施海寧 應紅 張濤 唐堂 宋金霖 龔頻 湯曉斌

1（中國廣核集團有限公司 蘇州熱工研究院有限公司 蘇州 215004）

2（國家核電廠安全及可靠性工程技術研究中心 蘇州 215004）

3（南京航空航天大學 核科學與技術系 南京 211106）

核反應堆內(nèi)的核輻射探測對核電機組的日常運行、老化管理、運行許可證延續(xù)等方面至關重要，但隨著電廠老化管理、運行許可證延續(xù)等精益化管理工作的深入，現(xiàn)有輻射監(jiān)測系統(tǒng)已難以滿足更為精確的評估計算需求［1］。目前，中子監(jiān)測的主要方法有：在堆芯和壓力容器壁之間安裝輻照監(jiān)督管，里面包含有材料樣本和中子活化片；或者在壓力容器外安裝中子注量探測器，其中子活化片安裝在壓力容器絕熱反射層與堆坑混凝土之間。這樣存在一定的局限性，如：中子掛片有放射性，需要在熱室進行分析；無法實時在線監(jiān)測；關鍵技術受到國外的制約和封鎖。迫切需要研制一種具有耐高溫、抗輻照、小型化、無線化等特點的新型核輻射（中子、γ射線）探測與測量系統(tǒng)［2］，從而為核電廠的日常運行、老化管理、運行許可證延續(xù)提供數(shù)據(jù)支撐。

半導體中子探測器利用核反應產(chǎn)生的次級帶電粒子在半導體耗盡區(qū)中沉積能量來進行探測，第三代SiC半導體探測器具有體積小、響應時間快、n/γ甄別容易等優(yōu)點，同時克服了傳統(tǒng)探測器抗輻射性能差、性能隨溫度變化敏感等缺點。國內(nèi)對SiC的研究主要集中于材料生長、缺陷和器件制造工藝等方面［3-7］，而針對SiC探測器n/γ響應性能測試研究較少，尚不能滿足反應堆堆芯劑量監(jiān)測的需求。

本文基于自主研制的SiC半導體探測器，開展中子轉(zhuǎn)換層厚度優(yōu)化，對比不同粒子的探測器響應信號，研究探測器對n/γ注量率線性響應度，給出探測器基本性能指標。

1 SiC探測器的中子轉(zhuǎn)換層厚度優(yōu)化

中子不帶電，穿越半導體的過程中難以發(fā)生電離作用。因此，通常中子探測選擇與中子發(fā)生核反應產(chǎn)生帶電粒子的核素作為轉(zhuǎn)換層，記錄下帶電粒子引起的電離激發(fā)現(xiàn)象，以實現(xiàn)對中子的探測。由于6Li與中子發(fā)生核反應的反應能較大，易于實驗對γ的甄別，同時有較高的反應截面，中子探測效率較高［8］，因此選擇6LiF作為SiC半導體探測器的轉(zhuǎn)換層，通過記錄6Li（n，T）4He核反應產(chǎn)生的α粒子和T離子產(chǎn)生的信號實現(xiàn)對中子的測量。與中子探測原理不同，γ射線可直接與SiC半導體中的耗盡區(qū)作用而沉積的能量，通過測量該沉積能量探測γ，但是這種能量較小，導致γ信號幅度比中子信號小。采用較薄厚度耗盡區(qū)的SiC與6LiF結(jié)合可以實現(xiàn)高γ甄別。

圖1 SiC半導體探測器結(jié)構(gòu)示意圖(a)及實物圖(b)Fig.1 Schematic diagram of SiC semiconductor detector structure (a) and physical image (b)

轉(zhuǎn)換層厚度與中子探測效率直接相關，如果轉(zhuǎn)換層太厚導致產(chǎn)生的帶電粒子被吸收，如果太薄探測效率太低，因此需要對6LiF的厚度進行優(yōu)化。采用Geant4程序計算了熱中子平行入射條件下探測效率隨6LiF（6Li豐度為95%）厚度的變化趨勢［9］，結(jié)果如圖2所示?？梢钥闯觯瑹嶂凶犹綔y效率隨6LiF中子轉(zhuǎn)換層的厚度先增加后減少，在25 μm時到達最大值，為4.6%。

圖2 熱中子探測效率與不同6LiF厚度的關系Fig.2 Relationship between thermal neutron detection efficiency and different thicknesses of 6LiF

本研究使用的SiC半導體探測器的制作主要包括基底材料制備、中子轉(zhuǎn)換層噴鍍、探測器封裝等。通過對外延的工藝技術和工藝條件進行優(yōu)化，提高襯底外延的外延生長速率、降低缺陷密度、提高片內(nèi)均勻性和批次一致性，制備出SiC基底材料。采用電子束蒸發(fā)真空鍍膜的技術將中子轉(zhuǎn)換層材料6LiF（6Li豐度為95%）噴鍍到SiC基底上，實現(xiàn)轉(zhuǎn)換層厚度為25 μm，滿足設計要求。然后，采用不銹鋼外殼與SMA（SubMiniature version A）接頭對探測器探頭進行封裝得到SiC半導體探測器。

2 SiC探測器的信號響應測試

基于制備的SiC半導體探測器（SiC半導體面積為5 mm×5 mm），首先利用241Am α放射源（活度9.37×103Bq）開展了α粒子響應信號幅度的測量，測試實驗室環(huán)境如圖3所示。測試結(jié)果如圖4所示，可觀察到清晰的α粒子信號，信號幅度250 mV，脈沖寬度70 ns，基線噪聲5 mV。基于Am-Be中子源（活度1.09×1010Bq）的測試結(jié)果如圖5所示，可觀察到清晰的中子轉(zhuǎn)換的T粒子信號，其信號幅度40 mV，脈沖寬度200 ns，基線噪聲5 mV。

圖3 實驗室α源測試環(huán)境照片F(xiàn)ig.3 Snapshot α test environment in laboratory

圖4 α脈沖信號波形圖Fig.4 Waveform of α pulse signal of α

圖5 3H脈沖信號波形圖Fig.5 Waveform of 3H pulse signal

同時，基于137Cs γ放射源（活度6.23×107Bq）開展了SiC探測器（10 mm×10 mm，30 μm）對γ射線的響應測試，測試結(jié)果如圖6所示。圖中清晰測量到了γ射線信號，信號幅度為22 mV，脈沖寬度100 ns，基線噪聲5 mV。其信號幅度遠小于SiC中子探測器的信號，這是由于中子的探測器轉(zhuǎn)換層6LiF產(chǎn)生的次級粒子α與T在半導體中沉積的能量遠大于γ在SiC半導體耗盡區(qū)的電子能量沉積。

圖6 γ脈沖信號波形圖Fig.6 Waveform of γ pulse signal

3 中子注量率響應線性度測量

熱中子探測效率是中子探測器的重要參數(shù)指標［10］，為此，基于中國計量科學研究院的Am-Be中子源標準輻射場開展了SiC半導體中子探測器的效率刻度［11］。該輻射場測試點熱中子注量率為374.1 cm-2·s-1，不確定度為5.0%（k=1），熱中子（＜0.5 eV）占比為99.9%。測量時間為1 200 s，探測器總計數(shù)為4 564，校準結(jié)果顯示，SiC半導體中子探測器在熱能點的探測效率為1.01%（校準因子為98.36，校準因子合成標準不確定度為7.0%）。

探測器中子注量率響應線性度也是探測器的重要指標。線性度是描述傳感器靜態(tài)特性的一個重要指標，以被測輸入量處于穩(wěn)定狀態(tài)為前提。在規(guī)定條件下，傳感器校準曲線與擬合直線間的最大偏差（ΔYmax）與滿量程輸出（Y）的百分比稱為線性度（線性度又稱為“非線性誤差”），該值越小，表明線性特性越好。表示為公式：δ=ΔYmax/Y×100%。

基于中國原子能科學研究院的高壓倍加器產(chǎn)生的14.8 MeV單能中子參考輻射場［12］，開展SiC半導體中子探測器中子注量率響應線性度測試。實驗大廳散射中子本底利用影錐法扣除［13］，靶-待校儀器測驗點距離為115 cm，通過調(diào)節(jié)加速器功率實現(xiàn)測試點注量率范圍6.08×102~2.14×106cm-2·s-1，6個中子注量率：6.08×102cm-2·s-1、2.99×103cm-2·s-1、1.4×104cm-2·s-1、3.62×104cm-2·s-1、2.27×105cm-2·s-1、2.14×106cm-2·s-1。測試現(xiàn)場環(huán)境如圖7所示。表1為不同中子注量率值對應的探測器計數(shù)率。相對擴展不確定度為Urel=7.0%（k=2）。

表1 參考點中子探測器計數(shù)率Table 1 Counting rates of neutron detector in different reference points

圖7 中子輻照測試環(huán)境照片F(xiàn)ig.7 Snapshot of neutron irradiation testing environment

當中子能量達到14.8 MeV時，C和Si的（n，p）、（n，α）反應道已打開，在此能量下SiC半導體中子探測器探測的中子信號不僅是中子轉(zhuǎn)換層6LiF產(chǎn)生的次級帶電粒子，還包括12C和28Si產(chǎn)生的次級帶電粒子［14］。14.8 MeV能點，12C和28Si反應截面遠大于6Li的反應截面，這說明SiC半導體中子探測器既可測量熱中子，又可測量快中子［15］。

根據(jù)測量計數(shù)率與中子注量率結(jié)果，可得線性擬合曲線y=624.54x-52 134，R2=0.996 9。擬合曲線如圖8所示，線性度為3.346%。

圖8 中子注量率線性擬合曲線Fig.8 Curve of linear fitting of neutron fluence rate

4 γ劑量率響應線性度測量

基于中國計量科學研究院的60Co源標準γ輻射場，開展了SiC半導體γ探測器劑量率響應線性度測量，通過調(diào)節(jié)源與探測器的距離測試點劑量率范圍為0.005~20 Gy·h-1。測試點γ空氣比釋動能率參考值為0.005 Gy·h-1、0.01 Gy·h-1、0.03 Gy·h-1、0.1 Gy·h-1、0.5 Gy·h-1、3 Gy·h-1、5.54 Gy·h-1、7 Gy·h-1、10 Gy·h-1、12 Gy·h-1、20 Gy·h-1。測試現(xiàn)場環(huán)境如圖9所示。

圖9 γ輻照測試環(huán)境Fig.9 γ irradiation testing environment

表2為不同參考點的γ劑量率值和對應的探測器計數(shù)率以及校準因子［16-19］。從表2可以看出，系統(tǒng)γ劑量率的測量范圍為0.005~20 Gy·h-1。

表2 參考點γ探測器計數(shù)率Table 2 Counting rates of gamma detector in different reference points

5 結(jié)語

基于自主研制的第三代SiC半導體中子/γ探測器，利用標準輻射場，開展了中子探測器刻度、線性響應測試，測試結(jié)果顯示，在1×103~1×106cm-2·s-1中子注量范圍內(nèi)具有良好的線性響應，中子注量γ劑量率范圍高達0.005~20 Gy·h-1，為核電現(xiàn)場反應堆中子和γ的無線、實時、精確監(jiān)測奠定了基礎。

致謝感謝南京航空航天大學、中國原子能科學研究院、中國計量科學研究院提供的中子束流和γ輻射場。感謝中國科學院上海應用物理研究所老師們對該工作的支持和幫助。

作者貢獻聲明施海寧、應紅、張濤、唐堂負責本文工作中的文獻查閱、實驗測試與總結(jié)；宋金霖負責模擬計算；龔頻、湯曉斌對文章進行了統(tǒng)籌修改和指導，并對文章的撰寫與修改提供了積極的建議。全體作者都閱讀并同意最終的文本。