Li/Nb變化對Mg：H0：LiNbO3晶體光學(xué)性能的影響
2015-01-04 13:36:53代麗等
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報 2014年4期
代麗等
摘要：采用提拉法生長了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實驗結(jié)果表明晶體有較好的光學(xué)均勻性，隨著Li/Nb比的增加，晶體抗光損傷能力增強，并分析了其抗光損傷能力增強的機理。結(jié)合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機制解釋了相關(guān)實驗結(jié)果。endprint
摘要：采用提拉法生長了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實驗結(jié)果表明晶體有較好的光學(xué)均勻性，隨著Li/Nb比的增加，晶體抗光損傷能力增強，并分析了其抗光損傷能力增強的機理。結(jié)合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機制解釋了相關(guān)實驗結(jié)果。endprint
摘要：采用提拉法生長了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實驗結(jié)果表明晶體有較好的光學(xué)均勻性，隨著Li/Nb比的增加，晶體抗光損傷能力增強，并分析了其抗光損傷能力增強的機理。結(jié)合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機制解釋了相關(guān)實驗結(jié)果。endprint
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