1.B 提示：AlCl3 中心原子價(jià)層電子對數(shù)為3+1/2（3-1×3）=3+0=3，其價(jià)層電子對互斥模型為平面三角形，故A 項(xiàng)錯(cuò)誤。H2O 分子是“V”形結(jié)構(gòu)，故C項(xiàng)錯(cuò)誤。Ni原子的原子序數(shù)為28，其基態(tài)原子的價(jià)電子排布為3d84s2，故D項(xiàng)錯(cuò)誤。

命題意圖：本題考查常見化學(xué)用語的規(guī)范書寫與判斷，要求考生熟練掌握原子結(jié)構(gòu)的表示的各種方法，能夠應(yīng)用價(jià)層電子對互斥理論判斷物質(zhì)的空間構(gòu)型，考查考生對化學(xué)學(xué)科基本概念和基礎(chǔ)理論的理解與認(rèn)識。

2.C 提示：A 項(xiàng)中光譜應(yīng)為發(fā)射光譜。電子云通常是用小黑點(diǎn)來表示電子出現(xiàn)的機(jī)會多少，但小黑點(diǎn)不表示電子，B 項(xiàng)不正確。d區(qū)元素的基態(tài)原子都含有d軌道電子，故C項(xiàng)正確。22Ti的電子排布式1s22s22p63s23p10違反了能量構(gòu)造原理，故D項(xiàng)不正確。

命題意圖：本題考查考生對電子云與原子軌道的概念的理解，以及對電子排布式的書寫的基本原理的辨析，檢驗(yàn)考生靈活應(yīng)用基礎(chǔ)知識的能力。

3.C 提示：SO3 中S上的孤電子對數(shù)為1/2×（6-3×2）=0，σ鍵電子對數(shù)為3，價(jià)層電子對數(shù)為3，SO3 的空間構(gòu)型為平面正三角形，分子中正負(fù)電中心重合，SO3 屬于非極性分子;NF3 中N 上的孤電子對數(shù)為1/2×（5-3×1）=1，σ鍵電子對數(shù)為3，價(jià)層電子對數(shù)為4，NF3 的空間構(gòu)型為三角錐形，分子中正負(fù)電中心不重合，NF3 屬于極性分子，A 項(xiàng)錯(cuò)誤。SO23- 的孤電子對數(shù)為1，CO23- 的孤電子對數(shù)為0，所以SO23- 的空間構(gòu)型為三角錐形，CO23- 的空間構(gòu)型為平面三角形，B項(xiàng)錯(cuò)誤。非金屬性N>P>As，因此氫化物的還原性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)锳sH3、PH3、NH3。NH3、PH3、AsH3 分子中，N、P、As均形成3個(gè)共用電子對和1 個(gè)孤電子對，原子半徑As>P>N，鍵長As—H>P—H>N—H，因此σ鍵電子對之間的排斥力由強(qiáng)到弱的順序?yàn)镹>P>As，即鍵角由大到小的順序?yàn)镹H3、PH3、AsH3，C 項(xiàng)正確。ClO- 3 的中心原子Cl 有3 個(gè)σ 鍵，孤電子對數(shù)為（7+1-3×2）/2 =1，價(jià)電子對數(shù)為4，故D 項(xiàng)錯(cuò)誤。

命題意圖：本題是對價(jià)層電子對互斥理論的具體應(yīng)用，對分子的極性、微粒的空間結(jié)構(gòu)、鍵角的大小比較以及中心原子價(jià)電子數(shù)的計(jì)算方法進(jìn)行考查，檢驗(yàn)考生利用所學(xué)知識，解決問題的能力。

4.A 提示：1個(gè)C2H4O 中含有6 個(gè)σ鍵和1 個(gè)π 鍵（乙醛）或7 個(gè)σ鍵（環(huán)氧乙烷），4.4 g C2H4O 的物質(zhì)的量為0.1 mol，則含有σ鍵數(shù)目最多為0.7NA，A 項(xiàng)正確。一個(gè)CO2 分子含有2個(gè)π鍵，題中沒有說是標(biāo)準(zhǔn)狀況條件下，氣體摩爾體積未知，無法計(jì)算π鍵個(gè)數(shù)，B項(xiàng)錯(cuò)誤。根據(jù)N60 分子結(jié)構(gòu)圖可知，一個(gè)氮原子平均1.5條鍵，28 g N60 即含有2 mol氮原子，含有的N—N 數(shù)目為3NA，C項(xiàng)錯(cuò)誤。金剛石中每個(gè)碳原子與4個(gè)其他碳原子相連，兩個(gè)碳原子共用一條鍵，1 mol金剛石實(shí)際擁有2 mol碳碳鍵，則12 g金剛石中含有的共價(jià)鍵數(shù)目為2NA，故D 項(xiàng)錯(cuò)誤。

命題意圖：本題設(shè)計(jì)了高考常見題型中以物質(zhì)結(jié)構(gòu)為中心的關(guān)于NA 的考點(diǎn)，主要體現(xiàn)在不同條件下對σ鍵、π鍵的計(jì)算方法，考查考生對共價(jià)鍵類型的判斷以及對均攤法的應(yīng)用能力。

5.A 提示：X、Y、Z、W 四種短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。X、Y 與Z位于同一周期，且只有X、 Y 元素相鄰。X基態(tài)原子核外有2個(gè)未成對電子，則X為C，Y 為N，Z為F，W 原子在同周期中原子半徑最大，則W 為Na。

根據(jù)同周期從左到右第一電離能呈增大趨勢，但第ⅡA 族大于第ⅢA 族，第ⅤA 族大于第ⅥA 族，則第一電離能Z>Y>X，故A項(xiàng)錯(cuò)誤。根據(jù)同周期從左到右電負(fù)性逐漸增大，同主族從上到下電負(fù)性逐漸減小，則電負(fù)性Z>Y>X>W，故B項(xiàng)正確。根據(jù)同電子層結(jié)構(gòu)“核多徑小”，則Z、W 原子形成稀有氣體電子構(gòu)型的簡單離子的半徑W

命題意圖：本題是對元素周期表與元素性質(zhì)的考查，具體體現(xiàn)在對元素的第一電離能、電負(fù)性以及離子半徑大小的比較，建立基于“位”“構(gòu)”“性”關(guān)系的系統(tǒng)思維框架，可提高分析和解決問題的能力。

6.C 提示：配合物[TiCl（H2O）5]Cl2·H2O中配位體是Cl- 和H2O，配位數(shù)是6，故A 項(xiàng)錯(cuò)誤。該配合物的中心離子是Ti3+ ，故B項(xiàng)錯(cuò)誤。配合物內(nèi)界和外界中Cl- 的數(shù)目比是1∶2，故C項(xiàng)正確。加入足量AgNO3 溶液，外界離子Cl- 與Ag+ 反應(yīng)，內(nèi)界離子Cl- 不與Ag+ 反應(yīng)，1 mol該配合物只能生成2 molAgCl沉淀，故D項(xiàng)錯(cuò)誤。

命題意圖：考查配合物的基礎(chǔ)知識，對配位體、配位數(shù)、中心離子進(jìn)行辨別，進(jìn)一步強(qiáng)化了內(nèi)界與外界離子與相關(guān)反應(yīng)的聯(lián)系，注重考查考生對基本概念的遷移理解與實(shí)際應(yīng)用能力。

7.B 提示：C 和O 分別失去一個(gè)電子后的價(jià)層電子排布式為2s22p1 和2s22p3，O的2p能級是半充滿結(jié)構(gòu)，比較穩(wěn)定，所以O(shè)的第二電離能大于C 的第二電離能，A 項(xiàng)錯(cuò)誤。杯酚分子中含有苯環(huán)結(jié)構(gòu)，具有大π鍵，B項(xiàng)正確。C60 中只含有C元素，無法形成氫鍵，C 項(xiàng)錯(cuò)誤。金剛石是共價(jià)晶體，C60 為分子晶體，D項(xiàng)錯(cuò)誤。

命題意圖：以新物質(zhì)超分子為情境素材，從原子、分子、晶體等角度考查考生獲取信息與應(yīng)用信息解決問題的能力。

碳化硅是共價(jià)晶體，鐵是金屬晶體，氯化鈉是離子晶體，C60 是分子晶體，則硬度碳化硅>鐵>氯化鈉>C60，B項(xiàng)錯(cuò)誤。

BN 為原子晶體，MgBr2 為離子晶體，SiCl4 為分子晶體，故熔點(diǎn)BN>MgBr2>SiCl4 ，C 項(xiàng)正確。有手性異構(gòu)體的分子被稱為手性分子，當(dāng)分子中存在兩個(gè)或兩個(gè)以上的手性碳原子時(shí)，會出現(xiàn)內(nèi)消旋體，這種含有內(nèi)消旋體的分子不是手性分子，D項(xiàng)錯(cuò)誤。

命題意圖：考查考生對物質(zhì)熔沸點(diǎn)大小的判斷，區(qū)分分子間氫鍵與分子內(nèi)氫鍵對物質(zhì)沸點(diǎn)的影響，強(qiáng)化對手性分子的理解，考慮內(nèi)消旋體的情況，豐富了考生的認(rèn)識，同時(shí)比較了不同類型的晶體在硬度上的區(qū)別，鞏固了對晶體類型的判斷。

命題意圖：考查原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)和晶胞計(jì)算，考生通過分析晶胞的堆積模型，用均攤法找到各原子的個(gè)數(shù)關(guān)系，并應(yīng)用公式進(jìn)行常見晶胞的密度計(jì)算，提升了考生證據(jù)推理與模型認(rèn)知的能力。

（2）共價(jià)晶體 sp3 高

（3）SiCl4 SiX4 都是結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增大 正四面體形

（4）A、B

提示：（1）硅元素的原子序數(shù)為14，價(jià)電子排布式為3s23p2，則價(jià)電子排布圖為

（2）與金剛石類似，該晶體屬于共價(jià)晶體;每個(gè)C 原子與4 個(gè)Si原子形成4 個(gè)σ鍵，C原子沒有孤電子對，所以C的雜化類型為sp3;原子晶體的熔點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，晶體硅和碳化硅都是原子晶體，碳原子的原子半徑小于硅原子，非金屬性強(qiáng)于硅原子，碳硅鍵的鍵能大于硅硅鍵、鍵長小于硅硅鍵，則碳硅鍵強(qiáng)于硅硅鍵，碳化硅的熔點(diǎn)高于晶體硅。

（3）由題給熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù)可知，0 ℃時(shí)，四氟化硅為氣態(tài)，四氯化硅為液態(tài)，四溴化硅、四碘化硅為固態(tài);分子晶體的沸點(diǎn)取決于分子間作用力的大小，SiX4 都是結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增大，則SiX4 的沸點(diǎn)依次升高;SiX4分子中硅原子的價(jià)層電子對數(shù)為4，孤對電子對數(shù)為0，則分子的空間構(gòu)型為正四面體形。

（4）電子排布式分別為：①[Ne]3s23p2、②[Ne]3s23p1、③[Ne]3s23p14s1，可推知分別為基態(tài)Si原子、Si+ 離子、激發(fā)態(tài)Si原子。激發(fā)態(tài)Si原子有四層電子，Si+ 離子失去了一個(gè)電子，根據(jù)微粒電子層數(shù)及各層電子數(shù)多少可推知，微粒半徑：③>①>②，選項(xiàng)A 正確。根據(jù)上述分析可知，電子排布屬于基態(tài)原子（或離子）的是①②，選項(xiàng)B 正確。激發(fā)態(tài)Si原子不穩(wěn)定，容易失去電子;基態(tài)Si原子失去一個(gè)電子是硅的第一電離能，Si+ 離子失去一個(gè)電子是硅的第二電離能，由于I2>I1，可以得出電離一個(gè)電子所需最低能量：②>①>③，選項(xiàng)C錯(cuò)誤。由C 可知②比①更難失電子，則②比①更容易得電子，即得電子能力：②>①，選項(xiàng)D錯(cuò)誤。

命題意圖：以硅元素為載體對原子結(jié)構(gòu)和分子性質(zhì)進(jìn)行綜合考查，宏觀上注重知識的整體性與聯(lián)系性，微觀上問題設(shè)置注重培養(yǎng)考生思維的靈活性。

12.（1）①F的電負(fù)性大于N，N—F成鍵電子偏向F，導(dǎo)致NF3 中的N 原子核對孤電子對的吸引力增強(qiáng)，難以形成配位鍵②A、C

（2）①[Co（NH3）6]Cl3 [Co（NH3）4Cl2]?Cl ②6

（3）①非極性分子 ②sp3d 10

提示：（1） ①F 的電負(fù)性大于N，N—F成鍵電子偏向F，導(dǎo)致NF3 中的N 原子核對孤電子對的吸引力增強(qiáng)，難以形成配位鍵，故NF3 不易與Cu2+ 形成配離子。②陰、陽離子之間存在離子鍵，非金屬元素之間存在共價(jià)鍵，含有空軌道和含有孤電子對的原子之間存在配位鍵，水分子之間存在氫鍵，該配合物中含有離子鍵、配位鍵、共價(jià)鍵和氫鍵，故A項(xiàng)錯(cuò)誤。該復(fù)合物中Cl原子含1對共用電子對和3個(gè)孤電子對，所以其價(jià)層電子對數(shù)是4，根據(jù)價(jià)層電子對互斥模型判斷Cl的雜化類型為sp3，故B項(xiàng)正確。該復(fù)合物中Cl、CO 和H2O 為配體，故C項(xiàng)錯(cuò)誤。CO 與N2的價(jià)層電子總數(shù)相同，為等電子體，等電子體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)相似，所以其結(jié)構(gòu)式為C≡O(shè)，故D項(xiàng)正確。

（2）①每個(gè)CoCl3·6NH3 分子中有3個(gè)Cl- 為外界離子，配體為6個(gè)NH3，化學(xué)式為[Co（NH3）6]Cl3;每個(gè)CoCl3·4NH3（綠色和紫色）分子中有1個(gè)Cl- 為外界離子，配體為4 個(gè)NH3 和2 個(gè)Cl- ，化學(xué)式均為[Co（NH3）4Cl2]Cl。②這幾種配合物的化學(xué)式分別是[Co（NH3）6]Cl3、[Co（NH3）5Cl]Cl2、[Co（NH3）4Cl2]Cl，其配位數(shù)都是6。

（3）①Fe（CO）5 結(jié)構(gòu)對稱，是非極性分子。 ②鐵的雜化軌道數(shù)為5，F(xiàn)e（CO）5 中Fe原子是以sp3d 雜化方式與CO 成鍵，碳與氧、鐵與碳之間均形成配位鍵，1 molFe（CO）5 含有10 mol配位鍵。

命題意圖：以鐵、鈷及銅的重要配合物為載體，承載了化學(xué)學(xué)科必備知識，從形成配合物的離子，配體、配合的化學(xué)性質(zhì)，所含共價(jià)鍵的類型、數(shù)目、原子的雜化類型等角度，對配合物進(jìn)行綜合性的考查，強(qiáng)化了化學(xué)學(xué)科思維的考查。

提示：（1）Ti為22號元素，鈦有2個(gè)未成對電子，Mn為25號元素，錳有5個(gè)未成對電子，所以基態(tài)Ti和Mn原子中未成對電子數(shù)之比為2∶5。

（2）二氧化碳為直線型，結(jié)構(gòu)式為O=C=O ，沒有孤電子對，碳原子采取 sp雜化，—CHO 中碳原子形成3個(gè)σ鍵，沒有孤電子對，雜化軌道數(shù)目為3，碳原子采取sp2 雜化。

（3）HCHO 中碳原子含有3個(gè)σ鍵，碳原子采取 sp2 雜化，不含孤電子對，所以其空間構(gòu)型是平面三角形。

（4）面心立方晶胞中原子位于頂點(diǎn)和面心，俯視時(shí)上下底面的面心原子位于俯視圖正方形中心，頂點(diǎn)原子位于正方形頂點(diǎn)，其他側(cè)面的原子位于正方形四邊中點(diǎn)，故俯視圖為c。

（5）鐵是26號元素，其原子核外有26個(gè)電子，F(xiàn)e原子的3d、4s電子為其價(jià)電子，其價(jià)電子排布為3d64s2。

（6）乙二醇分子中羥基比丙醇分子中的羥基多，分子間的氫鍵比丙醇的多，分子間的作用力較大，故其沸點(diǎn)較高。

（7）由圖可知，2個(gè)Cl原子在晶胞內(nèi)部，4個(gè)Cl原子在晶胞的邊上，則該晶胞中Cl原子數(shù)目為2+4×1/2=4，則晶胞的質(zhì)量m =nM =4M/NAg，晶胞體積V =abc×10-21cm3 =0.72×1.0×0.56×10-21cm3，晶體密度ρ=m/V = 4M ×1021/1.0×0.72×0.56×NAg·cm-3。

命題意圖：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及核外電子排布、化學(xué)鍵、分子構(gòu)型、晶胞計(jì)算等內(nèi)容，其中晶胞計(jì)算為解題難點(diǎn)，需要結(jié)合均攤法進(jìn)行分析。

（責(zé)任編輯 謝啟剛）