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        “十五五”時(shí)期中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展:外部形勢、發(fā)展趨勢與政策選擇

        2025-04-15 00:00:00李先軍
        改革 2025年3期
        關(guān)鍵詞:人工智能

        摘 " 要:集成電路產(chǎn)業(yè)是“十五五”時(shí)期全球競爭的核心產(chǎn)業(yè)之一?!笆逦濉睍r(shí)期是人工智能技術(shù)發(fā)展和“再全球化”的關(guān)鍵時(shí)期,全球集成電路產(chǎn)業(yè)依然將保持較高的增長速度。預(yù)期“十五五”時(shí)期中國集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢,尤其是人工智能芯片需求快速增長;3~5納米尖端制程有望突破,22納米以下制程實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化“貫通”,裝備、材料、軟件和EDA工具等自主可控水平顯著提升;“卡脖子”問題解決與“國產(chǎn)替代”進(jìn)程進(jìn)一步加速;國際合作持續(xù)加強(qiáng),與南方國家尤其是共建“一帶一路”國家和地區(qū)的合作不斷深化。“十五五”時(shí)期,建議著眼未來競爭戰(zhàn)略性調(diào)整產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo),將解決“卡脖子”的“應(yīng)對(duì)式”發(fā)展策略轉(zhuǎn)向推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的“主動(dòng)式”發(fā)展戰(zhàn)略,重點(diǎn)推動(dòng)人工智能和大算力“兩類先進(jìn)芯片”的聚力突破,促進(jìn)傳統(tǒng)技術(shù)路線有序推進(jìn)和新技術(shù)路線涌現(xiàn)“兩類技術(shù)路線”并行發(fā)展。探索“技術(shù)突破+工藝創(chuàng)新+智能賦能”的融合發(fā)展路徑,構(gòu)建“高質(zhì)量供給+超大規(guī)模需求”共同推動(dòng)的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同融合發(fā)展體系,強(qiáng)化技術(shù)體系和產(chǎn)業(yè)體系的“再全球化”,在市場、技術(shù)、研發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)等方面全面嵌入并引領(lǐng)全球產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)。

        關(guān)鍵詞:集成電路產(chǎn)業(yè);人工智能;產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

        中圖分類號(hào):F426.63 " 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A " 文章編號(hào):1003-7543(2025)03-0038-15

        “十五五”時(shí)期是進(jìn)一步全面深化改革、推進(jìn)中國式現(xiàn)代化的關(guān)鍵時(shí)期,是全球競爭格局加快演化和技術(shù)革命快速發(fā)展的階段,也是加快新質(zhì)生產(chǎn)力培育、實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的攻堅(jiān)期。“十五五”時(shí)期集成電路產(chǎn)業(yè)迎來人工智能技術(shù)快速發(fā)展的新機(jī)遇,但國際競爭環(huán)境面臨“逆全球化”加深的態(tài)勢。預(yù)期“十五五”時(shí)期全球集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持快速增長態(tài)勢,但結(jié)構(gòu)和區(qū)域分工加速分化。為應(yīng)對(duì)技術(shù)變革和全球競爭格局的新變化,本文在分析“十五五”時(shí)期全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境和形勢的基礎(chǔ)上,提出“十五五”時(shí)期中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略目標(biāo)和內(nèi)容體系,以及推動(dòng)中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的相關(guān)政策建議。

        一、“十五五”時(shí)期全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)趨勢和競爭態(tài)勢

        “十五五”時(shí)期,全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)趨勢和分工形勢將發(fā)生顯著變化,超越摩爾定律和人工智能技術(shù)將驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的模式創(chuàng)新,美國等西方國家的“逆全球化”將改變產(chǎn)業(yè)分工和合作的全球版圖。

        (一)超越摩爾定律和人工智能技術(shù)將驅(qū)動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的模式創(chuàng)新

        隨著摩爾定律的降速,超越摩爾定律成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基本規(guī)律。與此同時(shí),人工智能技術(shù)不僅為集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了新的機(jī)會(huì)窗口,而且引致產(chǎn)業(yè)發(fā)展新模式和新形態(tài)的涌現(xiàn)。

        一是在摩爾定律向超越摩爾定律演化的背景下,集成電路產(chǎn)業(yè)需要技術(shù)和路線共同創(chuàng)新來維持其持續(xù)發(fā)展趨勢。自1965年英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾預(yù)言“芯片中晶體管的數(shù)量每年會(huì)翻番,半導(dǎo)體的性能和容量將以指數(shù)式增長”之后,摩爾定律便成為集成電路行業(yè)進(jìn)步的圭臬。隨著芯片制造進(jìn)入納米制程階段,摩爾定律趨緩,創(chuàng)新芯片設(shè)計(jì)和制造模式的“超越摩爾定律”(More than Moore,MtM)開始得到業(yè)界的認(rèn)可。通過滿足特定領(lǐng)域的應(yīng)用需求,性能、功耗、成本的最優(yōu)匹配成為優(yōu)先策略。集成電路產(chǎn)業(yè)在技術(shù)、工藝上進(jìn)一步創(chuàng)新,芯粒封裝(Chiplet)實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)、制造和封裝的一體化,以少量的高成本、尖端制程芯片與成熟芯片組合封裝,實(shí)現(xiàn)了性能目標(biāo)和成本目標(biāo)的平衡;為破解阿斯麥極紫外光刻(EUV)技術(shù)對(duì)尖端制程的壟斷,佳能公司推出納米壓印技術(shù)和圖案塑性技術(shù),推動(dòng)了尖端芯片制造的技術(shù)路線創(chuàng)新;以RISC-V為代表的開源芯片快速發(fā)展,成為當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)、人工智能領(lǐng)域發(fā)展最快的內(nèi)核架構(gòu),有望成為更安全、更可信的未來芯片替代方案。多種技術(shù)和工藝的創(chuàng)新,推動(dòng)摩爾定律向著超越摩爾定律發(fā)展[1]。

        二是人工智能技術(shù)快速發(fā)展,不僅從需求側(cè)牽引集成電路產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整,而且從供給側(cè)為芯片開發(fā)和制造提供了新的技術(shù)來源。一方面,以通用人工智能為代表的人工智能技術(shù)和產(chǎn)品近年來加速增長,引發(fā)了市場對(duì)人工智能及相關(guān)芯片的爆發(fā)式需求。以人工智能芯片的領(lǐng)先企業(yè)英偉達(dá)為例,2024年?duì)I業(yè)收入達(dá)1 304.97億美元,較2023年的609.22億美元增長114.20%,而傳統(tǒng)邏輯芯片的龍頭企業(yè)英特爾營業(yè)收入則為531.01億美元,較2023年的542.28億美元下降了2.08%①,反映了市場對(duì)人工智能芯片的強(qiáng)勁需求。除了用于人工智能計(jì)算的圖形處理器(GPU)高速增長之外,高帶寬內(nèi)存(HBM)和高速互聯(lián)網(wǎng)芯片(如英偉達(dá)NVSwitch)等輔助人工智能的新型芯片需求快速增長,成為集成電路產(chǎn)品序列中增長最快的產(chǎn)品內(nèi)容之一。另一方面,在人工智能芯片成為集成電路產(chǎn)業(yè)重要增長點(diǎn)的同時(shí),人工智能技術(shù)也正在改變集成電路產(chǎn)業(yè)的設(shè)計(jì)和制造過程,并成為自動(dòng)化設(shè)計(jì)、材料篩選、設(shè)備效率提升的重要支撐力量。例如,人工智能技術(shù)應(yīng)用于布線設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)代碼編寫,極大地提高了設(shè)計(jì)效率;智能化的芯片設(shè)計(jì)和制造一體化,提升了芯片流片成功率;人工智能技術(shù)在各類芯片制造材料的篩選、配比、驗(yàn)證等方面優(yōu)勢顯著;用于前端制造和后端封測的設(shè)備在加入智能化技術(shù)后效率顯著提升。

        (二)先發(fā)國家通過加大政策支持和出臺(tái)遏制政策,以強(qiáng)化自身領(lǐng)先優(yōu)勢

        作為新興產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和數(shù)字智能時(shí)代的核心產(chǎn)業(yè),集成電路產(chǎn)業(yè)成為當(dāng)前全球技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、經(jīng)濟(jì)和國家競爭的焦點(diǎn),表現(xiàn)出先發(fā)者強(qiáng)化國家支持和對(duì)后發(fā)者的遏制打壓,試圖維持并強(qiáng)化其競爭優(yōu)勢;后發(fā)國家和地區(qū)則希望打破先發(fā)者的遏制打壓,以反遏制和趕超來擁抱新的技術(shù)和經(jīng)濟(jì)機(jī)會(huì)。作為集成電路產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)者,美國為保持和強(qiáng)化其領(lǐng)先優(yōu)勢,在保證其對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵領(lǐng)域、環(huán)節(jié)和技術(shù)控制力的同時(shí),企圖將后發(fā)進(jìn)入者鎖定在全球大分工體系的低端環(huán)節(jié),尤其是強(qiáng)化對(duì)中國的全面遏制,形成美國主導(dǎo)下聯(lián)合其盟友的“逆全球化”新浪潮。

        一是強(qiáng)化政府對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的支持。美國通過出臺(tái)《芯片與科學(xué)法案》,以高額的稅收優(yōu)惠和財(cái)政資金支持量子計(jì)算、人工智能等多個(gè)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢提升[2];出臺(tái)《基礎(chǔ)設(shè)施投資和就業(yè)法案》,加大對(duì)美國數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的投資,改善寬帶接入速度,優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)安全架構(gòu)。2023年進(jìn)一步修訂《國家人工智能研發(fā)戰(zhàn)略計(jì)劃》,提出對(duì)基礎(chǔ)和負(fù)責(zé)任的人工智能研究進(jìn)行長期投資等九項(xiàng)戰(zhàn)略目標(biāo)任務(wù),強(qiáng)化自身在人工智能領(lǐng)域的優(yōu)勢。歐洲側(cè)重于數(shù)字自主權(quán)和開源技術(shù)發(fā)展的支持政策,例如在開源軟件(OSS)和開源硬件(OSH)方面進(jìn)行重大投資以提高成員國的技術(shù)獨(dú)立性和創(chuàng)新能力?!?023—2024數(shù)字歐洲工作計(jì)劃》提出投入1.13億歐元提升數(shù)據(jù)與計(jì)算能力。日本提出“社會(huì)5.0”倡議,嘗試將網(wǎng)絡(luò)物理系統(tǒng)與社會(huì)需求整合,以創(chuàng)建一個(gè)超智能社會(huì),并通過其政府和工業(yè)戰(zhàn)略在人工智能、機(jī)器人技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行投資以保持技術(shù)競爭優(yōu)勢,其中《半導(dǎo)體、數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》將提高數(shù)據(jù)中心算力水平作為重要內(nèi)容。

        二是美國延續(xù)20世紀(jì)80年代以來對(duì)日本半導(dǎo)體行業(yè)的遏制政策,不斷強(qiáng)化對(duì)中國集成電路產(chǎn)業(yè)的全面打壓,企圖通過技術(shù)、人才、產(chǎn)品、裝備、軟件、材料、貿(mào)易等全方位遏制來阻斷中國集成電路產(chǎn)業(yè)的成長之路。著眼于未來人工智能時(shí)代的競爭,美國在先進(jìn)制程、大算力芯片(含人工智能芯片、超算芯片、服務(wù)器芯片、高帶寬內(nèi)存、高速網(wǎng)絡(luò)芯片等)、前沿知識(shí)領(lǐng)域?qū)嵤芭湃A”戰(zhàn)略。從限制先進(jìn)制程設(shè)備,到高端圖形處理器禁止出口,再到不斷修訂《出口管理?xiàng)l例》等,美國不斷加強(qiáng)對(duì)中國的限制,試圖全力阻斷集成電路領(lǐng)域的技術(shù)、產(chǎn)品、信息和人才流動(dòng),進(jìn)而遏制中國在人工智能、量子計(jì)算、大數(shù)據(jù)、超算、智能駕駛等領(lǐng)域的發(fā)展,引致中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈面臨多處“卡脖子”困境。從制裁中興和華為開始,到出臺(tái)《芯片與科學(xué)法案》和修改《出口管理?xiàng)l例》,以及實(shí)施各類“實(shí)體清單”“貿(mào)易清單”“不可信任清單”,美國已經(jīng)形成對(duì)中國集成電路產(chǎn)業(yè)的全場域打壓,并聯(lián)合日本對(duì)高端設(shè)備和材料出口實(shí)施管控,要求阿斯麥等高端設(shè)備制造企業(yè)進(jìn)一步收縮對(duì)華出口,甚至要求裝備企業(yè)終止已銷售設(shè)備的后續(xù)運(yùn)維服務(wù)。這些措施違背了集成電路產(chǎn)業(yè)半個(gè)多世紀(jì)以來全球大分工的技術(shù)經(jīng)濟(jì)規(guī)律和WTO框架下的全球合作規(guī)則,不僅限制了中國集成電路及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,而且阻礙了全球大分工帶來的效率提升和技術(shù)進(jìn)步。

        (三)后發(fā)國家強(qiáng)化趕超與反遏制,搶抓技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇

        為應(yīng)對(duì)先發(fā)者的遏制和打壓,擁抱技術(shù)革命和產(chǎn)業(yè)變革的機(jī)會(huì)窗口,實(shí)現(xiàn)在數(shù)字智能時(shí)代的后發(fā)趕超,后發(fā)國家和地區(qū)通過實(shí)施自主突破和創(chuàng)新發(fā)展的戰(zhàn)略行動(dòng),以及應(yīng)對(duì)先發(fā)者打壓遏制的生存策略,加速集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。作為全球最大的集成電路市場,中國主要通過三方面的政策來推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

        一是從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的供給側(cè)強(qiáng)化政策供給,為集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有效的資源供給。以《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》為統(tǒng)領(lǐng),中國形成對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的總體方向指引,并在此基礎(chǔ)上出臺(tái)了一系列支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的財(cái)稅政策。三期“大基金”有序推進(jìn),科創(chuàng)板建設(shè)取得顯著成效①,為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了充足的資本支持。28個(gè)微電子學(xué)院為行業(yè)提供大量人才,2023屆微電子相關(guān)學(xué)院畢業(yè)生總規(guī)模達(dá)到111 381人②,為集成電路產(chǎn)業(yè)提供了新的人才供給。在創(chuàng)新領(lǐng)域,通過加計(jì)扣除政策引導(dǎo)企業(yè)加大創(chuàng)新投入尤其是基礎(chǔ)研究的創(chuàng)新投入?!吨腥A人民共和國2024年國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展統(tǒng)計(jì)公報(bào)》顯示,2024年全年研發(fā)支出36 130億元,研發(fā)強(qiáng)度達(dá)到2.68%,其中基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)2 497億元,比2023年增長10.5%,占Ramp;D經(jīng)費(fèi)支出的6.91%。歐盟執(zhí)委會(huì)發(fā)布的《2023年歐盟工業(yè)研發(fā)投資記分牌》顯示,全世界研發(fā)投入最大的100家企業(yè)中,中國企業(yè)有17家,其中華為、騰訊、阿里巴巴、中興等分別位居第5、19、22和33位,華為的研發(fā)投入達(dá)到209.25億歐元,僅次于ALPHABET、META、微軟和蘋果公司,研發(fā)強(qiáng)度高達(dá)24.3%。同時(shí),為保證極限條件下的芯片供應(yīng)安全,中國近年來持續(xù)加大成熟制程的產(chǎn)能投資,以滿足社會(huì)對(duì)集成電路的現(xiàn)實(shí)需求。

        二是強(qiáng)化需求側(cè)的政策牽引作用,以場景創(chuàng)新和拓展來帶動(dòng)集成電路產(chǎn)品的開發(fā)。中國加速推進(jìn)數(shù)字化發(fā)展戰(zhàn)略,以數(shù)字政府、智慧城市、新基建、中小企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型、智能制造等為發(fā)展場景,推動(dòng)各個(gè)領(lǐng)域和各類場景的數(shù)字化發(fā)展,形成對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的龐大需求。更重要的是,為應(yīng)對(duì)美國等西方國家的打壓遏制,中國積極推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域和場景集成電路應(yīng)用的安全可信替代,尤其是能源、交通、金融等重點(diǎn)領(lǐng)域,探索自主可控的產(chǎn)品開發(fā)和制造,進(jìn)一步催生了新產(chǎn)品的創(chuàng)造。與此同時(shí),中國發(fā)揮在全球價(jià)值鏈分工中的比較優(yōu)勢,利用成熟勞動(dòng)力的成本優(yōu)勢,大力發(fā)展電子信息等相關(guān)產(chǎn)業(yè),形成對(duì)全球集成電路產(chǎn)品的龐大需求。以集成電路產(chǎn)品制造所需的設(shè)備來看,2023年,中國芯片設(shè)備采購額達(dá)到366億美元,在全球總體規(guī)模下降的背景下逆勢增長29%,反映了中國龐大的市場需求。此外,為解決集成電路先進(jìn)產(chǎn)品以及產(chǎn)業(yè)鏈上新設(shè)備、材料、軟件等的“卡脖子”問題,探索實(shí)施“揭榜掛帥”“賽馬制”,推動(dòng)“首臺(tái)(套)”政策從供給端向需求端轉(zhuǎn)變,為企業(yè)在集成電路創(chuàng)新產(chǎn)品領(lǐng)域的試用和優(yōu)先采購提供容錯(cuò)機(jī)制和資金支持,激發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品的開發(fā)和應(yīng)用。

        三是注重國際競爭政策的創(chuàng)新,尤其是注重對(duì)美國等西方國家遏制打壓政策的有效應(yīng)對(duì)。在美國等西方國家全面遏制和極限打壓中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展、實(shí)施產(chǎn)業(yè)“脫鉤斷鏈”的背景下,中國以主動(dòng)全球化來尋求國際合作,并利用自身“非對(duì)稱競爭優(yōu)勢”對(duì)其遏制和打壓政策予以還擊。一方面,中國在全球范圍內(nèi)尋求更為廣泛的國際合作,防范美國等西方國家的孤立和脫鉤。積極融入集成電路的全球?qū)W術(shù)合作,在VLSI技術(shù)與電路研討會(huì)(VLSI)、國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)、國際電子器件會(huì)議(IEDM)三大微電子技術(shù)領(lǐng)域的頂級(jí)會(huì)議中,中國學(xué)者積極參與,投稿和被錄用論文數(shù)持續(xù)增加,成為僅次于美國的重要知識(shí)貢獻(xiàn)力量。同時(shí),加大與歐日韓等國家和地區(qū)的合作,避免在美國極限打壓下被孤立。另一方面,對(duì)于美國在高端芯片、設(shè)備、軟件等方面的對(duì)華出口限制以及破壞全球正常貿(mào)易的行為,中國發(fā)揮“非對(duì)稱競爭優(yōu)勢”予以反擊。2023年7月3日,商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布了《關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告》(2023年第23號(hào)),決定對(duì)滿足相關(guān)特性的鎵和鍺相關(guān)物等兩大類物項(xiàng)實(shí)施出口管制,明確了相關(guān)物項(xiàng)需獲得許可方可出口。這是自2020年12月1日《中華人民共和國出口管制法》施行以來,中國首次針對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)立出口管制措施。2024年8月15日,商務(wù)部和海關(guān)總署聯(lián)合發(fā)布公告,決定對(duì)部分銻、超硬材料相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。2024年9月30日,李強(qiáng)總理簽署《中華人民共和國國務(wù)院令》,公布《中華人民共和國兩用物項(xiàng)出口管制條例》,以法規(guī)形式明確了出口管制。2024年12月3日,商務(wù)部發(fā)布《關(guān)于加強(qiáng)相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國出口管制的公告》,禁止兩用物項(xiàng)對(duì)美國軍事用戶或軍事用途出口,原則上不予許可鎵、鍺、銻、超硬材料相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國出口;對(duì)石墨兩用物項(xiàng)對(duì)美國出口實(shí)施更嚴(yán)格的最終用戶和最終用途審查。此舉作為中國對(duì)美國等西方國家在集成電路產(chǎn)業(yè)密集封鎖打壓的有力回?fù)?,在國際社會(huì)受到廣泛關(guān)注,美國等西方國家及主要半導(dǎo)體制造企業(yè)反應(yīng)強(qiáng)烈,為緩解美國等西方國家對(duì)中國的封鎖遏制起到了警示震懾作用。

        在數(shù)字智能革命的歷史機(jī)遇下,后發(fā)國家競相強(qiáng)化自身在集成電路領(lǐng)域的戰(zhàn)略規(guī)劃和投資。例如,2022年1月,印度政府推出“半導(dǎo)體制造支持計(jì)劃”,并于同年12月批準(zhǔn)了一項(xiàng)針對(duì)印度半導(dǎo)體和顯示板生產(chǎn)的生產(chǎn)關(guān)聯(lián)激勵(lì)計(jì)劃,該計(jì)劃預(yù)計(jì)在未來5—6年內(nèi)投資7 600億盧比用于半導(dǎo)體生產(chǎn)。印度希望到2030年將半導(dǎo)體市場規(guī)模擴(kuò)大到1 100億美元并占據(jù)全球市場10%的份額,并希望通過積極參與到美國主導(dǎo)的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重構(gòu)網(wǎng)絡(luò)中,形成印度在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢。早在2010年,越南就將“電子微芯片”確定為該國九大工業(yè)重點(diǎn)之一,隨后,越南又在2015年發(fā)布的《關(guān)于支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的法令》中針對(duì)集成電路等高科技產(chǎn)業(yè)投資采取兩項(xiàng)主要的稅收優(yōu)惠政策,包括提供為期15年的10%企業(yè)所得稅率優(yōu)惠和整個(gè)土地租賃期內(nèi)免征房地產(chǎn)稅。越南信息通信部負(fù)責(zé)人在“第五屆全國數(shù)字技術(shù)企業(yè)發(fā)展論壇”中表示,越南將從2024年開始實(shí)施半導(dǎo)體發(fā)展國家戰(zhàn)略,目標(biāo)是在未來30—50年內(nèi)將其發(fā)展成為國家重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)??紤]到大規(guī)模開發(fā)尖端芯片面臨較大困難,越南政府重點(diǎn)在電源管理芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片等領(lǐng)域進(jìn)行布局。2025年2月,越南政府批準(zhǔn)了一項(xiàng)價(jià)值12.8萬億越南盾(約合5億美元)的晶圓廠建設(shè)計(jì)劃,這將成為越南第一家晶圓廠。

        二、“十五五”時(shí)期全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢

        作為數(shù)字產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),全球集成電路產(chǎn)業(yè)在人工智能加速發(fā)展的“十五五”時(shí)期價(jià)值更加凸顯。延續(xù)“十四五”時(shí)期的增長態(tài)勢,“十五五”時(shí)期集成電路產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模將繼續(xù)保持高速增長,但結(jié)構(gòu)和區(qū)域分化將明顯加劇。

        (一)總體規(guī)模將繼續(xù)保持較高速增長,成為牽引全球經(jīng)濟(jì)增長的重要?jiǎng)恿?/p>

        美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示,2024年全球半導(dǎo)體銷售額為6 276億美元,較2023年的5 268億美元增長19.1%。按照2004—2024年5.55%以及2014—2024年6.45%的復(fù)合增長率均值6%來測算,2030年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額將達(dá)到8 903億美元(見圖1,下頁)。另據(jù)ASML的數(shù)據(jù)預(yù)測,2023—2030年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)合增長率為9.12%,2030年銷售額將達(dá)到10 980億美元,成為全球經(jīng)濟(jì)增長的重要引擎。麥肯錫預(yù)測2030年全球半導(dǎo)體市場將達(dá)到10 650億美元,其中,汽車電子、計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及網(wǎng)絡(luò)用半導(dǎo)體將貢獻(xiàn)半導(dǎo)體領(lǐng)域70%的增速。

        (二)市場結(jié)構(gòu)將顯著分化,數(shù)字化和智能化需求將成為產(chǎn)業(yè)增長的新動(dòng)力源

        隨著數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化和智能化的深度推進(jìn),半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場需求發(fā)生顯著變化,算力基礎(chǔ)設(shè)施、智能駕駛、智能制造等成為“十五五”時(shí)期半導(dǎo)體市場的主要增長點(diǎn),傳統(tǒng)的個(gè)人電腦、手機(jī)等消費(fèi)類電子盡管增速相對(duì)較低,但依然是支撐半導(dǎo)體市場的重要構(gòu)成(見圖2,下頁)。其中,服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和存儲(chǔ)用半導(dǎo)體需求預(yù)計(jì)2030年達(dá)到2 490億美元,較2023年增長173.63%,年復(fù)合增長率達(dá)到15.47%;工業(yè)電子的半導(dǎo)體需求將達(dá)到1 600億美元,較2023年增長110.53%,年復(fù)合增長率達(dá)到11.22%;汽車電子的半導(dǎo)體需求達(dá)到1 490億美元,較2023年增長109.86%,年復(fù)合增長率為11.17%。與之形成鮮明對(duì)照的是,個(gè)人電腦、網(wǎng)絡(luò)、手機(jī)和消費(fèi)電子四類場景用半導(dǎo)體總體規(guī)模依然維持在全部半導(dǎo)體整體市場需求的近50%,但2023—2030年增速相對(duì)較低,年復(fù)合增長率分別為2.80%、6.15%、7.43%和7.66%。

        (三)全球競爭格局將呈現(xiàn)新態(tài)勢,美歐日將強(qiáng)化對(duì)半導(dǎo)體的本地化控制

        美歐日會(huì)利用其在設(shè)計(jì)、制造、軟件、裝備、材料等方面的領(lǐng)先優(yōu)勢,強(qiáng)化對(duì)全球集成電路產(chǎn)業(yè)的控制。此外,美歐日通過加大本地投資設(shè)廠以及吸引臺(tái)積電、三星等企業(yè)到本地設(shè)廠,進(jìn)一步強(qiáng)化其對(duì)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈尤其是制造環(huán)節(jié)的本地化控制。美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)顯示,2023年,總部位于美國的半導(dǎo)體企業(yè)占據(jù)了全球半導(dǎo)體市場50.2%的市場份額。2023年5月23日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省發(fā)布《外匯法法令修正案》,將先進(jìn)芯片制造設(shè)備等23個(gè)品類納入出口管制,企圖強(qiáng)化自身在集成電路產(chǎn)業(yè)的國際影響力。

        與之形成鮮明對(duì)照的是,韓國、印度以及東南亞國家利用制造環(huán)節(jié)和終端產(chǎn)品優(yōu)勢,強(qiáng)化在集成電路領(lǐng)域的布局,但受制于技術(shù)和市場的限制,未來發(fā)展面臨較為嚴(yán)峻的外部壓力。韓國通過部署“K產(chǎn)業(yè)帶”集群加速其全產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化。2022年1月,印度政府推出“半導(dǎo)體制造支持計(jì)劃”,目標(biāo)領(lǐng)域包括制造、封測、傳感器、分立器件等全方位領(lǐng)域,塔塔集團(tuán)與力積電在印度古吉拉特邦計(jì)劃投資約110億美元,產(chǎn)能為5萬片/月、制程為28~110納米的晶圓廠。馬來西亞、新加坡、越南等都積極在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大投資,寄希望于抓住新一輪數(shù)字智能革命發(fā)展機(jī)遇,并承接相關(guān)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移。

        三、“十四五”時(shí)期中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展成效及“十五五”展望

        依靠新型舉國體制優(yōu)勢,“十五五”時(shí)期中國集成電路產(chǎn)業(yè)在需求拉動(dòng)和政策推動(dòng)下,產(chǎn)業(yè)發(fā)展質(zhì)量將進(jìn)一步提升,自主可控水平將進(jìn)一步改善,國際化合作將取得新的突破。

        (一)規(guī)模將繼續(xù)保持高速增長,尤其是人工智能芯片增速將更為突出

        隨著人工智能對(duì)算力芯片、智能制造對(duì)工業(yè)用芯片、智能網(wǎng)聯(lián)企業(yè)對(duì)汽車用芯片等需求的擴(kuò)張,中國集成電路產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模將進(jìn)一步增長。

        銷售額預(yù)計(jì)2030年將突破2.4萬億元,在國民經(jīng)濟(jì)中的支柱性和基礎(chǔ)性地位進(jìn)一步強(qiáng)化。集成電路產(chǎn)業(yè)是中國增速最快的產(chǎn)業(yè)之一,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)顯示,2023年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為12 276.9億元(見圖3),2013—2023年復(fù)合增長率達(dá)到17.21%。盡管2022—2023年國內(nèi)市場銷售額增速有所下滑,但在人工智能、智能制造、智能算力等需求快速增長的背景下,預(yù)計(jì)未來依然會(huì)高于全球增速(ASML預(yù)測2023—2030年全球復(fù)合增長率為9.12%),以10%~15%的增速計(jì)算,預(yù)計(jì)2030年中國集成電路銷售額將達(dá)到2.4萬~2.5萬億元。

        “十五五”末,中國集成電路產(chǎn)量將突破6 000億塊,產(chǎn)值超過1.5萬億元,占全球集成電路產(chǎn)能的比重保持總體穩(wěn)定態(tài)勢。為應(yīng)對(duì)美國等西方國家的“脫鉤斷鏈”,中國近年來加大對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資尤其是制造環(huán)節(jié)的投資,以保證中國在全球集成電路產(chǎn)業(yè)的安全供應(yīng)和市場地位。根據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù),2023年中國的集成電路產(chǎn)量為3 514億塊(見圖4),2013—2023年復(fù)合增長率達(dá)15.02%。在2022—2023年增速有所下滑的背景下,預(yù)計(jì)未來能保持較高增速,以8%~12%的增速計(jì)算,預(yù)計(jì)2030年中國集成電路產(chǎn)量將達(dá)到6 000億~6 200億塊。另據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)和波士頓咨詢公司的報(bào)告預(yù)測,2022年中國的晶圓產(chǎn)能在全球占比24%,預(yù)計(jì)2030年會(huì)下降至22%。按照美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(8 903億美元)、ASML(10 980億美元)、麥肯錫(10 650億美元)對(duì)2030年的預(yù)測數(shù)據(jù),2030年中國半導(dǎo)體的產(chǎn)值將超過1.5萬億元。

        (二)結(jié)構(gòu)將有序優(yōu)化,產(chǎn)業(yè)發(fā)展質(zhì)量將進(jìn)一步改善

        “十五五”時(shí)期將是中國集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整的關(guān)鍵時(shí)期。預(yù)計(jì)在先進(jìn)制程、人工智能芯片領(lǐng)域?qū)?shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍,設(shè)計(jì)、制造、封測環(huán)節(jié)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化,裝備、軟件、材料等領(lǐng)域快速突破。

        尖端制程將實(shí)現(xiàn)快速突破,成熟制程將實(shí)現(xiàn)高水平的自主可控。在產(chǎn)業(yè)體系培育和超大規(guī)模市場的牽引下,中國集成電路產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展水平將顯著提升。一方面,成熟制程將實(shí)現(xiàn)高水平的自主可控,裝備、材料、軟件的自主研發(fā)、迭代升級(jí)不斷加速,基本可實(shí)現(xiàn)22納米以下產(chǎn)線國產(chǎn)化貫通。另一方面,在推動(dòng)成熟制程進(jìn)步的過程中,“十五五”時(shí)期中國集成電路產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)尖端制程工藝和技術(shù)的突破。在存儲(chǔ)領(lǐng)域,自2013年3D NAND閃存商業(yè)化生產(chǎn)以來,存儲(chǔ)密度以每年1.41倍左右的速度持續(xù)提升。從國際會(huì)議ISSCC展示的原型硅芯片來看,2014年存儲(chǔ)密度為每平方毫米0.93Gbit,2024年達(dá)到每平方毫米28.5Gbit,10年間存儲(chǔ)密度增加了30.6倍。長江存儲(chǔ)目前在存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了200層芯片的量產(chǎn),位居全球領(lǐng)先序列;國產(chǎn)7納米芯片實(shí)現(xiàn)商用,先進(jìn)制程實(shí)現(xiàn)新的躍升。“十五五”時(shí)期,預(yù)計(jì)中國將實(shí)現(xiàn)3~5納米制程的制造突破,并實(shí)現(xiàn)7~10納米制程的產(chǎn)線擴(kuò)張。

        傳統(tǒng)芯片增長穩(wěn)定,人工智能芯片將保持快速增長態(tài)勢。中國是人工智能浪潮的領(lǐng)導(dǎo)者,在算力建設(shè)方面,阿里云、騰訊云、百度云、華為云等成為除美國云服務(wù)企業(yè)(亞馬遜、微軟、谷歌等)之外全球最有競爭力的云服務(wù)商[3],中國在智算芯片方面的需求快速增長。中國的智能網(wǎng)聯(lián)汽車、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)走在世界前列,對(duì)用于智能計(jì)算、智能制造的人工智能芯片需求快速增長[4]。盡管當(dāng)前全球人工智能芯片由英偉達(dá)、AMD等龍頭企業(yè)主導(dǎo),同時(shí)面臨美國在人工智能領(lǐng)域的極限打壓,但國產(chǎn)人工智能芯片企業(yè)快速發(fā)展,如華為昇騰、寒武紀(jì)、百度昆侖、景嘉微、壁仞科技等。與此同時(shí),作為全球最大的個(gè)人電腦、手機(jī)、家用電器生產(chǎn)基地,中國對(duì)傳統(tǒng)集成電路的需求保持穩(wěn)定增長態(tài)勢,成為“十五五”時(shí)期集成電路產(chǎn)業(yè)的重要需求牽引力量。

        設(shè)計(jì)和制造業(yè)比重將進(jìn)一步提高,先進(jìn)封裝業(yè)將進(jìn)一步突破。集成電路產(chǎn)業(yè)的全球大分工形塑了美國等西方國家在集成電路設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的優(yōu)勢,而將附加值低的制造和封裝測試外包至勞動(dòng)力成本較低的國家和地區(qū)成為理性選擇。近年來,在國內(nèi)需求擴(kuò)張和多元化趨勢加劇、美國等西方國家強(qiáng)化制造環(huán)節(jié)回流的背景下,中國集成電路產(chǎn)業(yè)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化,設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)快速增長,制造環(huán)節(jié)保持相對(duì)穩(wěn)定的增長態(tài)勢。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì),2023年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為12 276.9億元,同比增長2.3%。其中,設(shè)計(jì)業(yè)銷售額5 470.7億元,同比增長6.1%;制造業(yè)銷售額為3 874億元,同比增長0.5%;封裝測試業(yè)銷售額2 932.2億元,同比下降2.1%(見圖5)。從2013—2023年的變化態(tài)勢來看,設(shè)計(jì)、制造、封測在全部產(chǎn)業(yè)中的占比分別從3∶2∶4變化為4∶3∶2,設(shè)計(jì)和制造占比顯著提升,封測占比顯著下降,中國集成電路產(chǎn)業(yè)附加值進(jìn)一步提升。從集成電路產(chǎn)業(yè)的升級(jí)形態(tài)來看,預(yù)計(jì)“十五五”時(shí)期設(shè)計(jì)和制造比重將進(jìn)一步提升,尤其是在進(jìn)一步加大成熟制程投資和先進(jìn)制程突破的形勢下,預(yù)計(jì)未來這一比例可能會(huì)達(dá)到4∶4∶2。另外,隨著摩爾定律向超越摩爾定律的發(fā)展,異質(zhì)封裝、芯粒封裝等先進(jìn)封裝工藝的出現(xiàn),將進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)中國集成電路封測業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。

        集成電路供應(yīng)鏈自主化水平將進(jìn)一步提升,裝備、材料、軟件和EDA工具等加速突破。近年來,為應(yīng)對(duì)美國等西方國家對(duì)中國集成電路產(chǎn)業(yè)的“卡脖子”和極限打壓,在新型舉國體制加速推進(jìn)下,中國在集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)取得顯著突破。材料方面,用于28納米及以下制程芯片制造的8英寸和12英寸高純度硅片已實(shí)現(xiàn)自主制造。國內(nèi)企業(yè)研發(fā)出適用于高壓功率電子器件的碳化硅(SiC)基片和氮化鎵(GaN)材料,這些材料已在5G、射頻器件、功率器件等應(yīng)用領(lǐng)域逐步進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段。KrF、ArF干式光刻膠逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),高純度氮?dú)?、氦氣、氫氣等關(guān)鍵材料的生產(chǎn)技術(shù)取得突破,電子特氣方面逐漸實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。制造裝備方面,國產(chǎn)90納米制程的深紫外光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),適用于集成電路生產(chǎn)中的成熟工藝節(jié)點(diǎn),如功率芯片、顯示面板驅(qū)動(dòng)芯片等中低端產(chǎn)品的制造,28納米制程深紫外光刻機(jī)加速開發(fā)。國產(chǎn)刻蝕機(jī)已被國內(nèi)存儲(chǔ)器和邏輯芯片制造商使用,支持7納米及以下工藝制程,性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備(如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積)逐步向10納米及以下制程邁進(jìn),部分設(shè)備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并進(jìn)入國內(nèi)晶圓廠產(chǎn)線中。國產(chǎn)光學(xué)檢測、離子注入等方面取得突破,晶圓級(jí)封裝、3D封裝和測試設(shè)備已應(yīng)用于先進(jìn)封裝產(chǎn)線。軟件和EDA工具方面,華大九天等企業(yè)已開發(fā)出部分EDA工具,覆蓋從電路設(shè)計(jì)、仿真到布局布線等環(huán)節(jié),應(yīng)用于多個(gè)芯片設(shè)計(jì)流程,尤其在平面設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工具上已有所突破。雖然與Synopsys、Cadence等國際巨頭仍有差距,但中國EDA企業(yè)在模擬電路設(shè)計(jì)、定制化設(shè)計(jì)方面取得積極進(jìn)展,部分國產(chǎn)EDA軟件已能滿足部分中低端芯片設(shè)計(jì)需求,在模擬、射頻和存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)領(lǐng)域有所應(yīng)用。

        在全產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”問題加快突破的背景下,中國集成電路的自主可控能力顯著提升,這為中國構(gòu)建自主可控、安全可信的產(chǎn)業(yè)鏈奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。在集成電路市場快速增長的態(tài)勢下,中國集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈有望繼續(xù)保持較快增長,尤其是下一代半導(dǎo)體材料及其裝備、軟件等有望在“十五五”時(shí)期迎來高速增長。據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Virtuemarket數(shù)據(jù),2023年全球金剛石半導(dǎo)體材料市場價(jià)值為1.51億美元,預(yù)計(jì)到2030年市場規(guī)模將達(dá)到3.42億美元。2024—2030年的預(yù)測復(fù)合年增長率為12.3%。其中,在中國、日本和韓國電子和半導(dǎo)體行業(yè)不斷增長的需求推動(dòng)下,亞太地區(qū)預(yù)計(jì)將主導(dǎo)金剛石半導(dǎo)體襯底市場。

        (三)技術(shù)水平將快速追趕,“國產(chǎn)替代”進(jìn)程將進(jìn)一步加速

        “十四五”時(shí)期,集成電路產(chǎn)業(yè)自立自強(qiáng)的技術(shù)基礎(chǔ)不斷夯實(shí),大量高??蒲性核蛣?chuàng)新型企業(yè)圍繞細(xì)分領(lǐng)域和重點(diǎn)領(lǐng)域加速突破[5],預(yù)期“十五五”時(shí)期中國集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平將快速追趕,尤其是“國產(chǎn)替代”進(jìn)程將進(jìn)一步加速。

        “補(bǔ)短板”破解集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“卡脖子”成效將顯著改善。一是先進(jìn)制程將加速突破。14納米制程芯片成功量產(chǎn),7納米和5納米制程技術(shù)研發(fā)快速推進(jìn)。在“超越摩爾定律”指引下,全球集成電路制程進(jìn)步降速,中國與國際領(lǐng)先制程的差距不斷縮小。而在美國打壓下的被動(dòng)“國產(chǎn)替代”政策支持下,28納米及以下成熟制程將驅(qū)動(dòng)中國在顯示驅(qū)動(dòng)芯片、功率芯片、射頻芯片等領(lǐng)域的自給率顯著提升,成為保障國內(nèi)安全的重要支撐。二是材料“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)將得到有效緩解。KrF、ArF干式光刻膠研發(fā)方面取得突破,高純電子氣體國內(nèi)供應(yīng)能力顯著提升,部分產(chǎn)品已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈,隨著在制造過程中的使用和迭代,未來圍繞先進(jìn)制程的產(chǎn)品突破將保持加速態(tài)勢。通過推動(dòng)國產(chǎn)設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)工具的自主化,國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)多元化取得成效,關(guān)鍵環(huán)節(jié)的自主可控能力顯著提升。

        集成電路新技術(shù)開發(fā)應(yīng)用將實(shí)現(xiàn)與國際并跑。在美國等西方國家的極限打壓下,中國集成電路產(chǎn)業(yè)難以利用全球大分工來提升技術(shù)水平和產(chǎn)業(yè)效率,也難以利用分工協(xié)作來保障產(chǎn)業(yè)安全[6]。為此,迫切需要?jiǎng)?chuàng)新產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式,在保障效率的同時(shí)提升安全水平。一方面,利用產(chǎn)業(yè)內(nèi)在的協(xié)同發(fā)展機(jī)制,在上海、北京、江蘇等集成電路產(chǎn)業(yè)集群內(nèi),通過“龍頭企業(yè)+供應(yīng)鏈配套”的模式提升行業(yè)整體的資源整合和協(xié)同創(chuàng)新能力;另一方面,強(qiáng)化產(chǎn)學(xué)研政金的協(xié)同合作,依托國內(nèi)高校和科研院所的力量培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)人才和支撐產(chǎn)業(yè)研發(fā),并通過設(shè)立實(shí)驗(yàn)室和技術(shù)中心加速科研成果的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程、增強(qiáng)國內(nèi)技術(shù)儲(chǔ)備,強(qiáng)化對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的專項(xiàng)金融支持?!笆逦濉睍r(shí)期,預(yù)期在制程工藝、新材料應(yīng)用、新架構(gòu)探索、先進(jìn)封裝技術(shù)、新型芯片等方面加速推進(jìn),可能在一些方向上形成領(lǐng)先優(yōu)勢。一是先進(jìn)制程浸入式深紫外光刻機(jī)與極紫外光刻機(jī)的試驗(yàn)和工程化將得以啟動(dòng)。光源、光學(xué)元件、高真空度、高精密度和控制系統(tǒng)等多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)將進(jìn)一步突破,系統(tǒng)集成高數(shù)值孔徑(High-NA)浸入式深紫外光刻機(jī)和極紫外光刻機(jī)可能將進(jìn)入工程化階段。二是新材料的工程化研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用將涌現(xiàn)新增長點(diǎn)。石墨烯和黑磷等新型二維材料以及碳納米管、硅納米線和III-V族化合物材料(如砷化鎵)等新材料為集成電路產(chǎn)業(yè)材料創(chuàng)新帶來了新機(jī)會(huì),碳化硅、氮化鎵在電力電子、射頻器件等上的應(yīng)用進(jìn)一步擴(kuò)大。三是新型架構(gòu)為集成電路產(chǎn)品創(chuàng)新提供了新方向。3D架構(gòu)有助于提升芯片密度和性能,降低數(shù)據(jù)傳輸延遲;芯粒技術(shù)將不同功能模塊高速互連,將多個(gè)小芯片組合為一個(gè)完整芯片;存算一體和近存計(jì)算有效降低數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓暮脱舆t;多芯片異構(gòu)集成、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)集成將在高性能計(jì)算、AI應(yīng)用、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子和傳感領(lǐng)域等表現(xiàn)出新的優(yōu)勢。四是先進(jìn)封裝技術(shù)成為延續(xù)摩爾定律和超越摩爾定律的重要實(shí)現(xiàn)方式。系統(tǒng)級(jí)封裝集成多種功能芯片,2.5D封裝利用中介層實(shí)現(xiàn)高密度互連,3D封裝利用多芯片堆疊提升集成度,硅通孔技術(shù)更緊密地將多個(gè)芯片層集成在一起。五是新型芯片將實(shí)現(xiàn)重要突破。量子芯片在打破傳統(tǒng)計(jì)算速度限制和能源消耗方面具有顯著優(yōu)勢,可能會(huì)在通信、人工智能模糊計(jì)算等細(xì)分領(lǐng)域迎來質(zhì)的突破;硅基光子集成電路能夠在芯片上實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的傳輸和處理,是突破電子信號(hào)速度和帶寬瓶頸的重要途徑,將會(huì)成為通信領(lǐng)域的重要增長點(diǎn);AI芯片(如NPU、TPU)通過深度學(xué)習(xí)算法優(yōu)化實(shí)現(xiàn)高效的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算;邊緣計(jì)算芯片為邊緣設(shè)備提供低功耗、高性能計(jì)算能力。六是低功耗與可重構(gòu)計(jì)算將成為未來芯片的重要發(fā)展趨勢。低功耗芯片設(shè)計(jì)可延長物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,通過全棧優(yōu)化(包括架構(gòu)、設(shè)計(jì)和材料)實(shí)現(xiàn)超低功耗甚至零功耗;可重構(gòu)計(jì)算能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整硬件資源以適應(yīng)不同任務(wù)。

        (四)國際合作將持續(xù)加強(qiáng),亞太地區(qū)和“一帶一路”合作將進(jìn)一步深化

        中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步離不開全球化的分工和協(xié)作,這也是保證效率優(yōu)勢和構(gòu)建信任的必要條件,未來中國集成電路產(chǎn)業(yè)的全球化將向更深更廣的方向發(fā)展。一方面,將繼續(xù)保持在美歐日韓中等領(lǐng)先國家和地區(qū)的全球大分工態(tài)勢,但各國和地區(qū)自主化、內(nèi)在化特征進(jìn)一步強(qiáng)化,中國將形成與各國的差異化合作模式;另一方面,中國將強(qiáng)化與南方國家尤其是共建“一帶一路”國家和地區(qū)的合作,推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)的“再全球化”,并在此過程中強(qiáng)化技術(shù)研發(fā)、供應(yīng)鏈、市場、綠色發(fā)展等方面的合作。

        一是將探索共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)中心、深化技術(shù)許可和知識(shí)共享、強(qiáng)化人才交流和培訓(xùn),與全球領(lǐng)先的研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)和大學(xué)開展合作,推進(jìn)關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新,特別是在先進(jìn)制程、EDA工具、新材料等領(lǐng)域的聯(lián)合研發(fā)。二是將通過在全球關(guān)鍵市場建設(shè)本地化供應(yīng)鏈、與國際企業(yè)合作在中國或第三方國家共建生產(chǎn)基地和產(chǎn)業(yè)園、投資并購海外關(guān)鍵供應(yīng)鏈企業(yè)等方式,與全球供應(yīng)鏈各環(huán)節(jié)的領(lǐng)先企業(yè)建立戰(zhàn)略合作,保障設(shè)備、材料、制造、測試等環(huán)節(jié)的安全穩(wěn)定。三是將繼續(xù)強(qiáng)化與先進(jìn)制造企業(yè)、軟件企業(yè)、設(shè)備和材料企業(yè)的合作,最大限度獲取產(chǎn)業(yè)先進(jìn)資源,為中國集成電路產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展夯實(shí)基礎(chǔ),尤其是與東亞及東南亞國家企業(yè)建立芯片制造聯(lián)盟,推動(dòng)區(qū)域內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈共享。四是將強(qiáng)化市場和生態(tài)建設(shè),與國外客戶共建生態(tài)系統(tǒng)。例如,推動(dòng)集成電路產(chǎn)品在汽車電子、消費(fèi)電子、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等行業(yè)的合作,保證國內(nèi)產(chǎn)品對(duì)國外相關(guān)產(chǎn)品的特定采購份額;積極加入國際半導(dǎo)體和通信標(biāo)準(zhǔn)組織,推動(dòng)中國在5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定,提升在全球市場中的話語權(quán);與全球主要分銷商合作建立國際分銷渠道,加快國產(chǎn)芯片的海外市場拓展,形成全球市場影響力;共同探索低碳芯片制造工藝,強(qiáng)化綠色制造、低功耗技術(shù)、循環(huán)經(jīng)濟(jì)方面的聯(lián)合研究,聯(lián)合材料供應(yīng)商探索在封裝材料、溶劑、電子氣體等環(huán)節(jié)的環(huán)保替代,在全球范圍內(nèi)構(gòu)建環(huán)保和可持續(xù)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

        四、“十五五”時(shí)期推進(jìn)中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的政策取向

        “十五五”時(shí)期是中國集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自立自強(qiáng)和創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)期,要進(jìn)一步創(chuàng)新制度供給,圍繞產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的總體目標(biāo),強(qiáng)化技術(shù)創(chuàng)新構(gòu)筑人工智能時(shí)代的領(lǐng)先優(yōu)勢,強(qiáng)化全產(chǎn)業(yè)鏈的融合發(fā)展構(gòu)建高效安全的產(chǎn)業(yè)鏈體系,以“再全球化”嵌入全球產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

        (一)戰(zhàn)略性調(diào)整產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo),著眼未來競爭加速前瞻性部署

        “十五五”時(shí)期應(yīng)調(diào)整“應(yīng)對(duì)式”發(fā)展策略,轉(zhuǎn)向推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的“主動(dòng)式”發(fā)展戰(zhàn)略,以提升產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展能力和長期創(chuàng)新能力。在具體目標(biāo)上,應(yīng)重點(diǎn)推動(dòng)人工智能和大算力“兩類先進(jìn)芯片”的聚力突破,強(qiáng)化傳統(tǒng)技術(shù)路線有序推進(jìn)和新技術(shù)路線涌現(xiàn)“兩類技術(shù)路線”并行發(fā)展。

        一是重構(gòu)戰(zhàn)略思維,將人工智能和大算力“兩類先進(jìn)芯片”突破作為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心目標(biāo)。在破解產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題的基礎(chǔ)上,從未來競爭視角推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的系統(tǒng)突破和創(chuàng)新發(fā)展,從科學(xué)技術(shù)—工程化—產(chǎn)業(yè)化的創(chuàng)新鏈視角和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用視角來推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)的整體突破[7],將新型舉國體制解決集成電路產(chǎn)業(yè)“卡脖子”回歸到新型舉國體制推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展這一基本的戰(zhàn)略目標(biāo)上,聚力突破人工智能、大算力芯片制造和系統(tǒng)建設(shè)。集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本目標(biāo)不是破解外部封鎖,而是立足于智能革命時(shí)代下的自主安全和領(lǐng)先發(fā)展,不僅在產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)競爭中獲取領(lǐng)先優(yōu)勢,而且在科學(xué)和技術(shù)競爭中獲得領(lǐng)先優(yōu)勢。修訂和完善《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》,并強(qiáng)化對(duì)人工智能和大算力芯片的支持,加快出臺(tái)《人工智能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展規(guī)劃(2025—2035年)》。

        二是打造“雙元路線”,推動(dòng)創(chuàng)新路線和傳統(tǒng)路線并行發(fā)展。實(shí)施“集成電路產(chǎn)業(yè)極限制程開發(fā)計(jì)劃”,瞄準(zhǔn)亞納米級(jí)制程,整合國內(nèi)外高校、科研院所、龍頭企業(yè)打造研究開發(fā)與技術(shù)聯(lián)盟,力爭關(guān)鍵技術(shù)和工藝3—5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)工程化突破,實(shí)現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)路線上的極限目標(biāo),帶動(dòng)國內(nèi)基礎(chǔ)研究和工業(yè)應(yīng)用的升級(jí),提升中國在集成電路領(lǐng)域的底層技術(shù)能力。同時(shí),探索1~2條新的未來技術(shù)和產(chǎn)業(yè)路線,并予以重點(diǎn)支持,部署亞納米級(jí)制程后的技術(shù)、材料和產(chǎn)業(yè)路線創(chuàng)新。

        (二)持續(xù)推動(dòng)技術(shù)和工藝創(chuàng)新,構(gòu)筑人工智能時(shí)代的領(lǐng)先優(yōu)勢

        集成電路產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展,是微電子、工程、化學(xué)、物理等多學(xué)科交叉以及產(chǎn)業(yè)化過程的結(jié)果,其涉及多學(xué)科的尖端知識(shí),是在產(chǎn)業(yè)化過程中默會(huì)知識(shí)積累和運(yùn)用的過程。“十四五”時(shí)期,中國在通過工藝創(chuàng)新解決“卡脖子”問題方面已取得突出成效,但在尖端技術(shù)突破、系統(tǒng)技術(shù)集成等方面有待進(jìn)一步加強(qiáng)?!笆逦濉睍r(shí)期,要前瞻性應(yīng)用人工智能技術(shù)的牽引能力和賦能效果,強(qiáng)化“技術(shù)突破+工藝創(chuàng)新+智能賦能”的“融合發(fā)展策略”,夯實(shí)產(chǎn)業(yè)長期發(fā)展?jié)摿Γ涌旃に囃黄坪蛣?chuàng)新貫通全產(chǎn)業(yè)鏈,深化人工智能對(duì)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的有效賦能。

        一是加快重大裝備和先進(jìn)材料突破,保障產(chǎn)業(yè)發(fā)展的供應(yīng)能力。進(jìn)一步集聚力量,以國家統(tǒng)籌的新型舉國體制來加速光刻機(jī)突破,解決極紫外光源系統(tǒng)、超精密反射和透鏡系統(tǒng)、高速雙工作臺(tái)系統(tǒng)、超穩(wěn)定裝配系統(tǒng)等系統(tǒng)工程,以產(chǎn)品和工程突破帶動(dòng)中國在材料、光學(xué)、物理、數(shù)學(xué)、計(jì)算等領(lǐng)域的原始創(chuàng)新,為其他產(chǎn)業(yè)發(fā)展賦能。探索集成電路材料行業(yè)的“特殊管制區(qū)”改革,避免對(duì)集成電路材料的?;饭苤坪蛯徟鷮?duì)行業(yè)發(fā)展可能造成的影響[8]。

        二是加快重大科技基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),夯實(shí)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)能力。圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、交流和國際合作的現(xiàn)實(shí)需要,以專項(xiàng)資金加快推進(jìn)基礎(chǔ)研究平臺(tái)、公共研發(fā)平臺(tái)、國際交流合作平臺(tái)的建設(shè),遴選合格的運(yùn)營團(tuán)隊(duì)和經(jīng)理人,提升平臺(tái)運(yùn)營效能。聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)攻關(guān)的難點(diǎn)、堵點(diǎn),組建攻關(guān)隊(duì)伍,在全國乃至全球范圍內(nèi)精準(zhǔn)找人,形成對(duì)關(guān)鍵技術(shù)的快速突破。以關(guān)鍵技術(shù)突破為契機(jī),組織人員強(qiáng)化相關(guān)理論研究、教材編制、培訓(xùn)組織等,形成關(guān)鍵技術(shù)的“傳幫帶”“師帶徒”培養(yǎng)機(jī)制和系統(tǒng)化培養(yǎng)機(jī)制。

        三是推動(dòng)全流程工藝創(chuàng)新,加快集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈貫通。在先進(jìn)裝備和尖端材料進(jìn)口受阻的外部形勢下,通過全流程工藝創(chuàng)新填補(bǔ)“斷鏈危機(jī)”至關(guān)重要。重點(diǎn)是強(qiáng)化制造和封裝過程中的工藝創(chuàng)新,鼓勵(lì)制造技術(shù)、工藝創(chuàng)新型企業(yè)探索制造模式創(chuàng)新,前瞻性部署前沿性制造線路,破解提高良率和精度的工藝參數(shù)和默會(huì)知識(shí),完善系統(tǒng)內(nèi)交流機(jī)制以推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。提升先進(jìn)封裝能力,提升系統(tǒng)級(jí)封裝、3D封裝、晶圓級(jí)封裝、倒裝封裝、芯粒封裝等先進(jìn)封裝能力。

        四是強(qiáng)化人工智能賦能,構(gòu)建數(shù)字智能時(shí)代獨(dú)特競爭優(yōu)勢。利用人工智能技術(shù)在主動(dòng)學(xué)習(xí)、重復(fù)計(jì)算、自主思考等方面的優(yōu)勢,加快其在集成電路設(shè)計(jì)、材料研發(fā)、制造、檢測等領(lǐng)域的應(yīng)用,加快推動(dòng)中國在集成電路領(lǐng)域的后發(fā)趕超并構(gòu)建獨(dú)特競爭優(yōu)勢。

        (三)關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同融合發(fā)展,構(gòu)建高效安全的產(chǎn)業(yè)鏈體系

        “十五五”時(shí)期中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展,不僅要充分發(fā)揮超大規(guī)模市場的牽引優(yōu)勢,還要從產(chǎn)業(yè)供給的角度強(qiáng)化對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵材料、裝備、產(chǎn)品的供給,通過“高質(zhì)量供給+超大規(guī)模需求”推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同融合發(fā)展,構(gòu)筑高效安全的產(chǎn)業(yè)鏈體系。

        一是強(qiáng)化供給端的產(chǎn)業(yè)生態(tài)培育。關(guān)注集成電路產(chǎn)業(yè)鏈本身的系統(tǒng)突破,將發(fā)展精密材料、軟件、國產(chǎn)裝備的相關(guān)工作作為推動(dòng)精細(xì)化學(xué)、工業(yè)軟件、高端軟件突破和發(fā)展的重要契機(jī)和抓手,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的全流程突破。關(guān)注集成電路產(chǎn)業(yè)周邊產(chǎn)品的全面突破和高端產(chǎn)品供應(yīng),解決高端工業(yè)品和消費(fèi)品中集成電路配套產(chǎn)品的高質(zhì)量供給問題,如高端電容、電阻、電感等技術(shù)、成本和產(chǎn)業(yè)化問題,解決高帶寬內(nèi)存、高速網(wǎng)卡、射頻芯片、傳感器等各類“周邊”產(chǎn)品的自主可控和成本控制問題。關(guān)注集成電路應(yīng)用端的高端供給,從技術(shù)和模式上解決超算、人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等所需的高端邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、傳輸芯片等供應(yīng)瓶頸問題,防范下游產(chǎn)業(yè)被“卡脖子”。

        二是強(qiáng)化需求端的產(chǎn)業(yè)生態(tài)牽引。利用好物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能、新一代信息通信等新技術(shù)和新應(yīng)用場景,結(jié)合戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)培育和發(fā)展的現(xiàn)實(shí)需要以及中國具有優(yōu)勢的產(chǎn)業(yè)(高鐵、5G、造船、采礦、電子商務(wù)等),強(qiáng)化與重要產(chǎn)業(yè)鏈鏈長企業(yè)、龍頭企業(yè)的對(duì)接和合作,以滿足產(chǎn)業(yè)場景應(yīng)用為目的創(chuàng)新和豐富集成電路產(chǎn)品,以標(biāo)準(zhǔn)化引領(lǐng)低功耗、高效能芯片產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和制造,推動(dòng)軟件算法和硬件封裝的協(xié)同,以需求牽引產(chǎn)業(yè)成長,并在成長中推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的迭代升級(jí)和高質(zhì)量發(fā)展。加快“劃時(shí)代產(chǎn)品”開發(fā),搶抓穿戴設(shè)備、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、智能制造裝備等智能產(chǎn)品爆發(fā)的機(jī)遇期,充分發(fā)揮企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型中的工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)、智能示范工廠的作用,以需求牽引相關(guān)技術(shù)突破。探索解決方案的技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑,推動(dòng)芯粒封裝、異質(zhì)封裝等工藝的成熟化,為特定的工業(yè)和消費(fèi)場景提供集成式的集成電路產(chǎn)品解決方案,形成硬件和軟件的有效協(xié)同,生成支撐企業(yè)、政府、社會(huì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型一體化解決方案,構(gòu)筑數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的獨(dú)特優(yōu)勢。

        (四)創(chuàng)新區(qū)域和產(chǎn)業(yè)合作策略,以“再全球化”嵌入全球產(chǎn)業(yè)生態(tài)

        “十五五”時(shí)期要堅(jiān)定集成電路產(chǎn)業(yè)的全球化發(fā)展思路,積極主動(dòng)融入全球技術(shù)體系、標(biāo)準(zhǔn)體系、制造體系和市場體系,防范美國等西方國家企圖實(shí)施的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、人才脫鉤,避免技術(shù)“黑箱”導(dǎo)致的產(chǎn)業(yè)不信任風(fēng)險(xiǎn)和技術(shù)脫鉤產(chǎn)生的“加拉帕戈斯化”問題。

        一是以全球技術(shù)體系和產(chǎn)業(yè)體系的“再全球化”應(yīng)對(duì)“逆全球化”。在美國強(qiáng)化對(duì)集成電路先進(jìn)制程和先進(jìn)產(chǎn)品控制力,以及對(duì)華打壓遏制的現(xiàn)實(shí)情境下,中國需要進(jìn)一步創(chuàng)新和深化全球化發(fā)展之路,最大限度地參與并整合到全球技術(shù)體系和產(chǎn)業(yè)體系中,再造全球化體系,以應(yīng)對(duì)美國“逆全球化”挑戰(zhàn)。強(qiáng)化技術(shù)突破和細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)高地建設(shè),以技術(shù)優(yōu)勢吸引發(fā)達(dá)國家研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)組織融入中國技術(shù)體系;強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和需求場景優(yōu)勢,以市場機(jī)會(huì)吸引全球企業(yè)和各類研究機(jī)構(gòu)融入中國產(chǎn)業(yè)體系。不僅要堅(jiān)持與北方國家合作,還要強(qiáng)化與南方國家和地區(qū)的合作,強(qiáng)化與各類國際合作組織的融合,提升中國在全球體系中的地位。

        二是堅(jiān)持開放市場、尋求國際產(chǎn)能合作。利用中國超大規(guī)模市場優(yōu)勢維持對(duì)歐日韓的吸引力,強(qiáng)化與歐洲在學(xué)術(shù)交流、標(biāo)準(zhǔn)共建、市場互惠等方面的合作,深化與日韓在能源、資源等方面的合作,以開放透明的合作增強(qiáng)多邊互信。利用好金磚國家、共建“一帶一路”國家和地區(qū)、RCEP國家和地區(qū)的市場規(guī)模優(yōu)勢,加大產(chǎn)能輸出和模式輸出,以“再全球化”打造集成電路全球化的“中國模式”。

        三是深化技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的國際合作。推動(dòng)中國企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)國際標(biāo)準(zhǔn)化組織、歐美企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)的開放和共享,推動(dòng)國際標(biāo)準(zhǔn)的全球應(yīng)用,降低全球交易成本。依靠超大規(guī)模市場優(yōu)勢與發(fā)展中國家合作,積極推動(dòng)競爭性技術(shù)路線的落地和推廣,規(guī)避既有路線的生態(tài)壁壘[9]。

        四是繼續(xù)加強(qiáng)并創(chuàng)新與跨國公司、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)的橫向和縱向合作。鼓勵(lì)企業(yè)以專利相互許可等方式強(qiáng)化與國際產(chǎn)業(yè)網(wǎng)絡(luò)的相互嵌入,通過打造國際化產(chǎn)業(yè)論壇等平臺(tái),增加中國企業(yè)、科研人員與國外合作的機(jī)會(huì),鼓勵(lì)技術(shù)的聯(lián)合開發(fā)以及共同專利申請(qǐng),形成在關(guān)鍵技術(shù)上的跨國合作,緩解其他國家對(duì)中國的“專利墻”制約。加大與國外學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)、標(biāo)準(zhǔn)化組織、全球頂級(jí)研發(fā)機(jī)構(gòu)、國際論壇的合作交流,鼓勵(lì)企業(yè)和高校及科研院所積極參與全球知識(shí)網(wǎng)絡(luò),進(jìn)一步提升自然科學(xué)基金等科學(xué)基金對(duì)國外團(tuán)隊(duì)、專家和企業(yè)的開放水平。

        五是支持標(biāo)準(zhǔn)化體系建設(shè),在打造“中國模式”的同時(shí)深度嵌入全球生態(tài)鏈。利用人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)快速發(fā)展的機(jī)會(huì)窗口,結(jié)合工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能制造[10]等新產(chǎn)業(yè)機(jī)會(huì)對(duì)芯片的旺盛需求,加快部署產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化建設(shè),并積極介入IEEE等國際標(biāo)準(zhǔn)化組織,形成標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)下的知識(shí)連接、人才交流、技術(shù)合作和產(chǎn)業(yè)融合的深度嵌入。 [Reform]

        參考文獻(xiàn)

        [1]劉建麗,李先軍.基于非對(duì)稱競爭的“卡脖子”產(chǎn)品技術(shù)突圍與國產(chǎn)替代——以集成電路產(chǎn)業(yè)為例[J].中國人民大學(xué)學(xué)報(bào),2023(3):42-55.

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        [9]李先軍,劉建麗,張任之.以多層生態(tài)戰(zhàn)略破解先發(fā)者主導(dǎo)優(yōu)勢:以EDA為例[J].技術(shù)經(jīng)濟(jì),2023(5):79-90.

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        Innovative Development of China's IC Industry during the 15th Five-Year Plan Period: External Challenges, Development Trends, and Policy Choices

        LI Xian-jun

        Abstract: The integrated circuit(IC) industry is one of the core industries for global competition during the 15th Five-Year Plan period. This era coincides with critical advancements in artificial intelligence(AI) technology and the re-globalization. Global IC industry growth is expected to remain robust. China's IC sector is projected to sustain rapid growth, particularly in AI chips, with breakthroughs anticipated in 3-5nm advanced process nodes and full domestic capability for processes below 22nm. Progress in equipment, materials, software, and EDA tools will enhance self-reliance, while resolving bottleneck issues and accelerating domestic substitution. International cooperation will shift toward Global South nations, especially those along the Belt and Road Initiative. To navigate this period, China should transition from a \"reactive\" strategy addressing bottlenecks to a \"proactive\" innovation-driven approach. Key priorities include breakthroughs in AI and high-performance computing chips, parallel advancement of traditional and emerging technological pathways(e.g., quantum and photonic chips), and integrated development via \"technological breakthroughs+process innovation+AI empowerment\". Building a synergistic industrial ecosystem driven by high-quality supply and ultra-large-scale demand is critical, alongside embedding China's technical and industrial systems into global value chains through market, Ramp;D, and standard-setting leadership.

        Key words: integrated circuit industry; artificial intelligence; industrial chain collaboration

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