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        基于ADS的ku波段線性低噪聲放大器的設(shè)計

        2014-12-24 16:18:12劉林林張宇丹黃攀峰
        物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 2014年12期
        關(guān)鍵詞:噪聲系數(shù)

        劉林林+張宇丹+黃攀峰

        摘 要:主要介紹了寬帶低噪聲放大器的設(shè)計理論及用安捷倫公司的ADS仿真軟件進(jìn)行 Ku波段(10.8~12.7 GHz)放大器的設(shè)計和仿真。在設(shè)計的過程中選擇了Hittite Microwave公司的HMC564LC4芯片和安華高的AMMP-6408芯片,其噪聲系數(shù)更低,增益和工作頻率更高。使用微帶線進(jìn)行電路匹配,最終仿真結(jié)果:增益平坦度小于1 dB,增益大于30 dB,噪聲系數(shù)小于2 dB。

        關(guān)鍵詞:增益平坦度;噪聲系數(shù);放大器;ADS;匹配網(wǎng)絡(luò)

        中圖分類號:TN722.3 ? ? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A ? ? ? ? ? ?文章編號:2095-1302(2014)11-00-03

        0 ?引 ?言

        現(xiàn)代各種雷達(dá)新技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對其性能及參數(shù)的要求也更加的嚴(yán)格,現(xiàn)在低噪聲放大器同樣已在雷達(dá)系統(tǒng)[1]中得到更廣泛的應(yīng)用,而且是其中必不可少的電路。低噪聲放大器主要使用在雷達(dá)接收系統(tǒng)的前端,從而實現(xiàn)放大接受自天線的微弱信號的功能。線性低噪放不僅被應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng),還在通信、電子對抗和無線遙控的接收設(shè)備之中,射頻前端的放大器需要具有良好的增益平坦度,較低的噪聲系數(shù)和回波損耗,而對于寬帶的微波放大器,增益平坦度就成為一個很嚴(yán)重的問題,所以設(shè)計出性能良好的線性低噪放對市場有重要意義。論文采用Agilent公司的ADS軟件設(shè)計該放大器,ADS可以進(jìn)行各種射頻電路的仿真和優(yōu)化。

        1 ?理論分析

        當(dāng)單級放大器不能夠達(dá)到設(shè)計的增益數(shù)值,就需要采取多級電路進(jìn)行設(shè)計。因此除了常規(guī)的輸入端和輸出端的匹配網(wǎng)絡(luò),還需精心設(shè)計級間的匹配電路。由于是寬帶低噪放,所以一方面進(jìn)行電路匹配,另一方面要考慮放大器的增益平坦度。對于多級放大器,在加大增益的同時,噪聲系數(shù)會劇烈增大,同時也使得其他的指標(biāo)變差。兩級放大器的3階截點IPtot將變成

        (1)

        式中: IP1 ,IP2分別為第一級、第二級LNA的3階截點;G2為第二級LNA的增益。

        2 ?Ku波段線性低噪聲放大器的設(shè)計

        2.1 ?放大器的選擇和設(shè)計

        現(xiàn)在的MMIC技術(shù)不斷地成熟以及GaAs器件[2]蓬勃發(fā)展,微波半導(dǎo)體器件便向著體積小,高可靠性、穩(wěn)定性進(jìn)行演化。本設(shè)計選用了Hittite Microware公司的HMC564LC4芯片作為放大器的第一級,這種芯片采用晶片級封裝技術(shù)[3],尺寸很小,在漏極電壓3 V電流51 mA的條件下,信號增益為17 dB,噪聲系數(shù)為1.5 dB,OIP3為25 dBm,輸入和輸出端采用了部分內(nèi)匹配電路,簡化了系統(tǒng)設(shè)計。放大器第二級采用Avago公司的AMMP-6408芯片,在10.8~12.7 GHz內(nèi)增益在17~20 dB之間,噪聲系數(shù)為3.5 dB,OIP3為38 dBm。

        2.2 ?設(shè)計指標(biāo)要求

        頻率范圍10.8~12.7 GHz; 增益>30 dB; 增益平坦度<△1 dB; 噪聲系數(shù)<2 dB;S11,S22<-14 dB 。

        2.3 ?放大器的設(shè)計與仿真

        2.3.1 ?偏置電路設(shè)計

        HMC564LC45的Vdd1,Vdd2均為3.5 V。這兩款芯片的偏置電路設(shè)計如圖1~圖2所示。

        圖1 ?HMC564LC4偏置電路

        2.3.2 ?匹配網(wǎng)路設(shè)計

        由于需要低噪聲的放大器作為第一級,因此芯片選用HMC564LC4,它的噪聲系數(shù)為1.8 dB。第二級選用AMMP-6408,它的增益達(dá)到17 dB以上,用以取得較高的增益。

        2.3.3 ?匹配網(wǎng)路的計算機仿真

        放大器具有最佳的信號源阻抗,按照此阻抗值進(jìn)行匹配時,放大器的噪聲系數(shù)達(dá)到最低值,因此放大器在輸入端的匹配電路[4]需要按照該信號源阻抗值[5]來匹配。而如果需要提高放大器的功率增益值,較低的放大器輸出駐波比,輸出端則應(yīng)該進(jìn)行共扼匹配。當(dāng)電路輸入端匹配實現(xiàn)噪聲最優(yōu)時,放大器的輸入阻抗和信號源阻抗一般情況下是失配的,因而此時的發(fā)布放大器放大倍數(shù)沒有達(dá)到最優(yōu)值。在設(shè)計放大器時應(yīng)該在得到較好的噪聲系數(shù)的前提下增大增益值。

        圖2 ?AMMP-6408偏置電路

        在設(shè)計的時候非常關(guān)鍵的是選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)作為匹配網(wǎng)絡(luò),這里輸入端采用雙枝短截線匹配,微帶線的兩個短截線開路,可以通過調(diào)節(jié)短截線的長度達(dá)到匹配的目的。輸出端采用單枝短截線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

        匹配電路設(shè)計完成后,再利用軟件進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化設(shè)計[6]。先采用Random方式優(yōu)化,然后使用Gradient優(yōu)化。經(jīng)過反復(fù)的優(yōu)化后,在根據(jù)具體的參數(shù)手動調(diào)節(jié)匹配網(wǎng)絡(luò)[7],以達(dá)到指標(biāo)要求。選取的射頻介質(zhì)基板的參數(shù)為:介電常數(shù)εr=2.65,基板厚度H=0.5 mm,Tan D=0.003。圖3是經(jīng)過匹配后的原理圖。

        圖4~圖7是仿真結(jié)果。

        圖4 ?輸入輸出反射系數(shù)

        圖5 ?增益仿真結(jié)果

        圖6 ?噪聲系數(shù)

        圖7 ?穩(wěn)定因子

        2.3.4 ?放大器的版圖設(shè)計

        仿真達(dá)到設(shè)計要求后,使用AD畫出低噪放版圖, 最終的電路板尺寸大小為55 mm*33 mm,版圖如圖8所示。

        3 ?結(jié) ?語

        從以上仿真的結(jié)果可以看出, 利用ADS軟件強大的仿真功能[8]使設(shè)計放大器非常方便。ADS軟件中有很多只做好的元器件庫和原理圖模型,方便開發(fā)者的設(shè)計,減少了設(shè)計時間。利用ADS軟件能夠進(jìn)行電路的不斷優(yōu)化,節(jié)省了大量的工作量, 也對實際電路的制作提供了較好的指導(dǎo)作用。設(shè)計的放大器工作頻段較寬,增益平坦度在1 dB之內(nèi),噪聲在2 dB以內(nèi),性能良好,對寬帶的微波放大器設(shè)計有較好的參考價值。

        圖8 ?版圖

        參考文獻(xiàn)

        [1]弋穩(wěn).雷達(dá)接收機技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2005

        [2] JOE M.Low voltage operation of GaAs power amplifier[J].Microwave Journal,2006,49(9):130-134.

        [3] HENRIK M.Wafer scale package construction and usage for RF through millimeter Waveapplications[C]Proceedings of theEuropean Microwave Conference.Rome, 2009: 1772-1775.

        [4]向宏平,杜惠平.CDMA射頻前端低噪聲放大器電路設(shè)計和研究[J].微電子學(xué),2004,34(4):432-434.

        [5]何小威,李晉文,張民選,等.1.5~6 GHz增益和噪聲系數(shù)穩(wěn)定的兩級超寬帶CMOS低噪聲放大器設(shè)計與性能模擬[J].電子學(xué)報,2010,38(7):1668-1672

        [6]梁立明,南敬昌,劉影.基于ADS射頻低噪聲放大器的設(shè)計與仿真[J].計算機仿真,2009,26(11):352-355.

        [7]王子宇.射頻電路設(shè)計——理論與應(yīng)用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2002.

        [8]黃玉蘭.ADS射頻電路設(shè)計基礎(chǔ)與典型應(yīng)用[M].北京:人民郵電出版社,2010.

        摘 要:主要介紹了寬帶低噪聲放大器的設(shè)計理論及用安捷倫公司的ADS仿真軟件進(jìn)行 Ku波段(10.8~12.7 GHz)放大器的設(shè)計和仿真。在設(shè)計的過程中選擇了Hittite Microwave公司的HMC564LC4芯片和安華高的AMMP-6408芯片,其噪聲系數(shù)更低,增益和工作頻率更高。使用微帶線進(jìn)行電路匹配,最終仿真結(jié)果:增益平坦度小于1 dB,增益大于30 dB,噪聲系數(shù)小于2 dB。

        關(guān)鍵詞:增益平坦度;噪聲系數(shù);放大器;ADS;匹配網(wǎng)絡(luò)

        中圖分類號:TN722.3 ? ? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A ? ? ? ? ? ?文章編號:2095-1302(2014)11-00-03

        0 ?引 ?言

        現(xiàn)代各種雷達(dá)新技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對其性能及參數(shù)的要求也更加的嚴(yán)格,現(xiàn)在低噪聲放大器同樣已在雷達(dá)系統(tǒng)[1]中得到更廣泛的應(yīng)用,而且是其中必不可少的電路。低噪聲放大器主要使用在雷達(dá)接收系統(tǒng)的前端,從而實現(xiàn)放大接受自天線的微弱信號的功能。線性低噪放不僅被應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng),還在通信、電子對抗和無線遙控的接收設(shè)備之中,射頻前端的放大器需要具有良好的增益平坦度,較低的噪聲系數(shù)和回波損耗,而對于寬帶的微波放大器,增益平坦度就成為一個很嚴(yán)重的問題,所以設(shè)計出性能良好的線性低噪放對市場有重要意義。論文采用Agilent公司的ADS軟件設(shè)計該放大器,ADS可以進(jìn)行各種射頻電路的仿真和優(yōu)化。

        1 ?理論分析

        當(dāng)單級放大器不能夠達(dá)到設(shè)計的增益數(shù)值,就需要采取多級電路進(jìn)行設(shè)計。因此除了常規(guī)的輸入端和輸出端的匹配網(wǎng)絡(luò),還需精心設(shè)計級間的匹配電路。由于是寬帶低噪放,所以一方面進(jìn)行電路匹配,另一方面要考慮放大器的增益平坦度。對于多級放大器,在加大增益的同時,噪聲系數(shù)會劇烈增大,同時也使得其他的指標(biāo)變差。兩級放大器的3階截點IPtot將變成

        (1)

        式中: IP1 ,IP2分別為第一級、第二級LNA的3階截點;G2為第二級LNA的增益。

        2 ?Ku波段線性低噪聲放大器的設(shè)計

        2.1 ?放大器的選擇和設(shè)計

        現(xiàn)在的MMIC技術(shù)不斷地成熟以及GaAs器件[2]蓬勃發(fā)展,微波半導(dǎo)體器件便向著體積小,高可靠性、穩(wěn)定性進(jìn)行演化。本設(shè)計選用了Hittite Microware公司的HMC564LC4芯片作為放大器的第一級,這種芯片采用晶片級封裝技術(shù)[3],尺寸很小,在漏極電壓3 V電流51 mA的條件下,信號增益為17 dB,噪聲系數(shù)為1.5 dB,OIP3為25 dBm,輸入和輸出端采用了部分內(nèi)匹配電路,簡化了系統(tǒng)設(shè)計。放大器第二級采用Avago公司的AMMP-6408芯片,在10.8~12.7 GHz內(nèi)增益在17~20 dB之間,噪聲系數(shù)為3.5 dB,OIP3為38 dBm。

        2.2 ?設(shè)計指標(biāo)要求

        頻率范圍10.8~12.7 GHz; 增益>30 dB; 增益平坦度<△1 dB; 噪聲系數(shù)<2 dB;S11,S22<-14 dB 。

        2.3 ?放大器的設(shè)計與仿真

        2.3.1 ?偏置電路設(shè)計

        HMC564LC45的Vdd1,Vdd2均為3.5 V。這兩款芯片的偏置電路設(shè)計如圖1~圖2所示。

        圖1 ?HMC564LC4偏置電路

        2.3.2 ?匹配網(wǎng)路設(shè)計

        由于需要低噪聲的放大器作為第一級,因此芯片選用HMC564LC4,它的噪聲系數(shù)為1.8 dB。第二級選用AMMP-6408,它的增益達(dá)到17 dB以上,用以取得較高的增益。

        2.3.3 ?匹配網(wǎng)路的計算機仿真

        放大器具有最佳的信號源阻抗,按照此阻抗值進(jìn)行匹配時,放大器的噪聲系數(shù)達(dá)到最低值,因此放大器在輸入端的匹配電路[4]需要按照該信號源阻抗值[5]來匹配。而如果需要提高放大器的功率增益值,較低的放大器輸出駐波比,輸出端則應(yīng)該進(jìn)行共扼匹配。當(dāng)電路輸入端匹配實現(xiàn)噪聲最優(yōu)時,放大器的輸入阻抗和信號源阻抗一般情況下是失配的,因而此時的發(fā)布放大器放大倍數(shù)沒有達(dá)到最優(yōu)值。在設(shè)計放大器時應(yīng)該在得到較好的噪聲系數(shù)的前提下增大增益值。

        圖2 ?AMMP-6408偏置電路

        在設(shè)計的時候非常關(guān)鍵的是選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)作為匹配網(wǎng)絡(luò),這里輸入端采用雙枝短截線匹配,微帶線的兩個短截線開路,可以通過調(diào)節(jié)短截線的長度達(dá)到匹配的目的。輸出端采用單枝短截線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

        匹配電路設(shè)計完成后,再利用軟件進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化設(shè)計[6]。先采用Random方式優(yōu)化,然后使用Gradient優(yōu)化。經(jīng)過反復(fù)的優(yōu)化后,在根據(jù)具體的參數(shù)手動調(diào)節(jié)匹配網(wǎng)絡(luò)[7],以達(dá)到指標(biāo)要求。選取的射頻介質(zhì)基板的參數(shù)為:介電常數(shù)εr=2.65,基板厚度H=0.5 mm,Tan D=0.003。圖3是經(jīng)過匹配后的原理圖。

        圖4~圖7是仿真結(jié)果。

        圖4 ?輸入輸出反射系數(shù)

        圖5 ?增益仿真結(jié)果

        圖6 ?噪聲系數(shù)

        圖7 ?穩(wěn)定因子

        2.3.4 ?放大器的版圖設(shè)計

        仿真達(dá)到設(shè)計要求后,使用AD畫出低噪放版圖, 最終的電路板尺寸大小為55 mm*33 mm,版圖如圖8所示。

        3 ?結(jié) ?語

        從以上仿真的結(jié)果可以看出, 利用ADS軟件強大的仿真功能[8]使設(shè)計放大器非常方便。ADS軟件中有很多只做好的元器件庫和原理圖模型,方便開發(fā)者的設(shè)計,減少了設(shè)計時間。利用ADS軟件能夠進(jìn)行電路的不斷優(yōu)化,節(jié)省了大量的工作量, 也對實際電路的制作提供了較好的指導(dǎo)作用。設(shè)計的放大器工作頻段較寬,增益平坦度在1 dB之內(nèi),噪聲在2 dB以內(nèi),性能良好,對寬帶的微波放大器設(shè)計有較好的參考價值。

        圖8 ?版圖

        參考文獻(xiàn)

        [1]弋穩(wěn).雷達(dá)接收機技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2005

        [2] JOE M.Low voltage operation of GaAs power amplifier[J].Microwave Journal,2006,49(9):130-134.

        [3] HENRIK M.Wafer scale package construction and usage for RF through millimeter Waveapplications[C]Proceedings of theEuropean Microwave Conference.Rome, 2009: 1772-1775.

        [4]向宏平,杜惠平.CDMA射頻前端低噪聲放大器電路設(shè)計和研究[J].微電子學(xué),2004,34(4):432-434.

        [5]何小威,李晉文,張民選,等.1.5~6 GHz增益和噪聲系數(shù)穩(wěn)定的兩級超寬帶CMOS低噪聲放大器設(shè)計與性能模擬[J].電子學(xué)報,2010,38(7):1668-1672

        [6]梁立明,南敬昌,劉影.基于ADS射頻低噪聲放大器的設(shè)計與仿真[J].計算機仿真,2009,26(11):352-355.

        [7]王子宇.射頻電路設(shè)計——理論與應(yīng)用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2002.

        [8]黃玉蘭.ADS射頻電路設(shè)計基礎(chǔ)與典型應(yīng)用[M].北京:人民郵電出版社,2010.

        摘 要:主要介紹了寬帶低噪聲放大器的設(shè)計理論及用安捷倫公司的ADS仿真軟件進(jìn)行 Ku波段(10.8~12.7 GHz)放大器的設(shè)計和仿真。在設(shè)計的過程中選擇了Hittite Microwave公司的HMC564LC4芯片和安華高的AMMP-6408芯片,其噪聲系數(shù)更低,增益和工作頻率更高。使用微帶線進(jìn)行電路匹配,最終仿真結(jié)果:增益平坦度小于1 dB,增益大于30 dB,噪聲系數(shù)小于2 dB。

        關(guān)鍵詞:增益平坦度;噪聲系數(shù);放大器;ADS;匹配網(wǎng)絡(luò)

        中圖分類號:TN722.3 ? ? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A ? ? ? ? ? ?文章編號:2095-1302(2014)11-00-03

        0 ?引 ?言

        現(xiàn)代各種雷達(dá)新技術(shù)的不斷發(fā)展,人們對其性能及參數(shù)的要求也更加的嚴(yán)格,現(xiàn)在低噪聲放大器同樣已在雷達(dá)系統(tǒng)[1]中得到更廣泛的應(yīng)用,而且是其中必不可少的電路。低噪聲放大器主要使用在雷達(dá)接收系統(tǒng)的前端,從而實現(xiàn)放大接受自天線的微弱信號的功能。線性低噪放不僅被應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng),還在通信、電子對抗和無線遙控的接收設(shè)備之中,射頻前端的放大器需要具有良好的增益平坦度,較低的噪聲系數(shù)和回波損耗,而對于寬帶的微波放大器,增益平坦度就成為一個很嚴(yán)重的問題,所以設(shè)計出性能良好的線性低噪放對市場有重要意義。論文采用Agilent公司的ADS軟件設(shè)計該放大器,ADS可以進(jìn)行各種射頻電路的仿真和優(yōu)化。

        1 ?理論分析

        當(dāng)單級放大器不能夠達(dá)到設(shè)計的增益數(shù)值,就需要采取多級電路進(jìn)行設(shè)計。因此除了常規(guī)的輸入端和輸出端的匹配網(wǎng)絡(luò),還需精心設(shè)計級間的匹配電路。由于是寬帶低噪放,所以一方面進(jìn)行電路匹配,另一方面要考慮放大器的增益平坦度。對于多級放大器,在加大增益的同時,噪聲系數(shù)會劇烈增大,同時也使得其他的指標(biāo)變差。兩級放大器的3階截點IPtot將變成

        (1)

        式中: IP1 ,IP2分別為第一級、第二級LNA的3階截點;G2為第二級LNA的增益。

        2 ?Ku波段線性低噪聲放大器的設(shè)計

        2.1 ?放大器的選擇和設(shè)計

        現(xiàn)在的MMIC技術(shù)不斷地成熟以及GaAs器件[2]蓬勃發(fā)展,微波半導(dǎo)體器件便向著體積小,高可靠性、穩(wěn)定性進(jìn)行演化。本設(shè)計選用了Hittite Microware公司的HMC564LC4芯片作為放大器的第一級,這種芯片采用晶片級封裝技術(shù)[3],尺寸很小,在漏極電壓3 V電流51 mA的條件下,信號增益為17 dB,噪聲系數(shù)為1.5 dB,OIP3為25 dBm,輸入和輸出端采用了部分內(nèi)匹配電路,簡化了系統(tǒng)設(shè)計。放大器第二級采用Avago公司的AMMP-6408芯片,在10.8~12.7 GHz內(nèi)增益在17~20 dB之間,噪聲系數(shù)為3.5 dB,OIP3為38 dBm。

        2.2 ?設(shè)計指標(biāo)要求

        頻率范圍10.8~12.7 GHz; 增益>30 dB; 增益平坦度<△1 dB; 噪聲系數(shù)<2 dB;S11,S22<-14 dB 。

        2.3 ?放大器的設(shè)計與仿真

        2.3.1 ?偏置電路設(shè)計

        HMC564LC45的Vdd1,Vdd2均為3.5 V。這兩款芯片的偏置電路設(shè)計如圖1~圖2所示。

        圖1 ?HMC564LC4偏置電路

        2.3.2 ?匹配網(wǎng)路設(shè)計

        由于需要低噪聲的放大器作為第一級,因此芯片選用HMC564LC4,它的噪聲系數(shù)為1.8 dB。第二級選用AMMP-6408,它的增益達(dá)到17 dB以上,用以取得較高的增益。

        2.3.3 ?匹配網(wǎng)路的計算機仿真

        放大器具有最佳的信號源阻抗,按照此阻抗值進(jìn)行匹配時,放大器的噪聲系數(shù)達(dá)到最低值,因此放大器在輸入端的匹配電路[4]需要按照該信號源阻抗值[5]來匹配。而如果需要提高放大器的功率增益值,較低的放大器輸出駐波比,輸出端則應(yīng)該進(jìn)行共扼匹配。當(dāng)電路輸入端匹配實現(xiàn)噪聲最優(yōu)時,放大器的輸入阻抗和信號源阻抗一般情況下是失配的,因而此時的發(fā)布放大器放大倍數(shù)沒有達(dá)到最優(yōu)值。在設(shè)計放大器時應(yīng)該在得到較好的噪聲系數(shù)的前提下增大增益值。

        圖2 ?AMMP-6408偏置電路

        在設(shè)計的時候非常關(guān)鍵的是選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)作為匹配網(wǎng)絡(luò),這里輸入端采用雙枝短截線匹配,微帶線的兩個短截線開路,可以通過調(diào)節(jié)短截線的長度達(dá)到匹配的目的。輸出端采用單枝短截線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

        匹配電路設(shè)計完成后,再利用軟件進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化設(shè)計[6]。先采用Random方式優(yōu)化,然后使用Gradient優(yōu)化。經(jīng)過反復(fù)的優(yōu)化后,在根據(jù)具體的參數(shù)手動調(diào)節(jié)匹配網(wǎng)絡(luò)[7],以達(dá)到指標(biāo)要求。選取的射頻介質(zhì)基板的參數(shù)為:介電常數(shù)εr=2.65,基板厚度H=0.5 mm,Tan D=0.003。圖3是經(jīng)過匹配后的原理圖。

        圖4~圖7是仿真結(jié)果。

        圖4 ?輸入輸出反射系數(shù)

        圖5 ?增益仿真結(jié)果

        圖6 ?噪聲系數(shù)

        圖7 ?穩(wěn)定因子

        2.3.4 ?放大器的版圖設(shè)計

        仿真達(dá)到設(shè)計要求后,使用AD畫出低噪放版圖, 最終的電路板尺寸大小為55 mm*33 mm,版圖如圖8所示。

        3 ?結(jié) ?語

        從以上仿真的結(jié)果可以看出, 利用ADS軟件強大的仿真功能[8]使設(shè)計放大器非常方便。ADS軟件中有很多只做好的元器件庫和原理圖模型,方便開發(fā)者的設(shè)計,減少了設(shè)計時間。利用ADS軟件能夠進(jìn)行電路的不斷優(yōu)化,節(jié)省了大量的工作量, 也對實際電路的制作提供了較好的指導(dǎo)作用。設(shè)計的放大器工作頻段較寬,增益平坦度在1 dB之內(nèi),噪聲在2 dB以內(nèi),性能良好,對寬帶的微波放大器設(shè)計有較好的參考價值。

        圖8 ?版圖

        參考文獻(xiàn)

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        [3] HENRIK M.Wafer scale package construction and usage for RF through millimeter Waveapplications[C]Proceedings of theEuropean Microwave Conference.Rome, 2009: 1772-1775.

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        [7]王子宇.射頻電路設(shè)計——理論與應(yīng)用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2002.

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