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        類比推理 創(chuàng)新求解 提升素養(yǎng)

        2024-06-25 09:27:09陶漢斌
        關(guān)鍵詞:類比電磁場(chǎng)情境

        陶漢斌

        [摘 要]類比是一種極具啟發(fā)性、創(chuàng)造性和靈活性的推理方法。每當(dāng)學(xué)生缺乏可靠論證的思路時(shí),類比這一方法往往能使他們厘清思路,指引他們進(jìn)行深度學(xué)習(xí)。2024年1月浙江選考物理第20題通過類比設(shè)置問題情境,情境設(shè)計(jì)既熟悉又新穎;巧妙借用光學(xué)知識(shí)類比電磁場(chǎng)知識(shí),通過調(diào)控磁場(chǎng)或電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束的“反射”和“折射”;從知識(shí)、方法到能力,問題的設(shè)計(jì)由易到難,全面考查了學(xué)生的綜合分析能力。

        [關(guān)鍵詞]類比;情境;反射;折射;電磁場(chǎng)

        [中圖分類號(hào)]? ? G633.7? ? ? ? [文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼]? ? A? ? ? ? [文章編號(hào)]? ? 1674-6058(2024)08-0040-03

        類比是一種邏輯推理形式,是一種極具啟發(fā)性、創(chuàng)造性和靈活性的推理方法。當(dāng)物理學(xué)研究陷入困境時(shí),通過類比方法往往能打開一片新天地。每當(dāng)學(xué)生缺乏可靠論證的思路時(shí),類比這一方法往往能使學(xué)生厘清思路,指引他們進(jìn)行深度學(xué)習(xí)。2024年1月浙江選考物理第20題通過類比設(shè)置問題情境,類比光學(xué)中的反射和折射現(xiàn)象,用磁場(chǎng)或電場(chǎng)調(diào)控實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束的“反射”和“折射”。同時(shí),由易到難設(shè)計(jì)問題,全面考查學(xué)生的綜合分析能力。

        一、試題呈現(xiàn)

        類似光學(xué)中的反射和折射現(xiàn)象,用磁場(chǎng)或電場(chǎng)調(diào)控也能實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束的“反射”和“折射”。如圖1所示,在豎直平面內(nèi)有三個(gè)平行區(qū)域Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ。Ⅰ區(qū)寬度為[d],存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為[B]、方向垂直平面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ⅱ區(qū)的寬度很小。Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)電勢(shì)處處相等,分別為[φⅠ]和[φⅢ],其電勢(shì)差[U=φⅠ-φⅢ]。一束質(zhì)量為[m]、電荷量為[e]的質(zhì)子從[O]點(diǎn)以入射角[θ]射向Ⅰ區(qū),在[P]點(diǎn)以出射角[θ]射出,實(shí)現(xiàn)“反射”;質(zhì)子束從[P]點(diǎn)以入射角[θ]射入Ⅱ區(qū),經(jīng)Ⅱ區(qū)“折射”進(jìn)入Ⅲ區(qū),其出射方向與法線夾角為“折射”角。已知質(zhì)子僅在平面內(nèi)運(yùn)動(dòng),單位時(shí)間發(fā)射的質(zhì)子數(shù)為[N],初速度為[v0],不計(jì)質(zhì)子重力,不考慮質(zhì)子間相互作用以及質(zhì)子對(duì)磁場(chǎng)和電勢(shì)分布的影響。

        (1)若不同角度射向磁場(chǎng)的質(zhì)子都能實(shí)現(xiàn)“反射”,求[d]的最小值;

        (2)若[U=mv202e],求“折射率”n(入射角正弦與折射角正弦的比值);

        (3)計(jì)算說明如何調(diào)控電場(chǎng),實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束從[P]點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)發(fā)生“全反射”(即質(zhì)子束全部返回Ⅰ區(qū));

        (4)在[P]點(diǎn)下方距離[3mv0Be]處水平放置一長(zhǎng)為[4mv0Be]的探測(cè)板[CQD] ([Q]在[P]的正下方), [CQ]長(zhǎng)為[mv0Be],質(zhì)子打在探測(cè)板上即被吸收中和。若還有另一相同質(zhì)子束,與原質(zhì)子束關(guān)于法線左右對(duì)稱,同時(shí)從[O]點(diǎn)射入Ⅰ區(qū),且[θ=30°],求探測(cè)板受到豎直方向力[F]的大小與[U]之間的關(guān)系。

        二、考情分析

        此題利用學(xué)生熟悉的光學(xué)中的反射和折射現(xiàn)象,類比推理電磁場(chǎng)中的“反射”和“折射”,設(shè)計(jì)巧妙新穎。很多學(xué)生以為這是一道光學(xué)題,但它只是利用光學(xué)中的反射場(chǎng)景類比質(zhì)子在磁場(chǎng)中的勻速圓周運(yùn)動(dòng);利用光學(xué)中的全反射情境類比質(zhì)子在電場(chǎng)中斜拋后運(yùn)動(dòng)到最高點(diǎn)又在電場(chǎng)中返回(逆平拋);以光學(xué)中熟悉的折射類比質(zhì)子穿越電場(chǎng)的斜拋運(yùn)動(dòng)。本題的最后一個(gè)問題涉及利用臨界條件進(jìn)行分析的分段函數(shù),??汲P?,非常精彩。

        三、詳細(xì)解答

        (1)在磁場(chǎng)中的勻速圓周運(yùn)動(dòng)——類比反射

        質(zhì)子射入磁場(chǎng)后在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),當(dāng)豎直方向上射出的質(zhì)子恰好打到上極板時(shí)有:

        [Bev0=mv20r]

        [2r=d]

        [d=2mv0Be]

        (2)在電場(chǎng)中的斜拋運(yùn)動(dòng)——類比折射

        質(zhì)子束從[P]點(diǎn)以入射角[θ]射入Ⅱ區(qū)中的電場(chǎng),在電場(chǎng)中做斜拋運(yùn)動(dòng),有[U=mv202e],設(shè)質(zhì)子射出Ⅱ區(qū)時(shí)的速度為[v],由動(dòng)能定理可得:

        [eU=12mv2-12mv20]

        解得[v=2v0]

        射出時(shí)質(zhì)子的水平速度為[vx=v0sinθ]

        通過類比可得折射率為[n=sinθv0sinθ2v0=2]

        (3)在電場(chǎng)中做減速運(yùn)動(dòng)后返回——類比全反射

        質(zhì)子從[P]點(diǎn)射入時(shí),設(shè)電場(chǎng)的間距為[L],在質(zhì)子剛好在Ⅱ區(qū)減速到0時(shí),應(yīng)用運(yùn)動(dòng)學(xué)公式有:

        [0-(v0cosθ)2=2U0emLL]

        [U0=-mv02cos2θ2e]

        即當(dāng)? [U≤-mv02cos2θ2e] 時(shí)發(fā)生“全反射”

        (4)利用臨界值求解分段函數(shù)——常規(guī)考點(diǎn)

        第(4)問需要根據(jù)隱含條件進(jìn)行分析,判斷臨界邊際,多個(gè)角度討論各種情況,物理模型的構(gòu)建與數(shù)學(xué)處理有一定難度。我們可利用臨界值進(jìn)行求解,由于[θ=30°],質(zhì)子恰好不能進(jìn)入Ⅲ區(qū)的電壓為[U1],在豎直方向上應(yīng)用運(yùn)動(dòng)學(xué)公式有:

        [0-(v0cos30°)2=2U1emLL]

        [U1=-3mv208e]

        考慮探測(cè)板上的C點(diǎn),當(dāng)電壓為[U2=0]時(shí),由于[tan30°=CQPQ=33],左側(cè)的質(zhì)子經(jīng)過Ⅱ區(qū)時(shí)做勻速直線運(yùn)動(dòng),恰好打在C點(diǎn)。

        考慮探測(cè)板上的D點(diǎn),當(dāng)電壓為[U3]時(shí)恰好打在D點(diǎn),右側(cè)的質(zhì)子經(jīng)過Ⅱ區(qū),由動(dòng)能定理得:

        [eU3=12mv0sin30°cos30°2-12mv20]

        [U3=-mv203e]

        ①當(dāng)[U<-mv203e]時(shí),[F=0]

        ②當(dāng)[-mv203e≤U<0]時(shí),左側(cè)質(zhì)子打不到探測(cè)板,設(shè)打到探測(cè)板的右側(cè)質(zhì)子的速度為[v],則有:

        [eU=12mv2-12mv20]

        解得[v=v20+2eUm]

        而右側(cè)質(zhì)子的水平速度為[vx=v0sin30°=0.5v0]

        因此打到探測(cè)板時(shí)右側(cè)質(zhì)子的豎直速度為[vy=34v20+2eUm]

        豎直方向應(yīng)用動(dòng)量定理有:

        [F·Δt=N·Δtm34v20+2eUm]

        解得豎直方向上的力[F=Nm34v20+2eUm]

        ③當(dāng)電壓[U>0],左、右兩側(cè)質(zhì)子都打到探測(cè)板,同理可得[F=2Nm34v20+2eUm]

        綜上所述,探測(cè)板受到豎直方向上的力[F]的大小與電壓[U]之間的關(guān)系如下:

        當(dāng)[U<-mv203e]時(shí),[F=0]

        當(dāng)[-mv203e≤U<0]時(shí),[F=Nm34v20+2eUm]

        當(dāng)[U>0]時(shí),[F=2Nm34v20+2eUm]

        四、教學(xué)反思

        此題學(xué)生普遍反映難度很大,這是因?yàn)樗麄內(nèi)狈︻惐韧评淼哪芰?。通過此題,學(xué)生知道原來類比光學(xué)中的反射和折射現(xiàn)象,通過磁場(chǎng)或電場(chǎng)調(diào)控也可以實(shí)現(xiàn)質(zhì)子束的“反射”和“折射”。類比是一種邏輯推理形式,是一種極具啟發(fā)性、創(chuàng)造性和靈活性的推理方法。應(yīng)用兩種物理現(xiàn)象和兩種物理規(guī)律之間的相似或相同,而推出其他方面也相似或相同的方法就是類比法,類比法貫穿物理學(xué)的研究過程。

        類比法往往能指引學(xué)生進(jìn)行深度學(xué)習(xí)。比如“電場(chǎng)”這一章中庫(kù)侖定律與萬有引力定律的類比,電場(chǎng)與重力場(chǎng)的類比,重力場(chǎng)中的平拋與電場(chǎng)中的類平拋的類比。

        其中,萬有引力定律與庫(kù)侖定律的類比如表1所示。

        電場(chǎng)與重力場(chǎng)的類比如表2所示。

        學(xué)生應(yīng)該具有這樣的意識(shí)——考試中的失分都應(yīng)該歸結(jié)到自身素養(yǎng)欠缺上,而素養(yǎng)除物理觀念、科學(xué)探究、科學(xué)推理、科學(xué)論證、模型建構(gòu)外[1],還包括對(duì)自身思維過程進(jìn)行的監(jiān)控——“對(duì)自己的思維方式、思維過程進(jìn)行質(zhì)疑”。教師在向?qū)W生傳授知識(shí)的同時(shí),還應(yīng)該引導(dǎo)學(xué)生歸納總結(jié)重要的科學(xué)研究方法,以更好地培養(yǎng)學(xué)生的科學(xué)研究能力??茖W(xué)研究是學(xué)生終身受用的本領(lǐng)。只有讓學(xué)生積極主動(dòng)地開展科學(xué)研究,才能更好地提升學(xué)生的學(xué)科核心素養(yǎng)。

        [? ?參? ?考? ?文? ?獻(xiàn)? ?]

        [1]? 梁旭.基于核心素養(yǎng)的學(xué)·教·評(píng):浙江省近幾年高中物理教學(xué)的探索與實(shí)踐[J].中學(xué)物理,2021(21):2-6.

        (責(zé)任編輯 黃春香)

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