嚴 峰,陳 磊,滕穎麗
(大連交通大學 材料科學與工程學院,遼寧 大連 116028)*
鎂具有密度低,比強度高,導電性好,散熱性好,阻尼性高等優(yōu)點,并且易于機械加工和回收利用,資源儲量大,是極具潛力被大量應(yīng)用的工程材料[1-4].但是,鎂及其合金的低硬度、低強度、低模量、高熱膨脹系數(shù)等性能缺陷限制了它的廣泛應(yīng)用.采用非連續(xù)增強相增強的鎂基復合材料完全消除或彌補了鎂的這些弱點,以其高比強、高比模、耐高溫、導熱、導電、熱膨脹系數(shù)小、尺寸穩(wěn)定性好等優(yōu)異的綜合性能在航天、航空、先進武器系統(tǒng)、汽車工業(yè)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景[5],并已開始具體應(yīng)用.
鎂屬于六方晶系,其滑移系共有四種:基面滑移系 {0001}< 11ˉ20 > ,棱面滑移系{10ˉ10}<11ˉ20 > ,棱錐滑移系{10ˉ11} < 11ˉ20 > 和棱錐滑移系{11ˉ22}< 11ˉ23 > .在鎂基復合材料中,增強體往往選用硬、脆陶瓷粉體或晶須,這些增強體在復合材料的塑性成形或加工過程中不發(fā)生塑性變形(大長徑比增強體,如晶須,在材料的塑性變形中會隨基體轉(zhuǎn)動而形成強烈的擇優(yōu)取向),因此,對非連續(xù)增強相增強的鎂基復合材料織構(gòu)的研究仍然集中在基體上.
本文以SiO2晶體顆粒增強的純鎂復合材料為研究對象,通過金相顯微鏡與X射線衍射技術(shù),分析其在熱擠壓與退火處理后微觀組織與織構(gòu)演化規(guī)律.
實驗材料為采用等離子體放電燒結(jié)技術(shù)制備的2%SiO2/Mg復合材料,燒結(jié)溫度為380℃,然后在400℃,擠壓速度為0.5 mm/s,擠壓比為37∶1的條件下,將燒結(jié)后的復合材料擠壓成直徑7 mm的棒材.退火處理在箱式電阻爐中進行,退火溫度450℃,保溫30 min后水冷.
采用金相顯微鏡對擠壓棒材的縱剖面(剖面平行于擠壓方向)進行觀察.金相試樣在SiC砂紙上打磨到1500#,然后在機械拋光機上用顆粒大小1 μm的金剛石膏機械拋光,腐蝕液成分:乙醇(100 mL),苦味酸(5 g),醋酸(5 mL)和水(10 mL).腐蝕時間60 s.用圖像分析軟件 Image-Pro Plus6.0對金相照片進行統(tǒng)計,確定樣品的平均晶粒尺寸.
采用荷蘭帕納科公司(PANalytical B.V.)銳影(Empyrean)X射線衍射儀,用反射法進行織構(gòu)測定.選用CuKα為入射光源,管電壓為40 KV,管電流為40 mA.
燒結(jié)后的SiO2/Mg復合材料的組織如圖1所示.燒結(jié)過程對Mg顆粒形狀與尺寸沒有明顯影響,SiO2分布在鎂顆粒邊界上.從圖上看,每個Mg顆粒均由多個晶粒構(gòu)成,用Image-Pro Plus6.0測得平均晶粒尺寸為39.6 μm.
1 燒結(jié)后SiO2/Mg復合材料的顯微組織
圖2為擠壓樣品的縱剖面的光學顯微鏡下的微觀組織照片,可以看到清晰的平行于擠壓方向的擠壓流線.在熱擠壓過程中,晶粒內(nèi)部滑移系開動,晶粒變形,鎂顆粒因此沿擠壓方向拉伸并發(fā)生轉(zhuǎn)動,顆粒界面形成明顯流線.擠壓后晶粒尺寸明顯減小,呈等軸狀,說明熱擠壓過程中鎂基體發(fā)生動態(tài)再結(jié)晶,測得平均晶粒尺寸為9.8 μm.
圖3為擠壓樣品經(jīng)400℃退火30 min后縱剖面的顯微組織.顯微組織與退火前沒有明顯變化.退火后平均晶粒尺寸略有增長,為10.2 μm,在晶粒內(nèi)部可觀察到孿晶(見圖中放大部分),擠壓態(tài)SiO2/Mg復合材料的極圖如圖4所示(極密度最大值已在極圖中標出).投影面為擠壓棒材ED/TD平面.可以看出,樣品形成強烈的<101ˉ10>晶向平行于擠壓軸向(ED)的纖維織構(gòu).
圖2 SiO2/Mg復合材料擠壓后的顯微組織
圖3 SiO2/Mg復合材料400℃/30 min退火后的顯微組織
圖4 熱擠壓處理后SiO2/Mg復合材料的極圖
擠壓態(tài)SiO2/Mg復合材料經(jīng)退火處理后的極圖見圖5.從圖上可以看出,退火后基體的織構(gòu)類型沒有發(fā)生變化,仍為 <101ˉ10>晶向平行于擠壓軸向的纖維織構(gòu).不同的是{0002}極密度最大值由退火前的60 提高到72,而 {10ˉ10}和{11ˉ20}極密度最大值較退火前略有下降.M.T.Pérez-Prado等的研究認為這種現(xiàn)象主要是由基面平行于擠壓軸向的晶粒在退火過程中長大所致[6].
圖5 SiO2/Mg復合材料經(jīng)400℃/30 min退火處理后的極圖
(1)SiO2/Mg復合材料在400℃擠壓過程中發(fā)生再結(jié)晶,平均晶粒尺寸由擠壓前的39.6 μm下降到 9.8 μm;
(2)SiO2/Mg復合材料在擠壓過程中基體形成<100>//ED纖維織構(gòu);
(3)經(jīng)400℃(30 min退火后,鎂晶粒尺寸略有長大,上升到 10.2 μm;
(4)基體織構(gòu)類型在退火處理后沒有改變,不同的是{0002}極密度最大值由退火前的60提高到72,而{100}和{120}極密度最大值較退火前略有下降.
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