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        一款膠囊內(nèi)窺鏡電源管理單元的設(shè)計與實現(xiàn)

        2016-02-20 11:23:09周丁華姜漢鈞王月娟呂曉娟王志華
        現(xiàn)代儀器與醫(yī)療 2016年1期

        周丁華 姜漢鈞 王月娟 呂曉娟 王志華

        [摘 要] 目的:通過對電源管理單元的設(shè)計,實現(xiàn)為各模塊提供穩(wěn)定電壓,減小芯片面積,延長產(chǎn)品工作時間。方法:基于0.18μm CMOS工藝,對LDO電路、電荷泵、振蕩器模塊與系統(tǒng)性能和能耗之間進行權(quán)衡設(shè)計。結(jié)果:電源管理單元采用PMOS LDO電路提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性,電荷泵設(shè)計為LED提供了穩(wěn)定的驅(qū)動電壓。結(jié)論:電源管理單元的設(shè)計滿足膠囊內(nèi)鏡的使用要求,與國內(nèi)外主流產(chǎn)品比較,產(chǎn)品體積縮小,工作時間延長。

        [關(guān)鍵詞] 膠囊內(nèi)鏡;電源管理;LDO電路;電荷泵

        中圖分類號:R445 R574 文獻標識碼:A 文章編號:2095-5200(2016)01-010-03

        0 引言

        無線膠囊內(nèi)鏡相較于傳統(tǒng)胃鏡具有便攜式、無痛性等優(yōu)點,具有較高應用價值和市場價值。本文設(shè)計無線膠囊內(nèi)鏡由兩節(jié)1.5V氧化銀電池(≤80mAh)供電,連續(xù)工作時間可達10h以上。為延長產(chǎn)品工作時間,系統(tǒng)主要采取三個措施:1)針對電路高層次與低層次低功耗設(shè)計;2)結(jié)合電池本身物理特性系統(tǒng)動態(tài)能量管理策略;3)“ 基于通信”能量管理策略,它是一種基于系統(tǒng)級通信結(jié)構(gòu)調(diào)整各系統(tǒng)模塊工作能量管理策略。本文主要介紹該系統(tǒng)電源管理單元研制。

        由于膠囊內(nèi)鏡應用環(huán)境嚴格限制,膠囊內(nèi)鏡電量供應問題一直是膠囊內(nèi)鏡研究關(guān)鍵所在[1]。在電能有限條件下, 電源管理單元所要實現(xiàn)目標是將電池電壓轉(zhuǎn)換為各電路模塊所需電源電壓同時提高膠囊內(nèi)鏡能耗效率[2], 以延長產(chǎn)品供電工作時間 。此外,在設(shè)計方面,考慮到膠囊內(nèi)鏡微型化特點,電源管理單元片外原件要盡可能少以節(jié)省PCB面積。

        1 電源管理單元基本結(jié)構(gòu)

        片上集成電源轉(zhuǎn)換電路主要由一個數(shù)字基帶處理單元和電源管理單元構(gòu)成,芯片采用0.18μm CMOS工藝。電源管理單元結(jié)構(gòu)如圖1所示,該電源轉(zhuǎn)換電路不僅要為專用集成電路各功能模塊提供不同電源電壓,也要為膠囊內(nèi)鏡其他組件包括CMOS圖像傳感器(由2.5V LDO實現(xiàn))、射頻收發(fā)器(由1.8V LDO實現(xiàn))和發(fā)光LED(由可編程電荷泵實現(xiàn))等供電。振蕩器為電荷泵提供時鐘信號同時還為數(shù)字模塊和圖像傳感器提供系統(tǒng)時鐘信號,節(jié)約了芯片設(shè)計面積。

        權(quán)衡考慮LDO與開關(guān)穩(wěn)壓器在電源轉(zhuǎn)換率、系統(tǒng)片上面積、片外元件數(shù)等方面因素,本單元供電系統(tǒng)采用全LDO式結(jié)構(gòu)。低壓差穩(wěn)壓器LDO具有穩(wěn)壓性能好、低噪聲、低紋波、響應快速、外圍電路簡單等優(yōu)點[3]。

        1.1 低壓差穩(wěn)壓器(LDO)電路實現(xiàn)

        低壓差穩(wěn)壓器(LDO)用于將電池電壓降至所需要電平上,給其他模塊提供所需電源電壓。本系統(tǒng)芯片內(nèi)部集成了三個線性低壓差穩(wěn)壓器(LDO_2p5, LDO_1p8,LDO_1p2)。

        采用如圖2所示PMOS LDO電路結(jié)構(gòu)[4],這個PMOS LDO由誤差放大器、PMOS功率管、單位增益緩沖器、反饋網(wǎng)絡和一個片外負載電容CL組成。PMOS功率管MP具有最小溝道長度和非常大寬長比使它能輸出30mA負載電流。采用這種結(jié)構(gòu)為了獲得較高誤差放大器增益,其輸出阻抗也會很高,同時,該結(jié)構(gòu)會導致功率管MP柵極分布電容很大。此分布電容引入極點頻率很低,會影響電路頻率響應、降低相位裕度。為減小此分布電容引入極點影響,在誤差放大器和功率管MP之間引入了單位增益緩沖器。同時,單位增益緩沖器輸出電阻很低,它將把分布電容產(chǎn)生極點推到很高頻率上,以減小對電路頻響、相位裕度影響,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

        另外,圖2所示電路還采用了Ahuja補償方式[5],

        有別于經(jīng)典Miller補償。在Ahuja補償中補償電容Cc接在M4源極節(jié)點A,不同于經(jīng)典Miller補償中將補償電容接在M4漏極。M4跨導被設(shè)計得很大使它源極可視為虛地。因此,所有通過反饋電容Cc交流小信號電流進入M4源極,從漏極流出。因節(jié)點A是低阻節(jié)點,其所產(chǎn)生極點將被推向更高頻率,這有利于改善反饋環(huán)路相位裕度,使其在各種負載條件下都比較穩(wěn)定。相比之下,在經(jīng)典Miller補償方式中,由于節(jié)點B是高阻節(jié)點,產(chǎn)生極點頻率低,不利于系統(tǒng)穩(wěn)定。

        Ahuja補償方式不僅有利于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性,也可以提高電路電源抑制比。在經(jīng)典Miller補償方式中,從電源進入噪聲通過節(jié)點B可以直接影響到LDO輸出;而Ahuja補償方式不存在從電源到LDO輸出低阻通路,因此大大提高了電源抑制比。此外,LDO電路只需要一個1μF0402 表面貼封裝片外電容就可以保證在各種負載條件下保持穩(wěn)定,滿足膠囊內(nèi)鏡芯片對片外元件數(shù)目約束要求。

        仿真結(jié)果顯示,LDO開環(huán)直流增益大于80dB,相位裕度在各種負載和PVT變化條件下均不小于40°,在50kHz頻率電源抑制比PSR高于70dB。LDO在負載電流0~30mA變化范圍內(nèi)都可以保持

        穩(wěn)定。

        在實際測試中,3個 LDO輸入電壓為3V電池電壓。負載電容均為片外0402表面貼封裝陶瓷電容CL = 1μF,電容等效串聯(lián)電阻ESR小于100 mΩ。三個負載電容都焊接在靠近芯片位置,以減小PCB互聯(lián)線長度。其性能參數(shù)測試結(jié)果如表1所示。

        1.2 電荷泵電路實現(xiàn)

        本單元中電荷泵電路用于為圖像采集閃光燈LED提供穩(wěn)定驅(qū)動電壓,驅(qū)動電壓高于電源電壓[6]。本設(shè)計使用0.18μm CMOS工藝條件下芯片最高工作電壓為3.3V,而電荷泵電路節(jié)點B上電壓會達到甚至超過4V。如果器件柵源或漏源電壓超過4V,則器件使用壽命會明顯縮短,但是考慮到膠囊內(nèi)鏡工作時間一般不超過24h,而且LED不是常亮[7],電荷泵只有很短時間處在放電狀態(tài),對器件壽命要求不高。因此在這種特定應用場合下,在短時間內(nèi)使器件承受過高電壓是容許。電荷泵電路原理圖如圖3所示。

        圖3所示電荷泵電路主要由電壓倍增電路和電壓穩(wěn)定電路兩部分組成。電壓倍增電路使用了兩個片外電容Cfly和CL。在非交迭時鐘控制下,開關(guān)M1~M4輪流對兩個電容進行充電以實現(xiàn)電壓倍增。其中,非交迭時鐘信號產(chǎn)生是為了保證開關(guān)M1~M4在開啟或關(guān)斷轉(zhuǎn)換狀態(tài)下不會有瞬時短路電流產(chǎn)生。當時鐘為高電平時,開關(guān)M1、M4打開,開關(guān)M2、M3關(guān)斷,此時電容Cfly被充到VBAT。在時鐘信號為低電平時,開關(guān)M1、M4關(guān)斷,開關(guān)M2、M3打開,節(jié)點A電壓接近VBAT。由于電容Cfly兩端電壓不能突變,使得節(jié)點B電壓為兩倍電池電壓,即2VBAT,高于負載電容CL上電壓。這樣電容Cfly上電荷將被轉(zhuǎn)移到負載電容CL上直至兩個電容上電壓相等。在不考慮開關(guān)損耗理想情況下,CL理論上最高可產(chǎn)生2VBAT電壓。

        電荷泵使用兩個片外0402表面貼封裝陶瓷電容,分別為0.1μF和1μF。通過設(shè)置校準寄存器,其輸出電壓范圍為3.6~5.5V。穩(wěn)定驅(qū)動電壓不隨電池電壓變化使發(fā)光LED可以保持穩(wěn)定照明強度。電荷泵設(shè)計要滿足高效率、低功耗以及片外元件少要求。

        當輸出電壓為4V時,測得電荷泵各項性能指標如表2所示。

        電荷泵輸出電壓建立時間為400μs。電荷泵輸出電壓建立也說明了片上時鐘振蕩器能正常工作,為電荷泵提供所需時鐘信號。在這個啟動過程中電荷泵處于低速模式,使用20kHz時鐘信號。

        2 結(jié)果

        該膠囊內(nèi)鏡所實現(xiàn)芯片采用0.18μm 1P6M CMOS工藝制成,芯片面積3.7mm×3.6mm。芯片顯微照片如圖4所示。

        該芯片組裝后樣機直徑11mm,長度可縮短至24mm。在樣機完整測試過程中,其持續(xù)工作時間可達14h以上。相比較于國內(nèi)外主流產(chǎn)品,本產(chǎn)品在產(chǎn)品體積及工作時間方面都有明顯進步。

        3 結(jié)論

        膠囊內(nèi)鏡中電源管理單元設(shè)計基于0.18μm CMOS工藝,通過LDO電路、電荷泵、振蕩器模塊與系統(tǒng)性能和能耗間權(quán)衡設(shè)計,在膠囊內(nèi)鏡使用條件下實現(xiàn)了為各模塊提供穩(wěn)定電壓、為不同模塊供電、節(jié)約設(shè)計面積等設(shè)計目的。測試結(jié)果顯示,電源管理單元設(shè)計滿足膠囊內(nèi)鏡使用要求。

        參 考 文 獻

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