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        M型電磁傳感器檢測(cè)裂紋的仿真分析及參數(shù)優(yōu)化

        2013-07-12 12:11:01左憲章錢蘇敏張?jiān)?/span>常東
        中國(guó)測(cè)試 2013年3期
        關(guān)鍵詞:渦流磁場(chǎng)線圈

        左憲章,錢蘇敏,張?jiān)?,常東

        (軍械工程學(xué)院無人機(jī)工程系,河北石家莊 050003)

        M型電磁傳感器檢測(cè)裂紋的仿真分析及參數(shù)優(yōu)化

        左憲章,錢蘇敏,張?jiān)疲|

        (軍械工程學(xué)院無人機(jī)工程系,河北石家莊 050003)

        傳統(tǒng)的脈沖渦流傳感器采用圓柱式結(jié)構(gòu),其磁場(chǎng)大部分在空氣中傳播,造成能量的損失,因此該文設(shè)計(jì)M型電磁傳感器在單線圈傳感器上增加一個(gè)U型磁軛來提高磁場(chǎng)的利用率。通過ANSYS仿真軟件對(duì)M型傳感器與單線圈傳感器檢測(cè)不同深度的裂紋進(jìn)行仿真對(duì)比,結(jié)果證明M型傳感器的靈敏度高,信號(hào)強(qiáng),同時(shí)對(duì)于傳感器激勵(lì)源參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。

        脈沖渦流;M型傳感器;裂紋檢測(cè);參數(shù)優(yōu)化

        0 引言

        在裂紋缺陷檢測(cè)中,傳統(tǒng)的無損檢測(cè)方法有超聲、磁粉和滲透等,但超聲檢測(cè)需要用到耦合劑,磁粉和滲透檢測(cè)對(duì)工件表面要進(jìn)行一些預(yù)處理。而近期的研究熱點(diǎn)脈沖漏磁及脈沖渦流檢測(cè)技術(shù),對(duì)工件表面狀況要求低,易于檢測(cè),因此逐步在裂紋檢測(cè)中占據(jù)主導(dǎo)地位。脈沖漏磁檢測(cè)主要針對(duì)的是鐵磁性材料,而脈沖渦流檢測(cè)主要針對(duì)的是非鐵磁性材料,但是在檢測(cè)鐵磁性材料時(shí),也有渦流成分的存在,所以研究利用脈沖渦流技術(shù)檢測(cè)鐵磁性材料裂紋將使這一技術(shù)得到更大的運(yùn)用前景[1-2]。

        傳統(tǒng)的脈沖渦流傳感器采用圓柱形傳感器,激勵(lì)線圈使被檢試件內(nèi)部產(chǎn)生所需磁場(chǎng),磁場(chǎng)大部分是在空氣中傳播,而空氣的磁導(dǎo)率很低,這就導(dǎo)致磁場(chǎng)在空氣中會(huì)有很大衰減,造成磁場(chǎng)能量的損失,對(duì)于檢測(cè)精度會(huì)有很大程度的影響。

        本文主要研究M型脈沖渦流傳感器對(duì)鐵磁性材料的裂紋檢測(cè)。通過ANSYS有限元仿真的方法,對(duì)M型傳感器模型與單線圈傳感器模型進(jìn)行了仿真對(duì)比,驗(yàn)證了傳感器的有效性,同時(shí)對(duì)于傳感器激勵(lì)源參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。

        1 仿真實(shí)驗(yàn)對(duì)比

        1.1 脈沖渦流檢測(cè)原理

        渦流檢測(cè)方法是將通有交變電流的線圈靠近待測(cè)試件,而線圈中的交變磁場(chǎng)與試件發(fā)生電磁感應(yīng),在導(dǎo)體中感生出渦流,渦流也會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng)。當(dāng)試件表面有缺陷時(shí),會(huì)導(dǎo)致渦流與感應(yīng)磁場(chǎng)的強(qiáng)度與分布的變化[3]。與傳統(tǒng)的渦流檢測(cè)技術(shù)相比,脈沖渦流利用一個(gè)重復(fù)的寬帶脈沖(例如方波)激勵(lì)線圈,線圈中產(chǎn)生瞬時(shí)電流,在檢測(cè)對(duì)象上感應(yīng)出瞬時(shí)渦流,并與快速衰減的磁脈沖結(jié)合起來在材料中傳播,且脈沖包含了很寬的頻譜,所以感應(yīng)信號(hào)中包含大量的信息[4-5]。

        在傳統(tǒng)的脈沖渦流傳感器結(jié)構(gòu)中,激勵(lì)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)通過線圈下端到達(dá)工件,然后通過空氣耦合回到線圈上端,從而形成磁路。因此激勵(lì)磁場(chǎng)除了在所測(cè)試件內(nèi)部產(chǎn)生所需的磁場(chǎng),同時(shí)大部分磁路暴露在空氣中,衰減大,使得通過試件的磁場(chǎng)很微弱,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度較弱,導(dǎo)致檢測(cè)靈敏度低。本文擬提出一種新型傳感器勵(lì)磁結(jié)構(gòu)——M型脈沖渦流傳感器,保證勵(lì)磁磁路大部分集中在鐵磁材料中進(jìn)行傳播,因而相比于傳統(tǒng)的圓柱型的傳感器,能量損失小、檢測(cè)靈敏度高。

        1.2 M型傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

        通過有限元軟件ANSYS,建立傳感器的模型。激勵(lì)線圈位于M型鐵芯中間的磁極上,當(dāng)激勵(lì)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)通過無缺陷的試件時(shí),磁場(chǎng)通過M型磁軛的另外兩磁極和試件形成閉合回路,磁場(chǎng)均勻分布。

        設(shè)計(jì)M型傳感器長(zhǎng)44mm,寬20mm,高28mm。其中,中間的磁軛長(zhǎng)12mm,寬20mm,高20mm。單線圈傳感器長(zhǎng)12mm,寬20mm,高20mm。線圈匝數(shù)為400匝。試件長(zhǎng)70mm,寬20mm,高度5mm,如圖1和圖2所示。

        圖1 M型模型

        圖2 單線圈模型

        所建立的模型包括線圈、磁軛、試件與空氣。線圈電阻率為1.75E-8Ω·m,相對(duì)磁導(dǎo)率為1。磁軛相對(duì)磁導(dǎo)率為1000。試件電阻率為2E-7Ω·m,相對(duì)磁導(dǎo)率為200,為鐵磁性材料。對(duì)于激勵(lì)線圈施加的是占空比為50%,頻率為50Hz,激勵(lì)電流為4A的方波。

        當(dāng)傳感器與工件提離值為1mm時(shí),傳統(tǒng)圓柱型傳感器與M型傳感器激勵(lì)磁場(chǎng)磁通密度及試件上渦流分布仿真結(jié)果如圖3、圖4、圖5、圖6所示。

        圖3 M型傳感器激勵(lì)磁通密度分布

        圖4 單線圈傳感器激勵(lì)磁通密度分布

        圖5 M型傳感器勵(lì)磁的工件渦流分布

        圖6 單線圈傳感器勵(lì)磁的工件渦流分布

        由圖3和圖4可知,M型傳感器激勵(lì)磁場(chǎng)在各方向上的分布是不均勻的,相對(duì)集中在有磁軛的位置上,所產(chǎn)生的渦流也是不均勻的,左右位置附近渦流密度較大,前后渦流密度相對(duì)較小,如圖5所示。單線圈傳感器由于磁場(chǎng)在空氣中均勻傳播,所以渦流密度分布相對(duì)均勻,如圖6所示。在M型線圈中,磁通密度最大值為3.31T,渦流密度最大值為0.004 665T,而單線圈中磁通密度最大值為0.545681T,渦流密度最大值為0.001658T??梢姡瑔尉€圈產(chǎn)生的渦流密度最大值比M型傳感器產(chǎn)生的渦流密度最大值小,這是由于在空氣中磁場(chǎng)沒有在磁軛中分布密集,因此,M型傳感器在檢測(cè)相同位置的缺陷時(shí)所得數(shù)據(jù)大,更易于檢測(cè)。

        1.3 信號(hào)特征分析

        圖7顯示了鋁材料工件的傳統(tǒng)典型的脈沖渦流參考信號(hào)、檢測(cè)信號(hào)以及它們相減得到的差分信號(hào)。參考信號(hào)和檢測(cè)信號(hào)趨勢(shì)相同,都是起始段急劇上升到接近最大值,之后緩慢的趨于某一極限值。差分響應(yīng)信號(hào)起始段上升不如前兩種信號(hào)快,到達(dá)最大值點(diǎn)后,先快速后緩慢的下降,到趨于零點(diǎn)。在峰值點(diǎn)處,檢測(cè)信號(hào)和參考信號(hào)的差別最大。通常采用的信號(hào)特征為差分信號(hào)的峰值及峰值時(shí)間[6-7]。

        圖7 鋁材料的脈沖渦流信號(hào)

        通過仿真,將試件換成鐵磁性材料時(shí),在提離0.2mm處,分別提取無缺陷與存在缺陷深0.2mm、寬1mm的中心位置的瞬態(tài)磁通密度值,如圖8所示。

        圖8 檢測(cè)鐵磁材料瞬態(tài)磁通密度

        通過圖8可知,當(dāng)檢測(cè)鐵磁性材料時(shí),測(cè)得的磁場(chǎng)最大值受磁化效應(yīng)[8]和鐵磁材料的磁質(zhì)特性的影響。圖9中顯示的磁場(chǎng)是由激勵(lì)產(chǎn)生的磁場(chǎng)以及由渦流產(chǎn)生的磁場(chǎng)疊加而成的。由于磁場(chǎng)會(huì)向磁導(dǎo)率大的方向流動(dòng),所以在缺陷周圍,磁場(chǎng)會(huì)向工件處流動(dòng),而在空氣中流動(dòng)的磁場(chǎng)減少,磁場(chǎng)不均勻分布。無缺陷時(shí),產(chǎn)生的磁場(chǎng)是均勻分布。所以采集的無缺陷處的參考信號(hào)幅值與檢測(cè)信號(hào)幅值最終無法達(dá)到一致。同時(shí),當(dāng)達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)候,無缺陷的B的穩(wěn)定值相比于有缺陷的B的穩(wěn)定值大。這與非鐵磁性材料有很大區(qū)別。

        圖9 缺陷附近磁通密度分布

        所以引入歸一化的差分信號(hào)ΔBnorm=B/max(B)-BREF/max(BREF),其中B/max(B)是歸一化后的檢測(cè)信號(hào),BREF/max(BREF)是歸一化后的參考信號(hào)。雖然磁導(dǎo)率對(duì)于B有影響,但是由于歸一化,ΔBnorm明顯的減少了磁導(dǎo)率對(duì)其的影響。圖10所示為缺陷的歸一化差分信號(hào)。提取信號(hào)的峰值以及峰值時(shí)間作為特征量。

        圖10 0.2mm歸一化差分信號(hào)

        1.4 仿真結(jié)果分析

        利用M型線圈與單線圈分別對(duì)于無缺陷,缺陷寬都為1mm,缺陷深分別為0.2,0.4,0.6,0.8,1mm進(jìn)行仿真。通過歸一化差分的處理,所得結(jié)果如圖11和圖12所示。

        提取信號(hào)的峰值及峰值時(shí)間,所得數(shù)據(jù)如表1所示。根據(jù)表1,可繪出圖13與圖14。

        圖11 M型不同深度缺陷的歸一化差分信號(hào)

        圖12 單線圈不同深度缺陷的歸一化差分信號(hào)

        表1 不同缺陷的峰值及峰值時(shí)間

        圖13 M型與單線圈不同深度缺陷歸一化差分信號(hào)峰值

        圖14 M型與單線圈不同深度缺陷歸一化差分信號(hào)峰值時(shí)間

        從表1及圖13、圖14可知,M型傳感器所得信號(hào)相比于單線圈所得的信號(hào)峰值較大,兩者之間差值最小為0.0005,最大為0.0008。且達(dá)到峰值的時(shí)間也較大,同時(shí)達(dá)到峰值的時(shí)間差最小為0.006ms,而單線圈達(dá)到峰值的時(shí)間差最小為0,即無時(shí)間差??梢?,M型傳感器對(duì)于寬度相同、深度不同的缺陷檢測(cè)比單線圈傳感器靈敏度更高,信號(hào)更強(qiáng),利于檢測(cè)。

        2 模型激勵(lì)源參數(shù)的優(yōu)化

        為了進(jìn)一步增加傳感器模型的檢測(cè)精度,針對(duì)M型傳感器進(jìn)行了參數(shù)優(yōu)化。設(shè)置缺陷深度為0.2mm,寬度為1mm,對(duì)于不同激勵(lì)源頻率及激勵(lì)源大小進(jìn)行仿真,選取最佳參數(shù)。

        2.1 激勵(lì)源頻率的選擇

        在脈沖激勵(lì)大小以及占空比不變的前提下,改變脈沖激勵(lì)源的頻率并采集其缺陷信號(hào)峰值大小,繪制曲線如圖15所示。

        圖15 不同頻率下的磁通密度峰值

        可以看出,隨著激勵(lì)源頻率的增加,缺陷信號(hào)峰值不斷減小,因?yàn)殡S著脈沖激勵(lì)頻率的增加,其激勵(lì)電流正負(fù)交替頻率變快,穩(wěn)定值時(shí)間變短,試件充磁不充分,產(chǎn)生的渦流變小,磁場(chǎng)疊加不明顯,所測(cè)的數(shù)據(jù)也減小。所以脈沖渦流檢測(cè)不適宜高頻的情況下,在選擇激勵(lì)電源的頻率時(shí),一般選擇100Hz以下。

        2.2 激勵(lì)源大小的選擇

        在脈沖激勵(lì)占空比以及頻率不變的前提下,改變激勵(lì)源的大小并采集其缺陷信號(hào)峰值大小,繪制曲線如圖16所示。

        圖16 不同激勵(lì)源大小下的磁通密度峰值

        從圖16可知,隨著激勵(lì)源大小的增大,峰值的大小也隨之增大。因此,在保證試件不被磁飽和的情況下,應(yīng)盡量選擇大的激勵(lì)源。

        3 結(jié)束語

        通過研究脈沖漏渦流傳感器的結(jié)構(gòu),提出了新型的M型傳感器,利用ANSYS有限元仿真的方法,對(duì)M型傳感器模型與單線圈傳感器模型進(jìn)行了仿真對(duì)比。結(jié)果顯示,M型傳感器的檢測(cè)信號(hào)強(qiáng),靈敏度高。并進(jìn)一步對(duì)其激勵(lì)源參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,為以后的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)搭建打下基礎(chǔ)。

        [1]Huang C,Wu X J,Xu Z Y,et al.Pulsed eddy current signal processing method for signal denoising in ferromagnetic p late testing[J].NDT&E International,2010(43):648-653.

        [2]Huang C,Wu X J,Xu Z Y,et al.Ferromagnetic material pulsed eddy current testing signal modeling by equivalentmultiple-coil-coupling approach[J].NDT&E International,2011(44):163-168.

        [3]游鳳荷,蔣韜,孫研飛.脈沖渦流磁場(chǎng)特征分析[J].儀表技術(shù)與傳感器,2003(5):38-39.

        [4]Huang C,Wu X J,Xu ZY,et al.Ferromagneticmaterial pulsed eddy current testing signal modeling by equivalent multiple-coil-coupling approach[J].NDT&E International,2011(44):163-168.

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        [6]周德強(qiáng),張斌強(qiáng),田貴云,等.脈沖渦流檢測(cè)中裂紋的深度定量及分類識(shí)別[J].儀器儀表學(xué)報(bào),2009,30(6):1190-1194.

        [7]Sophian A,Tian G Y,Taylor D,et al.A feature extraction techniques for pulsed eddy current NDT[J].NDT E Int,2003,36(1):37-41.

        [8]He Y Z,Luo F L,Pan M C,etal.Defect classification based on rectangular pulsed eddy current sensor in different directions[J].Sensors and Actuators A,2010(157):26-31.

        Simulation analysis and parametric optim ization of M-type pulsed eddy current sensors to detect cracks

        ZUO Xian-zhang,QIAN Su-min,ZHANG Yun,CHANG Dong
        (Department of UAV Engineering,Ordnance Engineering College,Shijiazhuang 050003,China)

        The single-coil sensor was used as the traditional pulsed eddy current sensor,but the magnetic field mostly spreads in the air,resulting in the loss of energy.So a M-type electromagnetic sensor is proposed.The M-type sensor is made of a single-coil and a U-shaped yoke which improved the utilization of the magnetic field.Based on ANSYS simulation,a comparison of the M-type sensor is carried out with the single-coil sensor in detecting the different depths of cracks.The simulation proves the effectiveness of the M-type sensor and the sensor excitation source parameters are optimized at the same time.

        pulsed eddy current;M-type sensor;cracks detection;parametric optimization

        TP212;TP391.9;TH878;TG115.28

        A

        1674-5124(2013)03-0065-05

        2012-07-12;

        :2012-08-30

        左憲章(1963-),男,河北石家莊市人,教授,主要從事機(jī)械故障診斷及智能信息處理與識(shí)別方面的研究。

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