袁 博,黃 亮,全書海
(武漢理工大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院,湖北 武漢 430070)
低功率瓷盤電阻、滑線變阻器或電阻箱常作為測試負(fù)載,這些負(fù)載分辨率低,阻值會因接觸不良和發(fā)熱發(fā)生變化,并且它們大都設(shè)備笨重,攜帶不便,調(diào)節(jié)費(fèi)力,精度難以保證。負(fù)載電流不能連續(xù)調(diào)節(jié),在加電的狀態(tài)下從零調(diào)到滿載,易接觸不良,打火燒毀,難以用于程控化、數(shù)字化的自動(dòng)化生產(chǎn)線上,更不能測試電源的動(dòng)態(tài)參數(shù)[1]。針對大量場合需使用負(fù)載對產(chǎn)品進(jìn)行測試,而現(xiàn)有負(fù)載不能實(shí)現(xiàn)平滑調(diào)節(jié)的問題,采用功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),靠控制功率管導(dǎo)通量改變功率管耗散功率的電子負(fù)載已成為研究的熱點(diǎn)。
文獻(xiàn)[2]中提出了一種電子負(fù)載的拓?fù)洌撏負(fù)涔ぷ鲿r(shí)能將一部分電能儲存在電池中,但是該結(jié)構(gòu)響應(yīng)速度不快,該結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足一些高速測量的要求。文獻(xiàn)[3]給出了電子負(fù)載的拓?fù)洌﹄娮迂?fù)載進(jìn)行了大致的分析,沒有詳細(xì)分析電子負(fù)載結(jié)構(gòu)。文獻(xiàn)[4-6]介紹了電子負(fù)載的控制與工作原理,加入了數(shù)字控制環(huán)節(jié),在一定程度上提高了電子負(fù)載的精度,但是并未給出電子負(fù)載的詳細(xì)模型,僅通過控制算法的改進(jìn)提升電子負(fù)載的性能。文獻(xiàn)[7]提出了能饋電子負(fù)載,但是對電子負(fù)載響應(yīng)速度沒有進(jìn)行分析。文獻(xiàn)[8]分析了電子負(fù)載的模型,該模型基于電子負(fù)載外部等效模型,設(shè)計(jì)了不同的控制環(huán)路,但是該模型未能詳細(xì)描述電子負(fù)載內(nèi)部結(jié)構(gòu),且響應(yīng)速度不快。
筆者通過加入驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)電路提高了電子負(fù)載響應(yīng)速度,建立了電子負(fù)載的模型并繪制電子負(fù)載開環(huán)伯德圖,利用補(bǔ)償電路對電子負(fù)載進(jìn)行補(bǔ)償,并對該電路進(jìn)行了改進(jìn),使其超調(diào)量減少,實(shí)現(xiàn)無靜差響應(yīng),保證了電子負(fù)載模擬閉環(huán)控制的快速性,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該補(bǔ)償器的穩(wěn)定性。
如圖1所示,電子負(fù)載的結(jié)構(gòu)以MOS管為主,被測電源的電能主要消耗在MOS管上。當(dāng)MOS管源極和漏極兩端存在正向電壓時(shí),MOS管上有電流流過,這時(shí)MOS管上會有功率消耗。由于柵源電壓的大小決定流過MOS管最大電流的大小,因此,在MOS管上消耗的功率是可以控制的。電子負(fù)載在工作時(shí)通過采樣電阻上的電壓與給定電壓和運(yùn)算放大器共同構(gòu)成負(fù)反饋,運(yùn)算放大器為MOS管提供偏置電壓,改變MOS管流過電流的大小,從而達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。
圖1 電子負(fù)載原理圖
對于實(shí)際的運(yùn)算放大器,輸出功率不足會引起整個(gè)電子負(fù)載響應(yīng)速度減慢以及輸出振蕩,因此在運(yùn)算放大器輸出端加入晶體管的發(fā)射極跟隨器就可以起到增大電流的作用。
如圖2所示,加入晶體管電路后運(yùn)算放大器的驅(qū)動(dòng)能力有所增強(qiáng),電阻R1、R2和R3能夠使運(yùn)算放大器直接提供兩個(gè)晶體管不靈敏區(qū)的電流,填埋由兩個(gè)晶體管出現(xiàn)的1.4 V不靈敏區(qū)[9]。
圖2 增強(qiáng)運(yùn)算放大器驅(qū)動(dòng)能力的電路圖
由于電子負(fù)載中MOS管工作在飽和區(qū),其傳遞函數(shù)隨負(fù)載的變化而變化。對于電子負(fù)載本身而言,其內(nèi)部模型不易求出,可通過測量得出。利用PSpice繪制電子負(fù)載伯德圖進(jìn)行分析,并確定補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)。首先,在PSpice中繪制電子負(fù)載原理圖,在給定信號處加入一定的直流偏置,該直流偏置決定了電子負(fù)載消耗功率的大小,并保證了電子負(fù)載工作在正常的工作范圍內(nèi),接著疊加一個(gè)頻率變化的輸入給定,采樣電阻上的電壓即為輸出。當(dāng)輸入量的幅值為1時(shí),輸出即為系統(tǒng)的傳遞函數(shù)。
如圖3所示,在給定信號處加入輸入幅值為1的頻率變化的正弦波信號于一定的直流偏置電壓上,不斷調(diào)節(jié)輸入的頻率值,測量電阻R上電壓的幅值和相位就可以繪制電子負(fù)載開環(huán)傳遞函數(shù)的伯德圖。
圖3 提高運(yùn)算放大器輸出能力的電子負(fù)載圖
理想運(yùn)算放大器是一個(gè)增益無窮大,帶寬無窮寬的放大器,而實(shí)際中運(yùn)算放大器有固定的帶寬和增益,當(dāng)輸入超過運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)時(shí),輸出會出現(xiàn)失真。如圖4所示,其中實(shí)線部分是使用理想運(yùn)算放大器繪制的伯德圖,可以看出理想的運(yùn)算放大器使系統(tǒng)在全頻帶內(nèi)穩(wěn)定,并且有很寬的相位裕度。實(shí)際的運(yùn)算放大器由于帶寬和增益的限制,在較低的頻率處經(jīng)過0 dB,并且相位裕度很小。如果考慮到直流母線上的分布電感,則整個(gè)系統(tǒng)沒有充足的相位裕度,整個(gè)系統(tǒng)在開環(huán)時(shí)是不穩(wěn)定的。
圖4 考慮實(shí)際因素的電子負(fù)載伯德圖
直流母線上的分布電感是不可消除的,但是可通過設(shè)計(jì)工藝減少,該電感不會有一個(gè)確切的值,以下內(nèi)容忽略分布電感對系統(tǒng)產(chǎn)生的影響。分別調(diào)節(jié)電子負(fù)載偏置電壓的大小就能得到電子負(fù)載在不同負(fù)載下的伯德圖,圖5中分別表示了負(fù)載電流為500 mA和2 A時(shí)電子負(fù)載開環(huán)伯德圖。可以看出電子負(fù)載在輕載和重載時(shí)的伯德圖大體趨勢相同,但是電子負(fù)載的零極點(diǎn)隨負(fù)載變化而變化。負(fù)載重時(shí),極點(diǎn)頻率低。重載時(shí)系統(tǒng)的截止頻率在 fc=1.2647 MHz,相位裕度為-5.302,直流增益為 3.58 dB,Q=10.17 dB。輕載時(shí)系統(tǒng)截止頻率在fc=1.8239 MHz,相位裕度為 -26.171,直流增益為 1.83 dB,Q=16.63 dB。
補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)是在系統(tǒng)中利用其輸入或反饋網(wǎng)絡(luò)來改變運(yùn)算放大器相應(yīng)的阻抗參數(shù)和校正系數(shù)的動(dòng)態(tài)指標(biāo)。它的主要作用是在適當(dāng)?shù)念l率處提供超前或滯后的相位,并且使系統(tǒng)的開環(huán)頻率特性在較高頻率處穿越0 dB線,從而獲得較寬的頻帶,使系統(tǒng)快速響應(yīng)[10]。
圖5 不同負(fù)載下的電子負(fù)載伯德圖
圖6為單極點(diǎn)補(bǔ)償電路,其傳遞函數(shù)如式(1)所示:
MS,之前又被稱作MSP(maritime services portfolio,海事服務(wù)集),自2018年10月末在倫敦IMO總部召開的HGDM 2次會討論之后,更名為MS,其定義為“具有協(xié)調(diào)統(tǒng)一格式的海上相關(guān)信息及數(shù)據(jù)的供應(yīng)和交換(HGDM 2/10 4.1.1)”。最新定義大大拓展了MS可能涉及的領(lǐng)域,一切與海上信息相關(guān)的服務(wù),都有可能成為一種MS。而目前,MS已確定的服務(wù)有16種。如表1所示。
式中:極點(diǎn)角頻率ωp=1/(R2C);直流增益K=R2/R1。
圖6 單極點(diǎn)補(bǔ)償電路圖
考慮實(shí)際運(yùn)算放大器的增益限制以及帶寬限制,并且保證系統(tǒng)在工作時(shí)有足夠的相位裕度及增益以-20 dB/十倍頻過零,設(shè)計(jì)經(jīng)過補(bǔ)償后系統(tǒng)截止頻率為100 kHz,極點(diǎn)的頻率設(shè)計(jì)為fp=100 Hz,直流增益為 60 dB。則 K=1000,ωp=2πfp=628 rad/s。取 R1=1 kΩ,則 R2=1 MΩ,C=1.6 nF。
如圖7所示,加入補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)后系統(tǒng)的截止頻率由1.26MHz變?yōu)?54kHz,并且有較大的相位裕度,實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)閉環(huán)穩(wěn)定。通過對負(fù)載施加階躍輸入可以觀測系統(tǒng)的階躍響應(yīng)。
圖7 單極點(diǎn)補(bǔ)償系統(tǒng)伯德圖
如圖8所示,電子負(fù)載在該調(diào)節(jié)器下響應(yīng)速度較快,基本吻合響應(yīng)曲線,但是出現(xiàn)了較大的超調(diào)。這種系統(tǒng)的補(bǔ)償有自身的缺陷,系統(tǒng)在低頻環(huán)節(jié)可以近似為一個(gè)0型系統(tǒng),雖然直流增益大,系統(tǒng)中出現(xiàn)的誤差難以看出,但是該補(bǔ)償器的靜差依然存在。
圖8 單極點(diǎn)補(bǔ)償系統(tǒng)響應(yīng)圖
解決上述問題的最優(yōu)方法是在系統(tǒng)低頻環(huán)節(jié)加入積分環(huán)節(jié),這樣能消除靜差,減小系統(tǒng)超調(diào)。
圖9所示為在原有補(bǔ)償器基礎(chǔ)上加入了一個(gè)電容C1,這個(gè)電容分別在傳遞函數(shù)中加入了一個(gè)零點(diǎn)和一個(gè)極點(diǎn)的補(bǔ)償電路,該傳遞函數(shù)可寫為:
圖9 單極點(diǎn)單零點(diǎn)補(bǔ)償電路圖
加入補(bǔ)償器后系統(tǒng)截止頻率為fc=116 kHz,相位裕度為45°,滿足設(shè)計(jì)需求。補(bǔ)償后,就低頻特性而言是一個(gè)I型系統(tǒng),其穩(wěn)態(tài)誤差等于零。該系統(tǒng)的階躍響應(yīng)如圖11所示。
可以看出,將補(bǔ)償器進(jìn)行改進(jìn)后系統(tǒng)對響應(yīng)的超調(diào)量減小,響應(yīng)速度與補(bǔ)償器改進(jìn)前相當(dāng),能夠無靜差地對系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)節(jié)。
圖10 單極點(diǎn)單零點(diǎn)補(bǔ)償系統(tǒng)伯德圖
圖11 單極點(diǎn)單零點(diǎn)補(bǔ)償系統(tǒng)響應(yīng)圖
通過實(shí)驗(yàn)可以對上述補(bǔ)償器補(bǔ)償后的系統(tǒng)響應(yīng)速度進(jìn)行驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)中選用IRFP260N作為實(shí)驗(yàn)用功率MOS管,LM358作為驅(qū)動(dòng)運(yùn)算放大器,LF412作為補(bǔ)償器控制運(yùn)算放大器,采樣電阻為0.5 Ω,當(dāng)電子負(fù)載輸入電流為1 A時(shí),測量的峰值應(yīng)為500 mV。實(shí)驗(yàn)中分別對單極點(diǎn)補(bǔ)償器和單極點(diǎn)單零點(diǎn)補(bǔ)償器進(jìn)行驗(yàn)證,測量響應(yīng)速度和超調(diào)量。
如圖12所示,對于單極點(diǎn)補(bǔ)償器系統(tǒng),系統(tǒng)超調(diào)量接近20%,并且與給定存在靜差,不能較好地跟隨輸入響應(yīng)。圖12中下方波形為給定,上方波形為響應(yīng)。
圖12 補(bǔ)償器改進(jìn)前系統(tǒng)響應(yīng)界面圖
補(bǔ)償器改進(jìn)后系統(tǒng)響應(yīng)界面圖如圖13所示,在相同輸入給定情況下,系統(tǒng)超調(diào)量減小,響應(yīng)速度略有提高,且響應(yīng)過程沒有靜差,滿足了系統(tǒng)的要求。實(shí)驗(yàn)中的波形和數(shù)據(jù)與仿真結(jié)果相似,更進(jìn)一步地驗(yàn)證了該誤差調(diào)節(jié)器的可行性。
圖13 補(bǔ)償器改進(jìn)后系統(tǒng)響應(yīng)界面圖
受線路電感以及元件分布參數(shù)的影響,電子負(fù)載在更高頻率下會出現(xiàn)響應(yīng)速度變緩的情況。
傳統(tǒng)電子負(fù)載大都以數(shù)控為主,通過數(shù)字控制調(diào)節(jié)電子負(fù)載響應(yīng)速度,而沒能對模擬補(bǔ)償引起足夠重視。筆者通過對電子負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),提高了電子負(fù)載的響應(yīng)速度,在此基礎(chǔ)上繪制電子負(fù)載伯德圖,找出實(shí)際中引起電子負(fù)載開環(huán)輸出振蕩的原因,加入了模擬補(bǔ)償電路,在保證系統(tǒng)帶寬的同時(shí),使開環(huán)傳遞函數(shù)以-20 dB/十倍頻經(jīng)過0 dB并且有充足的相位裕度。在調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)上,由單零點(diǎn)補(bǔ)償電路變?yōu)閱螛O點(diǎn)單零點(diǎn)的補(bǔ)償電路后更能減少響應(yīng)的超調(diào)量,提高電子負(fù)載的性能。
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