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        半柔性同軸電纜外導(dǎo)體垂直鍍錫工藝及其關(guān)鍵工藝參數(shù)

        2013-12-06 12:11:14程方杰馬兆龍楊立軍楊俊香武云龍
        關(guān)鍵詞:鍍錫同軸電纜鍍層

        程方杰,馬兆龍,楊立軍,肖 鑫,楊俊香,武云龍

        (1. 天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,天津 300072;2. 天津市現(xiàn)代連接技術(shù)重點(diǎn)試驗(yàn)室,天津 300072)

        隨著通訊技術(shù)的快速發(fā)展,我國(guó)已經(jīng)正式啟動(dòng)新一代的3G 通訊網(wǎng)絡(luò).3G 網(wǎng)絡(luò)使用的信號(hào)頻率更高,其傳輸頻段從原來(lái) 2G 網(wǎng)絡(luò)的 800~960,MHz 和1,700 ~ 1,900,MHz 提 高 到 1,885 ~ 2,200,MHz 和2,300~2,400,MHz[1],這就對(duì)同軸電纜的信號(hào)衰減和屏蔽效果提出了更高的要求.在此背景下,高性能的半柔性同軸電纜得到了迅猛發(fā)展.

        半柔性同軸電纜其外導(dǎo)體是采用鍍錫的細(xì)銅線編織成的金屬網(wǎng).在金屬編織網(wǎng)外導(dǎo)體上再進(jìn)行整體鍍錫是目前國(guó)內(nèi)外制造半柔性同軸電纜的通用技術(shù)[2-4].這種半柔性同軸電纜具有使用溫度范圍寬、使用頻率高、衰減低、駐波系數(shù)小、屏蔽性能好等優(yōu)異性能[2].同時(shí),與金屬管型同軸電纜相比,其具有良好的彎曲變形能力;與柔性電纜(金屬編制的外導(dǎo)體上不鍍錫)相比,其具有良好的形狀保持能力,在狹窄的空間內(nèi)布線時(shí)排列十分整齊美觀.基于以上優(yōu)點(diǎn),這種半柔性同軸電纜特別適合于在狹小空間內(nèi)進(jìn)行復(fù)雜的布線,有利于通訊設(shè)備的小型化和功能的日趨復(fù)雜化.目前這種外導(dǎo)體整體鍍錫的半柔性同軸電纜廣泛應(yīng)用于 3G 通訊基站內(nèi)部的信號(hào)傳輸,是3G 通訊網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中的關(guān)鍵材料之一.

        1 垂直鍍錫新工藝原理

        目前,國(guó)內(nèi)外線纜行業(yè)大多是采用圖1 所示的水平鍍錫工藝.

        在鍍錫過(guò)程中,同軸電纜通過(guò)導(dǎo)向壓輪從錫鍋的一端壓入鍍錫槽中的錫液,然后經(jīng)導(dǎo)向輪后離開(kāi)鍍錫槽.因?yàn)樵谠摴に囘^(guò)程中,電纜進(jìn)出錫槽都是經(jīng)過(guò)錫液上表面,為區(qū)別于文中所提出的工藝方法,稱(chēng)為水平鍍錫工藝.這種傳統(tǒng)的水平鍍錫工藝對(duì)工藝參數(shù)要求很苛刻,容易出現(xiàn)針孔缺陷和鍍層附著力不足等質(zhì)量問(wèn)題,因此經(jīng)常需要鍍 2 遍,對(duì)內(nèi)部絕緣層的熱損傷嚴(yán)重,而且鍍錫效率低.其中,針孔缺陷是影響產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵所在.

        圖1 同軸電纜水平鍍錫工藝原理Fig.1 Schematic diagram of coaxial cable horizontal tinplating process

        實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)電纜經(jīng)過(guò)高溫錫液時(shí),助焊劑活性成分的分解、殘留溶劑和水分的汽化等原因?qū)е略诰幙椌W(wǎng)內(nèi)產(chǎn)生大量氣體,形成很高的內(nèi)部氣體壓力,當(dāng)電纜剛剛離開(kāi)錫液面的瞬間,這些氣體沖破尚未凝固的錫鍍層從而形成針孔,這是產(chǎn)生針孔缺陷的主要原因[5].因此,為減少針孔缺陷的發(fā)生,需要盡量縮短電纜在錫液中的停留時(shí)間以及浸入錫液內(nèi)的長(zhǎng)度.

        在傳統(tǒng)的水平鍍錫工藝中,電纜浸入錫液的長(zhǎng)度一般超過(guò) 400,mm,在錫液中的停留時(shí)間超過(guò) 6,s,因此容易產(chǎn)生針孔缺陷.為了縮短電纜浸入錫液的長(zhǎng)度和縮短在錫液中的停留時(shí)間,筆者提出了垂直鍍錫新工藝,并已獲取國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)[6].

        垂直鍍錫工藝的基本原理是:將經(jīng)過(guò)涂覆助焊劑、烘干預(yù)熱等前處理的同軸電纜通過(guò)一個(gè)位于鍍錫槽底部的導(dǎo)入管從錫液的底部進(jìn)入并垂直穿過(guò)錫液完成鍍錫的,其原理見(jiàn)圖2.

        圖2 同軸電纜垂直鍍錫工藝原理Fig.2 Schematic diagram of coaxial cable vertical tinplating process

        在該工藝過(guò)程中,電纜是從錫液的底部垂直進(jìn)入錫液然后從其表面穿出離開(kāi)鍍槽的,本文中稱(chēng)其為垂直鍍錫工藝.為了控制錫液面的高度,從而控制電纜在錫液中的浸入長(zhǎng)度,需要在錫槽上部設(shè)置一個(gè)可以升降的空心金屬盒.在非鍍錫狀態(tài)時(shí),該金屬盒從錫液中提出,使錫液面下降到電纜導(dǎo)入管上表面以下,從而避免錫液從導(dǎo)入孔中泄露出來(lái);準(zhǔn)備鍍錫時(shí),首先將待鍍錫電纜穿過(guò)導(dǎo)入孔并經(jīng)過(guò)牽引機(jī)后纏繞到收線機(jī)上,然后開(kāi)啟牽引機(jī)進(jìn)行收線,同時(shí)將金屬盒慢慢壓入到已經(jīng)加熱到合適溫度的錫液中,抬升錫液面;當(dāng)錫液面超過(guò)導(dǎo)入管的上表面后便浸潤(rùn)電纜,開(kāi)始鍍錫.通過(guò)調(diào)整金屬盒壓下的深度可以方便地調(diào)節(jié)電纜浸入錫液的長(zhǎng)度.很顯然,與傳統(tǒng)的水平鍍錫工藝相比,垂直鍍錫工藝可以大幅度縮短電纜浸入錫液的深度,一般可以控制在 10~100,mm.配合相應(yīng)的牽引速度,電纜在高溫錫液中的停留時(shí)間則可以縮短到1.0,s 以下.

        在垂直鍍錫過(guò)程中,錫液溫度、電纜在錫液內(nèi)的停留時(shí)間、電纜浸入錫液的長(zhǎng)度以及電纜的送進(jìn)速度是影響鍍層質(zhì)量的關(guān)鍵工藝參數(shù).

        2 垂直鍍錫過(guò)程中的關(guān)鍵工藝參數(shù)

        2.1 錫液溫度對(duì)鍍層質(zhì)量的影響

        為了分析研究錫液溫度對(duì)鍍錫層質(zhì)量的影響,分別在240,℃、260,℃和280,℃ 3 個(gè)溫度下采用本課題開(kāi)發(fā)的垂直鍍錫工藝進(jìn)行了鍍錫實(shí)驗(yàn).電纜在錫液中的停留時(shí)間為 2.0,s,使用自行配制的低發(fā)氣量、無(wú)鹵素有機(jī)助焊劑.所用的同軸電纜編織密度為 96%、外徑為3.30,mm、型號(hào)為STV50-3.

        液態(tài)金屬的黏度和表面張力一般都是隨著溫度的升高而變小[7-8].因此,溫度越低,錫液的黏度越高,表面張力越大,錫液的流動(dòng)性和滲透能力也就越低,從而影響在整體鍍錫過(guò)程中向金屬編織網(wǎng)內(nèi)部的滲透作用.首先,為觀察錫液的滲透情況,將鍍錫后的編織網(wǎng)用剪刀剪開(kāi),從內(nèi)部觀察了錫液的滲入效果,結(jié)果如圖3 所示.

        圖3 不同溫度下錫液向編織網(wǎng)內(nèi)部的滲透結(jié)果Fig.3 Penetration effect of molten tin to the inner side of braids at different temperatures

        由圖 3(a)可以發(fā)現(xiàn),在 240,℃時(shí),編織網(wǎng)內(nèi)側(cè)很干凈,幾乎看不到錫液滲入的跡象.260,℃時(shí),可以發(fā)現(xiàn)有大量的錫液滲透進(jìn)了編織網(wǎng)的內(nèi)部,凝固后將編織網(wǎng)牢固地連接成一個(gè)整體,如圖3(b)所示.隨著錫液溫度繼續(xù)升高到280,℃時(shí),可以看到滲入到編織網(wǎng)內(nèi)部的錫量又有所減少,如圖 3(c)所示.通過(guò)上述實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象可以知道,溫度對(duì)錫液向編織網(wǎng)內(nèi)部的滲透能力有重要的影響.對(duì)上述結(jié)果分析如下:錫液溫度過(guò)低時(shí)(240,℃,僅僅超過(guò)其熔點(diǎn) 8,℃),一方面錫液的黏度太高,其通過(guò)毛細(xì)作用向內(nèi)滲透的能力不足;另一方面,這個(gè)溫度下液態(tài)錫與編織線之間的界面冶金反應(yīng)較慢,其通過(guò)界面冶金反應(yīng)驅(qū)動(dòng)(反應(yīng)潤(rùn)濕)向內(nèi)部滲透的能力也不足.這兩方面的原因使得其不能有效地滲透到編織網(wǎng)的內(nèi)部.這種情況下,鍍錫層只是附著在了編織網(wǎng)的外表面,其結(jié)合強(qiáng)度不足,特別是在折彎過(guò)程中,錫層很容易發(fā)生開(kāi)裂和剝落現(xiàn)象.當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)(280,℃),錫液的黏度大大下降,流動(dòng)性增強(qiáng),這有利于通過(guò)毛細(xì)作用向內(nèi)部的滲透;但是這個(gè)溫度下,助焊劑的多個(gè)有效成分分解嚴(yán)重,在編織網(wǎng)內(nèi)部產(chǎn)生大量的氣體并形成很高的內(nèi)部氣壓,氣體壓力會(huì)阻礙液體釬料向內(nèi)部的滲入,而且容易形成針孔缺陷.這兩方面作用的綜合結(jié)果是溫度過(guò)高時(shí),錫液的滲透能力有所下降.因此,要獲得足夠的滲透能力,必須有一個(gè)合適的溫度,過(guò)高或過(guò)低都會(huì)導(dǎo)致錫液的滲透能力下降甚至不能滲透到編織網(wǎng)的內(nèi)部去.

        錫液溫度還對(duì)鍍錫層厚度和氣孔缺陷有著重要的影響.為了觀察錫層的厚度及內(nèi)部氣孔情況,對(duì)上述3 種溫度下焊接的試樣的橫截面進(jìn)行了金相分析,其金相圖片如圖4 所示,表1 則給出了鍍錫前后電纜直徑的變化情況.

        圖4 不同溫度下鍍錫外導(dǎo)體橫截面金相圖Fig.4 Cross-section metallographs of outer conductors after tin-plating at different temperatures

        表1 不同溫度下同軸電纜鍍錫后直徑變化Tab.1 Change of diameters of coaxial cable after tinplating at different temperatures

        由圖 4(a)可以看出,當(dāng)鍍錫溫度為 240,℃時(shí),其鍍錫層明顯偏厚,超過(guò)了300,μm.而且錫釬料只黏附在編織網(wǎng)外層的銅線上,內(nèi)層銅線多數(shù)處在游離狀態(tài),沒(méi)被釬料包覆住,這與圖 3(a)從內(nèi)側(cè)看不到鍍錫層的結(jié)果是一致的.當(dāng)鍍錫溫度為 260,℃時(shí),根據(jù)圖4(b)可以發(fā)現(xiàn),錫釬料已經(jīng)完全填滿了編織網(wǎng)銅線的所有縫隙,將整個(gè)編織網(wǎng)固化為一體,鍍層密實(shí),內(nèi)部基本沒(méi)有氣孔缺陷,其厚度約為 100,μm,從外觀上看鍍層光亮、均勻、飽滿.如果將鍍錫溫度提高到280,℃,可以發(fā)現(xiàn)鍍錫層進(jìn)一步變薄,大部分地方的厚度在 20,μm 以下.從外觀上看,錫層不飽滿,未能填平銅線的間隙.在鍍層內(nèi)部還可以發(fā)現(xiàn)有很多的氣孔存在,這主要是由釬劑分解產(chǎn)生的氣體所形成的.根據(jù)表 1 的統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以知道:從錫層的厚度和氣孔缺陷的角度來(lái)講,錫液溫度過(guò)高和過(guò)低都會(huì)產(chǎn)生不良影響,260,℃左右是一個(gè)理想的溫度,在該溫度下獲得的鍍層厚度適中,內(nèi)部密實(shí),沒(méi)有氣孔缺陷.

        經(jīng)過(guò)反復(fù)實(shí)驗(yàn),鍍錫溫度一般控制在 255~265,℃,能得到對(duì)內(nèi)層編織網(wǎng)滲透良好、厚度均勻適中、表面光亮飽滿、內(nèi)部密實(shí)無(wú)氣孔的優(yōu)良鍍層.

        2.2 電纜的浸錫長(zhǎng)度和送進(jìn)速度對(duì)鍍錫質(zhì)量的影響

        電纜在錫液中的停留時(shí)間(t)取決于電纜浸入錫液中的長(zhǎng)度(L)和電纜的送進(jìn)速度(v)二者的配合.三者之間的數(shù)學(xué)關(guān)系為

        為了研究電纜的浸錫長(zhǎng)度和停留時(shí)間對(duì)鍍錫質(zhì)量的影響規(guī)律,設(shè)計(jì)了如表 2 所示的工藝實(shí)驗(yàn)方案.錫液溫度為 260,℃,采用自制的低發(fā)氣量專(zhuān)用助焊劑.對(duì)鍍完錫的電纜截面制成金相試樣觀察錫層內(nèi)部的質(zhì)量,結(jié)果如圖5 所示.

        表2 浸錫長(zhǎng)度、停留時(shí)間對(duì)鍍錫層質(zhì)量影響的工藝實(shí)驗(yàn)方案Tab.2 Experimental scheme about effects of immerg-ing length and time on the coating qualities

        從圖5 中可以看出,當(dāng)電纜在錫液中的停留時(shí)間超過(guò)1.2,s 時(shí),鍍錫層明顯變薄,內(nèi)部氣孔缺陷顯著增多,同時(shí)編織網(wǎng)內(nèi)側(cè)的銅線上很少有錫液滲入,說(shuō)明鍍錫速度過(guò)低或者在錫液中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)都會(huì)降低錫液對(duì)編織網(wǎng)內(nèi)部的滲透能力,如圖 5(a)~(b)所示.當(dāng)停留時(shí)間在 0.5~0.8,s 范圍內(nèi)時(shí),從圖 5(c)~(e)可以看出,鍍錫層內(nèi)部氣孔缺陷很少,鍍錫層厚度適中,表面光滑,同時(shí)對(duì)內(nèi)層編織網(wǎng)有良好的滲透效果,整個(gè)編織網(wǎng)被鍍錫層固化為一體,具有優(yōu)良的綜合性能.進(jìn)一步縮短在錫液中的停留時(shí)間或者提高電纜的送進(jìn)速度,錫鍍層內(nèi)氣孔缺陷很少,錫液對(duì)編織網(wǎng)的滲透作用也很強(qiáng),但是鍍錫層厚度會(huì)明顯增加,如圖 5(f)所示.這主要是因?yàn)楫?dāng)送進(jìn)速度太高時(shí),當(dāng)電纜離開(kāi)錫液面時(shí)表面會(huì)黏附帶走更多的錫液,這些錫液凝固后就使鍍層厚度增加,而且鍍層的厚度也不均勻,這既造成錫釬料的浪費(fèi),同時(shí)也會(huì)導(dǎo)致鍍錫后電纜重量的增加,生產(chǎn)中一般是不允許的.

        圖5 不同工藝參數(shù)的鍍錫層金相圖片(具體工藝參數(shù)見(jiàn)表2)Fig.5 Metallographs of tin coating at different tin-plating parameters(shown in Tab.2)

        綜上所述,電纜在錫液中的停留時(shí)間是決定錫鍍層質(zhì)量的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),合適的停留時(shí)間可以有效消除鍍錫層上的氣孔缺陷,同時(shí)提高鍍層的整體質(zhì)量.更進(jìn)一步,在保證鍍錫時(shí)間的前提下,對(duì)電纜的送進(jìn)速度也有一定的范圍限制.送進(jìn)速度不能太快,在本實(shí)驗(yàn)條件下,如果超過(guò)了 8,m/min,鍍錫層厚度將顯著增加.

        綜合考慮,為了獲得高質(zhì)量的整體鍍錫層,電纜在錫液中的停留時(shí)間控制在 0.5~1.0,s,電纜送進(jìn)速度在4~6,m/min,浸入深度在40~80,mm 之間,采用本文提出的垂直鍍錫工藝一遍即可獲得無(wú)氣孔缺陷、組織致密、表面光滑的整體鍍錫層.

        3 結(jié) 論

        (1) 本文提出的垂直鍍錫新工藝將同軸電纜浸入錫液的長(zhǎng)度縮短至 10~100,mm,停留時(shí)間減少到1.0,s 以下,顯著減少了氣孔缺陷的發(fā)生,同時(shí)提高了鍍錫層的附著強(qiáng)度和生產(chǎn)效率.

        (2) 當(dāng)錫液溫度在 255~265,℃,電纜在錫液內(nèi)的停留時(shí)間為 0.5~1.0,s,電纜浸入錫液的長(zhǎng)度在40~80,mm,電纜的送進(jìn)速度為 4~6,m/min 時(shí),采用垂直鍍錫工藝一遍即可獲得無(wú)氣孔缺陷、組織致密、厚度適中、表面光滑的整體鍍錫層.

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