高曉義，陳益鋼

（1.上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，上海200444；2.上海飛凱材料科技股份有限公司，上海201908）

1 引言

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)被廣泛應(yīng)用于高性能消費(fèi)電子產(chǎn)品。其中，晶圓級(jí)芯片尺寸封裝能夠通過(guò)制作扇入或扇出型銅再布線層（RDL）在晶圓表面排布更多的I/O 端子，實(shí)現(xiàn)高密度、高集成度的互聯(lián)。凸點(diǎn)技術(shù)是在IC 表面制作I/O 端子的關(guān)鍵[1]。

在凸點(diǎn)技術(shù)工藝中，銅蝕刻液會(huì)同時(shí)接觸到凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的銅、鎳、錫、銀等多種金屬鍍層[2]。一般情況下，凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)中電鍍銅的橫向蝕刻速率要比濺鍍（PVD）銅的縱向蝕刻速率快。針對(duì)金屬蝕刻的各向異性問(wèn)題，業(yè)界已經(jīng)開(kāi)展了一定的研究。邢攸美等人[3]對(duì)蝕刻液的化學(xué)組分進(jìn)行了一系列的分析排查，并收集了改善各向異性蝕刻（指被蝕刻材料在橫向與縱向的蝕刻速率之間存在巨大差異的蝕刻）的添加劑種類。劉瑞豐等人[4]嘗試通過(guò)改變工藝條件來(lái)優(yōu)化各向異性蝕刻的效果，并嘗試通過(guò)整合銅、鈦分步蝕刻工藝達(dá)到降低銅的橫向蝕刻量的目的。陳波等人[5]通過(guò)研究蝕刻工藝與蝕刻設(shè)備條件，優(yōu)化了蝕刻工藝過(guò)程中銅蝕刻的均勻性，從而減少了蝕刻時(shí)間，進(jìn)而降低銅的橫向蝕刻量。因此，針對(duì)電鍍銅蝕刻的研究工作主要是通過(guò)改善生產(chǎn)工藝與蝕刻液的蝕刻效果，以降低銅的橫向蝕刻量。

在銅蝕刻過(guò)程中，因?yàn)榇嬖诓煌饘俳Y(jié)構(gòu)的堆疊，且蝕刻過(guò)程均裸露在蝕刻液中，所以凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)與蝕刻液將形成微型的原電池。這種微型的原電池將造成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)中電鍍銅鍍層的加速蝕刻。電鍍銅鍍層的加速蝕刻將造成凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)中電鍍銅鍍層尺寸的急劇收縮，進(jìn)而降低凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)在封裝焊接中的可靠性。在銅蝕刻過(guò)程中，由于微型原電池的產(chǎn)生而造成的銅鍍層加速蝕刻的腐蝕現(xiàn)象一般稱為電偶腐蝕。該類研究很少聚焦多層異種金屬堆疊情況下發(fā)生的電偶腐蝕。

KEAR 等人[6]通過(guò)表征銅在電化學(xué)腐蝕過(guò)程中的陰陽(yáng)極狀態(tài)，分析推導(dǎo)了在氯離子環(huán)境下的腐蝕電位特性，為研究多層金屬中的電偶腐蝕提供了一定的借鑒和參考。在電偶腐蝕研究中，大多傾向于研究宏觀結(jié)構(gòu)的金屬部件的接觸腐蝕現(xiàn)象[7-9]。在半導(dǎo)體器件微觀結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程中也具備了產(chǎn)生電偶腐蝕的條件，但因?yàn)槲⒂^結(jié)構(gòu)的尺寸過(guò)小，難以在凸點(diǎn)蝕刻研究中表征電偶腐蝕的影響。

本文旨在探討在先進(jìn)封裝的銅蝕刻工藝中凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的電鍍銅鍍層的電偶腐蝕過(guò)程，并分析其產(chǎn)生的原因，嘗試通過(guò)遴選合適的蝕刻液添加劑，抑制電鍍銅鍍層的電偶腐蝕，以達(dá)到提升封裝時(shí)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)可靠性的目的。

2 實(shí)驗(yàn)材料與方法

2.1 實(shí)驗(yàn)材料

封裝工藝結(jié)構(gòu)假片包含：PVD 鈦（厚度為1 000 ?）、PVD 銅（厚度為3 000 ?），以及圖形化的銅線與凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)。圖1 為封裝工藝結(jié)構(gòu)假片示意圖。

圖1 封裝工藝結(jié)構(gòu)假片示意圖

凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的制作工藝流程：1）使用磁控濺射的方法在晶圓表面依次沉積金屬鈦、銅，為后續(xù)電鍍線路與結(jié)構(gòu)凸點(diǎn)提供導(dǎo)電的種子層；2）使用光刻膠對(duì)需要電鍍沉積金屬的位置進(jìn)行圖像化開(kāi)口；3）依次進(jìn)行銅、鎳、錫/銀合金等金屬層的電鍍（在進(jìn)行錫/銀合金的電鍍時(shí)，銀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)一般控制在2%左右）；4）去除光刻膠，得到實(shí)驗(yàn)所需的晶圓。裁剪后，實(shí)驗(yàn)晶圓的尺寸為2 cm×2 cm。

蝕刻液的基本成分如下：質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8.5%的H3PO4，質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4.5%的H2O2，其余成分為水。在此基礎(chǔ)上，添加一定量的鹽酸、苯并三氮唑、復(fù)合型添加劑來(lái)降低電偶腐蝕效應(yīng)。

2.2 主要儀器與設(shè)備

實(shí)驗(yàn)使用的主要儀器與設(shè)備如表1 所示。

表1 主要儀器與設(shè)備

2.3 實(shí)驗(yàn)方法

在燒杯中配置實(shí)驗(yàn)所需的蝕刻液100 g，加入襯四氟磁力攪拌子后，將燒杯放入水浴鍋進(jìn)行控溫；將磁力攪拌子的轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)為50～60 r/min，將水浴鍋的溫度控制在（23±0.5）℃進(jìn)行樣片的浸泡實(shí)驗(yàn)，使用塑料鑷子來(lái)固定裁剪好的晶圓（2 cm×2 cm）。該晶圓的蝕刻實(shí)驗(yàn)使用秒表作為計(jì)時(shí)工具。圖2 為浸泡實(shí)驗(yàn)的裝置示意圖。

圖2 浸泡實(shí)驗(yàn)的裝置示意圖

使用結(jié)構(gòu)晶圓進(jìn)行蝕刻實(shí)驗(yàn)，設(shè)蝕刻結(jié)構(gòu)假片時(shí)通過(guò)秒表記錄的蝕刻時(shí)長(zhǎng)為t0。結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)中的工藝窗口需求，在蝕刻2 倍的t0時(shí)長(zhǎng)后取出樣品。

使用掃描電子顯微鏡（SEM）拍照并測(cè)量樣品中的RDL、凸點(diǎn)上電鍍銅鍍層的尺寸，分別用DR、D 表示蝕刻后的RDL 中電鍍銅鍍層（RDL 銅）在水平方向的單側(cè)損失量和凸點(diǎn)上電鍍銅鍍層（凸點(diǎn)銅）在水平方向的單側(cè)損失量。PVD 銅鍍層（PVD 銅）的厚度D0=3 000 ?。

PVD 銅的平均蝕刻速率v0為

RDL 銅與凸點(diǎn)銅的蝕刻速率分別為vR、vP，vR與vP的計(jì)算式為

2.4 測(cè)量方法

用秒表測(cè)量蝕刻過(guò)程的時(shí)間，使用SEM 測(cè)量蝕刻前后不同結(jié)構(gòu)上金屬的尺寸變化和蝕刻后凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的表面形貌，使用能譜儀（EDS）測(cè)量凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)表面的金屬元素組成。

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

3.1 銅蝕刻中的電偶腐蝕實(shí)驗(yàn)

電偶腐蝕產(chǎn)生有三個(gè)必要條件：1）材料具有不同的腐蝕電位，電偶腐蝕的驅(qū)動(dòng)力是被腐蝕金屬與跟其產(chǎn)生電連接的高電位金屬或非金屬之間產(chǎn)生的電位差；2）存在離子導(dǎo)電支路，電解質(zhì)必須連續(xù)地存在于接觸金屬之間，構(gòu)成電偶腐蝕電池的離子導(dǎo)電支路；3）存在電子導(dǎo)電支路，即被腐蝕金屬與電位高的金屬或非金屬之間要么直接接觸，要么通過(guò)其他電子導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)電連接，構(gòu)成腐蝕電池的電子導(dǎo)電支路[10]。因此，凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)具備產(chǎn)生電偶腐蝕的基本條件。

使用銅蝕刻液進(jìn)行銅蝕刻實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)以及通過(guò)式（1）（2）（3）計(jì)算所得的數(shù)據(jù)如表2 所示。蝕刻前后凸點(diǎn)銅、RDL 銅與PVD 銅的SEM 形貌如圖3 所示。從表2 可以看出，凸點(diǎn)銅與RDL 銅的蝕刻速率vP與vR均高于PVD 銅的蝕刻速率v0。

表2 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與計(jì)算數(shù)據(jù)

圖3 蝕刻前后凸點(diǎn)銅、RDL 銅與PVD 銅的SEM 形貌

從圖3（b）（d）可以看出，對(duì)比蝕刻后凸點(diǎn)銅與RDL 銅的表面形貌，RDL 銅有明顯的晶格感。從圖3（f）可以看出，蝕刻后的PVD 銅表面呈現(xiàn)類圓形微顆粒。由此可知，蝕刻后的凸點(diǎn)銅與RDL 銅產(chǎn)生了更明顯的粗糙狀態(tài)，這將有利于在銅蝕刻過(guò)程中增大銅與蝕刻液的接觸面積，進(jìn)而加快蝕刻速率。

基于表2 數(shù)據(jù)，同為電鍍銅的情況下，凸點(diǎn)銅的蝕刻速率明顯高于RDL 銅的蝕刻速率。對(duì)比凸點(diǎn)銅與RDL 銅的結(jié)構(gòu)可知，凸點(diǎn)銅的上層接觸多種金屬結(jié)構(gòu)。通過(guò)觀察蝕刻后的凸點(diǎn)銅形貌可以發(fā)現(xiàn)，越靠近上層金屬鎳時(shí)，凸點(diǎn)銅的尺寸收縮越大，即蝕刻速率越快，凸點(diǎn)銅的損失量為3.68 μm。

根據(jù)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程可知，裸露在蝕刻液中的金屬元素分別為銀、錫、鎳和銅，通過(guò)電鍍的方式將錫、銀沉積在晶圓上，形成的是錫、銀混合金屬層，而非共晶的合金。在未經(jīng)過(guò)熱回流時(shí)，錫、銀僅以物理堆疊的方式沉積在一起。在這種多層金屬結(jié)構(gòu)的蝕刻作業(yè)中，非常容易產(chǎn)生電偶腐蝕，即鎳、錫、銀中的一種或幾種元素與凸點(diǎn)銅形成電偶腐蝕。

金屬按照電勢(shì)自低到高排序?yàn)殒?、錫、銅、銀。在電偶腐蝕過(guò)程中，高電勢(shì)金屬為陰極，且僅作為電極導(dǎo)通電子的傳遞，并不參與得失電子的反應(yīng)[10]。

使用SEM 對(duì)蝕刻后的晶圓進(jìn)行定位，用EDS 進(jìn)行元素掃描，圖4（a）為凸點(diǎn)上錫/銀元素的EDS 譜圖，圖4（b）為凸點(diǎn)上鎳元素的EDS 譜圖。使用EDS 掃描到錫/銀元素的位置（位置1）和鎳元素的位置（位置2）如圖4（c）所示。

圖4 凸點(diǎn)上錫/銀與鎳元素的EDS 譜圖

根據(jù)Apreo 2S 的技術(shù)參數(shù)，當(dāng)電壓為10 kV 時(shí)，SEM 在金屬表面的理論掃描深度為100～500 nm。從圖4（a）可以看出，錫元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為98.6%，氧元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為1.4%，未發(fā)現(xiàn)銀元素。從圖4（b）可以看出，鎳元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為99.7%，氧元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為0.3%。

根據(jù)以上分析數(shù)據(jù)基本可以判斷，在錫/銀混合金屬層中未發(fā)現(xiàn)銀元素，這說(shuō)明銀元素的分布與含量不足以響應(yīng)EDS 的掃描分析。由于EDS 的分析結(jié)果只能定性判斷金屬表層的元素組成，并不能作為準(zhǔn)確定量分析的依據(jù)。基于此分析數(shù)據(jù)，并以氧化錫、氧化鎳的元素組成作為表層氧化物質(zhì)進(jìn)行估算，錫、鎳元素在凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)表面的氧化深度應(yīng)為1～30 nm。結(jié)合蝕刻后的凸點(diǎn)形貌可以觀察到，凸點(diǎn)上存在錫元素與鎳元素的位置未有明顯的蝕刻反應(yīng)。綜合分析以上數(shù)據(jù)及蝕刻現(xiàn)象，凸點(diǎn)上的錫、鎳元素在蝕刻過(guò)程中，符合張寶宏等人研究的金屬鈍化理論[10]，即凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的錫、鎳元素因在磷酸、雙氧水的蝕刻環(huán)境中產(chǎn)生了鈍化膜而未被腐蝕，所以在凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的電偶腐蝕中未能參與陽(yáng)極反應(yīng)。

據(jù)此可以判斷，凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)中錫、鎳元素因鈍化作用，很難參與電偶腐蝕的陽(yáng)極反應(yīng)，主要是電鍍銅作為電偶腐蝕的陽(yáng)極參與電偶腐蝕反應(yīng)。所以此結(jié)構(gòu)中，銀與銅分別作為陰極與陽(yáng)極形成電偶腐蝕。凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的電偶腐蝕機(jī)理如圖5 所示。

圖5 凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的電偶腐蝕機(jī)理

3.2 蝕刻液中的添加劑對(duì)電偶腐蝕的影響

凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的電偶腐蝕是凸點(diǎn)銅產(chǎn)生加速蝕刻的主要原因。抑制凸點(diǎn)中電鍍銅的收縮，需要抑制電偶腐蝕的產(chǎn)生或改變電偶腐蝕的電流方向。

緩蝕劑對(duì)銅腐蝕的影響研究結(jié)果表明，苯并三氮唑（BTA）類含有N、S、P 等極性基團(tuán)或不飽和鍵的有機(jī)化合物可以與銅發(fā)生配位，從而形成[Cu(I)BTA]類的絡(luò)合膜層，該膜層可阻斷銅的腐蝕反應(yīng)[11-13]。據(jù)此，可以通過(guò)添加對(duì)銅有絡(luò)合作用的物質(zhì)，如BTA 類物質(zhì)，以減緩或阻礙電偶腐蝕過(guò)程中外部離子電路的導(dǎo)通，從而達(dá)到抑制電偶腐蝕的目的。

針對(duì)電偶腐蝕防護(hù)的方法，張文毓提出了陽(yáng)極犧牲層的保護(hù)概念[14]。一些研究提出了改變陰陽(yáng)極面積比例的概念[15-16]。改變電偶腐蝕的陽(yáng)極種類或者減小陰陽(yáng)極的面積比，可以分?jǐn)傠娕几g過(guò)程中銅的損傷或者降低陰陽(yáng)極之間的電勢(shì)差。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以添加鹽酸等對(duì)錫、鎳氧化膜有破壞作用的物質(zhì)，以達(dá)到破壞陰極或者轉(zhuǎn)移陽(yáng)極的目的[17-18]。

此外，根據(jù)材料廠商提供的性能參數(shù)，復(fù)合型添加劑兼具以上兩種功能：一方面通過(guò)絡(luò)合吸附作用阻斷銅在電偶腐蝕中的離子傳導(dǎo)；另一方面減緩錫、鎳元素表面形成鈍化膜的速度，防止錫、鎳元素表面形成陰極，以達(dá)到抑制電偶腐蝕的目的。

選用苯并三氮唑、鹽酸以及飛凱材料提供的復(fù)合型添加劑進(jìn)行蝕刻液配制，并進(jìn)行蝕刻實(shí)驗(yàn)。在遴選添加劑比例的實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，苯并三氮唑的添加量過(guò)高會(huì)導(dǎo)致蝕刻速率過(guò)低，無(wú)法完成對(duì)比實(shí)驗(yàn)；添加量過(guò)低則起不到保護(hù)作用。鹽酸的添加量過(guò)高則會(huì)嚴(yán)重腐蝕錫、鎳層，破壞凸點(diǎn)的基本結(jié)構(gòu)；添加量過(guò)低則達(dá)不到轉(zhuǎn)移陽(yáng)極的目的。復(fù)合型添加劑的添加比例為材料商推薦的比例。據(jù)此，遴選合適的添加比例后，對(duì)蝕刻效果進(jìn)行評(píng)估。此實(shí)驗(yàn)所用的配方如表3 所示。

表3 添加不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)添加劑的蝕刻液配方

根據(jù)第2 節(jié)提出的實(shí)驗(yàn)方法與計(jì)算方法進(jìn)行數(shù)據(jù)收集，在進(jìn)行蝕刻實(shí)驗(yàn)后，使用SEM 對(duì)蝕刻后的凸點(diǎn)進(jìn)行拍照，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)以及通過(guò)式（1）（2）（3）計(jì)算所得的數(shù)據(jù)如表4 所示。使用不同配方的蝕刻液進(jìn)行蝕刻后凸點(diǎn)的SEM 形貌如圖6 所示。

表4 使用不同配方蝕刻液的實(shí)驗(yàn)與計(jì)算數(shù)據(jù)

圖6 使用不同配方的蝕刻液進(jìn)行蝕刻后凸點(diǎn)的SEM 形貌

從圖6 可見(jiàn)，相較于采用無(wú)添加劑的1#蝕刻液蝕刻后的凸點(diǎn)形貌，分別添加了三種添加劑的蝕刻液對(duì)凸點(diǎn)的電偶腐蝕均有抑制作用。復(fù)合型添加劑對(duì)電鍍銅的保護(hù)效果非常明顯。

根據(jù)2#蝕刻液的vP、vR、v0可以看出，BTA 對(duì)抑制RDL 銅蝕刻與凸點(diǎn)銅蝕刻均有一定作用。使用2#蝕刻液蝕刻后的凸點(diǎn)形貌如圖6（b）所示，通過(guò)添加銅絡(luò)合劑有利于保護(hù)電鍍銅，對(duì)抑制電鍍銅的電偶腐蝕有正向作用。

對(duì)比2#、3#蝕刻液的D 發(fā)現(xiàn)，對(duì)錫、鎳鈍化膜有破壞作用的鹽酸，其抑制電偶腐蝕的作用比BTA 更明顯。使用3#蝕刻液蝕刻后的凸點(diǎn)形貌如圖6（c）所示，3#蝕刻液抑制電鍍銅電偶腐蝕的效果比2#蝕刻液更明顯，但3#蝕刻液對(duì)錫、鎳表層有明顯腐蝕作用。

從4#蝕刻液的vP、vR、v0可以看出，添加了復(fù)合型添加劑的蝕刻液在進(jìn)行RDL 銅蝕刻時(shí)，其vR低于v0，這說(shuō)明復(fù)合型添加劑對(duì)vR的抑制作用大于對(duì)v0的抑制作用。使用4#蝕刻液時(shí)vP大于vR，說(shuō)明復(fù)合型添加劑不能完全阻斷凸點(diǎn)銅的電偶腐蝕反應(yīng)。使用4#蝕刻液蝕刻后的凸點(diǎn)形貌如圖6（d）所示，可以看出，復(fù)合型添加劑對(duì)電偶腐蝕的抑制效果最明顯。據(jù)此，為驗(yàn)證復(fù)合型添加劑對(duì)電鍍銅的吸附效果以及對(duì)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)表面的影響，對(duì)蝕刻后的晶圓進(jìn)行SEM 定位后使用EDS 進(jìn)行元素掃描。圖7（a）為回流前凸點(diǎn)銅的EDS 譜圖，回流前EDS 掃描到凸點(diǎn)銅的位置（紅框位置）如圖7（b）所示。

圖7 使用4#蝕刻液蝕刻的凸點(diǎn)銅在回流前后的EDS 分析圖

從圖7（a）可知，凸點(diǎn)銅表面有碳、氮、氧、銅四種元素，碳元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.3%，氮元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%，氧元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.3%，銅元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98.3%，這說(shuō)明4#蝕刻液中的添加劑在凸點(diǎn)銅表面可以吸附微量有機(jī)物。

為保證有機(jī)物不影響凸點(diǎn)與基板的后續(xù)焊接工藝，需保證凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)在金屬回流后，金屬表面吸附的添加劑可揮發(fā)或者升華。對(duì)使用4#蝕刻液蝕刻后的晶圓進(jìn)行高溫回流處理，高溫回流溫度曲線如圖7（c）所示，對(duì)回流后的凸點(diǎn)銅表面進(jìn)行EDS 掃描，EDS 掃描到凸點(diǎn)銅的位置（紅框位置）如圖7（d）所示。根據(jù)圖7（c）的分析結(jié)果可以看出，在凸點(diǎn)銅表面不存在有機(jī)物殘留峰，即按照凸點(diǎn)工藝的常規(guī)條件處理后，可阻斷添加劑的有機(jī)物對(duì)凸點(diǎn)的污染。

4 結(jié)論

本文合理解釋了凸點(diǎn)銅在磷酸、雙氧水蝕刻液中存在的電偶腐蝕現(xiàn)象。凸點(diǎn)銅在此條件下的橫向蝕刻量可達(dá)3.68 μm。相同條件下對(duì)比RDL 銅的蝕刻量，因電偶腐蝕造成的橫向蝕刻量應(yīng)為2.94 μm。據(jù)此計(jì)算，電偶腐蝕造成的凸點(diǎn)銅蝕刻厚度約為PVD 銅蝕刻厚度（0.3 μm）的4.9 倍。

通過(guò)分析EDS 數(shù)據(jù)、蝕刻后形貌可知，在磷酸、雙氧水的蝕刻環(huán)境中，凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的錫、鎳兩種金屬在蝕刻液中形成了具有保護(hù)作用的鈍化膜，致使錫、鎳元素在凸點(diǎn)的電偶腐蝕過(guò)程中得到保護(hù)。

使用具有絡(luò)合功能的苯并三氮唑作為添加劑，在添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%的苯并三氮唑時(shí)，其對(duì)改善電偶腐蝕有明顯效果，相較于不含添加劑的蝕刻液，可降低凸點(diǎn)銅的橫向蝕刻量約13%；使用對(duì)錫、鎳鈍化膜有破壞作用的鹽酸作為添加劑，在添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.2%的鹽酸時(shí)，經(jīng)蝕刻后鎳、錫表層有明顯腐蝕跡象，降低凸點(diǎn)銅的橫向蝕刻量約38%；添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%的復(fù)合型添加劑，蝕刻后凸點(diǎn)的錫、鎳表層結(jié)構(gòu)完好，降低凸點(diǎn)銅的橫向蝕刻量約82%，該蝕刻液表現(xiàn)最為優(yōu)良。

對(duì)使用復(fù)合型添加劑蝕刻液蝕刻后的凸點(diǎn)進(jìn)行回流工藝的可靠性驗(yàn)證。使用EDS 對(duì)凸點(diǎn)表面進(jìn)行元素分析，并未發(fā)現(xiàn)其他元素的殘留。

近期成為熱點(diǎn)的芯粒（Chiplet）技術(shù)，是將多個(gè)具有特定功能的芯粒，通過(guò)先進(jìn)封裝的形式組合在一起，最終形成一個(gè)系統(tǒng)芯片的過(guò)程。Chiplet 技術(shù)對(duì)先進(jìn)封裝的工藝技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。多芯片組合互聯(lián)過(guò)程所需的RDL 銅線，在尺寸上會(huì)更?。ň€寬線距為1～2 μm），工藝過(guò)程所允許的RDL 銅尺寸也將更?。?.2 μm 左右）。新技術(shù)的應(yīng)用對(duì)蝕刻液提出了更高的要求。后續(xù)將針對(duì)復(fù)合型添加劑在銅表面吸附保護(hù)以及減緩錫、鎳元素形成鈍化膜的作用機(jī)理展開(kāi)深入研究，可以為Chiplet 技術(shù)的應(yīng)用提供有效的蝕刻技術(shù)方案。