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        菊花鏈互連電遷移多物理場模擬仿真?

        2023-08-04 05:45:26李雪茹王俊強(qiáng)張海坤李孟委
        艦船電子工程 2023年4期
        關(guān)鍵詞:凸點(diǎn)方形布線

        李雪茹 侯 文 王俊強(qiáng) 張海坤 李孟委

        (1.中北大學(xué)信息與通信工程學(xué)院 太原 030051)(2.中北大學(xué)前沿交叉科學(xué)研究院 太原 030051)

        1 引言

        近年來,隨著三維集成電路技術(shù)的發(fā)展,電子封裝技術(shù)朝著小型化方向發(fā)展[1~3]。多種鍵合被用于電子封裝領(lǐng)域,包括陽極鍵合、表面活化鍵合、共晶鍵合等[4~5]。其中,Cu/Sn 共晶鍵合受到很多研究者的青睞。Cu/Sn鍵合凸點(diǎn)的電遷移現(xiàn)象成為一個重要的研究問題。電遷移是指在電流的作用下,凸點(diǎn)內(nèi)的原子與電子產(chǎn)生碰撞,從而發(fā)生動量交換,使原子由陰極向陽極運(yùn)動的現(xiàn)象。當(dāng)電流強(qiáng)度大時,在陰極產(chǎn)生空洞,導(dǎo)致凸點(diǎn)陰極短路失效,而陽極因?yàn)樵永鄯e而形成小丘,出現(xiàn)短路現(xiàn)象,對凸點(diǎn)的可靠性造成威脅[6~7]。電遷移與互連凸點(diǎn)中的電流密度、溫度分布是緊密相關(guān)的。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)電流密度超過1×104A/cm2時,極易引起電遷移失效[8]。

        張墅野等[9]建立了經(jīng)典三維Cu 互連線結(jié)構(gòu),通過有限元仿真得到三維互連線的溫度、電流密度和應(yīng)力分布,發(fā)現(xiàn)Cu 互連線的抗電遷移性能總體優(yōu)于Ag互連線。郭福等[10]一種損傷記錄方法來模擬電-熱-力多物理場耦合的工況,綜合考慮了電子風(fēng)力、溫度梯度、應(yīng)力梯度和原子濃度梯度4 種原子擴(kuò)散動力對原子遷移的作用。張瀟睿[11]研究了不同Sn 層高度以及結(jié)構(gòu)對稱性變化對Cu/Sn/Cu結(jié)構(gòu)凸點(diǎn)內(nèi)部電流密度分布的影響,得到了電流密度在不同結(jié)構(gòu)下的分布規(guī)律。張?jiān)榈龋?2]使用有限元法并結(jié)合子模型技術(shù)對倒裝芯片球柵陣列封裝進(jìn)行電-熱-結(jié)構(gòu)多物理場耦合分析,詳細(xì)介紹了封裝模型的簡化處理方法,重點(diǎn)分析了易失效關(guān)鍵焊點(diǎn)的電流密度分布、溫度分布和應(yīng)力分布。趙元虎等[13]對焊點(diǎn)直徑、焊點(diǎn)高度、焊點(diǎn)下金屬層厚度三個關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行電遷移失效的正交試驗(yàn)優(yōu)化,探究了焊點(diǎn)尺寸對電遷移失效的影響。

        在Cu/Sn 鍵合過程中,鍵合溫度會影響鍵合凸點(diǎn)的形狀,易生成球形凸點(diǎn)和方形凸點(diǎn)。而以往研究大部分都關(guān)注球形凸點(diǎn),未考慮凸點(diǎn)形狀變化對其電遷移失效的影響。本文通過對比兩種不同形狀凸點(diǎn)的電-熱分布情況,改變輸入電流強(qiáng)度及凸點(diǎn)尺寸,得出凸點(diǎn)設(shè)計(jì)的最優(yōu)解,為電遷移實(shí)驗(yàn)提供參考。

        2 有限元建模

        在小尺寸凸點(diǎn)鍵合過程中,菊花鏈結(jié)構(gòu)應(yīng)用廣泛。鍵合溫度高于Sn 的熔點(diǎn)時,易形成球形凸點(diǎn);鍵合溫度低于Sn 的熔點(diǎn)時,易形成方形凸點(diǎn)。在凸點(diǎn)設(shè)計(jì)中,對兩種形狀的凸點(diǎn)互連進(jìn)行建模,觀測其電遷移失效現(xiàn)象。圖1(a)為球形凸點(diǎn)菊花鏈互連示意圖,凸點(diǎn)由鋁布線相連,兩端測試墊為鋁。圖1(b)為方形凸點(diǎn)菊花鏈互連示意圖,其連接方式與球形凸點(diǎn)相同。球形凸點(diǎn)直徑d 為10 μm,高h(yuǎn) 為6μm,兩個球形凸點(diǎn)之間的間距a 為20 μm;鋁布線長度l 為32μm,鋁布線寬度與球形凸點(diǎn)直徑一致,鋁布線厚度m 為1μm;測試墊寬度w 為10μm,測試墊短邊長度s 為5μm,測試墊厚度與鋁布線厚度相同。方形凸點(diǎn)邊長b 與球形凸點(diǎn)半徑相同,為10μm,方形凸點(diǎn)高度、間距、鋁布線及測試墊長寬高均與球形凸點(diǎn)中的長度保持一致。球形和方形凸點(diǎn)均由三層組成,為Cu/Cu3Sn/Cu 結(jié)構(gòu)。表1列出了材料的相關(guān)屬性。

        圖1 菊花鏈結(jié)構(gòu)示意圖

        表1 互連結(jié)構(gòu)各部分材料屬性

        劃分網(wǎng)格時,采用物理場控制網(wǎng)格,單元大小較為細(xì)化。對兩種互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行有限元分析,采用直接耦合方式進(jìn)行電-熱耦合分析。施加的邊界條件如下:左側(cè)測試墊施加2 mA電流,右側(cè)測試墊接地;互連結(jié)構(gòu)初始溫度為20℃,外部溫度為150℃,對流熱通量為50 W/(m2·K)。研究類型為穩(wěn)態(tài)。

        3 電-熱耦合分析

        通過COMSOL軟件進(jìn)行電熱直接耦合,觀測施加電流條件下球形及方形互連結(jié)構(gòu)的溫度及電流密度分布情況,以便為互連凸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供依據(jù)。

        3.1 電流密度分布

        球形互連結(jié)構(gòu)的整體電流密度分布如圖2(a)所示??芍?,球形凸點(diǎn)上的平均電流密度約為鋁布線上平均電流密度的一半左右。整體電流密度最大值位于鋁布線進(jìn)入凸點(diǎn)位置,為3.96×104A/cm2。球形凸點(diǎn)上的電流密度分布如圖2(b)所示。在從鋁布線進(jìn)出凸點(diǎn)的位置,由于發(fā)生了結(jié)構(gòu)突變,出現(xiàn)了電流密度突增的現(xiàn)象。凸點(diǎn)上最大電流密度達(dá)到4.28×104A/cm2。此時發(fā)生電遷移失效。

        圖2 球形凸點(diǎn)互連電流密度分布圖

        方形互連結(jié)構(gòu)的整體電流密度分布如圖3(a)所示??芍X布線上的平均電流密度約為方形凸點(diǎn)上平均電流密度的兩倍左右。整體電流密度最大值位于鋁布線進(jìn)入凸點(diǎn)位置,為3.79×104A/cm2,相比球形互連結(jié)構(gòu)偏小。方形凸點(diǎn)上的電流密度分布如圖3(b)所示。凸點(diǎn)上最大電流密度達(dá)到3.79×104A/cm2,相比球形凸點(diǎn)最大電流密度值偏小。電遷移失效程度較球形凸點(diǎn)低。

        圖3 方形凸點(diǎn)互連電流密度分布圖

        3.2 溫度分布

        球形凸點(diǎn)互連整體溫度分布如圖4(a)所示,整體溫度差不大,最高溫度位于中間凸點(diǎn)處,達(dá)到180.37 ℃,兩端鋁測試墊溫度較低。圖4(b)展示了球形凸點(diǎn)的溫度分布圖??芍?,球形凸點(diǎn)內(nèi)部溫差僅達(dá)到3×10-3℃,最高溫度位于右下角電流流出凸點(diǎn)位置,最低溫度位于左上角電流流入凸點(diǎn)位置。

        圖4 球形凸點(diǎn)互連溫度分布圖

        方形凸點(diǎn)互連整體溫度分布如圖5(a)所示,整體溫度差不大,最高溫度位于中間凸點(diǎn)處,達(dá)到150.59 ℃,較球形凸點(diǎn)最高溫度值低。圖5(b)展示了球形凸點(diǎn)的溫度分布圖??芍蛐瓮裹c(diǎn)內(nèi)部溫差僅達(dá)到8×10-5℃,較球形凸點(diǎn)溫度差低。最高溫度與最低溫度位置與球形凸點(diǎn)相同。

        圖5 方形凸點(diǎn)互連溫度分布圖

        4 輸入電流及凸點(diǎn)尺寸的影響

        通過改變在測試墊上施加的電流大小,來觀測球形及方形凸點(diǎn)互連結(jié)構(gòu)的失效問題。輸入電流變化范圍為1mA~3mA。此外,改變了兩種類型凸點(diǎn)的尺寸及間距,來確定凸點(diǎn)設(shè)計(jì)的最優(yōu)解。將球形凸點(diǎn)的直徑設(shè)置為20μm,間距設(shè)置為40μm,對應(yīng)的方形凸點(diǎn)邊長為20μm,間距為40μm。

        圖6(a)展示了10μm 及20μm 尺寸球形、方形凸點(diǎn)互連的最大電流密度隨輸入電流的變化情況。由圖可知,隨著輸入電流增大,最大電流密度值隨之增大。20μm 凸點(diǎn)互連電流密度值低于10 μm凸點(diǎn)互連,20μm凸點(diǎn)互連電流密度增長率低于10μm 凸點(diǎn)互連。方形凸點(diǎn)電流密度低于球形凸點(diǎn)。20μm 方形凸點(diǎn)電流密度值最小,在輸入電流為1 mA 時,未發(fā)生電遷移失效。圖6(b)展示了10 μm 及20μm 尺寸球形、方形凸點(diǎn)互連的最高溫度隨輸入電流的變化情況。由圖可知,隨著輸入電流增大,最高溫度值隨之增大。20μm 凸點(diǎn)互連溫度值低于10μm 凸點(diǎn)互連,20μm 凸點(diǎn)互連溫度增長率低于10μm 凸點(diǎn)互連。方形凸點(diǎn)電流密度低于球形凸點(diǎn)。20μm方形凸點(diǎn)電流密度值最小。考慮電-熱耦合情況,大尺寸方形凸點(diǎn)電遷移可靠性更高。

        圖6 不同尺寸及形狀互連電-熱與電流關(guān)系圖

        5 結(jié)語

        本文研究結(jié)果顯示,球形凸點(diǎn)互連及方形凸點(diǎn)互連均會在鋁線進(jìn)出凸點(diǎn)處出現(xiàn)電流聚集現(xiàn)象,導(dǎo)致此處電流密度高于平均值。方形凸點(diǎn)電流密度值及溫度變化程度均高于球形凸點(diǎn)。此外,隨著輸入電流的增加,不同尺寸凸點(diǎn)的電流密度及溫度值都隨之增大。相比來說,大尺寸方形凸點(diǎn)的電遷移穩(wěn)定性高。

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