尹淑紅

科學(xué)導(dǎo)報訊 由省科技廳推薦、山西第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上企業(yè)牽頭的國家“十四五”重點研發(fā)項目“大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)”近日獲得立項。該項目的成功立項，是對山西第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體研發(fā)實力的充分肯定。

據(jù)介紹，該項目研究內(nèi)容涵蓋深紫外LED先進外延技術(shù)、芯片制造技術(shù)、封裝技術(shù)和可靠性評價，力求實現(xiàn)高性能大功率深紫外LED外延芯片量產(chǎn)，同時電光轉(zhuǎn)化效率、光功率、壽命等主要性能指標(biāo)突破國際瓶頸。

項目牽頭單位中科潞安以自主創(chuàng)新技術(shù)立身，圍繞第三代半導(dǎo)體氮化物深紫外光電材料，突破了一系列產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。