李 軍,楊 飛,殷 康,朱光耀,于洪喜

(1.中國(guó)空間技術(shù)研究院,北京 100089;2.中國(guó)空間技術(shù)研究院西安分院,西安 710000)

0 引言

無(wú)線能量傳輸技術(shù)是指能量以電磁波的形式從發(fā)射端傳輸?shù)浇邮斩恕Ｗ?899年特斯拉實(shí)驗(yàn)證明了赫茲的無(wú)線電波傳輸理論以來(lái)[1],無(wú)線傳能技術(shù)受到重視并得到快速發(fā)展。空間太陽(yáng)能電站計(jì)劃[2]的提出及規(guī)劃更加激發(fā)了無(wú)線能量傳輸技術(shù)的發(fā)展[3-5]。空間遠(yuǎn)距離大容量無(wú)線能量傳輸技術(shù)是支撐國(guó)家能源戰(zhàn)略和碳達(dá)峰、碳中和的重要發(fā)展途徑,是我國(guó)重大航天工程跨越式發(fā)展的重要標(biāo)志,是我國(guó)空天技術(shù)在更高功率、更大口徑以及軍民融合方面全面突破的重要途徑,更是引領(lǐng)空間微波技術(shù)顛覆式創(chuàng)新的重要契機(jī)[6-7]。其廣泛應(yīng)用于空間太陽(yáng)能電站、平流層太陽(yáng)能電站、子母衛(wèi)星編隊(duì)、深空探測(cè)長(zhǎng)距離供電等場(chǎng)景中,是解決多項(xiàng)重大科技挑戰(zhàn)中能量傳輸?shù)闹匾夹g(shù)途徑。

無(wú)線能量傳輸?shù)暮诵墓β势鞑考菬o(wú)線傳能系統(tǒng)中功耗、能耗的最大載體,也是實(shí)現(xiàn)高效率、高功率、高集成無(wú)線能量傳輸?shù)年P(guān)鍵。高功率微波發(fā)射、高效率微波整流是共性核心技術(shù),其中高效率微波整流是區(qū)別于傳統(tǒng)無(wú)線系統(tǒng)的專項(xiàng)技術(shù)。以5.8 GHz為例,目前功率發(fā)射的直流-微波轉(zhuǎn)換效率約70%,是空間太陽(yáng)能電站效率轉(zhuǎn)換的瓶頸,制約著整個(gè)系統(tǒng)效率的提升[8]。整流電路數(shù)量大、種類多,5.8 GHz整流接收的微波-直流轉(zhuǎn)換效率約70%,是制約接收陣列效率的關(guān)鍵[9]。而功率發(fā)射、整流電路因其熱耗、數(shù)量、重量、尺寸占比最大,也成為發(fā)射、接收陣列實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。

國(guó)內(nèi)目前開(kāi)展的無(wú)線能量傳輸對(duì)核心功率器部件需求如表1所列?？梢钥闯?目前頻率主要集中在2.45 GHz和5.8 GHz兩個(gè)頻段,發(fā)射和整流均有分布式和集中式兩種體制。前者依賴于固態(tài)功率放大和整流部件,如晶體管和二極管,后者則更偏向于電真空器件,如磁控管和回旋波整流管。

表1 核心功率器部件需求表

本文章節(jié)安排如下:第1節(jié)對(duì)無(wú)線能量傳輸中的核心器部件——功率放大器和整流電路的研究現(xiàn)狀開(kāi)展論述;第2節(jié)重點(diǎn)開(kāi)展無(wú)線能量傳輸中的核心功率器部件面臨的學(xué)術(shù)、技術(shù)挑戰(zhàn)及解決途徑;第3節(jié)結(jié)合空間太陽(yáng)能電站整體規(guī)劃,提出核心功率器部件的發(fā)展策略和路線建議;第4節(jié)給出總結(jié)與展望。

1 核心器部件研究現(xiàn)狀

高功率微波發(fā)射、高效率微波整流是無(wú)線能量傳輸系統(tǒng)的核心,對(duì)其研究早在20世紀(jì)30年代便已開(kāi)始,隨著空間太陽(yáng)能電站的提出逐漸成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的研究熱點(diǎn)。

1.1 高功率微波源

高功率微波源是無(wú)線能量傳輸中能耗、熱耗的主要載體,是傳能系統(tǒng)的效率瓶頸,也是發(fā)射系統(tǒng)附加值最高的組成部分,高功率、高效率、高功率密度比是其關(guān)鍵指標(biāo)。按照核心器件形態(tài),可分為固態(tài)功率放大器[10-28]、行波管放大器[29-35]、速調(diào)管放大器[36-38]、磁控管放大器[39-45]等,不同類型的微波功率源在功率量級(jí)、效率、頻段、成本上各有優(yōu)劣,具體如圖1所示。

圖1 微波源功率及頻率覆蓋

1.1.1 固態(tài)功率放大器

早期基于砷化鎵(gallium arsenide,GaAs)器件的固態(tài)功率放大器受限于輸出功率和效率,主要應(yīng)用在低頻段及中等功率領(lǐng)域。隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵(gallium nitride,GaN)“一日千里”的快速發(fā)展,固態(tài)功放成為了微波功率部件的研究熱點(diǎn)。如圖2所示,相較于GaAs器件,GaN器件的工作電壓、輸出功率、效率以及能夠承受的工作溫度均有大幅提升,同時(shí)具有和GaAs同樣優(yōu)良的高頻特性。

圖2 GaN Vs GaAs

不同于通信及雷達(dá)領(lǐng)域,無(wú)線傳能系統(tǒng)中固態(tài)功放的研究重點(diǎn)主要集中在提高效率和功率[10-28]?；陂_(kāi)關(guān)模式(E、F類)[10-15]、高次諧波阻抗控制[16-20]、波形賦形[21]、非線性寄生參數(shù)補(bǔ)償[22]以及低損耗內(nèi)匹配合成[24-27]等技術(shù),固態(tài)功放性能日臻完善。單模塊維度在效率方面,典型研究成果如東京通信大學(xué)報(bào)道的基于高次諧波控制的GaN功放,在5.65 GHz,功率附加效率79%,輸出功率2.13 W[18],如圖3所示。在功率方面,2.45 GHz連續(xù)波功率最高的模塊可達(dá)450 W[23],C波段可達(dá)340 W[24]。在35 GHz毫米波段,20 W的高功率密度GaN芯片是分布式微波能量發(fā)射系統(tǒng)的核心器件[25]。

圖3 GaN高效功放模塊

整機(jī)維度,從功率上:國(guó)外L頻段400 W,C頻段100 W連續(xù)波固放已在軌應(yīng)用;國(guó)內(nèi)L頻段220 W[26]連續(xù)波功放已在軌應(yīng)用;從效率上:L波段整機(jī)效率高于60%,C頻段高于50%[27];從頻率上:Q頻段及以上頻段產(chǎn)品逐步上星應(yīng)用[28]。

1.1.2 行波管功率放大器

行波管放大器歷來(lái)是星載高頻段、高功率放大器的主選方案[29-30],主要應(yīng)用于寬帶通信衛(wèi)星中,但由于高昂的價(jià)格以及老化效應(yīng),作為無(wú)線能量傳輸?shù)拇蠊β史糯笃黪r有報(bào)道,后續(xù)可作為集中式功率源的備選方案。

目前,星載行波管已覆蓋L～W頻段,正在向太赫茲頻段突破。功率方面:L/S頻段為250 W～500 W,Ku/Ka頻段為200 W[31-32],功率可調(diào)行波管也取得了技術(shù)突破[33-34];效率方面:高壓電源效率達(dá)到94%,Ka頻段行波管達(dá)到62%[32];頻率方面:Q以上等高頻段產(chǎn)品逐步上星應(yīng)用[35];集成方面:微波功率模塊,雙行波管放大器開(kāi)始工程化研制應(yīng)用,如圖4所示。

圖4 微波功率模塊和雙行波管放大器

1.1.3 速調(diào)管放大器

速調(diào)管放大器是一種基于速度-密度調(diào)制原理將電子束能量轉(zhuǎn)換為微波能量的真空電子器件[36],如圖5所示。具有高效率,大功率等優(yōu)點(diǎn),是目前平均功率最高的微波功率器件,在通信、高能粒子加速器、雷達(dá)、電子對(duì)抗等工業(yè)和國(guó)防領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用[37-38]。如表2所列,給出了國(guó)外星載速調(diào)管放大器典型產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo),其平均功率大于10千瓦,效率高于40%。國(guó)內(nèi)在星載速調(diào)管放大器領(lǐng)域的研究起步較晚,但也取得了一定技術(shù)積累,目前正在開(kāi)展千瓦級(jí)空間速調(diào)管放大器的相關(guān)研制工作,后續(xù)可作為集中式高功率微波源主選方案。

圖5 速調(diào)管放大器

表2 國(guó)外速調(diào)管放大器性能

1.1.4 磁控管放大器

磁控管是一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而效率較高的自振蕩器件[39],借助于磁場(chǎng)和電子束的相互作用產(chǎn)生大功率微波信號(hào)[40],廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、導(dǎo)航和工業(yè)微波加熱[41]。日本學(xué)者研究表明,在SPORTS(Space Power Radio Transmission)項(xiàng)目中,2.45 GHz和5.8 GHz磁控管直流到射頻的轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá)80%[42-44],國(guó)內(nèi)目前在C頻段的輸出功率可達(dá)500 kW,效率優(yōu)于45%[45]。磁控管的成本較低,作為集中式高功率微波源地面驗(yàn)證的重要手段備受青睞。

1.2 高效率微波整流

高效率微波整流涵蓋二極管、三極管和電真空器件整流等專業(yè)分支,在接收陣列中價(jià)值占比最高,是微波-直流轉(zhuǎn)換效率的決定因素,且種類繁多,與應(yīng)用場(chǎng)景緊耦合。高效率微波整流是區(qū)別于傳統(tǒng)無(wú)線通信、導(dǎo)航、數(shù)傳等系統(tǒng)的專項(xiàng)技術(shù),不同類型的整流器件其功率及頻率覆蓋如圖6所示。功率覆蓋毫瓦至千瓦量級(jí),頻率覆蓋1 GHz～100 GHz頻段。

圖6 整流器件功率及頻率覆蓋

1.2.1 二極管整流

二極管整流技術(shù)可以追溯到20世紀(jì)70年代,基于金屬-半導(dǎo)體結(jié)的肖特基二極管進(jìn)入微波頻段,作為主要的非線性器件,應(yīng)用于整流,混頻,倍頻等電路,其原理如圖7(a)所示。二極管整流與分布式微波無(wú)線傳能接收系統(tǒng)匹配度高,因此,研究熱度高、技術(shù)途徑多[46-58]。早期經(jīng)過(guò)優(yōu)化的肖特基二極管其整流效率可達(dá)到80%～90%,但由于其應(yīng)用的局限性,并未大規(guī)模生產(chǎn),因此,目前大部分研究仍基于商用普通器件。

圖7 二極管整流原理及技術(shù)途徑

二極管整流存在的問(wèn)題主要是功率容量低,高效動(dòng)態(tài)范圍小,對(duì)直流負(fù)載要求高等,圍繞這些問(wèn)題,形成了多條技術(shù)途徑,如圖7(b)所示。為了提高效率,采用諧波阻抗匹配技術(shù)[46-49];為了拓展頻率,采用雙頻設(shè)計(jì)[50-51];為了提高動(dòng)態(tài),采用壓縮阻抗網(wǎng)絡(luò)[52];為了適應(yīng)輸出阻抗變化,加入開(kāi)關(guān)電源[53];為了提高功率,采用多個(gè)二極管串并聯(lián)的形式[54]。除此之外,基于GaN的肖特基二極管在提升功率方面有明顯的優(yōu)勢(shì),且已成為學(xué)界研究的熱點(diǎn)[55-57]。二極管整流近年來(lái)的研究成果匯總?cè)鐖D8所示,可見(jiàn)功率已接近25 dBm,效率也已超過(guò)80%。

圖8 二極管整流性能指標(biāo)

1.2.2 晶體管整流

晶體管柵極和源極之間是一個(gè)肖特基結(jié),與二極管類似,具有整流功能。相比二極管,晶體管擁有更高的功率密度,GaN晶體管在S波段的功率容量可以達(dá)到百瓦量級(jí),采用類似諧波阻抗控制[10-11]及波形賦形理論[21],可大幅提升整流效率,是學(xué)術(shù)研究前沿[59-70]。

如圖9所示,晶體管整流技術(shù)基于時(shí)域反轉(zhuǎn)對(duì)偶原理[59],同樣經(jīng)歷了從GaAs向GaN器件的發(fā)展[60-61]。

圖9 反轉(zhuǎn)對(duì)偶原理及柵極自同步整流

早期的整流直接利用功放的逆形式[60-61],采用諧波阻抗控制設(shè)計(jì)E類或逆F類整流電路[62-64],研究表明,在2.14 GHz時(shí)效率大于70%[61]。為了進(jìn)一步提高效率,參照同步整流技術(shù)[65-66],采用特定的相位調(diào)節(jié)電路,同時(shí),對(duì)整流模式下的晶體管模型優(yōu)化及IV曲線拓展[66-67],使得晶體管柵極和漏極同步開(kāi)啟,效率可提高至80%[69]。如表3所列給出了目前公開(kāi)報(bào)道的基于GaN HEMT器件整流電路的典型性能。

表3 GaN晶體管整流典型性能

1.2.3 電真空器件整流

由于電真空器件陶瓷、金屬結(jié)構(gòu)高耐熱特性,具有極大的天然功率容量,單器件可以實(shí)現(xiàn)百瓦至千瓦級(jí)整流,是大功率無(wú)線能量傳輸系統(tǒng)中整流器件的首選[71]。其中,回旋波整流器具有較高的注波互作用效率,可實(shí)現(xiàn)高效整流,如圖10所示,得到了國(guó)際學(xué)者深入的理論和實(shí)驗(yàn)研究[72-74]。俄羅斯處于領(lǐng)先地位,莫斯科大學(xué)、伊斯托克公司均有大功率回旋整流器件的試驗(yàn)報(bào)道,典型性能如表4所列。

圖10 回旋波整流器

表4 回旋波整流器性能

國(guó)內(nèi)電真空整流器件的研究主要集中在理論研究和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)階段。電子科技大學(xué)開(kāi)展了2.45 GHz、5.8 GHz回旋波整流器仿真設(shè)計(jì)和樣機(jī)研制[72-73]。

2 面臨的挑戰(zhàn)與解決途徑

2.1 效率

發(fā)射和整流是微波無(wú)線傳能系統(tǒng)全鏈路效率提升關(guān)鍵,其占比最高、影響最大。

如圖11所示,從陣面層面,采用梯度功放和整流,實(shí)現(xiàn)更低的旁瓣和更高的口徑效率[75-76]。

圖11 效率提升技術(shù)

如圖12所示,從電路層面,采用減小導(dǎo)通角、諧波匹配和匹配空間擴(kuò)展的方法,實(shí)現(xiàn)高效率功放;采用諧波匹配方法進(jìn)行整流二極管、三極管電路的效率提升[77]。

圖12 高效功放

2.2 柔性

電站儲(chǔ)能受軌位、光照、儲(chǔ)能電池陣狀態(tài)影響而變化;負(fù)載需求受用電波峰、波谷變化影響,需在大動(dòng)態(tài)輸入情況下保持高效率。

發(fā)射方面,如圖13所示,通過(guò)輔助功放對(duì)主功放的有源牽引特性,實(shí)現(xiàn)主功放在小功率輸入的回退狀態(tài)中實(shí)現(xiàn)高效率[78](電壓擺幅保持最大)。

圖13 峰值變化及有源負(fù)載牽引

整流方面,通過(guò)引入阻抗壓縮網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)展高效率空間的輸入動(dòng)態(tài)范圍[79],如圖14所示;采用多支路(增加回收支路)以及合理串并聯(lián)方案,提高直流合成效率,增強(qiáng)帶載能力[50],如圖15所示;采用定制的GaN肖特基二極管提高頻率和功率[80];應(yīng)用功率檢測(cè)和閉環(huán)控制方案,實(shí)現(xiàn)大陣面功率分布變化時(shí)拓?fù)涓咝蔬m配[81]。

圖14 阻抗壓縮網(wǎng)絡(luò)

圖15 多支路整流電路

2.3 集成

高密度陣列集成是解決傳能系統(tǒng)大功率、大口徑需求與單個(gè)功放、整流能力不足的必然途徑。GEO軌道GW級(jí)發(fā)射陣列口徑達(dá)2 000 m,在軌展開(kāi)/組裝及高功率密度有源陣面亟須攻關(guān)。

在模塊級(jí):采用多芯片組成、低溫共燒陶瓷、系統(tǒng)級(jí)封裝等技術(shù),實(shí)現(xiàn)高功率密度比;在組件級(jí):采用有源、無(wú)源融合,機(jī)電熱一體化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)部組件小型化;在陣面級(jí):采用通道、天線、電池一體化集成思路,并采用小型化封裝天線解決與天線共形難題。同時(shí),需攻克數(shù)百米大口徑天線陣在軌展開(kāi)、組裝技術(shù)以及高熱耗、大熱流散熱技術(shù)。

2.4 公用

GEO MW級(jí)電站必然面向多用戶、覆蓋多頻段、實(shí)現(xiàn)多功能。這需要電站設(shè)計(jì)兼顧不同頻率適應(yīng)不同航天器、不同功率面向不同負(fù)載需求。以星船為例,頻率應(yīng)在C-X頻段;而無(wú)人機(jī)則因其尺寸小、能耗低,更多考慮高頻段傳能供電;空間太陽(yáng)能電站到地面大型電站的傳能則以高功率(MW、GW量級(jí))、低頻率(S或C頻段)為主要特征;深空探測(cè)遠(yuǎn)距離能力傳輸需要兼顧功率需求(百瓦量級(jí))和口徑尺寸限制(發(fā)射難度),雖以激光方案為主,但微波無(wú)線傳能仍作為重要方案且備受關(guān)注。

同時(shí),饋電方式也與應(yīng)用場(chǎng)景緊耦合:反射面一般用于集中功率發(fā)射,單通道發(fā)射功率高,多采用速調(diào)管、行波管、高功率GaN固放等微波源;相控陣則采用分布式發(fā)射方式,主用基于GaN的高效率發(fā)射組件,適用于捷變靈活跟蹤傳能。

2.5 魯棒性

大規(guī)?？臻g太陽(yáng)能電站對(duì)于發(fā)射和整流的魯棒性提出了極高要求。

發(fā)射陣面采用功率分級(jí)可有效提升發(fā)射口徑效率,但對(duì)功率的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性提出更高要求;同時(shí),同級(jí)功率放大器的功率、相位、效率一致性對(duì)于發(fā)射陣面功率匯聚能力至關(guān)重要。特別是功率放大器在溫度變化、輸入激勵(lì)變化和功率動(dòng)態(tài)調(diào)配過(guò)程中的一致性和適應(yīng)性,以及陣面互耦引起的有源駐波惡化導(dǎo)致的功率放大器輸出負(fù)載偏離最佳工作點(diǎn)等因素,是發(fā)射陣面面臨的重要工程挑戰(zhàn)。

一般而言,超大規(guī)模接收陣面功率密度分布差別巨大,往往需要采用多種整流電路以適應(yīng)不同輸入射頻功率和輸出直流功率。即使如此,受工程實(shí)現(xiàn)及入射功率動(dòng)態(tài)變化約束,整流電路也很難工作在最佳工作點(diǎn),而其性能又與負(fù)載特性緊密相連,且功率二極管等器件極易因匹配不良而燒毀,這給直流匯流帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)。采用合理串并聯(lián)方案,提高直流合成效率,增強(qiáng)帶載能力,且應(yīng)用功率檢測(cè)和閉環(huán)控制方式,實(shí)現(xiàn)大陣面功率分布變化時(shí)拓?fù)涓咝屎透呖煽窟m配,是整流電路一體化設(shè)計(jì)的重要議題。

2.6 壽命與可靠性

建站難度大、周期長(zhǎng)、投資高且空間環(huán)境復(fù)雜,在軌可維修性低。這些因素決定了空間太陽(yáng)能電站必須高可靠、長(zhǎng)壽命,才能滿足性價(jià)比要求。首先,要充分考慮電壓、電流、功率、熱、結(jié)溫等設(shè)計(jì)參數(shù)的降額;其次,要做好長(zhǎng)壽命、高可靠地面驗(yàn)證工作;最后,要做好空間特殊效應(yīng)的防護(hù)工作,如空間輻射、充放電、中性大氣以及碎片撞擊等防護(hù)措施。

3 發(fā)展規(guī)劃

3.1 產(chǎn)品與技術(shù)規(guī)劃

為了滿足空間能量傳輸系統(tǒng)對(duì)于功率器部件的需求,需從產(chǎn)品和技術(shù)維度開(kāi)展規(guī)劃并匯總,如表5所列。

表5 無(wú)線能力傳輸中的核心功率器部件規(guī)劃

從產(chǎn)品類型和形態(tài)上,以基于固態(tài)功放和固態(tài)整流的分布式發(fā)射及整流為主,頻率選擇上,考慮到實(shí)際器件的效率和功率,以2.4 GHz/5.8 GHz為主。同時(shí),為了發(fā)揮電真空器件在高頻和大功率方面的優(yōu)勢(shì),在高功率發(fā)射方面,考慮以Ka頻段200 W行波管,2.45 GHz的1 kW速調(diào)管為核心器件的集中發(fā)射方案為補(bǔ)充;在整流方面,還需開(kāi)展回旋管整流器件的相關(guān)研究。

3.2 關(guān)鍵產(chǎn)品與技術(shù)梳理與建議

基于以上產(chǎn)品和技術(shù)規(guī)劃,梳理出關(guān)鍵產(chǎn)品及技術(shù)如下。

1)高功率發(fā)射產(chǎn)品及技術(shù):開(kāi)展5.8 GHz高效率(峰值效率75%)、高功率(100 W)、高動(dòng)態(tài)(10 dB)固態(tài)功放技術(shù)及產(chǎn)品攻關(guān);開(kāi)展16通道瓦片式發(fā)射陣列(單通道功率大于20 W)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān);

2)高效率整流產(chǎn)品及技術(shù):開(kāi)展5.8 GHz的15 dB動(dòng)態(tài)、70%峰值效率整流電路技術(shù)攻關(guān);開(kāi)展超大口徑整流陣面匯流控制及算法研究;開(kāi)展電真空器件整流基礎(chǔ)理論研究、關(guān)鍵技術(shù)突破和樣品實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證;

3)共性技術(shù):開(kāi)展從芯片到模塊、組件、平臺(tái)多層級(jí)熱控技術(shù)攻關(guān);同時(shí),與百米天線融合,推進(jìn)在軌展開(kāi)、組裝技術(shù)攻關(guān);除此之外,還需開(kāi)展超大口徑太陽(yáng)能電站在軌可靠性相關(guān)的研究及驗(yàn)證工作。

3.3 產(chǎn)品與技術(shù)路線圖

根據(jù)我國(guó)太空電站發(fā)展建議,結(jié)合以上產(chǎn)品及技術(shù)規(guī)劃,形成如圖16所示的產(chǎn)品及技術(shù)發(fā)展路線圖。

圖16 產(chǎn)品與技術(shù)路線圖

1)固態(tài)器件功率、效率繼續(xù)提升,包括GaN功放效率提升、二極管整流效率提升、晶體管整流功率提升等,突破單路S頻段200 W,C頻段100 W高效發(fā)射組件及20 W晶體管整流部件;

2)形成完備的放大、整流產(chǎn)品型譜,開(kāi)展高密度集成發(fā)射接收陣列研制與驗(yàn)證;

3)開(kāi)展子陣在軌應(yīng)用驗(yàn)證,主要是核心功率部件的在軌應(yīng)用狀態(tài)監(jiān)測(cè),超大口徑在軌展開(kāi)組裝技術(shù)突破與驗(yàn)證。

4 結(jié)論

效率+:持之以恒地提升固態(tài)微波功率源和整流電路效率,解決無(wú)線功率傳輸核心瓶頸效率問(wèn)題。

專業(yè)+:形成固態(tài)為主、真空互輔的微波發(fā)射、整流布局;對(duì)功率器部件柔性、多頻、集成、可靠等關(guān)鍵指標(biāo)開(kāi)展專項(xiàng)攻關(guān),解決拿來(lái)即用、用則好用的問(wèn)題。

傳能+:開(kāi)展頂層規(guī)劃,構(gòu)建公用硬件平臺(tái),實(shí)現(xiàn)通信、對(duì)抗(微波高能武器)、天基雷達(dá)(輻射源)等功能[82],梳理空間多功能電站中功率放大器的線性、脈沖調(diào)制等附加功能與性能要求,并形成攻關(guān)目標(biāo)與路徑。

通過(guò)上述措施,有力支撐我國(guó)MW和GW級(jí)空間太陽(yáng)能電站戰(zhàn)略目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。