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        氮化硼對氟鋁酸鍶紅色熒光粉Sr 3AlO4 F∶Eu3+熒光性能的影響

        2015-07-01 07:11:48高強盛談建立彭海龍蒙麗麗張麗霞梁利芳
        發(fā)光學報 2015年3期
        關鍵詞:格位激發(fā)光譜熒光粉

        高強盛,談建立,彭海龍,蒙麗麗,張麗霞,梁利芳

        (廣西師范學院化學與材料科學學院,廣西南寧 530001)

        1 引 言

        21世紀以來,LED以其高效節(jié)能、綠色環(huán)保等優(yōu)勢,日益引起人們的重視。發(fā)光材料的研究和產(chǎn)業(yè)也隨之蓬勃發(fā)展,稀土作為發(fā)光材料中的關鍵元素發(fā)揮著重要的作用[1-2]。目前常用兩種方法實現(xiàn)白光:一是利用發(fā)射藍光的LED和熒光粉發(fā)射的黃光混合而得到白光,例如使用發(fā)射460 nm的藍光InGaN芯片作用于YAG(Y3Al5O12∶Ce)黃光熒光粉;二是以近紫外光激發(fā)紅、綠、藍三基色的混合熒光粉而得到白光[3-4]。

        近來,Sr3-xAxAl1-yMyO4F(A=Ca,Ba,0<x<1;M=Ga,In,0<y<1)體系[5-6]被作為新的發(fā)光材料得到了廣泛研究。這類體系的原料無毒易得,合成方法簡單,與易潮解的氟化物相比,它們在空氣中穩(wěn)定,在摻雜稀土激活劑后表現(xiàn)出優(yōu)良的熒光性能。該體系熒光材料能夠被紫外光激發(fā)而發(fā)光,例如基質(zhì)本身因缺陷的發(fā)光[7-8]、摻雜Ce3+離子的發(fā)光[9-15]、共摻Ce3+-Tb3+離子的發(fā)光[16-17]、摻雜Eu3+離子的發(fā)光[18-23]以及摻雜其他稀土離子(Sm3+,Dy3+,Tm3+,Er3+)的發(fā)光[19,22-24]等。改變基質(zhì)的組成和電荷補償能明顯影響體系的熒光性能。摻雜Eu3+離子的Sr3AlO4F熒光粉在紫外光(300 nm左右)激發(fā)下發(fā)射以619 nm為主的紅光。本文通過在Sr3AlO4F基質(zhì)中摻雜BN來改變基質(zhì)的組成和內(nèi)部結構,探討在此條件下Eu3+離子發(fā)光性能的變化。

        2 實 驗

        按照化學式Sr3-xAl1-yByO4-yNyF∶x Eu3+的計量比分別稱取SrCO3、SrF2、Al2O3、BN和Eu2O3。反應原料均為分析純,其中SrCO3和SrF2由阿拉丁試劑公司生產(chǎn),Al2O3、BN和Eu2O3由中國醫(yī)藥集團生產(chǎn)。將稱量好的粉末試劑置于瑪瑙研缽中研磨均勻,然后轉(zhuǎn)移至剛玉坩堝,并送入管式馬弗爐,在氮氣氛圍中升溫至1 300℃,保溫4 h后自然降至室溫。將合成的樣品研磨均勻待測。

        利用X射線粉末衍射儀(XRD)表征物相結構(XD-3 X射線衍射儀,北京普析),Cu靶連續(xù)掃描(Kα,λ=0.154 05 nm),2θ掃描范圍為10°~70°,步進速率為4(°)/min。利用熒光分光光度計測試樣品的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜(島津RF-5 301PC,Hitachi F-2500),激發(fā)源為150 W氙燈。利用X-射線光電子能譜對樣品進行表面組分分析(Thermo VG Multilab 2000),A1靶連續(xù)掃描(Kα,1 486.6 eV),真空度優(yōu)于5.0×10-6Pa。利用掃描電鏡測試樣品顆粒的大小和形貌(ZEISS EVO18,德國卡爾蔡司)。所有測試均在室溫條件下進行。

        3 結果與討論

        圖1為BN添加量為y=0~0.08時所合成樣品Sr2.9Al1-yByO4-yNyF∶0.1Eu3+的XRD圖譜。所合成樣品的衍射峰與Sr3AlO4F的JCPDS標準卡片No.89-4485基本吻合,表明所合成樣品為四方晶相結構(I4/mcm空間群,a=b=0.678 nm,c=1.114 nm)。在Sr3AlO4F晶體結構中,Sr2+離子占有兩種格位[5-6],分別為8配位格位Sr2+(1)(CN=8,r=0.126 nm)和10配位格位Sr2+(2)(CN=10,r=0.136 nm)。由于Eu3+離子的半徑比Sr2+小,摻雜后可以部分取代Sr2+,但Eu3+(CN=8,r=0.107 nm)被認為更傾向于取代Sr2+(1)格位,如圖2所示??紤]到半徑和電荷的關系,我們認為在BN摻雜所合成的樣品中,N3-離子(0.146 nm)取代半徑相近的O2-離子(0.14 nm),而離子半徑更小的B3+離子(0.027 nm)取代Al3+離子(0.053 5 nm)。根據(jù)XRD衍射數(shù)據(jù)計算得到的樣品晶格參數(shù)如表1所示。

        圖1 Sr2.9 Al1-y B y O4-y N y F∶0.1Eu3+(y=0~0.08)的XRD圖譜Fig.1 Powder XRD patterns of Sr2.9Al1-y B y O4-y N y F∶0.1Eu3+(y=0~0.08)

        圖2 Sr3AlO4F晶體結構示意圖[24]Fig.2 Perspective view of the crystal structure of Sr3AlO4F[24]

        由表1可以看出,相對于Sr2.9AlO4F∶0.1Eu3+,Sr2.9Al1-yByO4-yNyF∶0.1Eu3+的晶胞參數(shù)有所變化。摻雜BN后,晶胞參數(shù)a變小,而c變大。當BN部分取代Al2O3進入晶格后,由于離子半徑更小的B3+(0.027 nm)部分取代Al3+(0.053 5 nm),造成了AlO4四面體的收縮;而另一方面,N3-(0.146 nm)取代O2-(0.14 nm),又使AlO4四面體有所增大。從半徑差距的角度看,前者的影響可能會大于后者,其結果是晶格畸變,晶胞參數(shù)有所變化。但是隨著BN摻雜量的增加,a和c值起伏比較大,尤其是后者,這種結果可能是誤差所致。

        表1 Sr 2.9 Al1-y B y O4-y N y F∶0.1Eu3+的晶胞參數(shù)Table 1 Parameters of cell in Sr2.9 Al1-y B y O4-y N y F∶0.1Eu3+

        圖3為樣品Sr2.9Eu0.1Al1-yByO4-yNyF(y=0.07)的XPS圖譜,由此可以分析所合成樣品的表面化學組成。由圖可知,構成樣品的7種元素(Sr,Al,O,F(xiàn),Eu,B,N)均可檢測到,而Eu、B和N元素因摻雜量比較小,所顯示出來的能譜峰很弱。

        圖3 Sr2.9Eu0.1 Al1-y B y O4-y N y F(y=0.07)的XPS圖譜Fig.3 XPSspectrum of Sr2.9Eu0.1Al1-y B y O4-y N y F(y=0.07)

        圖4(a)為Sr2.9AlO4F∶0.1Eu3+(y=0)樣品的SEM圖像,圖中顯示所合成樣品顆粒在10μm以下,顆粒表面呈絮花狀,里面則堆積許多條狀物。當y=0.05時(圖4(b)),樣品的顆粒為結晶度高、表面光滑的不規(guī)則幾何多面體,多數(shù)顆粒在10μm以下。當y=0.07時(圖4(c)),樣品顆粒增大為20μm左右,顆粒表面粗糙,形狀不規(guī)則,且硬度變大。由此可知,在Sr2.9AlO4F∶0.1Eu3+中摻雜一定量的BN可以改變樣品的顆粒大小、結晶度、形貌、硬度以及表面的光滑度,而這些特性對熒光粉的熒光性能有很大的影響。當y=0.05時,樣品顆粒所具有的這些特性應該對熒光性能產(chǎn)生良好的作用。

        圖4 Sr2.9 Eu0.1 Al1-y B y O4-y N y F的SEM圖像。(a)y=0;(b)y=0.05;(c)y=0.07。Fig.4 SEM images of Sr2.9 Eu0.1 Al1-y B y O4-y N y F.(a)y=0.(b)y=0.05.(c)y=0.07.

        圖5(a)和(b)為Sr2.9Eu0.1Al1-yByO4-yNyF(y=0~0.08)的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜。如圖5(a)所示,在監(jiān)測波長為621 nm時,激發(fā)光譜表現(xiàn)出一個很強的寬峰和幾個弱銳峰(內(nèi)插圖)。寬峰吸收范圍為240~350 nm,主峰大約為291 nm,對應于Eu3+-O2-的電荷遷移吸收。幾個弱銳峰分別位于365,385,395 nm,均屬于Eu3+的4f-4f躍遷吸收,分別對應于7F0→5D4、7F0→5G3和7F0→5L6能級躍遷。隨著BN摻雜量的增加,激發(fā)寬峰的最高位置基本沒有變化,強度則先增大而后減小,最大值出現(xiàn)在y=0.05。在290 nm激發(fā)下,發(fā)射光譜在580,590,621 nm處出現(xiàn)強的發(fā)射峰(圖5(b)),其中621 nm的發(fā)射最強。這幾個發(fā)射峰分別歸屬于Eu3+的5D0→7F0(580 nm)、5D0→7F1(590 nm)和5D0→7F2(621 nm)能級躍遷輻射。同樣,隨著BN摻雜量的增加,發(fā)射峰強度先增大后減小,最大值出現(xiàn)在y=0.05。實驗結果表明,摻入一定量的BN可以提高Eu3+的發(fā)光強度。

        圖5 Sr2.9 Eu0.1 Al1-y B y O4-y N y F(y=0~0.08)的激發(fā)光譜(a,λem=621 nm)和發(fā)射光譜(b,λex=290 nm)Fig.5 Excitation(a,λem=621 nm)and emission(b,λex=290 nm)spectra of Eu3+in Sr2.9 Eu0.1 Al1-y-B y O4-y N y F(y=0~0.08)

        正如前面所討論的,在Sr3AlO4F基質(zhì)熒光粉中,Eu3+取代Sr2+,而BN的摻雜使部分Al3+被B3+取代,O2-被N3-取代。這些取代會產(chǎn)生某種程度的化學缺陷和晶格畸變,利于Eu3+的4f組態(tài)與宇稱相反的組態(tài)發(fā)生混合或者偏離對稱中心,使得f-f躍遷更易于發(fā)生。另外,N3-的共價性強于O2-,半徑大于O2-,N3-的引入使電子云的膨脹效應增強[25],Eu3+的配位環(huán)境受到影響,熒光性能也發(fā)生變化。引入BN還可以增強基質(zhì)的剛性,增強熒光發(fā)射效率。由圖4的SEM圖像還可以看出,當y=0.05時,樣品的顆粒為結晶度高、表面光滑的不規(guī)則幾何多面體,這些特性對熒光粉發(fā)光性能的增強也有很大的作用。

        圖6 Sr3-x Al0.95 B0.05 O3.95 N0.05 F:x Eu3+(x=0.06,0.08,0.10,0.12)的激發(fā)光譜(a,λem=619 nm)和發(fā)射光譜(b,λex=319 nm)Fig.6 Excitation(a,λem=619 nm)and emission(b,λex=319 nm)spectra of Eu3+in Sr3-x Al0.95 B0.05-O3.95N0.05F x Eu3+(x=0.06,0.08,0.10,0.12)

        圖6為Sr3-xAl0.95B0.05O3.95N0.05F:x Eu3+(x=0.06,0.08,0.10,0.12)的激發(fā)光譜(a)和發(fā)射光譜(b)。對激發(fā)光譜而言,隨著Eu3+離子摻雜濃度的增加,激發(fā)峰強度先增加后降低,在x=0.10時達到最大值,與此同時,Eu3+-O2-電荷遷移吸收峰的最高位置由318 nm移動到325 nm。對發(fā)射光譜而言,發(fā)射峰強度的變化趨勢與激發(fā)光譜相似,在x=0.10時發(fā)射峰強度達到最大值。在325 nm激發(fā)下,Sr2.9AlO4F∶0.1Eu3+和Sr2.9-Al0.95B0.05O3.95N0.05F∶0.1Eu3+對應的CIE色坐標如圖7所示。未添加BN時,色坐標(1)為(0.599 2,0.382 2),添加BN后,色坐標(2)為(0.599 1,0.386 2),變化很小。

        利用公式Rc≈2(3V/4πXcN)1/3[26]可以計算熒光強度最大時激活劑Eu3+離子之間的臨界距離Rc。式中V是晶胞體積,N是Eu3+離子在晶胞中的配位數(shù),Xc為Eu3+離子的臨界濃度。V、N和Xc分別為0.478 3 nm3、8和0.10,由此計算出Eu3+離子之間的臨界距離Rc為1.045 nm。當Eu3+的摻雜大于0.10時,Eu3+離子之間的平均距離小于Rc,能量在Eu3+之間傳遞產(chǎn)生交叉弛豫導致熒光猝滅。隨著Eu3+離子摻雜濃度的增加,Eu3+-O2-電荷遷移帶的最高吸收峰位發(fā)生紅移。在基質(zhì)中Eu3+離子傾向于取代8配位格位Sr2+(1)的位置,摻雜BN后,N3-取代部分O2-,使Sr2+除了與O和F配位外還與少量的N3-配位。N3-的引入使電子云膨脹效應加強,導致Eu3+-O2-電荷遷移帶的最高吸收峰位發(fā)生紅移。

        圖7 Sr2.9 AlO4F∶0.1Eu3+(1)和Sr2.9 Al0.95 B0.05 O3.95 N0.05 F∶0.1Eu3+(2)的CIE色坐標,λex=325 nm。Fig.7 CIE chromaticity diagram of Sr2.9 AlO4 F∶0.1Eu3+(1)and Sr2.9 Al0.95 B0.05 O3.95 N0.05 F∶0.1Eu3+(2),λex=325 nm.

        4 結 論

        利用氮氣保護的高溫固相法合成了Sr3-x-Al1-yByO4-yNyF∶x Eu3+系列紅色熒光粉,該系列熒光粉能夠被300 nm左右的紫外光有效激發(fā),發(fā)出Eu3+離子的特征發(fā)射。摻雜一定量的BN可以使Eu3+離子的發(fā)光得到增強,BN摻雜量y=0.05時熒光強度最高。改變Eu3+離子的摻雜濃度會使Eu3+-O2-電荷遷移帶的最高峰位發(fā)生紅移,當Eu3+離子摻雜量x=0.10時發(fā)光強度最高,此時Eu3+離子之間的臨界距離Rc為1.045 nm。BN摻雜改變Eu3+離子發(fā)光性能的原因可能源自幾方面:基質(zhì)改變會造成化學缺陷以及晶格畸變,有助于Eu3+離子的4f組態(tài)與宇稱相反的組態(tài)發(fā)生混合或者偏離對稱中心,使得f-f躍遷更易于發(fā)生;N3-的共價性和半徑大于O2-,而且?guī)в懈嗟男问诫姾?,N3-的引入使電子云的膨脹效應增強,Eu3+的配位環(huán)境受到影響,熒光性能發(fā)生變化;引入BN可以增強基質(zhì)的剛性,增大熒光發(fā)射效率;摻雜一定量的BN可以影響樣品顆粒的大小、結晶度、形貌、硬度以及表面的光滑度,尤其當y=0.05時,樣品顆粒為結晶度高、表面光滑的不規(guī)則幾何多面體,這些特點都可以增強樣品的發(fā)光性能。

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