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        超聲 - 射流電沉積Ni/Co - TiN納米鍍層的工藝參數(shù)優(yōu)化及性能研究

        2022-12-07 07:35:40苑博旭馬春陽張思棟
        材料保護 2022年5期
        關鍵詞:鍍液鍍層射流

        苑博旭, 馬春陽, 張思棟

        (東北石油大學機械科學與工程學院,黑龍江大慶 163318)

        0 前 言

        超聲 - 射流電沉積技術將超聲機械攪拌效應、空化效應與射流電沉積技術結合在一起,是一種新穎的材料表面改性方法[1-3]。該方法具有可選擇性、沉積速度快、成本低、操作簡單等優(yōu)點,可應用于納米晶材料、多孔金屬的制備以及金屬零件的快速成型等方面。

        納米顆粒因具有高表面能而易發(fā)生團聚,導致粒子在鍍液中分布不均勻,進而影響鍍層顯微結構及表面形貌。在射流電沉積過程中引入超聲波輔助,借助超聲攪拌紊亂作用改善納米顆粒團聚現(xiàn)象,可使納米顆粒彌散分布于鍍液中,進而提升鍍層的表面性能[4-7]。目前,將超聲波應用于制備Ni - SiC、Ni - TiN、Ni - Cr3C2等兩元鎳基鍍層的研究較多[8-10],而有關三元鎳基納米鍍層制備的研究較少,對納米鍍層制備工藝參數(shù)進行優(yōu)化的研究更是鮮有報道。為此,本工作采用超聲 - 射流電沉積技術制備Ni/Co - TiN納米鍍層,以顯微硬度為考察指標,采用正交試驗方法,通過極差分析與方差分析,研究超聲 - 射流電沉積Ni/Co - TiN納米鍍層制備過程中,TiN納米粒子濃度(ρ)、射流速度(v)、超聲波功率(P) 3個因素對Ni/Co - TiN納米鍍層性能的影響,確定影響鍍層性能的關鍵因素和最優(yōu)工藝參數(shù)組合,以期為超聲 - 射流電沉積法制備Ni/Co - TiN納米鍍層的工藝參數(shù)優(yōu)化研究提供一定理論支持。

        1 試 驗

        1.1 超聲 - 射流電沉積試驗裝置

        圖1為超聲 - 射流電沉積Ni/Co - TiN納米鍍層試驗裝置示意圖。

        整體試驗裝置主要由超聲波發(fā)生器、自制電鍍槽、伺服驅動裝置、絕緣工作臺、電鍍電源等構成。電鍍槽置于超聲波發(fā)生器中,接通電源后,鍍液在循環(huán)泵的帶動下,由陽極噴嘴噴射到陰極工件表面。超聲場由JP - 720PLUS型單槽超聲波清洗器提供,脈沖電流由SOYI - 24500DM型雙脈沖電鍍電源提供。

        1.2 Ni/Co - TiN納米鍍層的制備

        基體試件為40 Cr,其尺寸為50 mm×50 mm×5 mm。陽極為純鎳噴嘴,其質量分數(shù)為99.98%。陰極Cr片水平放置于絕緣工作臺,陽極噴嘴豎直立于陰極試件正上方,陰陽極間距10 mm。試驗開始前,對40 Cr基體作前處理,過程依次為:砂紙打磨拋光,堿液除油,化學除銹,稀鹽酸活化,蒸餾水清洗,然后將其置于DHG9030型干燥箱中烘干,備用。

        鍍液組成及濃度:NiSO4·6H2O 200.00 g/L,NiCl2·6H2O 50.00 g/L,CoSO4·7H2O 15.00 g/L,H3BO340.00 g/L,C12H25SO4Na 0.10 g/L,C6H8O740.00 g/L,C7H5NO3SNa 0.15 g/L。TiN納米粒子平均直徑為50 nm,純度為99.9%(質量分數(shù))。先將TiN納米粒子與表面活性劑C12H25SO4Na共同置于燒杯中,加入80 ℃以上的蒸餾水進行攪拌混合,再將混合液加入到鍍液中。施鍍前,先用MYP11 - 2A型恒溫磁力攪拌器以500 r/min的速率攪拌鍍液5 h,然后將鍍液置于超聲波發(fā)生器中2 h。

        超聲 - 射流電沉積工藝參數(shù)如下:超聲波功率為 0~200 W,超聲波頻率為30 kHz,占空比為30%,電流密度為40 A/dm2,鍍液溫度為50~55 ℃,鍍液pH值為4.0~4.5,射流速度為2.5~5.0 m/s,施鍍時間為45 min,噴嘴出口直徑為10 mm,噴嘴長度為80 mm。

        1.3 Ni/Co - TiN納米鍍層的表征

        利用FSEM - S4800型掃描電子顯微鏡(SEM)和自帶能譜儀(EDS)對Ni/Co - TiN納米鍍層的表面形貌和元素組成進行表征,掃描條件:加速電壓為5 kV,分辨率為1.0 nm。采用D/max2200VPC型X射線衍射儀(XRD)分析鍍層的晶相結構,衍射條件:Cu靶,λ=0.154 nm,管壓為40 kV,管流為30 mA。采集到的數(shù)據(jù)通過Scherrer公式[式(1)]計算鍍層晶粒平均尺寸:

        (1)

        式中:K為Scherrer常數(shù),D為晶粒平均尺寸,A為鍍層衍射峰半高寬,α為布拉格角,λ為X射線波長。

        使用HX - 1000TM/CLD型數(shù)顯顯微硬度計測量鍍層試樣的顯微硬度(加載載荷為0.98 N,加載時間為9 s),對單個鍍層試樣表面中央?yún)^(qū)域選取3個點,邊緣區(qū)域選取4個點進行測試,取平均值作為其顯微硬度指標。

        采用CETR - 3型摩擦磨損試驗機,干摩擦條件,加載載荷為5 N,加載時間為4 min,轉速為500 r/min,測量半徑為5 mm。使用無水乙醇對磨損后的鍍層試樣進行清洗、干燥,采用BSA124S型電子分析天平測量鍍層試樣磨損量。

        利用AUTOLAB PGSTAT128N型電化學工作站測試Ni/Co - TiN納米鍍層的耐腐蝕性能,測試系統(tǒng)為三電極體系,以環(huán)氧樹脂封裝后的鍍層試樣為工作電極,輔助電極和參比電極分別為鉑片和飽和甘汞電極(SCE)。在腐蝕試驗中,在室溫下將試樣浸入3.5%(質量分數(shù))NaCl溶液2 h,測試時掃描速率為0.01 V/s,掃描范圍為-0.2~0.8 V。

        2 結果與討論

        2.1 TiN納米粒子濃度對Ni/Co - TiN納米鍍層顯微硬度的影響

        圖2為TiN納米粒子濃度對Ni/Co - TiN納米鍍層顯微硬度的影響。

        在射流速度為3 m/s,超聲波功率為200 W的參數(shù)下,隨著鍍液中TiN納米粒子濃度的增加,Ni/Co - TiN納米鍍層的顯微硬度先提高后降低。當TiN納米粒子濃度從0增加到10 g/L時,Ni/Co - TiN納米鍍層的顯微硬度從487.3 HV提高到639.3 HV;當粒子濃度從10 g/L提高到12 g/L時,鍍層的顯微硬度下降到613.6 HV。分析認為,TiN納米粒子為Ni/Co晶粒的沉積提供了大量異質形核點,晶粒形核率得到提高,利于產生新晶核;并且,TiN納米粒子彌散分布于鍍層間隙與孔洞中,使得TiN納米粒子牢固地吸附于基體金屬表面,有效抑制了晶粒間的位錯滑移,產生彌散強化效應,故鍍層的顯微硬度得到提高[11]。但是,當鍍液中TiN納米粒子濃度過大時,會加劇粒子團聚現(xiàn)象,使其對鍍層晶粒的彌散強化效應減弱,導致鍍層的顯微硬度降低。

        2.2 射流速度對Ni/Co - TiN納米鍍層顯微硬度的影響

        圖3為射流速度對Ni/Co - TiN納米鍍層顯微硬度的影響。在TiN納米粒子濃度為8 g/L,超聲波功率為200 W的參數(shù)下,隨著射流速度的增加,Ni/Co - TiN納米鍍層的顯微硬度先提高后降低。當射流速度從2.5 m/s增加到4.0 m/s時,鍍層的顯微硬度從513.2 HV提高到581.7 HV;當射流速度從4.0 m/s增加到5.0 m/s時,顯微硬度下降到538.6 HV。分析認為,增加射流速度可有效抑制晶粒的垂直生長,減小陰極表面擴散層厚度,增加Ni/Co晶粒的形核率,使得晶粒尺寸細化[12]。適宜的流速也可提高Ni/Co晶粒與TiN納米粒子的共沉積效率,從而提升納米粒子在鍍層中的復合量,這可以進一步增強鍍層的顯微硬度[13]。但當射流速度過大時,高速射流會沖刷掉鍍層中未結合牢固的Ni/Co晶粒與納米粒子,從而影響晶粒與納米粒子的共沉積效率,降低鍍層顯微硬度。除此之外,過大或過小的射流速度均會引起鍍層晶粒尺寸均勻度下降,進而增大鍍層孔隙率,引起鍍層表面形貌和顯微結構的惡化,降低鍍層顯微硬度[14]。

        2.3 超聲波功率對Ni/Co - TiN納米鍍層顯微硬度的影響

        圖4為超聲波功率對Ni/Co - TiN納米鍍層顯微硬度的影響。在TiN納米粒子濃度為8 g/L,射流速度為3 m/s的參數(shù)下,隨著超聲波功率的增加,Ni/Co - TiN納米鍍層的顯微硬度先提高后降低。當超聲波功率從0增加到120 W時,鍍層顯微硬度從492.6 HV增加到614.6 HV;當超聲波功率從120 W增加到200 W時,顯微硬度下降到541.3 HV。分析認為,一方面,超聲微射流可以清理納米粒子表面的雜質,使其更易與鍍液中的鎳、鈷離子結合,促進晶粒有序生長,有效減少鍍層中位錯、孿晶、滑移等缺陷[15];另一方面,超聲空化效應會產生瞬時高溫、高壓,可以擊碎生長中的晶粒,被擊碎的晶粒形成均勻分布的細微晶體,增加晶核數(shù)量,有利于細化晶粒。但是,當超聲強度過高時,納米粒子間產生劇烈碰撞,不僅使得納米粒子與Ni/Co晶粒的結合量減少,還會加重納米粒子團聚現(xiàn)象,從而降低鍍層顯微硬度。

        2.4 超聲 - 射流電沉積工藝參數(shù)優(yōu)化

        采用L9(34)正交試驗表,選取射流速度(v)、超聲波功率(P)、TiN納米粒子濃度(ρ),3個考察因素,確定超聲 - 射流電沉積制備Ni/Co - TiN納米鍍層的最優(yōu)試驗工藝參數(shù),試驗數(shù)據(jù)及分析結果見表1~3。由表2極差分析可知,上述各因素對鍍層顯微硬度的影響程度由大到小依次為:超聲波功率(P)、TiN納米粒子濃度(ρ)、射流速度(v)。第5組試驗制得的納米鍍層顯微硬度最高,此試驗所用工藝參數(shù)為最優(yōu)組合,即v2P2ρ3。最優(yōu)工藝參數(shù)組合為:射流速度4 m/s,超聲波功率120 W,TiN納米粒子濃度10 g/L。由表3方差分析可知,超聲波功率對鍍層顯微硬度有顯著影響(文中以★標記),各因素對鍍層顯微硬度的影響顯著性從大到小為P>ρ>v,所得結果與極差分析相同。將顯微硬度較高的第2、8、5組試驗所用工藝參數(shù)組合分別記作A、B、C,然后對3組試驗制得鍍層的表面形貌、元素組成及晶相結構進行表征,并測試鍍層耐磨性能及耐腐蝕性能。

        表1 鍍層正交試驗數(shù)據(jù)表

        表2 正交試驗極差分析表

        表3 方差分析表

        2.5 Ni/Co - TiN納米鍍層表面形貌及晶相結構分析

        2.5.1 鍍層表面形貌及能譜分析

        圖5為A、B、C工藝參數(shù)下的Ni/Co - TiN納米鍍層的SEM表面形貌和EDS能譜。由SEM形貌可見,晶體間隙夾雜有諸多微小粒子,這些粒子為納米TiN。由圖5a可見,鍍層表面有許多較大體積的胞狀晶粒,晶粒間尺寸差異較大,鍍層形貌較為粗糙;由圖5c可見,晶粒尺寸得到細化,尺寸不均勻度有所改善,鍍層形貌較為光滑;由圖5e可見,晶粒尺寸細小、均勻,沒有出現(xiàn)大的胞狀結構,鍍層表面平整致密。

        2.5.2 鍍層晶相結構分析

        圖6為A、B、C工藝參數(shù)下制得的Ni/Co - TiN納米鍍層的XRD衍射譜。由圖6可知,晶體以沿(111)、(200)、(220)晶面生長為主,分別對應于2θ為44.6°、51.9°和76.5°附近。隨著工藝參數(shù)組合的不斷優(yōu)化,有加強Ni/Co晶粒沿(220)晶面生長的趨勢,但晶體生長的主要方向依然是(111)晶面。分析認為,用超聲波輔助射流電沉積過程,借助超聲空化效應提高了Ni/Co晶粒在(111)晶面的表面活化能,改變晶粒的生長方式,使得結晶取向發(fā)生了改變,從而大幅度提升了Ni/Co晶粒在(111)晶面的衍射峰強度[16];此外,在超聲場的作用下,TiN納米粒子在鍍液中的分布更為均勻,也會在一定程度上改變鍍層中晶粒的結晶取向,加強晶粒沿(220)晶面的生長。在適當?shù)墓に噮?shù)組合下,鍍層中TiN納米粒子復合量較多,彌散分布的納米粒子可為晶粒的生長提供大量優(yōu)質形心,可有效抑制晶粒生長,使得鍍層中晶粒尺寸細化,進而表現(xiàn)為Ni/Co晶粒衍射峰變矮、增寬。經Scherrer公式計算,工藝參數(shù)組合A、B、C下制得鍍層Ni/Co晶粒平均尺寸分別為76.8,53.2,45.1 nm。

        2.6 Ni/Co - TiN納米鍍層耐磨性能測試

        圖7和圖8分別為A、B、C工藝參數(shù)下制得Ni/Co - TiN納米鍍層的摩擦系數(shù)和磨損失重。結合圖7、8可知,當選用工藝參數(shù)組合C時,制得鍍層的摩擦系數(shù)最小且穩(wěn)定,其磨損失重最少,這表明該鍍層具有更好的均勻性和自潤滑性,這與之前得到的顯微硬度測試和SEM表征結果一致。該鍍層表面平整、組織致密、晶粒尺寸細小而均勻,因此具有更高的顯微硬度和更好的耐磨性能。

        2.7 Ni/Co - TiN納米鍍層耐腐蝕性能測試

        圖9和表4為A、B、C工藝參數(shù)組合制得的Ni/Co - TiN納米鍍層在3.5%(質量分數(shù))NaCl溶液中的Tafel曲線及腐蝕試驗結果??梢钥闯觯顑?yōu)工藝參數(shù)組合(即C工藝參數(shù)組合)下制得的鍍層的自腐蝕電位(-0.338 V)正移,自腐蝕電流密度(2.13×10-6A/cm2)明顯降低,這表明該參數(shù)組合下制得的鍍層處于較低的電化學活性狀態(tài),說明該鍍層的耐腐蝕性能優(yōu)異。分析原因有:(1) TiN納米粒子在鍍層中充當惰性物理屏障,能抑制腐蝕缺陷的生成并阻礙腐蝕缺陷的擴大;(2) Ni/Co晶粒與TiN納米粒子在鍍層中構成諸多微型腐蝕電池,由于TiN粒子的標準電勢相較于鎳正移,則TiN納米粒子為陰極,Ni/Co晶粒為陽極。這些微型腐蝕電池能促進陽極極化,從而減少因鍍層表面間隙和凹坑等缺陷引起的局部腐蝕的產生,并使得鍍層表面主要發(fā)生均勻腐蝕[17];(3)優(yōu)化射流電沉積工藝參數(shù)后,制備出的鍍層表面平整致密,則金屬基體與腐蝕液的接觸面積減小,從而抑制了腐蝕液對鍍層內部的腐蝕破壞。

        表4 Ni/Co - TiN納米鍍層的電化學腐蝕試驗結果

        3 結 論

        (1)隨著鍍液中TiN納米粒子濃度、射流速度、超聲波功率的增大,Ni/Co - TiN納米鍍層的顯微硬度均呈現(xiàn)先提高后降低的變化趨勢。正交試驗結果表明,最優(yōu)工藝參數(shù)組合為:射流速度4 m/s,超聲波功率120 W,TiN納米粒子濃度10 g/L。

        (2)由極差分析可知,各因素對鍍層顯微硬度的影響程度由大到小依次為:超聲波功率(P)、TiN納米粒子濃度(ρ)、射流速度(v)。由方差分析可知,超聲波功率對鍍層顯微硬度有顯著影響,各因素的影響顯著性從大到小為P>ρ>v,所得結果與極差分析相同。

        (3)采用最優(yōu)工藝參數(shù)制備的Ni/Co - TiN納米鍍層的表面形貌平整致密,晶粒尺寸細小、均勻,TiN粒子彌散分布其中;鍍層顯微硬度高達689.82 HV,摩擦系數(shù)較小且磨損失重較少,其自腐蝕電位和自腐蝕電流密度分別為-0.338 V和2.13×10-6A/cm2。隨著工藝參數(shù)組合的不斷優(yōu)化,有加強Ni/Co晶粒沿(220)晶面生長的趨勢,但晶體生長的主要方向依然是(111)晶面。TiN納米粒子攜帶的高表面能可促進Ni/Co晶粒的形核,有效抑制晶粒生長,利于細化鍍層中的晶粒,使得Ni/Co晶粒衍射峰變矮、增寬。

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