張 霞,袁陳晨,鄭 祺,徐士美,童慶強(qiáng)

(1.上海工程技術(shù)大學(xué)材料工程學(xué)院,上海 201620;2.上海貝嶺股份有限公司,上海 200233;3.上海華力微電子有限公司,上海 201203)

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DOE技術(shù)在低電壓CMOS晶體管中的質(zhì)量控制*

張 霞1*,袁陳晨1,鄭 祺1,徐士美2,童慶強(qiáng)3

(1.上海工程技術(shù)大學(xué)材料工程學(xué)院,上海 201620;2.上海貝嶺股份有限公司,上海 200233;3.上海華力微電子有限公司,上海 201203)

CMOS晶體管;閾值電壓;DOE;注入劑量

互補(bǔ)型金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的生產(chǎn)是一個(gè)復(fù)雜精細(xì)的工藝過(guò)程,包含SiO2薄膜的淀積及光刻、刻蝕、注入等各種工序的互相協(xié)作。因復(fù)雜而精細(xì)的工藝,和多環(huán)節(jié)決定因素,靠傳統(tǒng)的工藝臺(tái)帳和工藝試驗(yàn)的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)電學(xué)參數(shù)閾值電壓Vt的調(diào)控非常困難[1-2]。改變閾值電壓Vt的工藝參數(shù)有多種多樣,比如內(nèi)在的氧化層電荷、功函數(shù)差、溝道里的載流子劑量[3],外在的襯底偏壓、平帶電壓等等[4]。

在教科書(shū)[4]中,我們可以看到MOS晶體管的閾值電壓Vt的經(jīng)典公式為:

其中,Vt是閾值電壓,VFB是平帶電壓,ΨB是襯底的費(fèi)米能級(jí),q是電荷量,εs是總的介電常數(shù),NA是摻雜濃度,VBS是反向襯底-源極電壓,Co是氧化層的電容常數(shù)。依據(jù)物理學(xué)家推導(dǎo)的經(jīng)典公式,公式左邊Vt是MOS晶體管的性能體現(xiàn),公式右邊NA是由實(shí)際工藝決定,其他所有參數(shù)由材料特性來(lái)決定。因此,溝道里的注入載流子劑量NA尤為重要,通過(guò)芯片制造中的注入載流子劑量NA、進(jìn)行有效調(diào)控低閾值電壓Vt更吸引人們探索研究。

本文采用DOE(DesignofExperiment)試驗(yàn)方法進(jìn)行了工藝流片的分卡操作,針對(duì)工藝流程中的Vt區(qū)注入Dvt、N場(chǎng)注入DNF、TEMP注入DP這3種注入劑量,對(duì)低壓NMOS和低壓PMOS的閾值電壓Vt進(jìn)行調(diào)節(jié)優(yōu)化,得到閾值電壓(Vtn、Vtp)和各注入劑量(Dvt、DNF、DP)之間的關(guān)系。該數(shù)據(jù)結(jié)果對(duì)于閾值電壓Vt的設(shè)計(jì)和工藝參數(shù)的選取具有重要指導(dǎo)意義。

1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程

1.1 實(shí)驗(yàn)工藝流程

CMOS晶體管的完整工藝流程由以下部分組成,分別為:

硅片檢測(cè)→光刻零層→光刻有源區(qū)(光刻有源區(qū)、刻蝕場(chǎng)區(qū)、N阱注入)→光刻P阱(光刻P阱、P阱注入、場(chǎng)氧化、3層腐蝕、預(yù)柵氧化、Vt區(qū)注入)→光刻N(yùn)場(chǎng)(光刻N(yùn)場(chǎng)、N場(chǎng)注入、腐蝕預(yù)柵氧、柵氧化1、多晶1淀積、多晶1摻雜)→光刻TEMP→注入TEMP及去膠→光刻多晶一→光刻PLDD→光刻N(yùn)+區(qū)→光刻P+區(qū)→光刻接觸孔→光刻金屬1→光刻VIA1→光刻金屬2→光刻鈍化層。

本論文中CMOS的主要工藝調(diào)節(jié)步驟為Vt區(qū)注入、N場(chǎng)注入、注入TEMP這3步注入過(guò)程,分別隸屬于光刻P阱、光刻N(yùn)場(chǎng)、和光刻TEMP。以上3步的注入離子分別為BF2、B、BF2,對(duì)應(yīng)的離子束能量分別60keV、70keV和60keV。調(diào)節(jié)離子束的注入劑量(單位:ion/cm2),可控制離子束的摻雜濃度,是優(yōu)化MOS管閾值電壓Vt的重要工藝。

1.2 DOE正交分卡

根據(jù)CMOS的工作原理和工藝經(jīng)驗(yàn),影響閾值電壓Vtn和Vtp的3個(gè)因子分別為:Vt區(qū)注入、N場(chǎng)注入、注入TEMP的注入劑量。在CMOS閾值電壓設(shè)計(jì)時(shí),人們往往希望通過(guò)一個(gè)注入劑量的改變,就能同時(shí)達(dá)到低壓NMOS和PMOS,但是注入劑量對(duì)于Vtn和Vtp的影響趨勢(shì)截然不同,甚至可能是相逆的。為了考查Vt區(qū)注入、N場(chǎng)注入、注入TEMP這3個(gè)注入劑量對(duì)于Vtn和Vtp的各自影響或者逆向作用,本文采用了正交分卡DOE方法,具體的工藝參數(shù)和相對(duì)應(yīng)的注入劑量如表1所示。

表1 CMOS管的DOE正交分卡及注入劑量參數(shù)

本文中,CMOS晶體管的柵氧層厚度為100nm左右,襯底濃度為1×1010個(gè)/cm2,阱濃度為1×1010個(gè)/cm2,在未改變注入?yún)?shù)時(shí)的常規(guī)情況下NMOS的開(kāi)啟電壓Vtn為0.77 V,PMOS的開(kāi)啟電壓Vtp為0.93 V。在表中,1號(hào)樣品代表進(jìn)行Vt區(qū)注入劑量Dvt=2.8×1012ion/cm2,N場(chǎng)注入劑量DNF=2.5×1012ion/cm2,注入TEMP的注入劑量DP=0,其余2至18號(hào)樣品依次類(lèi)推。

1.3 CMOS管閾值電壓Vtn和Vtp測(cè)試

樣品經(jīng)過(guò)3次注入以及最后的光刻鈍化層后,即可進(jìn)行工藝控制監(jiān)控PCM(Process Control Monitor)測(cè)試,PCM的常見(jiàn)參數(shù)有開(kāi)啟電壓、擊穿電壓、導(dǎo)通電流、單管漏電流、方塊電阻、接觸電阻、條形電阻、電容及電容擊穿等等。

本次重點(diǎn)考察的是低壓NMOS和低壓PMOS管的閾值電壓,具體測(cè)試方法為:在漏上加0.1 V固定電壓(P管時(shí)加-0.1 V),源和襯底接地。在柵上掃描電壓,N管時(shí)掃描正電壓0～3 V,P管時(shí)掃描負(fù)電壓-3 V～0。掃描柵上電壓時(shí),由最大跨導(dǎo)法得到閾值電壓Vtn和Vtp。試驗(yàn)過(guò)程中,其中有4個(gè)樣品發(fā)生碎片。其余樣品經(jīng)過(guò)測(cè)試,Vtn和Vtp都在1V以下,符合低壓CMOS的使用需求,具體測(cè)試值如表2所示。

表2 CMOS管的注入?yún)?shù),閾值電壓Vtn和Vtp,以及通過(guò)公式擬合的Vtn predicted和Vtp predicted

2 數(shù)據(jù)分析與討論

2.1 Vt區(qū)注入劑量Dvt、N場(chǎng)注入劑量DNF與NMOS管閾值電壓Vtn

2.1.1Vt區(qū)注入劑量Dvt保持不變,N場(chǎng)注入劑量DNF變化時(shí)

從表2中的18個(gè)樣品對(duì)比可以看出,2～4樣品中,Dvt保持注入劑量為2.00×1012ion/cm2不變時(shí),隨著N場(chǎng)注入劑量DNF從1.5×1012ion/cm2降低到5×1011ion/cm2,并降低到0時(shí)(圖1中正方形的點(diǎn)和線),NMOS管閾值電壓Vtn由0.6 V降低到0.45 V,也就是說(shuō)Dvt不變,隨著N場(chǎng)注入劑量DNF降低,NMOS管閾值電壓Vtn也降低。類(lèi)似地,保持Dvt不變,5～10樣品(圖中圓形的點(diǎn)和線、Dvt=1.00×1012ion/cm2)驗(yàn)證了相同的規(guī)律,11～16樣品(圖中正三角形的點(diǎn)和線、Dvt=0.5×1012ion/cm2)、17～18樣品(圖中倒三角形的點(diǎn)和線、Dvt=0)也同樣遵循Vtn隨DNF下降而下降的規(guī)律?？傊?圖中的4個(gè)系列的點(diǎn)線顯示一致的結(jié)論:如果注入劑量Dvt不變,隨著N場(chǎng)注入劑量DNF降低,NMOS管閾值電壓Vtn也降低。

圖1 NMOS管閾值電壓Vtn與不同N場(chǎng)注入劑量DNF的變化關(guān)系(當(dāng)Vt區(qū)注入劑量Dvt不變時(shí))

2.1.2 Vt區(qū)注入劑量Dvt變化,N場(chǎng)注入劑量DNF保持不變時(shí)

接下來(lái)討論N場(chǎng)注入劑量DNF不變,注入劑量Dvt變化對(duì)于閾值電壓Vtn的變化影響趨勢(shì)。分析表2可知,樣品1、5、11、17是一組N場(chǎng)注入劑量DNF=2.5×1012ion/cm2,樣品6、12對(duì)應(yīng)于DNF=2.0×1012ion/cm2,樣品2、7、13對(duì)應(yīng)于DNF=1.5×1012F,樣品8、14對(duì)應(yīng)于DNF=1.0×1012ion/cm2,樣品3、9、15對(duì)應(yīng)于DNF=5×1011ion/cm2,樣品4、10、16、18對(duì)應(yīng)于DNF=0,以上6個(gè)系列遵循Vtn隨Dvt下降而下降的規(guī)律,其影響曲線如圖2所示。

圖2 NMOS管閾值電壓Vtn與不同Vt區(qū)注入劑量Dvt的變化關(guān)系(當(dāng)N場(chǎng)注入劑量DNF不變時(shí))

2.1.3 Vt區(qū)注入劑量Dvt、N場(chǎng)注入劑量DNF與NMOS管閾值電壓Vtn的關(guān)系式

綜合以上兩張圖和相關(guān)的數(shù)表可知,NMOS管閾值電壓Vtn,隨著N場(chǎng)注入劑量DNF降低而降低,隨Vt區(qū)注入劑量Dvt下降而下降。如果將Vt區(qū)注入劑量Dvt當(dāng)作x坐標(biāo),將N場(chǎng)注入劑量DNF當(dāng)作y坐標(biāo),以xy平面內(nèi)的值作為z坐標(biāo),可以得到如圖3所示的梯度圖,關(guān)于z值隨顏色的變化如圖3所示。

圖3 NMOS管閾值電壓Vtn與Vt區(qū)注入劑量Dvt、N場(chǎng)注入劑量DNF的關(guān)系圖(其中,x軸是Dvt,y軸是DNF,z軸代表平面上的彩色等高線圖,線的梯度值代表Vtn。)

從圖3中z值隨x、y的變化分布圖可以看出,z與x、y滿足z=ax+by+c的關(guān)系式。將z、x、y都賦予物理意義后,經(jīng)公式擬合后,可知NMOS管閾值電壓Vtn與Vt區(qū)注入劑量Dvt、N場(chǎng)注入劑量DNF滿足以下關(guān)系式

Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433

如果將實(shí)際工藝參數(shù)Vt區(qū)注入劑量Dvt、N場(chǎng)注入劑量DNF代入此式中,可以得到NMOS管閾值電壓Vtn的預(yù)測(cè)值Vtn predicted,也就是擬合出來(lái)的計(jì)算值Vtn擬合,如表2列舉所示,表中同時(shí)有實(shí)際測(cè)試值。將Vtn與Vtn predicted數(shù)據(jù)以圖表示,從圖4中兩條線可以看出,Vtn實(shí)際測(cè)試值與Vtn predicted比較吻合。

圖4 NMOS管實(shí)際閾值電壓Vtn與公式擬合出的Vtn predicted的對(duì)比圖

在實(shí)際電參數(shù)測(cè)試中,NMOS管的擊穿電壓BVds基本維持在10.3V左右,可以保證NMOS在較好狀態(tài)下工作。

2.2 Vt區(qū)注入劑量Dvt、注入TEMP的注入劑量DP與PMOS管閾值電壓Vtp

2.2.1 Vt區(qū)注入劑量Dvt保持不變、注入TEMP的注入劑量DP變化時(shí)

從表2中的18個(gè)樣品對(duì)比可以看出,2～4樣品中,Dvt保持注入劑量為2.00×1012ion/cm2不變時(shí),隨著TEMP注入劑量Dp從3.6×1012ion/cm2提高到4.4×1012ion/cm2(圖5中正方形的點(diǎn)和線),PMOS管閾值電壓Vtp由0.63V降低到0.54V,也就是說(shuō)Dvt不變,隨著TEMP注入劑量Dp提高,PMOS管閾值電壓Vtp會(huì)降低。類(lèi)似地,保持Dvt不變,5～10樣品(圖中圓形的點(diǎn)和線、Dvt=1.00×1012ion/cm2)驗(yàn)證了相同的規(guī)律,11～16樣品(圖中正三角形的點(diǎn)和線、Dvt=0.5×1012ion/cm2)、17～18樣品(圖中倒三角形的點(diǎn)和線、Dvt=0)也同樣遵循Vtn隨DP上升而下降的規(guī)律。圖5中的4個(gè)系列點(diǎn)線顯示一致的結(jié)論:如果注入劑量Dvt不變,隨著TEMP注入劑量Dp增加,PMOS管閾值電壓Vtp會(huì)降低,與文獻(xiàn)報(bào)道一致[3,5]。

圖5 PMOS管閾值電壓Vtp與不同TEMP注入劑量Dp的變化關(guān)系(當(dāng)Vt區(qū)注入劑量Dvt不變時(shí))

2.2.2 Vt區(qū)注入劑量Dvt變化、注入TEMP的注入劑量DP保持不變時(shí)

分析表2可知,注入TEMP的注入劑量DP從3.6×1012ion/cm2到6.2×1012ion/cm2,一共有6個(gè)系列。在每個(gè)系列中,保持TEMP的注入劑量不變,從表2中和圖6的影響曲線可以清晰看出,隨著Vt區(qū)注入劑量Dvt在0、0.5、1、2×1012ion/cm2這4檔變化時(shí),PMOS管的閾值電壓Vtp遵循隨Dvt增加而下降的規(guī)律。

圖6 PMOS管閾值電壓Vtp與不同Vt區(qū)注入劑量Dvt的變化關(guān)系(當(dāng)TEMP注入劑量DP不變時(shí))

2.2.3 Vt區(qū)注入劑量Dvt變化、注入TEMP的注入劑量DP與PMOS管閾值電壓Vtp的關(guān)系式

綜合以上分析可知,PMOS管閾值電壓Vtp,隨著TEMP注入劑量DP增加而降低,隨Vt區(qū)注入劑量Dvt增加而降低。同樣,將Vt區(qū)注入劑量Dvt當(dāng)作x坐標(biāo),將TEMP的劑量DP當(dāng)作y坐標(biāo),以xy坐標(biāo)第1象限的平面值作為z坐標(biāo),可以得到如圖7所示的梯度圖,z值的漸近變化如圖右邊所示。

圖7 PMOS管閾值電壓Vtp與Vt區(qū)注入劑量Dvt、TEMP注入劑量DP的關(guān)系圖(其中,x軸是Dvt,y軸是DP,z軸代表平面上的彩色,彩色值代表Vtp。)

從圖7中z值隨x、y的變化分布圖可以看出,z與x、y近似滿足橢圓關(guān)系式。經(jīng)Origin公式擬合后,可知PMOS管閾值電壓Vtp與Vt區(qū)注入劑量Dvt、TEMP注入劑量DP滿足以下關(guān)系式

如果將實(shí)際工藝參數(shù)Vt區(qū)注入劑量Dvt、注入TEMP的劑量DP代入此式中,可以得到PMOS管閾值電壓Vtp的預(yù)測(cè)值Vtp predicted,也就是擬合出來(lái)的計(jì)算值Vtp擬合,如表2列舉所示。將Vtp與Vtp predicted以圖表示,從圖8中可看出,除了10號(hào)樣品因注入TEMP的劑量DP為0導(dǎo)致數(shù)據(jù)偏差大,其余Vtp實(shí)際測(cè)試值與Vtp predicted比較吻合。經(jīng)測(cè)試得到,PMOS管的擊穿電壓BVds在12V左右,證明晶體管經(jīng)過(guò)閾值電壓的常規(guī)值0.93V調(diào)控至0.0535V～0.63V后,仍能具有較高的擊穿電壓值。

圖8 PMOS管實(shí)際閾值電壓Vtp與公式擬合出的Vtp predicted的對(duì)比圖

3 結(jié)論

采用DOE試驗(yàn)方法對(duì)工藝流片進(jìn)行分卡操作,對(duì)低壓CMOS的閾值電壓Vtn、Vtp進(jìn)行調(diào)節(jié)優(yōu)化,得到了閾值電壓(Vtn、Vtp)和各注入劑量(Vt區(qū)注入、N場(chǎng)注入、注入TEMP)之間的關(guān)系。主要結(jié)論如下:

(1)實(shí)驗(yàn)樣品的Vtn和Vtp都在1V以下,符合低壓CMOS的使用需求。

(2)NMOS管閾值電壓Vtn,隨著注入劑量Dvt下降而下降,隨著N場(chǎng)注入劑量DNF下降也降低。Vtn與Dvt、DNF滿足以下關(guān)系式Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433。

綜上所述,將工藝參數(shù)Dvt、DNF、DP對(duì)CMOS閾值電壓Vtn、Vtp的影響關(guān)系,用科學(xué)規(guī)律和公式聯(lián)系起來(lái),挖掘半導(dǎo)體物理經(jīng)典公式中Vt的工藝影響因素,對(duì)于直接指導(dǎo)工藝參數(shù)Dvt、DNF、DP具有重要作用[6-8],同時(shí)工藝反饋于閾值電壓Vtn和Vtp,揭示了閾值電壓Vtn、Vtp的內(nèi)在規(guī)律,對(duì)于CMOS的設(shè)計(jì)具有借鑒意義。

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張霞(1980-),女,漢族,籍貫湖北省,博士,講師,2007年博士畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,曾就職于上海貝嶺股份有限公司,2008年加入上海工程技術(shù)大學(xué),主要研究方向半導(dǎo)體光電薄膜與器件,zhangxia@sues.edu.cn。

TheQualityControlofDOETechnologyinLowThresholdVoltageCMOSTransistor*

ZHANGXia1*,YUANChenchen1,ZHENGQi1,XUShimei2,TONGQingqiang3

(1.Department of Material Engineering,Shanghai University of Engineering Science,Shanghai 201620,China;2.Shanghai Belling Limited Corporation,Shanghai 200233,China;3.Shanghai Huali Microelectronics Corporation,Shanghai 201203,China)

CMOS transistor;threshold voltage;DOE;implant doses

項(xiàng)目來(lái)源:上海高校一流學(xué)科(培育)基金項(xiàng)目(YLJX12-2);國(guó)家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金項(xiàng)目(61404082)

2013-11-28修改日期:2014-01-12

TN386.1

:A

:1005-9490(2014)06-1043-06

10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.007