(華北制藥集團(tuán)新藥研究開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司微生物藥物國(guó)家工程研究中心河北省工業(yè)微生物代謝工程技術(shù)研究中心,河北石家莊050015)
達(dá)托霉素是具有獨(dú)特環(huán)狀結(jié)構(gòu)的脂肽類(lèi)抗生素[1],由玫瑰孢鏈霉菌(Streptomycesroseosporus)發(fā)酵產(chǎn)生,它能通過(guò)阻礙細(xì)菌細(xì)胞壁的生成和破壞細(xì)菌細(xì)胞膜的功能等方式殺死細(xì)菌[2-3],作用機(jī)制與傳統(tǒng)抗生素不同,故不易產(chǎn)生耐藥菌。達(dá)托霉素的抗菌譜與萬(wàn)古霉素類(lèi)似,且在體外對(duì)萬(wàn)古霉素、甲氧西林、利奈唑烷等的耐藥菌也具有強(qiáng)烈活性,因此成為目前臨床上公認(rèn)的繼萬(wàn)古霉素之后最理想的備用抗生素[4-9]。鑒于以上特殊優(yōu)勢(shì),達(dá)托霉素的工業(yè)化生產(chǎn)具有重要的現(xiàn)實(shí)意義,篩選適合工業(yè)化生產(chǎn)所需的高產(chǎn)菌株迫在眉睫。
復(fù)合誘變法是指在誘變育種中使用2種或2種以上的誘變方法處理菌株,以提高菌株的誘變效果[10]。作者在此采用氦氖(He-Ne)激光輻照-亞硝基胍(NTG)復(fù)合誘變達(dá)托霉素產(chǎn)生菌HK402,以期獲得高產(chǎn)且遺傳穩(wěn)定性好的達(dá)托霉素產(chǎn)生菌。
玫瑰孢鏈霉菌(Sterptomycesroseosporus)HK402,由微生物藥物國(guó)家工程研究中心菌種保藏庫(kù)提供。
搖床,超凈工作臺(tái),離心機(jī),He-Ne-1000型氦氖激光儀。
分離培養(yǎng)基:高氏1號(hào)培養(yǎng)基。
種子培養(yǎng)基:糊精1%,葡萄糖0.5%,玉米漿0.5%,K2HPO4·3H2O 0.04%,MgSO4·7H2O 0.1%。
發(fā)酵培養(yǎng)基:葡萄糖2%,淀粉1.3%,冷榨豆餅粉1.5%,蛋白胨1%,CaCO30.5%,MgSO4·7H2O 0.3%,前體0.8%。
1.3.1 培養(yǎng)方法
種子培養(yǎng):取生長(zhǎng)好的斜面,用接種鏟挖塊1cm2左右接入種子瓶中,28 ℃、220r·min-1培養(yǎng)36h。
發(fā)酵培養(yǎng):將搖瓶種子按4%的接種量接入250 mL裝量為40mL的發(fā)酵瓶中,28℃、220r·min-1培養(yǎng)118h。
1.3.2 誘變方法
1)單孢子菌懸液的制備
取生長(zhǎng)好的成熟斜面,加入適量無(wú)菌生理鹽水,輕輕刮下孢子后將孢子液移入無(wú)菌玻璃珠瓶中充分振蕩打散,過(guò)濾后將孢子數(shù)調(diào)到106個(gè)·mL-1,待用。
2)亞硝基胍溶液的配制
在通風(fēng)櫥中稱(chēng)取100mg 亞硝基胍于棕色容量瓶中,加入少量丙酮使其溶解,最后用乙醇定容至10 mL,使終濃度為10mg·mL-1,待用。
3)氦氖激光輻照誘變
取適量單孢子菌懸液于石英皿中進(jìn)行氦氖激光輻照,激光燈功率為18mW,照射距離為20cm,分別照射10min、20min、30min、40min、50min、60min;將處理過(guò)的菌懸液梯度稀釋后涂平板,28 ℃培養(yǎng)7d,待菌落成熟后計(jì)算致死率。挑選菌落形態(tài)好、孢子豐富的菌落傳斜面,進(jìn)行搖瓶初篩,并根據(jù)初篩結(jié)果計(jì)算正突變率。
4)亞硝基胍誘變
取適量單孢子菌懸液于10mL 無(wú)菌離心管中,分別用終濃度(mg·mL-1)為0.2、0.4、0.6、0.8、1.0、1.2的亞硝基胍處理30min,離心,棄上清,用pH 值為6.5的磷酸緩沖溶液洗滌菌體3次以終止反應(yīng),最后用無(wú)菌生理鹽水梯度稀釋涂平板,待菌落成熟后計(jì)算致死率。挑選生長(zhǎng)健壯、孢子豐富的菌落傳斜面,進(jìn)行搖瓶初篩,并根據(jù)初篩結(jié)果計(jì)算正突變率。
5)氦氖激光輻照-亞硝基胍復(fù)合誘變
在最佳誘變劑量下復(fù)合處理出發(fā)菌株HK402,將處理后的單孢子菌懸液梯度稀釋后涂平板,進(jìn)行菌落初篩和搖瓶初篩,根據(jù)初篩結(jié)果計(jì)算致死率和正突變率。
1.3.3 計(jì)算與檢測(cè)方法
1)致死率和正突變率的計(jì)算
2)發(fā)酵單位的測(cè)定
采用HPLC法[11]測(cè)定發(fā)酵單位。
將HK402的無(wú)菌菌懸液用氦氖激光輻照不同時(shí)間后,計(jì)算致死率和正突變率,結(jié)果見(jiàn)表1。
表1 氦氖激光輻照不同時(shí)間后的致死率和正突變率/%Tab.1 Death rate and positive mutation rate after irradiating different time by He-Ne laser/%
由表1可知:隨著氦氖激光輻照時(shí)間的延長(zhǎng),菌株的致死率逐漸升高;在輻照40min時(shí)菌株的致死率達(dá)到78.2%,此時(shí)正突變率最高,為25.3%;繼續(xù)延長(zhǎng)輻照時(shí)間,菌株的致死率趨于平穩(wěn),但正突變率逐漸降低。因此,氦氖激光輻照誘變時(shí)間以40min為宜。
出發(fā)菌株HK402 經(jīng)氦氖激光輻照不同時(shí)間后,篩選得到了發(fā)酵單位比出發(fā)菌株提高10%的正突變菌株共68株,其中有7株為誘變40min的菌株,其發(fā)酵單位較出發(fā)菌株高20%以上,菌株14-8-102發(fā)酵單位最高,比出發(fā)菌株高25%。
將HK402的無(wú)菌菌懸液用不同濃度的亞硝基胍溶液處理后,計(jì)算致死率和正突變率,結(jié)果見(jiàn)圖1。
圖1 不同濃度亞硝基胍誘變后的致死率和正突變率Fig.1 Death rate and positive mutation rate after mutated by different concentrations of NTG
由圖1可知:隨著亞硝基胍濃度的增大,菌株的致死率逐漸升高;在亞硝基胍濃度為0.8mg·mL-1時(shí)菌株的致死率達(dá)到75.5%,此時(shí)正突變率最高,為28.1%;繼續(xù)增大亞硝基胍濃度至1.2mg·mL-1時(shí),菌株的致死率接近100%,正突變率卻降低到5.3%。因此,亞硝基胍誘變濃度以0.8mg·mL-1為宜。
HK402經(jīng)亞硝基胍誘變后,從0.8mg·mL-1劑量組中篩選到了發(fā)酵單位最高的菌株14-9-196,比出發(fā)菌株高19%。
用氦氖激光輻照和0.8mg·mL-1的亞硝基胍溶液復(fù)合處理出發(fā)菌株HK402,氦氖激光輻照時(shí)間為40min,亞硝酸胍處理時(shí)間為30 min,篩選得到了10株高產(chǎn)菌株,結(jié)果見(jiàn)圖2。
由圖2可見(jiàn),復(fù)合誘變得到的高產(chǎn)菌株14-10-98的發(fā)酵單位最高,比出發(fā)菌株HK402高35%,比單用氦氖激光輻照誘變得到的高產(chǎn)菌株14-8-102高8%,比單用亞硝基胍誘變得到的高產(chǎn)菌株14-9-196高13%。
圖2 氦氖激光輻照-亞硝基胍復(fù)合誘變結(jié)果Fig.2 Results of complex mutagenesis of He-Ne laser irradiation and NTG
將誘變高產(chǎn)菌株進(jìn)行傳代實(shí)驗(yàn),以出發(fā)菌株HK402為對(duì)照(發(fā)酵單位以100計(jì)),考察其遺傳穩(wěn)定性,結(jié)果見(jiàn)圖3。
圖3 高產(chǎn)菌株的遺傳穩(wěn)定性Fig.3 Genetic stability of the high producing strains
由圖3可見(jiàn):?jiǎn)我徽T變得到的高產(chǎn)菌株14-8-102和14-9-106的遺傳穩(wěn)定性都不好,發(fā)酵單位從2代斜面開(kāi)始就發(fā)生回落,傳代4次以上菌株的高產(chǎn)特性基本消失;而復(fù)合誘變得到的高產(chǎn)菌株14-10-98在斜面?zhèn)鞔?次的遺傳穩(wěn)定性仍然較好,是一株已具備上罐條件的高產(chǎn)菌株。
用氦氖激光輻照和亞硝基胍誘變達(dá)托霉素產(chǎn)生菌HK402,發(fā)現(xiàn)單獨(dú)使用氦氖激光輻照誘變得到的高產(chǎn)菌株14-8-102的發(fā)酵單位比出發(fā)菌株高25%;單獨(dú)使用亞硝基胍誘變得到的高產(chǎn)菌株14-9-196的發(fā)酵單位比出發(fā)菌株高19%;采用氦氖激光輻照-亞硝基胍復(fù)合誘變得到的高產(chǎn)菌株14-10-98的發(fā)酵單位比出發(fā)菌株高35%。采用氦氖激光輻照-亞硝基胍復(fù)合誘變較單一誘變的效果好,而且高產(chǎn)菌株傳代5代后遺傳穩(wěn)定性良好。
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