張偉林

(浙江大學(xué) 超大規(guī)模電路設(shè)計(jì)研究所，浙江 杭州 310027)

0 引 言

腦電圖(electroencephalogram,EEG)是腦神經(jīng)細(xì)胞群電生理活動的綜合反應(yīng),其中蘊(yùn)涵著豐富的生理、心理信息。隨著醫(yī)學(xué)、神經(jīng)科學(xué)、認(rèn)知心理學(xué)和人工智能研究的深入發(fā)展，EEG這種重要的生理信號正在被越來越多地應(yīng)用到醫(yī)學(xué)檢測臨床診斷和新興的腦—機(jī)接口領(lǐng)域。作為中樞神經(jīng)系統(tǒng)的直接外在表征，EEG能反映出大腦皮層不同區(qū)域的活動狀態(tài)，可用來檢測人的生理、心理狀態(tài)以及不同腦功能的腦區(qū)交互方式[1]；可為癲癇癡呆、腫瘤等腦部疾病或腦死亡提供診斷信息[2]；可結(jié)合腦電解讀技術(shù)，完成腦與外部設(shè)備的直接通信，實(shí)現(xiàn)腦—機(jī)接口系統(tǒng)[3，4]。

隨著科技發(fā)展和醫(yī)療水平的提高，傳統(tǒng)的濕電極技術(shù)已經(jīng)越來越不能滿足實(shí)際要求，目前對干電極技術(shù)的研究非常活躍，主要方向是接觸式與非接觸式的干電極[5,6]。

1 干電極結(jié)構(gòu)

干電極EEG采集系統(tǒng)如圖1所示主要由 4個(gè)部分組成:干電極、放大器、信號傳輸與電源[7]。

圖1 EEG采集系統(tǒng)基本模型

干電極：主要是用來感知EEG，并將其轉(zhuǎn)換成電信號。

放大器：由于干電極采集到的信號十分微弱，為了后續(xù)電路的處理，需要把信號進(jìn)行放大。因?yàn)楦呻姌O是在頭部采集信號，因此，放大器需要有較小的尺寸和較低的功耗。為了能放大EEG，放大器還需要具有高的輸入阻抗，高的共模抑制比和低噪聲等特點(diǎn)。如果一級放大器的放大增益不夠，則可以采用多級放大,經(jīng)過放大的EEG信號最后還需要進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換，方便后面的數(shù)據(jù)處理。

信號傳輸：EEG經(jīng)過放大和A/D轉(zhuǎn)換需要傳輸給計(jì)算機(jī)，傳統(tǒng)的傳輸是使用USB或串行口進(jìn)行傳輸，隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在越來越多使用無線技術(shù)，包括藍(lán)牙和射頻。

2 干電極種類

1)微針干電極：人體皮膚的最外層是表皮，表皮最外層的角質(zhì)層具有很高的阻抗，微針技術(shù)就是利用針式電極穿透角質(zhì)層，嵌入低阻抗的發(fā)生層來完成信號采集的技術(shù)[8]。由于角質(zhì)層的厚度一般為 10～15 μm，生發(fā)層的厚度一般為50～100 μm，因此,微針的長度一般在15～100 μm之間。圖2為濕電極與微針穿透對比。

圖2 濕電極與微針穿透對比

2)指狀干電極：基于超高阻抗放大器技術(shù)的EEG采集系統(tǒng)的前端是指狀結(jié)構(gòu)的生物傳感器(圖3)[9]。

圖3 指狀傳感器結(jié)構(gòu)[9]

不需要涂抹導(dǎo)電膠，也不需要使用微針穿透角質(zhì)層,正因?yàn)槿绱藗鞲衅髋c角質(zhì)層間的阻抗非常大，大約為千萬歐姆。所以,需要具有超高輸入阻抗的放大器才能使干電極采集到微弱的EEG，還需要能夠有效地降低共模抑制比，以減少噪聲對腦電信號的干擾。

3)電活性電極：特殊的有機(jī)材料(如聚丙烯酰胺等)在不同的電壓下能產(chǎn)生不同的電場，使用光電傳感技術(shù)的干電極就是利用了這種特性來感知EEG信號[10，11]。如圖4，利用這種技術(shù)，當(dāng)EEG電壓發(fā)生變化時(shí)，該有機(jī)材料的形狀也會發(fā)生相應(yīng)的變化。這時(shí)， EEG采集設(shè)備內(nèi)置的光源模塊產(chǎn)生的光線通過這種有機(jī)材料， 其光線強(qiáng)度和傳播路線會隨著材料的形變發(fā)生相應(yīng)的變化， 最后通過光線感知模塊感知光信號的效果， 以計(jì)算出電極所感知的EEG的強(qiáng)弱。

圖4 電活性電極工作示意圖

4)非接觸式干電極：非接觸式干電極是指傳感器(圖5)的電極不與皮膚發(fā)生實(shí)際的歐姆接觸， 而是通過某種介質(zhì)(可以是頭發(fā)或者衣服) ，將電壓信號耦合進(jìn)放大電路；因而不會在皮膚上產(chǎn)生實(shí)際電流， 更加安全方便， 但實(shí)現(xiàn)難度也更大，這一領(lǐng)域的先驅(qū)和代表性人物是英國蘇塞克斯大學(xué)的 Harland C J 等人[12]，其中， 基于此原理的杰出工程作品由加州大學(xué)圣迭戈分校的托馬斯· J ·沙利文等人給出。

圖5 非接觸式干電極傳感器

3 基于深度電壓串聯(lián)負(fù)反饋的超高輸入阻抗放大器

本文采用深度電壓串聯(lián)負(fù)反饋來設(shè)計(jì)超高阻抗放大器(圖6)，深度電壓串聯(lián)負(fù)反饋能提供高達(dá)1011Ω的輸入電阻。

圖6 深度電壓串聯(lián)負(fù)反饋

在理想運(yùn)放條件下，根據(jù)虛短虛斷，輸入端的電流為零，所以，輸入電阻

Ri=Ui/Ii=∞.

(1)

電路的增益

(2)

因?yàn)槟X電信號很微弱，需要抑制共模輸入，所以，本文的前置放大電路采用差分電路，來提高共模抑制比。

4 無限增益多路反饋二階低通濾波器設(shè)計(jì)

EEG信號的頻率范圍在1～100 Hz，因此，干電極傳感器的濾波器是一個(gè)截止頻率在100 Hz的低通濾波器。

壓控電壓源二階低通濾波器在截止頻率附近具有較好的幅頻特性，但由于它引入了正反饋，如果正反饋過強(qiáng)，將會導(dǎo)致自激振動。

本文為了取得較好的幅頻特性采用了無限增益多路反饋二階低通濾波器，如圖7所示。

圖7 無限增益多路反饋二階低通濾波器[13]

無限增益多路反饋二階低通濾波器的傳遞函數(shù)為

(3)

從分母可以看出，濾波器不會因?yàn)榉糯蟊稊?shù)過大而引起自激振動,并且濾波器具有良好的頻率特性。

無限增益多路反饋二階低通濾波器的特征頻率

(4)

選取合適的電容和電阻，即可以令截止頻率fp=0.37f0=100 Hz，即可消除100 Hz以上的噪聲。濾波器的品質(zhì)因素

(5)

選取合適的品質(zhì)因素可以調(diào)節(jié)濾波器的濾波特性。

5 高通濾波器

腦電信號的頻率范圍從1～100 Hz，所以經(jīng)過低通濾波之后，還需要高通濾波，將1 Hz以下的噪聲濾去。本文采用無限增益多路反饋二階高通濾波器，如圖8所示。

圖8 無限增益多路反饋二階高通濾波器

該濾波器的截止頻率

(6)

6 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

本文利用深度電壓串聯(lián)負(fù)反饋來設(shè)計(jì)超高輸入阻抗的放大器，因?yàn)榍爸梅糯笃鞯妮斎胄盘栔泻写罅吭肼?，且腦電信號微弱，所以，前置放大器的增益不需要很高，因此，電阻R1，R2，R3，R4分別取1，100，1，100 kΩ，在輸入信號分別為1，10，100 Hz的時(shí)候輸入阻抗均高達(dá)1011Ω，如圖9。

圖9 輸入阻抗

當(dāng)頻率為1，10，100 Hz時(shí)，共模抑制比分別是195，203，209 dB。

因?yàn)镋EG頻率最高在100 Hz左右，為了讓頻率較高的EEG無損通過濾波器，故令無限增益多路反饋二階低通濾波器的截止頻率fp=130 Hz，并且根據(jù)所需要的濾波特性選取合適的品質(zhì)因素Q，即可以確定各個(gè)參數(shù)的值。R1，R2，R3，Rf，C1，C2取值分別為3.83，6.04 ，10，3.83 kΩ，100 nF，1 μF時(shí)濾波器的Bode圖如圖10。

圖10 低通濾波器的Bode圖

因?yàn)槟X電信號從1 Hz開始，所以,無限增益多路反饋二階高通濾波器的截止頻率設(shè)置的小于1 Hz，令fp=750 mHz，并且根據(jù)所需要的濾波特性選取合適的品質(zhì)因素Q，即可以確定各個(gè)參數(shù)的值。R1,Rf和C1,C2,C3取值分別為5.76,47.5 kΩ和10,10,10 μF時(shí)濾波器的Bode圖如圖11。

圖11 高通濾波器的Bode圖

實(shí)驗(yàn)表明:該濾波器可以取得較好的濾波性能。

7 結(jié)束語

本文就EEG生物傳感器的研究提出了使用深度電壓串聯(lián)負(fù)反饋來實(shí)現(xiàn)超高輸入阻抗的放大電路設(shè)計(jì)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明： 該系統(tǒng)在輸入阻抗、共模抑制比、濾波方面均有比較理想的表現(xiàn)，特別是輸入阻抗方面的表現(xiàn)，能提供到達(dá)2.6×1011Ω輸入阻抗，比利用電流正反饋電路或自舉電路的前置放大器的高10倍以上。

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