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2023年11期
刊物介紹
本刊是目前國(guó)內(nèi)唯一以電子封裝為主的技術(shù)刊物。
電子與封裝
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ICTC 2023(集成電路測(cè)試大會(huì))專題
芯粒測(cè)試技術(shù)綜述*
基于ATE 的千兆以太網(wǎng)收發(fā)器芯片測(cè)試方法
基于內(nèi)建自測(cè)試電路的NAND Flash 測(cè)試方法
GaN HEMT 熱阻測(cè)試技術(shù)研究
封裝、組裝與測(cè)試
電偶腐蝕對(duì)先進(jìn)封裝銅蝕刻工藝的影響
基于陶瓷基板微系統(tǒng)T/R 組件的焊接技術(shù)研究
不同I/O 端數(shù)金凸點(diǎn)倒裝焊的預(yù)倒裝工藝研究
基于16 nm FinFET 工藝FPGA 的低功耗PCIe Gen3 性能研究
LTCC 封裝散熱通孔的仿真與優(yōu)化設(shè)計(jì)
電路與系統(tǒng)
適用于數(shù)字T/R 組件的小型化三維SiP 收發(fā)變頻模塊設(shè)計(jì)
適用于EEPROM 的寬工作條件LDO 設(shè)計(jì)
一種基于ACOT 的Buck 型開關(guān)電源設(shè)計(jì)
基于新型部分積生成器和提前壓縮器的乘法器設(shè)計(jì)
材料、器件與工藝
深紫外光刻工藝的環(huán)境控制
30 V SGT N-Channel MOSFET 總劑量效應(yīng)研究
封裝前沿報(bào)道
高電壓芯片級(jí)串聯(lián)SiC MOSFET 模塊的封裝設(shè)計(jì)
關(guān)于參考網(wǎng)
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