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        SLD原理分析及研究

        2015-04-29 00:00:00何允欽楊一帆劉韜

        【摘 要】超輻射發(fā)光二極管(SLD)作為一種非相干性寬帶光源,其性能介于激光器和發(fā)光二極管之間,具有寬的光譜以及較大光輸出功率特性,成為光纖陀螺儀(FOG) 和光纖傳感器的理想光源, 同時也成為了光時域反射儀(OTDR) 以及部分光通信設(shè)備的主要光源之一,在光纖傳感器、相干光照相系統(tǒng)、光纖通訊系統(tǒng)、臨床醫(yī)學(xué)系統(tǒng)等許多方面具有廣泛的用途。介紹了超輻射發(fā)光二極管(SLD)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),工作原理,相關(guān)在發(fā)展中的應(yīng)用與問題,以及SLD內(nèi)部磁場分析和仿真設(shè)計。

        【關(guān)鍵詞】超輻射發(fā)光二極管(SLD);光輸出功率;光纖陀羅儀(FOG);SLD內(nèi)部磁場

        0.引言

        自1971年首個半導(dǎo)體SLD被制作出來后,至今短短四十年,超輻射發(fā)光二極管的研究與運用領(lǐng)域得到了飛速發(fā)展,并取得巨大的成就。由于超輻射發(fā)光二極管具有極其廣泛的運用,也就注定了它是一個熱門的領(lǐng)域。各個領(lǐng)域相輔相成,其他領(lǐng)域發(fā)展的同時,對于超輻射發(fā)光二極管的性能要求也來越高。對于所使用的SLD光源具有寬的光譜和高輸出率的特性,這是超輻射發(fā)光二極管的優(yōu)勢所在,同時讓其所在的系統(tǒng)具有高靈敏度,低相干性,高穩(wěn)定性以及低噪聲等也是人們所研究和改進(jìn)超輻射發(fā)光二極管的目標(biāo)和方向。此外,SLD作為一種優(yōu)良性能的發(fā)光二極管,其內(nèi)部磁場也是研究的一個方向。

        當(dāng)今有關(guān)SLD技術(shù)的許多方面運用已很純熟。其一:SLD在光纖陀螺儀中起到很大的作用。光纖陀螺儀(IFOG)是一種全固態(tài)慣性測量器,在電子工業(yè),重工業(yè)等領(lǐng)域中有廣泛作用。超輻射發(fā)光二極管光譜寬度,輸出功率,溫度穩(wěn)定性等性能滿足光纖陀螺儀的要求,成為其首選光源器件。其二:在光學(xué)相關(guān)層析技術(shù)(OCT)中,超輻射發(fā)光二極管也是其理想光源之一。OTC是一種新興的無損傷診斷技術(shù),其高精度分辨率決定了它要求光纖長度較短,SLD成為它的理想選擇。其三:SLD在低相干光時域反射儀(OTDR)中的運用。OTDC的重要指標(biāo)包括分辨率和動態(tài)范圍,而SLD的相關(guān)長度短,高輸出功率成為其選擇目標(biāo)。其四:SLD能用于波分復(fù)用技術(shù)中也是因為其高輸出功率,寬光譜的特點,且能與光纖傳輸技術(shù)兼容并用于其中[1]。SLD因為其優(yōu)良的性能,廣泛運用于光學(xué),電子工業(yè),航空航天,軍工,醫(yī)學(xué)等方面,隨著時間的推移,人們對于SLD會有更深層次的研究和長足發(fā)展。

        目前所能生產(chǎn)SLD光源元件主要由發(fā)光管管芯、熱敏電阻器和半導(dǎo)體制冷器組成[2]。在光源驅(qū)動電路中,主要通過控制發(fā)光管管芯和驅(qū)動電流來控制SLD光源件,使其達(dá)到溫度和電流相互控制形成的自動控制功能。其中SLD光源件的控制方法有廣泛使用的模擬控制法和數(shù)字化控制法。

        常用的SLD光源元件采用標(biāo)準(zhǔn)14腳雙列直插或8腳蝶型帶尾纖的耦合封裝[3]。它是一種內(nèi)部單程增益光發(fā)射器件,其性能指標(biāo)主要由輸出功率決定,并且摻雜光譜寬度性能。正向電流注人后 有源層內(nèi)反轉(zhuǎn)分布的電子從導(dǎo)帶躍遷到導(dǎo)價帶或雜質(zhì)能級時, 與空穴復(fù)合而釋放出光子,這種自發(fā)輻射的光子在給定腔體中傳播時受增益作用而得到放大[4]。傳統(tǒng)的激光半導(dǎo)體中,腔體兩端面的反射作用形成諧振,當(dāng)注入電流高于闕值后,端面輸出增大而形成激光。而在SLD半導(dǎo)體光源器件中,經(jīng)過改善和加工,其后端反射形成的諧波不足以形成激光,輸出的是非相干光。但是由于光在途中受到增益作用,使得SLD器件的調(diào)制帶寬增大。

        而在SLD光源器件接入電源工作后,會產(chǎn)生相應(yīng)的熱量,使光源溫度升高,影響光源器件的輸出功率。如果輸入電流不變,那么隨著溫度的升高,其輸出功率就會降低,造成輸出功率的不穩(wěn)定,這一問題影響了SLD光源器件的性能。同理,如果保持SLD內(nèi)部器件的溫度不升高,那么電流增大就能使SLD光源器件的輸出功率增大,但是不可能無限增大電流,因為現(xiàn)有的技術(shù)以及對其外觀大小的要求決定了只能通過協(xié)調(diào)溫度和電流之間保持達(dá)到合理的最大輸出功率。而這樣的要求就要經(jīng)過SLD光源器件的電路驅(qū)動設(shè)計來完成。SLD驅(qū)動控制多采用制冷器控制,或者恒流控制。SLD光源器件內(nèi)部雖然發(fā)光管管芯是主要的工作器件,但里面的熱敏電阻器和制冷器也是必不可少的,三者缺一不可。基于運用需求,穩(wěn)定的輸出功率的光源器件要通過完善的電路驅(qū)動設(shè)計控制電流放和制冷器來使得電流和溫度協(xié)調(diào)達(dá)到可行性的最大化輸出功率。同時,這也使得SLD光源元件的驅(qū)動設(shè)計具有多樣化,其中最廣泛的方法大致為模擬控制法,而有部分采用的是數(shù)字化控制法,多樣的設(shè)計方式展現(xiàn)出SLD寬廣的拓展范圍和發(fā)展空間。

        超輻射發(fā)光二極管的廣泛運用,促成了這一領(lǐng)域的飛速發(fā)展。首先,追求寬光譜,大功率的SLD是其主要目標(biāo)。但是注入電流的增大會使得光譜寬度變窄,經(jīng)過人們的研究,可以通過以下幾種方式解決:第一種為有源區(qū)優(yōu)化設(shè)計。SLD有源區(qū)結(jié)構(gòu)分為量子阱(QW)和量子點(QD)兩種;第二,抑制SLD受激振蕩;第三:利用橫向結(jié)取代垂直結(jié);第四:改進(jìn)散熱方式。另外,可以改良SLD使其具有抗輻射性,在一些領(lǐng)域運用里能取到很好的效果[5]。

        寬光譜,大功率輸出特性的超輻射發(fā)光二極管(SLD)將會是一個不斷深入的研究領(lǐng)域,而研制出更大輸出功率,高靈敏度,低相干性,高穩(wěn)定性的超輻射發(fā)光二極管也是人們的必然要求。但是由于溫度制約著輸出功率,就要求人們必須設(shè)計出更為完善的電路驅(qū)動方案,或者發(fā)掘新型的材料來不斷提高超輻射發(fā)光二極管的性能。相信,隨著超輻射發(fā)光二極管以及各方面的科學(xué)領(lǐng)域發(fā)展,今后的SLD光源將會得到更大的用處,并且衍生出新的領(lǐng)域。

        1.SLD內(nèi)部結(jié)構(gòu)的磁場規(guī)律

        通入電流后,SLD組件開始工作,也開始產(chǎn)生磁場。而產(chǎn)生的磁場有可能對其內(nèi)部組件工作性能產(chǎn)生影響。藉此,就SLD組件而言,可以先簡化加以研究,一個矩形金屬小盒,外加兩塊極板,通入電流的磁場接近于SLD內(nèi)部產(chǎn)生的磁場。對于這樣規(guī)律,則利用maxxwall軟件先進(jìn)行SLD建模,然后仿真出其磁場規(guī)律。借助于軟件,可以有效,直白的分析其磁場規(guī)律和效用。這也是研究的目的。

        2.結(jié)論

        超輻射發(fā)光二極管(SLD)作為一種高功率,寬光譜的光源器件,同其他的科學(xué)成果一樣也會深深影響著未來的科學(xué)發(fā)展與進(jìn)步。伴隨著今天以及將來許多更為優(yōu)良性能的SLD出現(xiàn),重點在于學(xué)習(xí),傳承并創(chuàng)新,將SLD技術(shù)推向更深層次。而對于其內(nèi)部磁場的研究,將有助于提高SLD的性能,甚至有可能發(fā)現(xiàn)它的新用途。

        【參考文獻(xiàn)】

        [1]王佐才,呂雪芹,金鵬,王占國.超輻射發(fā)光二極管的運用[J].紅外技術(shù),2010(5):32-5.

        [2]鄒燕,張春熹,劉軍等.低功耗小型化光纖陀螺SLD驅(qū)動電路的設(shè)計[J].傳感器技術(shù),2005(10):62-63.

        [3]裴雅鵬,楊軍.SLD光源驅(qū)動電路的設(shè)計與實驗研究[J].光學(xué)儀器,2005(6):58-61.

        [4]謝輝,鄭云生.超輻射發(fā)光二極管組件[J].光通信技術(shù),2004(4).

        [5]段成麗,王振.超輻射發(fā)光二極管的研究進(jìn)展[J].半導(dǎo)體光電,2013(6):34-3.

        [6]尹世剛,舒曉武,宮兆濤等.光纖陀螺用SLD光源的光功率穩(wěn)定性研究[J].光學(xué)儀器,2003(4):20-24.

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