王 三,徐紅春
(武漢電信器件有限公司,光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖北武漢430074)
隨著接入網(wǎng)、FTTH(Fiber to the Home)以及3G的高速發(fā)展,光纖收發(fā)合一模塊的應(yīng)用越來越廣泛。國內(nèi)3G和FTTx的建設(shè)給光模塊企業(yè)的生產(chǎn)帶來了拐點(diǎn)式的增長,但產(chǎn)能的急劇提升,也對光模塊廠家的批量生產(chǎn)提出了苛刻的要求。另外,由于寬溫度范圍(-40~+85℃)的高速率光模塊(2.488、3.125、6、10 Gbps等)頗受市場青睞,于是寬溫度范圍內(nèi)模塊的平均光功率和消光比的穩(wěn)定便成為批量生產(chǎn)過程中的突出問題。一直以來生產(chǎn)廠家常用的光模塊消光比補(bǔ)償方法主要有驅(qū)動芯片溫度補(bǔ)償、K系數(shù)補(bǔ)償、查找表、數(shù)字電位器補(bǔ)償?shù)龋鼈兌际窃诩す馄饕恢滦暂^好的基礎(chǔ)上完成的。但如果激光器隨溫度變化,斜效率變化比較離散,一致性較差,傳統(tǒng)補(bǔ)償方式將會失效。因此,工作在寬溫度范圍(-40~+85℃)或更苛刻溫度范圍的光模塊實(shí)現(xiàn)難度較大,傳統(tǒng)補(bǔ)償方式作用有限,且靈活性差,通常需要焊接電阻并不斷驗(yàn)證,耗時且工作量較大。因此,本文提出了一種新的補(bǔ)償方法,其創(chuàng)新之處在于可根據(jù)不同溫度下驅(qū)動芯片上報電流大小,結(jié)合光功率和消光比的計算公式,模擬激光器光功率隨電流及電壓的變化曲線,并根據(jù)要求調(diào)整激光器調(diào)制電流大小,從而保持消光比的穩(wěn)定。本文以2.488 Gbps的SFP(Small Form-factor Pluggables)模塊為例,探討器件一致性較差時,如何維持模塊平均光功率和消光比的穩(wěn)定,以保證眼圖的質(zhì)量和傳輸?shù)姆€(wěn)定性。
保持平均光功率和消光比的穩(wěn)定性,通常采用以下一些方法:(1)采用驅(qū)動芯片的APC功能保持器件光功率的穩(wěn)定,根據(jù)背光電流的大小,自動調(diào)節(jié)偏置電流。設(shè)置常溫下的調(diào)制電流,采取溫度補(bǔ)償和K系數(shù)補(bǔ)償相結(jié)合的方式,調(diào)節(jié)調(diào)制電流的大小,維持消光比穩(wěn)定 (2)通過查找表的方式,根據(jù)幾只光模塊隨溫度變化的校準(zhǔn)參數(shù),每2℃為一個步進(jìn),設(shè)置多個溫度點(diǎn)的偏置電流和調(diào)制電流[3]。(3)采用帶數(shù)字電位器的監(jiān)控芯片,調(diào)節(jié)隨溫度變化對應(yīng)的數(shù)字電位器的值。該方法類似查找表的方式,但更為靈活[4]。
以上3種方法是目前主流的光功率及消光比溫度穩(wěn)定補(bǔ)償方法。3種方法的共同之處就是要求采用的光器件一致性較好,需要規(guī)定器件的斜效率范圍,且溫度一致性較好。如果器件之間的差異性較大,則同一個補(bǔ)償方案對于不同的模塊,消光比會呈現(xiàn)較大的離散性。而相關(guān)的光模塊標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,2.488 Gbps的消光比最小值為8.2 dB,光眼圖的模板 margin最小為10%。通常2.488 Gbps的實(shí)驗(yàn)得到最高消光比為11dB,再大就會導(dǎo)致過沖或者交叉點(diǎn)偏低,影響傳輸。這樣2.488 Gbps工業(yè)級溫度范圍光模塊的消光比只能在8.2~11 dB,此數(shù)據(jù)比較嚴(yán)格且難以保證,特別是對于單纖維雙向的器件[5]。
圖1 激光器驅(qū)動耦合電路圖Fig.1 Diagram of laser driver coupled interface circuit
本方案采用驅(qū)動芯片,最大偏置電流為100 mA,最大調(diào)制電流為90 mA;集成非易失寄存器,用于芯片控制及數(shù)據(jù)通信;帶兩路IIC總線,一路與單片機(jī)通信,另外一路提供模塊與外部數(shù)據(jù)通信;自動調(diào)節(jié)A/D轉(zhuǎn)換器,實(shí)現(xiàn)數(shù)字監(jiān)控、校準(zhǔn)及參數(shù)上報;集成驅(qū)動與接收在一塊芯片上,節(jié)約了空間。激光器驅(qū)動耦合電路圖如圖1所示。
驅(qū)動部分與光發(fā)射次模塊(TOSA)采用交流耦合的方式,以提高邊沿觸發(fā)時間,同時避免由于直流耦合帶來的壓降過大導(dǎo)致LD的壓降不夠而使眼圖變形[6]。Laser+與Laser-均通過電阻上拉,二者之間通過電容耦合,其中RC網(wǎng)絡(luò)起到一定的補(bǔ)償作用,可減小寄生電感、弛豫振蕩和過沖,維持穩(wěn)定的負(fù)載阻抗。由于Laser+的匹配電阻會因器件的不同而發(fā)生變化,所以只有合理選取匹配電阻,才能很好地解決眼圖雙線等問題,若過大會扼制消光比的范圍,而消光比過大會導(dǎo)致過沖,下降沿緩慢等問題[7]。背光電流用于穩(wěn)定光功率大小,自動控制功率(APC)反饋回路,在考慮溫度和壽命上的基礎(chǔ)上維持恒定平均光功率。選擇大范圍調(diào)制電流(90 mA)與偏置電流(100 mA),可使該裝置能夠理想地驅(qū)動FP/DFB激光二極管。
芯片發(fā)射部分主要寄存器配置見表1。
表1 發(fā)射部分主要寄存器Tab.1 Main register of transmit part
常規(guī)光功率補(bǔ)償方式有兩種:一種是閉環(huán),一種是開環(huán)[8]。閉環(huán)方式是利用PD的背光電流與寄存器66H設(shè)置的參考電流進(jìn)行比較,根據(jù)背光變化的大小,芯片自動調(diào)節(jié)發(fā)射功率,從而維持光功率穩(wěn)定。開環(huán)模式是采取編程的方式改變偏置電流大小,用寄存器B1H,B2H設(shè)置需要的輸出光功率。本方案選用閉環(huán)方式來維持光功率穩(wěn)定。
圖2 單片機(jī)電路Fig.2 MCU circuit
單片機(jī)電路如圖2所示,Pin4和Pin5是單片機(jī)程序下載接口。P1.0、P1.1是單片機(jī)與芯片通信的IIC接口。P0.1、P0.2則是單片機(jī)與光模塊外部通信IIC接口。上位機(jī)通過串口或者USB轉(zhuǎn)IIC的方式與光模塊測試板通信,校準(zhǔn)光功率、消光比、溫度、偏置電流、電源電壓,同時通過IIC配置驅(qū)動芯片的寄存器、監(jiān)控上報等[9]。
如前文所述,常規(guī)消光比補(bǔ)償主要有3種,這3種補(bǔ)償方式都是建立在激光器件一致性較好的前提下。LD的P-I-V曲線與溫度的關(guān)系如圖3所示。對應(yīng)θ1和θ2兩種溫度的P-I-V曲線圖,對應(yīng)不同的偏置電流和調(diào)制電流。溫度越高,斜效率越小,需要補(bǔ)償?shù)碾娏骶驮蕉?。P1對應(yīng)‘1’電平的功率,P0對應(yīng)‘0’電平的功率。PAVG是LD的出光平均光功率[10]。
圖3 LD的P-I-V曲線Fig.3 P-I-V curves of LD
傳統(tǒng)的補(bǔ)償方式所采用的光器件的一致性較好,且需要規(guī)定器件斜效率范圍。如果器件之間的差異性較大,對于不同的光模塊,在高溫條件下斜效率變化非常離散,就會導(dǎo)致消光比高溫補(bǔ)償出現(xiàn)離散分布。有的光模塊可能補(bǔ)償不夠,消光比低于標(biāo)準(zhǔn)值8.2 dB;有的可能補(bǔ)償過多,大于11 dB,導(dǎo)致過沖,難以符合10%的margin。這兩種情況都會導(dǎo)致發(fā)射信號質(zhì)量較差,接收光模塊難以復(fù)原信號,使靈敏度劣化,無法滿足傳輸距離要求
提出的方法所用光模塊是2.5 Gbps 15 km單纖雙向SFP,應(yīng)用于工業(yè)級溫度為-40~+85℃,發(fā)射平均光功率典型值為-2.5 dBm(-5~0 dBm),消光比介于8.2 dB和11 dB之間。考慮測試誤差和插拔重復(fù)性各±0.5 dBm,全溫度范圍的光功率為-4~-1 dBm,溫度變化對光功率的影響若按±1 dBm計算,則在常溫下的光功率為 -3~ -2 dBm(501.1~631 μW),取典型值為-2.5 dBm(562.3 μW)。設(shè)定在 +25 ℃時,PAVG=-2.5 dBm,消光比EX=10 dB。
據(jù)PAVG=562.3 μW,計算出P1+P0=1 124.6 μW;EX=10 dB,計算出P1/P0=10。因此得到:P0=102.2 μW,P1=1 022.4 μW。本方法發(fā)射部分采用交流耦合的方式,當(dāng)溫度為θ1時,斜效率為SE(t1):
當(dāng)溫度為θ2時,斜效率為SE(t2):
如果要在θ1與θ2條件下消光比保持不變,則EX1=EX2。
通過化簡得到:
設(shè)定 θ1為 +25 ℃,則IBias1,IMod1可以通過驅(qū)動芯片的設(shè)置及上報讀取。再根據(jù)P1,P0,IBias1、IMod1,由下面的公式求出+25℃溫度下的斜效率SE和ITH。
同理,θ2溫度下,通過設(shè)置兩組偏置電流和調(diào)制電流,也可以得到 θ2溫度下的模擬P-I-V曲線。先求出SE(θ2)和ITH(θ2),再根據(jù)公式計算,通過APC上報讀取IBias2,以求出保證EXT不變情況下所需的IMod2的值,再通過驅(qū)動芯片寄存器配置直接更改此時調(diào)制電流的大小。這樣無論溫度如何變化,斜效率變化如何不一致,都能夠通過軟件模擬及計算的方式,調(diào)整得到穩(wěn)定的消光比。
由于單片機(jī)不會隨著溫度的變化無休止地模擬P-I-V曲線,也不會無休止地計算需要的調(diào)制電流,因?yàn)檫@樣會消耗大量的資源,也會增加許多額外的功耗。因此,通過幾個不同TOSA隨著溫度的消光比變化,結(jié)合商業(yè)級溫度范圍0~+70℃,在65、75、85℃這3個溫度點(diǎn)進(jìn)行了模擬和計算,最后通過60個不同模塊進(jìn)行驗(yàn)證,結(jié)果發(fā)現(xiàn):消光比均在9~10.5 dB,眼圖質(zhì)量得到了保證。
本文采用驅(qū)動芯片結(jié)合單片機(jī),通過軟件模擬P-I-V曲線,確保了在寬溫度范圍內(nèi)器件LD在斜效率一致性較差的情況下,仍然能夠得到穩(wěn)定的消光比,從而保證了眼圖質(zhì)量。得到的結(jié)果可使很多用戶將原來斜效率的指標(biāo)適當(dāng)放寬10%,從而提高近10%的利用率,并降低成本,還能將常規(guī)補(bǔ)償方式不合格的器件用這種方式重新加以利用。該補(bǔ)償方法使用靈活,隨時可以通過修改軟件得到想要的結(jié)果。由于模擬曲線不可能與實(shí)際完全吻合,校準(zhǔn)上報和真實(shí)值也存在一定差異,因此,適當(dāng)選取幾個溫度點(diǎn)模擬和計算,能夠得到更加精確的結(jié)果。
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