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        低噪聲放大器的設(shè)計與靈敏度分析

        2012-06-22 06:55:20梁晶晶沈福貴逯貴禎
        關(guān)鍵詞:噪聲系數(shù)低噪聲偏置

        梁晶晶,沈福貴,逯貴禎

        (中國傳媒大學(xué)信息工程學(xué)院,北京 100024)

        低噪聲放大器的設(shè)計與靈敏度分析

        梁晶晶,沈福貴,逯貴禎

        (中國傳媒大學(xué)信息工程學(xué)院,北京 100024)

        本文設(shè)計的低噪聲放大器利用集成芯片ATF36163完成了電路的設(shè)計,利用ADS軟件進行設(shè)計、優(yōu)化和仿真,最后給出了仿真結(jié)果、版圖設(shè)計及實測結(jié)果。同時通過研究電路參數(shù)的靈敏度對該低噪聲放大器進行了靈敏度分析,使得低噪聲放大器不僅符合接收機對LNA的指標(biāo)要求,還能使性能更加穩(wěn)定。

        低噪聲放大器(LNA);噪聲系數(shù);增益;靈敏度分析

        1 引言

        低噪聲放大器是射頻接收機前段的關(guān)鍵模塊,它對天線接收到的微弱射頻信號進行線性放大,同時抑制各種噪聲干擾,提高系統(tǒng)靈敏度。由于LNA在接收系統(tǒng)中的特殊位置和作用,該部件的設(shè)計對整個接收系統(tǒng)的性能指標(biāo)起著關(guān)鍵作用[1]。

        本文利用AVAGO公司的集成芯片ATF36163來設(shè)計低噪聲放大器,它具有精確的仿真模型,能夠在外部調(diào)整電源電流和增益的功能。在RF電路的設(shè)計上進一步采用了微帶線的優(yōu)化來設(shè)計仿真電路,并且通過對電路中參數(shù)的靈敏度分析來提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性,使仿真結(jié)果更加準(zhǔn)確。理論結(jié)果表明,在功耗相同的條件下,它的噪聲系數(shù)和增益也都優(yōu)于傳統(tǒng)的低噪聲放大器。本文采用Agilent公司的Advanced Design System(ADS)軟件進行仿真設(shè)計。此軟件能夠提供各種微波射頻電路的仿真和優(yōu)化設(shè)計。

        2 低噪聲放大器的設(shè)計理論

        低噪聲放大器的主要指標(biāo)有:工作頻帶,噪聲系數(shù),增益,穩(wěn)定性,駐波比以及增益平坦度。對于任何低噪聲放大器,它必須在工作頻率內(nèi)是穩(wěn)定的,同時它應(yīng)該具有較小的噪聲系數(shù)和一定大的增益。

        2.1 穩(wěn)定準(zhǔn)則

        穩(wěn)定性是指放大器抑制環(huán)境的變化(如信號頻率的穩(wěn)定、源和負載等變化時)、維持正常工作特性的能力[2]。使放大器保持絕對穩(wěn)定的條件是:

        其中△=S11S22-S12S21,K稱為穩(wěn)定因子。當(dāng)同時滿足上面3個條件時,放大器絕對穩(wěn)定;若放大器不滿足絕對穩(wěn)定條件時,需要采取一些措施來改善放大器的穩(wěn)定性.主要方法有:源極串聯(lián)負反饋、漏極與柵極間并聯(lián)負反饋、漏極串聯(lián)電阻和漏極并聯(lián)電阻、插入鐵氧體隔離器[3]。

        2.2 放大器的噪聲系數(shù)

        放大器的噪聲系數(shù)可以表示為:

        式中,Nfmin是最小噪聲系數(shù),由放大器管子本身決定,Rn是等效噪聲電阻,Гopt是最佳信源反射系數(shù)。當(dāng) Гs=Гopt時,放大器可達到最小噪聲系數(shù)Nfmin,即稱此時為最佳噪聲匹配狀態(tài)。

        多個放大器級聯(lián)的噪聲系數(shù)為:

        由此可見,多級級聯(lián)放大器的噪聲系數(shù)主要由第1級放大器決定。要獲得好的系統(tǒng)噪聲性能,必須按最佳噪聲匹配設(shè)計輸入匹配電路。

        2.3 放大器的增益和駐波

        放大電路由二端口網(wǎng)絡(luò)方框圖表示,如圖1所示:

        圖1 放大器電路二端口網(wǎng)絡(luò)方框圖

        信源和負載都是50Ω時,放大器的實際功率增益為:

        語文教師教研中的“歪題正做”主要包含三層意思,一是對一些比較大的選題,既然選定了,就要高度重視,力求做出成果來;二是對一些比較邊緣化的選題,可以積極遷移,挖掘其與語文教學(xué)的關(guān)聯(lián),或從中受到啟發(fā),找到共性;三是對真正選“歪”了的題要換角度思考,千方百計引導(dǎo)到“正”上來,進行有效矯正。

        3 低噪聲放大器的仿真與優(yōu)化

        根據(jù)設(shè)計指標(biāo)的要求,選用 AVAGO公司的ATF36163[5]作為核心器件設(shè)計 LNA。ATF36163 是一款具有有源偏壓電路的經(jīng)濟型、使用簡易的砷化鎵單片微波集成電路低噪聲放大器,它采用0.2μm的GaAs pHEMT工藝,具有精確的晶體管仿真模型和較小的噪聲電阻,能夠有效降低噪聲性能的靈敏度,該器件非常適合1.5GHz~18GHz頻率范圍運作。

        3.1 低噪聲放大器的設(shè)計指標(biāo)

        本文設(shè)計的低噪聲放大器主要設(shè)計指標(biāo)如下:頻率范圍:10.3GHz~10.7GHz;噪聲系數(shù):NF<1.8dB;帶內(nèi)增益:G>15dB;輸入/輸出駐波比:<2。

        考慮到增益和噪聲系數(shù)的要求,在VD=2V,IDS=15mA的偏置條件下,10.5GHz時最小噪聲系數(shù)約為0.7dB,增益為13dB。為了得到20dB以上的增益,采用兩級級聯(lián)放大結(jié)構(gòu),將兩個晶體管集成在同一基片上,輸入輸出端口之間通過微帶線匹配到50Ω。

        3.2 偏置電路設(shè)計

        偏置電路至關(guān)重要,合理的偏置能讓放大器工作在最佳狀態(tài)下。該放大電路采用±5V的雙電源供電,根據(jù)參數(shù)模型提供的偏置條件,串聯(lián)分壓電阻將放大器的靜態(tài)工作點設(shè)置為VD=2V,IDS=15mA。通過四分之一高阻微帶線饋電,高阻微帶線端接扇形線對高頻短路[6],并接濾波電容對電源進行濾波。

        3.3 匹配電路設(shè)計

        匹配電路設(shè)計主要考慮放大器的噪聲系數(shù)、增益及駐波比等因素。為了在整個頻段內(nèi)具有良好的匹配效果,一般先選定中心頻率進行匹配電路設(shè)計,然后再對整個頻帶內(nèi)的電路進行微調(diào)優(yōu)化。兩級放大器的匹配電路包括輸入匹配,輸出匹配和級間匹配。其中,輸入匹配按最小噪聲匹配設(shè)計,級間匹配電路應(yīng)使后級放大器輸入阻抗與前級放大器輸出阻抗相匹配,以獲得最大的增益。輸出匹配電路則主要用于提高增益,改善增益平坦度以及輸出駐波比,所以采用最佳功率匹配。

        本設(shè)計根據(jù)放大器的ADS模型,利用微波仿真軟件,運用其Smith圓圖工具和強大的優(yōu)化功能來進行匹配。與傳統(tǒng)的單純利用Smith圓圖的匹配方法相比,本方法能有效的縮短設(shè)計周期,并且實現(xiàn)的匹配電路更準(zhǔn)確,帶寬更寬;采用微帶分支線結(jié)構(gòu)實現(xiàn)匹配,可使匹配性能提高且結(jié)構(gòu)簡單,易于實現(xiàn);同時,為了改善放大器的增益平坦度,將電路匹配到10GHz而不是中心頻率處,使頻帶低端失配;由于過孔接地帶來的寄生效應(yīng)很難估計,分支線均設(shè)計為終端開路分支線。

        3.4 模型仿真與優(yōu)化

        根據(jù)AVAGO公司提的晶體管仿真模型,建立仿真原理圖,如圖2:

        圖2 低噪聲放大器仿真原理圖

        本設(shè)計采用介質(zhì)板FR4作為基板,設(shè)定基板的參數(shù)(εr=4.4,h=0.8mm)。將分支線的寬度和主傳輸線的長度設(shè)為優(yōu)化變量,進行優(yōu)化仿真。優(yōu)化仿真遵循以下幾點:先利用優(yōu)化工具實現(xiàn)設(shè)定的目標(biāo),優(yōu)化過程分步驟有主次地進行;在每次優(yōu)化時,應(yīng)該有選擇地設(shè)置少量的可變參數(shù),分步驟進行優(yōu)化;優(yōu)化后再使用調(diào)諧工具手動微調(diào)各元件參數(shù),可以得知各參數(shù)對電路性能的影響情況,對于敏感參數(shù)仔細處理或采取措施以避免特別敏感的參數(shù)出現(xiàn)。

        由于制作加工過程中可能帶來的誤差,設(shè)計仿真的性能指標(biāo)設(shè)置必須高于所要求達到的性能指標(biāo)。通過反復(fù)的優(yōu)化,最后得到的仿真結(jié)果為:在10.3GHz~10.7GHz頻帶內(nèi),噪聲系數(shù) <1dB,增益=21dB±0.5dB,輸入/輸出駐波 <2。圖3(a)為噪聲系數(shù)-頻率曲線,圖3(b)為增益-頻率曲線。圖3(c)為輸入輸出駐波比曲線。

        3.5 實測結(jié)果分析

        對加工成型的LNA進行散射參數(shù)測試,在頻帶范圍10.3GHz~10.7GHz處的增益(S21)約為16.4dB,考慮到連接的測試線上有1~2dB的衰減,LNA前一級的介質(zhì)濾波器有約1dB的衰減,兩級LNA之間連接的3個電容有約3dB的衰減,綜合LNA的增益在21dB左右,與仿真結(jié)果基本一致。輸出波形如圖4所示。

        圖4 網(wǎng)絡(luò)分析儀輸出的增益波形

        4 靈敏度分析

        4.1 靈敏度的概念

        放大器中的元器件,通常由于制造公差、測量誤差和模型的近似性,其實際值都是在一定范圍內(nèi)的隨機量,故放大器的實際特性一般不可能是設(shè)計的預(yù)期指標(biāo)[7]。因此為使得設(shè)計的低噪聲放大器能夠具有穩(wěn)定的性能,通常需要選擇一個低靈敏度電路,以減小元器件參數(shù)變化對放大器性能的影響。因此,靈敏度分析對微波集成電路有很重要意義。

        靈敏度定義有絕對靈敏度與相對靈敏度兩種形式。設(shè)f是電路特性函數(shù),它可以是節(jié)點電壓、支路電流或者一個網(wǎng)絡(luò)的增益等,x是電路一個參數(shù),如電阻、電容、電感、晶體管的模型參數(shù)等等。定義[8]:

        公式(8)為參數(shù)x對電路特性函數(shù)f的絕對靈敏度。

        公式(9)為參數(shù)x對電路特性函數(shù)f的一階相對靈敏度。

        公式(10)為參數(shù)x對電路特性函數(shù)f的n階相對靈敏度。其中,x0是參數(shù)的標(biāo)稱值,f0是參數(shù)在標(biāo)稱值下的電路特性函數(shù)值。

        本文設(shè)計的放大器的匹配電路采用微帶線設(shè)計,沒有引入元件參數(shù),所以主要對LNA的偏置網(wǎng)絡(luò)參數(shù)估計進行靈敏度分析,來確保實際的電路能有穩(wěn)定的特性。

        4.2 電路的靈敏度分析

        利用ADS軟件的Monte Carlo分析功能[9]對本文設(shè)計的LNA一級電路進行靈敏度分析。如圖5所示,將電路中的電阻和電容分別設(shè)置相同的容差,然后仿真他們對整個網(wǎng)絡(luò)放大性能的影響,Monte Carlo模擬的次數(shù)為500。

        圖5 靈敏度分析仿真模型圖

        在各個參數(shù)未加容差時的放大特性如圖6(a)所示;C1,C2,C3,C4的容差分別為5%時的放大特性相同,如圖6(b)所示;漏極直流偏置電阻R1,R2分別為5%容差時的放大特性如圖6(c)和6(d)所示;柵極直流偏置電阻R3,R4分別為5%容差時的放大特性,如圖6(e)和6(f)所示。

        時,對放大特性基本沒有影響。漏極直流偏置電阻R1和R2容差分別為5%時,放大特性有了一定的抖動,并且頻率低的抖動程度高,選取10.5GHz點觀察,其放大特性大部分分布在在10.4~10.65dB之間。柵極偏置電阻R3和R4容差分別為5%時,放大特性也有抖動,但其程度較小,并且比較均勻,其抖動大部分分步在10.48~10.52dB之間。由分析可以看出,作為漏極偏置的電阻R1、R2對于電路靈敏度影響相對較大,因此在元器件選擇和布局時,對于高靈敏參數(shù)元件,應(yīng)仔細選擇和考慮。

        5 結(jié)束語

        本文采用ATF36163的仿真模型設(shè)計出一款工作在中心頻率為10.5GHz的低噪聲放大器。并詳細介紹了設(shè)計的具體流程和方法,充分利用ADS仿真軟件的各項功能對低噪聲放大器進行優(yōu)化仿真,最終設(shè)計出有著低噪聲系數(shù),高增益,良好輸入輸出駐波比的低噪聲放大器。同時,通過對放大器元件參數(shù)的靈敏度分析,給出了低噪聲放大器設(shè)計中電容電阻選擇的一些建議,對低噪聲放大器的設(shè)計加工具有一定的指導(dǎo)意義。

        [1]Skolnik.雷達手冊[M].北京:電子工業(yè)出版社,2003:104-108.

        [2]黃玉蘭.射頻電路理論與設(shè)計[M].北京:人民郵電出版社,2008.

        [3]謝濤,周以國,郭俊棟.X波段寬帶低噪聲放大器設(shè)計[J].中國科學(xué)院研究生院學(xué)報,2008,25(3).

        [4]徐興福.ADS2008射頻電路設(shè)計與仿真實例[M].北京:電子工業(yè)出版社,2009.

        [5]ATF-36163 Data Sheet[Z].Avago,2008.

        [6]WANG Xiao mei,SUN Zheng wen,Chen Yong.Design and analysis of an X-band Low Noise Amplifier[C].Second International Conference on Multimediaand Information Technology,2010.

        [7]劉志明,徐麗,須磊.低噪放的參數(shù)靈敏度的研究[J].電子技術(shù),2008,45(9).

        [8]凌燮亭.電路參數(shù)的容差分析與設(shè)計[M].上海:復(fù)旦大學(xué)出版社,1989:1-43.

        [9]Pallier C,Vallette F,Vasilecu G,Algani C.How HBT Parameters Influence Conversion Gain in Cell Microwave Mixer[C].High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications,1997:261-266.

        The Design and Sensitivity Analysis of a Low Nosie Amplifier

        LIANG Jing-jing,SHEN Fu-gui,LU Gui-zhen
        (Communication University of China,School of Information Engineering,Beijing 100024,China)

        This paper uses the integrated chips ATF36163 to complete the circuit design,and offers the simulation results with the design,optimizing and simulation of Agilent ADS ,the layout and the measured results.Meanwhile,the sensitivity analysis of the parameters through RF circuit parameter is researched.The results show that the LNA after the sensitivity analysis not only conforms to the specifications of the receiver,but also makes the performance more stable.

        low noise amplifier(lna);noise figure;gain;sensitivity analysis

        TN722.3

        A

        1673-4793(2012)02-0064-06

        2012-3-19

        梁晶晶(1987-),女(漢族),河南三門峽人,中國傳媒大學(xué)碩士研究生.Email:liangjingjing@cuc.edu.cn

        (責(zé)任編輯

        :王 謙)

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