的移相觸發(fā)角度,進(jìn)而改變了磁控電抗器內(nèi)直流大小,從而改變磁控電抗器的感性容量輸出。
2 磁控電抗器閥控系統(tǒng)參數(shù)選擇
2.1 晶閘管的選取
由于串聯(lián)晶閘管的正向阻斷(或反向)特性不同,但流過相同的漏電流,因而各器件所承受的電壓是不相等的。由于每個晶閘管的正向特性不同,在同一漏電流下所承受的正向電壓也是不同的,當(dāng)兩個晶閘管串聯(lián) 使用時,若外部電壓繼續(xù)升高,兩個器件 都會失去控制作用;同理,反向時,因不均壓,可能使其中一個器件先反向擊穿,另一個隨之擊穿。
為達(dá)到靜態(tài)均壓,一方面應(yīng)選用通態(tài)平均電壓比較一致的器件,另一方面,需用電阻均壓,而且此均壓電阻的阻值應(yīng)比任何一個晶閘管的阻斷時正、反向電阻都小得多,這樣,每個串聯(lián)晶閘管分擔(dān)的電壓主要取決于均壓電阻的分壓。
為達(dá)到動態(tài)均壓,一方面應(yīng)選用載流子數(shù)量比較一致的晶閘管,或者通過實(shí)驗(yàn)選取恢復(fù)電流比較一致的晶閘管;另一方面,還需用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓。由于串聯(lián)晶閘管 開通時間不一致,即使同時觸發(fā),先開通的晶閘管壓降立即減小,另一晶閘管分擔(dān)的正向電壓隨之上升,由此可能引起某些晶閘管強(qiáng)行轉(zhuǎn)折;使用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以縮短開通時間,減小器件開通時間上的差異。在此基礎(chǔ)上,也應(yīng)考慮按反向阻斷時的動態(tài)均壓要求來選取RC參數(shù),解決開通過程的動態(tài)均壓問題。
由于晶閘管制造工藝的改進(jìn),器件的電壓等級不斷提高,因此要求晶閘管串聯(lián)的情況會逐步減少。
針對110kV的磁控電抗器,其接線方式為星形接線,Ua1-a3= Ua2-a4 =1%UAX =1%×110000/√3=635V,即晶閘管GA1與GA2承受的額定電壓分別為635V,因?yàn)樵O(shè)備最高運(yùn)行電壓為126kV,所選晶閘管的額定電壓應(yīng)在880~1382V之間,考慮到對整臺設(shè)備做雷電沖擊耐受電壓時,峰值要達(dá)到550kV,此時GA1與GA2所承受的電壓分別為5500V,按照晶閘管兩端承受的電壓為最高電壓的2~3倍考慮的話,所選晶閘管的電壓至少應(yīng)大于11000V,而目前晶閘管廠家生產(chǎn)的晶閘管大于8000V的僅為國家重點(diǎn)項(xiàng)目±800kV直流換流站所用,其單只價格要達(dá)到25000元以上,雖然每臺設(shè)備只用6只,但其設(shè)備成本就要增加10萬元,所以此種方案不可取。這樣我們就會選擇每相用兩只晶閘管串聯(lián)使用,每只晶閘管的額定電壓6500V,既能保證正常工作時的電壓要求,同時也滿足對整臺設(shè)備的雷電沖擊耐受電壓的要求。
晶閘管的額定電流按(1.7~2.5)倍允許過載時的電流來選取。針對24000kvar、110kV的磁控電抗器,其額定電流為126A,所以選取300A的晶閘管即可滿足使用要求。這樣在這臺BKSF-24000/110的磁控電抗器中我們選用的晶閘管型號為KP 300-65、整流管的型號為ZP 300-65。
兩個晶閘管串聯(lián)使用原理如圖2所示。
2.2 阻容元件的參數(shù)設(shè)計
我們知道,晶閘管在使用過程中,保護(hù)尤其重要,它有一個重要特性參數(shù)——斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt,表明晶閘管在額定結(jié)溫和門極不導(dǎo)通條件下,使晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。如果電壓上升率過大,超過了晶閘管承受電壓上升率的值,則門極無觸發(fā)信號時也會導(dǎo)通。即使此時加于晶閘管的正向電壓不高于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況,因?yàn)榫чl管可以看作是由三個PN結(jié)組成。
當(dāng)晶閘管處于阻斷狀態(tài)時,因各層距離較近,當(dāng)晶閘管陽極電壓變化時,便會有充電電 流流過PN結(jié),這個電流相當(dāng)于門極觸發(fā)電流。如果晶閘管在關(guān)斷時陽極電壓上升速度太快,則PN結(jié)的充電電流越大,就很可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,出現(xiàn)晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象,也就是常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。
為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管安全可靠運(yùn)行,常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收電路,利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械模ㄗ儔浩髀└谢蜇?fù)載電感),所以與電容器C串聯(lián)電阻R便可以起到阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過渡過程中,因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓而損壞晶閘管。同時,避免通過晶閘管放電電流過大,造成過電流而損壞晶閘管。
由于晶閘管過電流過電壓能力很差,如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是最常用的保護(hù)方法。下面就晶閘管KP 300-65的RC阻容吸收元件的選擇加以計算。
2.2.1 電容的選取
C=(1~2)×10-3×IT
式中,
IT——晶閘管額定電流,A;
因?yàn)榫чl管的電流為300A,可以求得
C=(1~2)×10-3×300=(0.3~0.6)μF
電容器的電容值取0.47μF。
電容器兩端電壓一般根據(jù)晶閘管兩端電壓的額定值除以√2來計算,即5kV。
2.2.2 電阻的選取
式中,
Id——直流電流值,A;
If=0.367Id,
根據(jù)計算結(jié)果,選取R=10Ω
式中,
U——三相電壓的有效值,V;
根據(jù)計算結(jié)果,選用10Ω,50W電阻。
另外,阻容吸收回路在實(shí)際應(yīng)用中,RC的時間常數(shù)一般情況下取1~10ms。
小功率負(fù)載通常取2ms左右,R=220Ω/1W,C=0.01μF /400~630V。
大功率負(fù)載通常取10ms,R=10Ω/20W,C=1μF /630~1000V。
R的選?。盒」β蔬x金屬膜或RX21線繞或水泥電阻;大功率選RX21線繞或水泥電阻或鋁殼無感電阻。
C的選取:CBB系列相應(yīng)耐壓的無極性電容器。
在此實(shí)例中屬于大功率負(fù)載,綜合實(shí)際情況,最終選用R=10Ω/50W,C=0.47μF /5000V的阻容吸收網(wǎng)絡(luò),且電阻為鋁殼無感電阻、電容為無感電容。
3 結(jié)語
本文通過公式推導(dǎo)和理論分析對磁控電抗器的閥控系統(tǒng)選擇進(jìn)行了論述。磁閥式電抗器采用的是先進(jìn)的微電子控制技術(shù),從而可以精密地控制對系統(tǒng)母線的無功功率需求的快速響應(yīng)及補(bǔ)償,而且由于沒有了機(jī)械部件的頻繁投切動作,避免了機(jī)械式無功補(bǔ)償裝置由于電容投切帶來的涌流和過電壓沖擊,使得裝置更加具有安全穩(wěn)定性和大大提高了補(bǔ)償裝置的使用壽命,也有利于保護(hù)用戶其他精密設(shè)備和精密儀器的正常運(yùn)行。
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作者簡介:蔣琳(1968-),女,高級工程師,主要從事:電網(wǎng)運(yùn)行控制技術(shù)管理工作。