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        靜態(tài)工作點與放大電路性能的關(guān)系

        2014-06-19 18:41:14毛戰(zhàn)華張愛英
        現(xiàn)代電子技術(shù) 2014年9期
        關(guān)鍵詞:失真

        毛戰(zhàn)華 張愛英

        摘 要: 以單管共射放大電路為例,討論放大電路中靜態(tài)工作點與動態(tài)參數(shù)、輸出波形的關(guān)系,得出調(diào)整靜態(tài)工作點和動態(tài)參數(shù)的可行辦法,有利于理解和掌握模擬放大電路的原理與實質(zhì)。

        關(guān)鍵詞: 放大電路; 靜態(tài)工作點; 失真; 電壓放大倍數(shù)

        中圖分類號: TN702?34 文獻標(biāo)識碼: A 文章編號: 1004?373X(2014)09?0142?03

        0 引 言

        在模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程中,放大電路是最基本的電路。分析放大電路就是求解靜態(tài)工作點和各項動態(tài)參數(shù)[1],對放大電路的分析,應(yīng)遵循“先靜態(tài),后動態(tài)”的原則,只有靜態(tài)工作點合適,動態(tài)分析才有意義,放大電路才可能有較好的輸出波形[1]。在此,以單管共射放大電路為例來闡述靜態(tài)工作點與放大電路輸出波形和動態(tài)參數(shù)的關(guān)系。

        1 靜態(tài)工作點

        放大電路的核心元件是晶體管(或場效應(yīng)管)。當(dāng)輸入信號為零,即靜態(tài)時,晶體管或場效應(yīng)管各電極間的電壓和電流稱為靜態(tài)工作點,即[Q]點。利用Multisim電路仿真軟件搭建單管共射放大電路[2],如圖1所示。對該電路來說,[Q]點為靜態(tài)時晶體管基極電流[IBQ、]集電極電流[ICQ,]b-e間電壓[UBEQ]和管壓降[UCEQ。]

        對于一個放大電路,只有在輸入信號的任意時刻晶體管都工作在放大區(qū)或場效應(yīng)管都工作在恒流區(qū),輸出信號才不會失真。為此放大電路必須設(shè)置合適的靜態(tài)工作點[Q,]使有輸入信號作用時產(chǎn)生的交流分量馱載在靜態(tài)時的直流分量之上,保證晶體管在輸入信號變化的過程中始終工作在放大區(qū)[1]。

        如圖1所示電路,靜態(tài)工作點求取表達式為:

        [IBQ=VCC-UBEQRb1+Rb2] (1)

        [ICQ=βIBQ] (2)

        [UCEQ=VCC-ICQ?RC] (3)

        理論上,可以通過調(diào)節(jié)[Rb2,][RC]或更換晶體三極管的方法實現(xiàn)靜態(tài)工作點的設(shè)置與調(diào)整。

        圖1 單管共射放大電路

        靜態(tài)工作點的圖解求取,如圖2所示。圖2(a)中,放大電路輸入回路負(fù)載線[UBE=VCC-iB(Rb1+Rb2)]與晶體管輸入特性曲線交于[Q]點,確定出[IBQ]和[UBEQ;]圖2(b)中,輸出回路直流負(fù)載線[uCE=VCC-iCRC]與晶體管輸出特性曲線交于[Q]點,確定出[ICQ]和[UCEQ。]

        圖2 圖解法求解靜態(tài)工作點

        2 [Q]點與放大電路動態(tài)參數(shù)的關(guān)系

        對圖 1所示電路電壓放大倍數(shù):

        [Au=-β(RC∥RL)rbe] (4)

        輸入電阻:

        [Ri=Rb∥rbe] (5)

        輸出電阻:

        [Ro=RC] (6)

        式中:[rbe=rbb+(1+β)26IEQ,][IEQ]為晶體管的靜態(tài)發(fā)射極電流,從理論上看,也可以通過調(diào)節(jié)[Rb2,][RC]或更換三極管來改變放大電路的動態(tài)參數(shù)。同時,應(yīng)該注意到,放大電路的[Au,][Ri]均與靜態(tài)工作點有關(guān)。因此,改變靜態(tài)工作點時,要顧及到對動態(tài)參數(shù)的影響;同樣,調(diào)整動態(tài)參數(shù)時,也要顧及到靜態(tài)工作點,保證電路輸出不失真。

        下面分析這三種方法是否合理且行之有效。為簡單起見,設(shè)電路某一參數(shù)變化時,其余參數(shù)不變。

        (1) 減小[Rb2]時,根據(jù)式(1)~式(3)和圖2可知,[IBQ]增大,[ICQ]增大,[UCEQ]減小,[Q]點升高,沿直流負(fù)載線上移,向飽和區(qū)靠近,輸出易出現(xiàn)飽和失真;而根據(jù)[rbe=rbb+(1+β)26IEQ,][rbe]是減小的, 由式(4),式(5)得[Au]增大,放大能力提高,[Ri]減小,從信號源索取電流增大。增大[Rb2]時的情況相反。因此,靠調(diào)節(jié)基極電阻改變[Q]點和動態(tài)參數(shù)的辦法是行之有效的,但要同時關(guān)注調(diào)節(jié)過程中[Q]點和動態(tài)參數(shù)的變化,既滿足動態(tài)參數(shù)的要求,輸出波形又不失真,不能顧此失彼。

        (2) 增大[RC]時,根據(jù)式(3)和圖2可知,雖然[ICQ]不變,但[UCEQ]減小,[Q]點向飽和區(qū)靠近,輸出易出現(xiàn)飽和失真;[RC]增大,[Au]增大,放大能力提高,[Ro=RC,]輸出電阻增大,使電路帶負(fù)載能力變?nèi)?。因此,靠調(diào)節(jié)[RC]改變[Q]點和動態(tài)參數(shù)的辦法實際上是不可取的。

        (3) 更換大[β]值的晶體管。通常,晶體管基區(qū)電阻[rbb?(1+β)26IEQ,]且[β?1,]得:

        [Au≈-ICQ(RC∥RL)26]

        說明換大[β]值的晶體管對[Au]改變不明顯,但[Ri]變大(信號電壓損失變?。驗樵赱IEQ]不變情況下,[β]值大的管子其[rbe]也大;同時在[IBQ]不變情況下,增大[β]會增大[ICQ,]使[Q]點沿直流負(fù)載線上移,易出現(xiàn)飽和失真。因此,靠更換晶體管的方法可以用于改變[Q]點和輸入電阻參數(shù),在這過程中同樣要二者兼顧。

        3 [Q]點對輸出波形非線性失真的影響

        當(dāng)放大電路工作時,晶體管進入飽和區(qū)或截止區(qū),使輸出波形失去了輸入波形的形狀,產(chǎn)生失真,這種失真是由于晶體管的非線性造成的,稱為非線性失真[3]。

        當(dāng)靜態(tài)工作點[Q]點合適,輸出為不失真波形;當(dāng)靜態(tài)工作點[Q]過低,離截止區(qū)較近,在輸入信號負(fù)半周靠近峰值的某段時間,晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),輸出電壓產(chǎn)生頂部失真,即截止失真。當(dāng)[Q]點過高,離飽和區(qū)較近,在輸入信號正半周靠近峰值的某段時間,晶體管處在飽和區(qū),輸出波形產(chǎn)生底部失真,即飽和失真。

        利用Multisim電路仿真軟件[4?6],觀察圖1所示單管放大電路[Q]點不合適時輸出波形的失真現(xiàn)象。為了更好地觀察到失真現(xiàn)象,輸入信號增至10 mV,此時輸出波形為最大不失真信號,設(shè)置電路中可調(diào)電位器[Rb2]按1%比例變化。

        (1) 單擊選中電位器[Rb2,]按shift+A鍵[4],將[Rb2]按百分比減小,[Q]點沿直流負(fù)載線向上移動,當(dāng)[Rb2]接入基極的電阻部分比例為11%時,輸出電壓波形開始產(chǎn)生底部失真,即飽和失真,如圖3所示,上面的波形是輸出波形。[Rb2]越小,失真越明顯。

        圖3 飽和失真波形

        (2) 單擊選中電位器[Rb2,]按A鍵,將[Rb2]按百分比增大,[Q]點沿直流負(fù)載線向下移動,當(dāng)[Rb2]接入基極的電阻部分比例為49%時,輸出電壓波形開始產(chǎn)生較明顯的頂部失真,即截止失真,如圖4所示,上面的波形是輸出波形。[Rb2]越大,失真越明顯。

        圖4 截止失真波形

        4 結(jié) 語

        綜上所述,單管共射放大電路中的靜態(tài)工作點和動態(tài)參數(shù)可以通過調(diào)節(jié)[Rb2,][RC]或更換三極管來改變。靜態(tài)工作點的位置影響放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)參數(shù),而動態(tài)參數(shù)的改變也影響靜態(tài)工作點,無論對哪方進行調(diào)整,都不能顧此失彼,只有這些影響在允許的范圍內(nèi),選用的方法才是合適的。

        注:本文通訊作者為張愛英。

        參考文獻

        [1] 華成英.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社,2006.

        [2] 石嘉順.基于Multisim環(huán)境下的電路設(shè)計與仿真[J].計算機仿真,2007,24(12):169?172.

        [3] 宋學(xué)君.模擬電子技術(shù)[M].北京:科學(xué)出版社,2006.

        [4] 張新喜.Multisim 10電路仿真及應(yīng)用[M].北京:機械工業(yè)出版社,2010.

        [5] 許曉華.Multisim 10計算機仿真及應(yīng)用[M].北京:清華大學(xué)出版社,2011.

        [6] 曹鴻霞,冒曉莉,張加宏.Multisim 10在單管共射放大電路中的應(yīng)用[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2011,34(14):169?172.

        [7] 羅庚興,張艷.基于Multisim 10的晶閘管調(diào)光電路的設(shè)計與仿真分析[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2012,35(10):186?188.

        [8] 王荔芳,余磊,周曉華.放大電路的Multisim10仿真分析[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2011,34(18):172?174.

        利用Multisim電路仿真軟件[4?6],觀察圖1所示單管放大電路[Q]點不合適時輸出波形的失真現(xiàn)象。為了更好地觀察到失真現(xiàn)象,輸入信號增至10 mV,此時輸出波形為最大不失真信號,設(shè)置電路中可調(diào)電位器[Rb2]按1%比例變化。

        (1) 單擊選中電位器[Rb2,]按shift+A鍵[4],將[Rb2]按百分比減小,[Q]點沿直流負(fù)載線向上移動,當(dāng)[Rb2]接入基極的電阻部分比例為11%時,輸出電壓波形開始產(chǎn)生底部失真,即飽和失真,如圖3所示,上面的波形是輸出波形。[Rb2]越小,失真越明顯。

        圖3 飽和失真波形

        (2) 單擊選中電位器[Rb2,]按A鍵,將[Rb2]按百分比增大,[Q]點沿直流負(fù)載線向下移動,當(dāng)[Rb2]接入基極的電阻部分比例為49%時,輸出電壓波形開始產(chǎn)生較明顯的頂部失真,即截止失真,如圖4所示,上面的波形是輸出波形。[Rb2]越大,失真越明顯。

        圖4 截止失真波形

        4 結(jié) 語

        綜上所述,單管共射放大電路中的靜態(tài)工作點和動態(tài)參數(shù)可以通過調(diào)節(jié)[Rb2,][RC]或更換三極管來改變。靜態(tài)工作點的位置影響放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)參數(shù),而動態(tài)參數(shù)的改變也影響靜態(tài)工作點,無論對哪方進行調(diào)整,都不能顧此失彼,只有這些影響在允許的范圍內(nèi),選用的方法才是合適的。

        注:本文通訊作者為張愛英。

        參考文獻

        [1] 華成英.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社,2006.

        [2] 石嘉順.基于Multisim環(huán)境下的電路設(shè)計與仿真[J].計算機仿真,2007,24(12):169?172.

        [3] 宋學(xué)君.模擬電子技術(shù)[M].北京:科學(xué)出版社,2006.

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        [5] 許曉華.Multisim 10計算機仿真及應(yīng)用[M].北京:清華大學(xué)出版社,2011.

        [6] 曹鴻霞,冒曉莉,張加宏.Multisim 10在單管共射放大電路中的應(yīng)用[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2011,34(14):169?172.

        [7] 羅庚興,張艷.基于Multisim 10的晶閘管調(diào)光電路的設(shè)計與仿真分析[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2012,35(10):186?188.

        [8] 王荔芳,余磊,周曉華.放大電路的Multisim10仿真分析[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2011,34(18):172?174.

        利用Multisim電路仿真軟件[4?6],觀察圖1所示單管放大電路[Q]點不合適時輸出波形的失真現(xiàn)象。為了更好地觀察到失真現(xiàn)象,輸入信號增至10 mV,此時輸出波形為最大不失真信號,設(shè)置電路中可調(diào)電位器[Rb2]按1%比例變化。

        (1) 單擊選中電位器[Rb2,]按shift+A鍵[4],將[Rb2]按百分比減小,[Q]點沿直流負(fù)載線向上移動,當(dāng)[Rb2]接入基極的電阻部分比例為11%時,輸出電壓波形開始產(chǎn)生底部失真,即飽和失真,如圖3所示,上面的波形是輸出波形。[Rb2]越小,失真越明顯。

        圖3 飽和失真波形

        (2) 單擊選中電位器[Rb2,]按A鍵,將[Rb2]按百分比增大,[Q]點沿直流負(fù)載線向下移動,當(dāng)[Rb2]接入基極的電阻部分比例為49%時,輸出電壓波形開始產(chǎn)生較明顯的頂部失真,即截止失真,如圖4所示,上面的波形是輸出波形。[Rb2]越大,失真越明顯。

        圖4 截止失真波形

        4 結(jié) 語

        綜上所述,單管共射放大電路中的靜態(tài)工作點和動態(tài)參數(shù)可以通過調(diào)節(jié)[Rb2,][RC]或更換三極管來改變。靜態(tài)工作點的位置影響放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)參數(shù),而動態(tài)參數(shù)的改變也影響靜態(tài)工作點,無論對哪方進行調(diào)整,都不能顧此失彼,只有這些影響在允許的范圍內(nèi),選用的方法才是合適的。

        注:本文通訊作者為張愛英。

        參考文獻

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        [3] 宋學(xué)君.模擬電子技術(shù)[M].北京:科學(xué)出版社,2006.

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        [5] 許曉華.Multisim 10計算機仿真及應(yīng)用[M].北京:清華大學(xué)出版社,2011.

        [6] 曹鴻霞,冒曉莉,張加宏.Multisim 10在單管共射放大電路中的應(yīng)用[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2011,34(14):169?172.

        [7] 羅庚興,張艷.基于Multisim 10的晶閘管調(diào)光電路的設(shè)計與仿真分析[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2012,35(10):186?188.

        [8] 王荔芳,余磊,周曉華.放大電路的Multisim10仿真分析[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2011,34(18):172?174.

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