張志超 彭鏡輝 黎欽源 向參軍
(廣州廣合科技股份有限公司,廣東 廣州 510730)
隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展,服務(wù)器產(chǎn)品運算速率越來越快。為確保印制電路板(printed circuit board,PCB)產(chǎn)品能滿足越來越高速的運算需求,整條電子產(chǎn)業(yè)鏈均不斷提高自身的產(chǎn)品質(zhì)量水平。樹脂廠商開發(fā)更低介質(zhì)損耗(Df)的樹脂材料和填料,銅箔廠商開發(fā)更低粗糙度的銅箔,油墨廠商開發(fā)更低Df的防焊油墨,PCB 廠商通過使用更高的背鉆技術(shù)減少背鉆后殘樁長度和背鉆偏移度,以及通過改善棕化條件來提升信號完整性。本文通過重點分析對比不同棕化條件對超高速材料插入損耗(以下簡稱“插損”)的影響,以及棕化返工對銅面粗糙度的影響,為探究后續(xù)PCB 棕化加工對信號完整性的影響提供數(shù)據(jù)參考。
為驗證不同棕化條件對插損的影響,試驗選取普通棕化藥水和低粗糙度棕化藥水對PCB 在制板進行棕化處理;2 種藥水均使用3 種不同微蝕量,分別為0.75、1.5、2.25 μm。測試板材料選用超低損耗(1 型)(ultra low loss 1,ULL1)和超低損耗(2 型)(ultra low loss 2,ULL2)2 種,銅箔均為極低輪廓銅箔(ultra low profile copper foil,HVLP)。阻抗線設(shè)計4 組,阻抗值均為85 Ω,高速阻抗網(wǎng)絡(luò)分別由4 組不同線寬/間距、介厚搭配組成,信號線所在層別為L9、L3、L5、L7 層。通過上述條件組合搭配共有48 種不同組合,使用Delta L 3.0 測試方法測試收集48 種條件的插損結(jié)果,分析對比各條件對插損影響。各條件設(shè)計因子見表1。
表1 影響信號完整性的因子
根據(jù)表1所列48組條件,使用Delta L 3.0測試方法選取4.00、8.00、12.89、16.00、20.00 GHz 5 個頻點插損數(shù)據(jù);按材料等級、層別、棕化藥水、微蝕量組合條件所測插損結(jié)果,從大到小排列,見表2。
表2 插損測試結(jié)果匯總
插損測試頻點取4、8、16、20 GHz,在不同超高速材料、層別(疊層結(jié)構(gòu))、棕化條件下對插損測試差異進行對比,如圖1~圖4所示。
圖1 測試頻點取4 GHz時插入損耗主效應(yīng)(1 inch≈2.54 cm)
圖2 測試頻點取8 GHz時插入損耗主效應(yīng)(1 inch≈2.54 cm)
圖3 測試頻點取16 GHz時插入損耗主效應(yīng)(1 inch≈2.54 cm)
圖4 測試頻點取20GHz時插入損耗主效應(yīng)(1 inch≈2.54 cm)
由圖1 可知,普通棕化藥水隨著微蝕量從2.25 μm 到0.75 μm 逐漸變低,插損結(jié)果呈下降趨勢,隨著測試頻點增加,插損下降趨勢越來越明顯;普通棕化藥水不同微蝕量對插損影響有較大差異,微蝕量越小,插損結(jié)果越好。
低粗糙棕化藥水隨著微蝕量從2.25 μm 到 0.75 μm 逐漸變低,插損結(jié)果也呈下降趨勢,但下降趨勢并不明顯;隨著頻點增加,插損下降稍有增大,整體分析低粗糙棕化藥水不同微蝕量對插損并無明顯影響。
不同材料等級和層別(85 Ω阻抗線不同介厚、線寬/間距組合)對插損影響也有較大差異,整體分析兩者,發(fā)現(xiàn)均對插損有較大影響;隨著測試頻點的增加,兩者變化趨勢也有區(qū)別,材料等級變化對插損影響越來越大,層別變化對插損影響越來越小。在后續(xù)的產(chǎn)品應(yīng)用場景中,頻率將會越來越高,因此首先應(yīng)該關(guān)注材料變化對插損的影響,其次才是疊層變化對插損的影響。
選擇服務(wù)器產(chǎn)品使用的0.08/0.23 mm 疊層設(shè)計下的插損數(shù)據(jù),分析普通棕化和低粗糙棕化藥水在不同微蝕量下對插損的影響,結(jié)果見表3 和圖5。由圖5 可知,普通棕化藥水下,隨著微蝕量降低,插損越來越??;低粗糙棕化藥水下,不同微蝕量插損無明顯差異;普通棕化藥水0.75 μm微蝕量和低粗糙棕化藥水各微蝕量下的插損結(jié)果較接近。
圖5 普通棕化和低粗糙棕化損耗對比
表3 不同微蝕量插損對比
針對普通棕化,ULL1等級材料以棕化微蝕量2.25 μm 為基準,微蝕量0.75 μm 插損要好14.6%;ULL2 等級材料以棕化微蝕量2.25 μm 為基準,微蝕量0.75 μm插損要好13.5%。
對比低粗糙棕化和普通棕化藥水插損差異,ULL1 等級材料以普通棕化微蝕量1.5 μm 為基準,低粗糙棕化微蝕量1.5 μm 插損要好10.1%;ULL2等級材料,以普通棕化微蝕量1.5 μm 為基準,低粗糙棕化微蝕量1.5 μm 插損要好13.3%。說明材料等級越高,低粗糙棕化相對普通棕化藥水對插損的提升效果越明顯。
高頻信號在高速線上傳輸時的損耗主要有導體損耗和介質(zhì)損耗。導體損耗的原因之一是受趨膚效應(yīng)影響。趨膚效應(yīng)是指高頻電流流經(jīng)導體時,電流會趨于沿導體表面?zhèn)鬏敚l率越高,導體電流沿導體表面?zhèn)鬏數(shù)内厔菰矫黠@,導體表面粗糙度會增加電磁波反射,進一步增加導體損耗。趨膚深度為
式中:μ為導體磁導率,σ為導體電導率,f為信號頻率。
趨膚深度與信號頻率關(guān)系如圖6所示。
圖6 趨膚深度與信號頻率關(guān)系
普通棕化藥水和低粗糙棕化藥水分別在0.75、1.50、2.25 μm 微蝕量下對銅面的粗化效果如圖7所示。
圖7 不同棕化微蝕量對銅面粗化對比
普通棕化藥水下,隨著微蝕量增加,對銅表面粗化效果越明顯,銅表面越粗糙;低粗糙棕化藥水下,隨著微蝕量增加,對銅表面粗化效果并無明顯差異;普通棕化藥水棕化微蝕量0.75 μm和低粗糙棕化藥水各微蝕量下,對銅面粗化效果較為接近。
綜上所述,各棕化條件下插損差異和銅面粗糙度有較強正相關(guān)。棕化處理后銅面越粗糙,插損結(jié)果越差,符合導通損耗受趨膚效應(yīng)的影響理論,可推斷不同棕化條件對插損影響的本質(zhì)主要是對銅面粗化效果的不同影響。棕化對銅導體表面粗化越嚴重,對插損影響越大,插損表現(xiàn)也將越差。
在上述分析中,可以了解各棕化條件對銅導體表面粗化及插損的影響。不同棕化條件下,插損差異主要受銅面粗化程度的影響。實驗中選用的銅箔為HVLP,在實際生產(chǎn)應(yīng)用中,CCL 常用的銅箔類型還有反轉(zhuǎn)銅箔(reverse treated copper foil,RTF)、RTF(2 型)、高溫壓延性銅箔(high trmperature elongation electrodeposited copper foil,HTE)等。
棕化微蝕量常規(guī)控制在固定的范圍內(nèi),普通棕化微蝕量控制在1.5 μm,低粗糙棕化微蝕量控制在1.1 μm。生產(chǎn)中常見的操作有棕化返工。分析各類銅箔在不同棕化藥水及不同棕化次數(shù)條件下的銅導體表面粗化效果,對分析插入損耗影響具有較大參考意義。
RTF、RTF2、HTE、HVLP 銅箔在不同棕化條件下銅表面粗糙度對比分析見表4和表5。
表4 各類銅箔不同棕化條件下銅導體垂直切面掃描電鏡對比(放大2 000倍)
表5 各類銅箔不同棕化條件下銅導體表面掃描電鏡對比(放大2 000倍)
通過上述不同棕化條件對插損及銅面粗糙度影響差異分析,得到結(jié)論如下。
(1)PCB 在低粗糙棕化藥水0.75、1.5、2.25 μm 微蝕量棕化處理后,所測插損無明顯差異;經(jīng)過棕化處理后的線路銅面較平整,不同微蝕量棕化處理后銅面粗糙度無明顯差異。
(2)PCB 在普通棕化藥水0.75、1.5、2.25 μm微蝕量棕化處理后,所測插損差異較大,隨著微蝕量增加插損變得越來越大;經(jīng)過不同微蝕量棕化處理后,銅面粗糙度差異較大,隨著棕化微蝕量增加,對應(yīng)的銅面粗糙度變得越來越大;隨著測試頻率增加,不同微蝕量棕化處理后對應(yīng)的插損差異也越來越大。
(3)不同棕化條件對插損影響差異主要受銅面粗糙度變化差異影響,棕化處理后銅面越粗糙,插損越差;低粗糙棕化處理后,能獲得粗糙度較好且一致性較好的銅面,插損表現(xiàn)也較好;普通棕化處理后,對銅面粗化效果差異較大,對插損影響也有較大差異。
(4)隨著測試頻率增加,不同材料等級對應(yīng)的插損差異越來越大;不同疊層(85 Ω 阻抗線不同介厚、線寬/間距的組合)對應(yīng)的插損差異越來越??;因產(chǎn)品使用頻率將會越來越高,后續(xù)應(yīng)該更加關(guān)注材料等級變化對插損的影響。
(5)高等級材料低粗糙棕化處理相對普通棕化處理后的插損有所提升,比低等級材料效果明顯,在越來越高等級材料的使用場景中,低粗糙棕化對插損的提升將越來越明顯。
(6)RTF、RTF2 銅箔在做棕化處理前,銅箔表面呈蜂窩狀;在經(jīng)過棕化處理后,銅箔波峰位置被咬蝕使得Rz值變小,可降低銅箔整體粗糙度。
(7)HTE、HVLP 銅箔在做棕化處理前,銅箔表面光滑平整;經(jīng)過棕化處理后會增加銅箔表面粗糙度,普通棕化相對低粗糙棕化對銅面粗化效果更顯著;棕化返工均會進一步增加銅箔表面粗糙度。