黃小東,黃 瑋,魏勇平,閆坤坤,李玉龍,苗 湘,陳 發(fā),徐 巍,蔣元軍,羅 為,4
(1.華中科技大學(xué) 光學(xué)與電子信息學(xué)院,湖北 武漢430000;2.北京中科飛鴻科技股份有限公司,北京100095;3.華中科技大學(xué) 武漢光電國家研究中心,湖北 武漢430000;4.深圳華中科技大學(xué)研究院,廣東 深圳518000)
隨著5G通信技術(shù)的迅速發(fā)展,其頻譜資源日益緊張。例如5G頻段的n3頻段號(hào)上行頻率為1 710~1 785 MHz,下行頻率為1 805~1 880 MHz,上行與下行頻率間距僅為20 MHz。開發(fā)滿足此類條件的聲表面波(SAW)濾波器的難點(diǎn)在于既要保證器件的通帶帶寬(75 MHz)和低插入損耗,又要保證高的矩形系數(shù)。在多種SAW濾波器結(jié)構(gòu)中,梯形結(jié)構(gòu)因帶寬大,插入損耗小,可小型化而受到關(guān)注[1]。未考慮封裝和匯流條的電磁寄生參數(shù)而設(shè)計(jì)的小型化封裝的高頻SAW濾波器,經(jīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試表明,其易出現(xiàn)通帶帶寬變窄,通帶內(nèi)波動(dòng)大,通帶內(nèi)駐波大等問題,這進(jìn)一步增加了濾波器的設(shè)計(jì)難度。為了解決此問題,本文擬用包含封裝和匯流條的電磁寄生參數(shù)的等效電路模型,通過電聲-電磁聯(lián)合仿真來設(shè)計(jì)此類具有低損耗、高矩形系數(shù)的高頻SAW濾波器。
為獲得較好的帶外抑制和插入損耗,本文采用7階諧振器級(jí)聯(lián)梯形結(jié)構(gòu),如圖1所示。SAW濾波器的壓電材料選擇工作在漏波(SH)模式的42°Y-XLiTaO3,金屬膜材料為鋁。首先通過有限元方法擬合得到耦合模(COM)參數(shù),并通過工藝結(jié)果進(jìn)行校正;再通過COM方程計(jì)算諧振器的P矩陣,并得出諧振器的導(dǎo)納[2-3]。以上部分為模擬SAW濾波器中的電聲轉(zhuǎn)換。
圖1 梯形結(jié)構(gòu)SAW濾波器示意圖
圖2為計(jì)算得到的單端口諧振器的導(dǎo)納-頻率響應(yīng)曲線。由圖可見,諧振器的諧振頻率(fr)為1 765 MHz,反諧振頻率(far)為1 829 MHz。然而在高頻情況下,SAW諧振器的導(dǎo)納還受到封裝和匯流條的電磁寄生參數(shù)的影響。如圖2(a)所示,諧振器串聯(lián)0.2 nH的電感,引起諧振頻率向低頻端移動(dòng)13 MHz;諧振器并聯(lián)0.4 pF的電容,引起反諧振頻率向低頻端移動(dòng)5 MHz,如圖2(b)所示。
圖2 單端口諧振器的導(dǎo)納-頻率響應(yīng)曲線
封裝及匯流條的電磁寄生參數(shù)對(duì)諧振器導(dǎo)納的影響會(huì)進(jìn)一步影響濾波器的性能,為了解決此問題,本文擬建立電聲-電磁聯(lián)合仿真模型。首先,利用HFSS軟件建立3.0 mm×3.0 mm封裝的3D 仿真模型以計(jì)算封裝和匯流條的寄生參數(shù),模型包括封裝殼、鍵合線及諧振器之間的匯流條等,如圖3(a)所示。模型中所有部件的尺寸根據(jù)封裝殼廠商提供的圖紙繪制,與實(shí)際封裝的SAW濾波器樣品的尺寸一致。模型的材料參數(shù)為軟件自帶的材料參數(shù):封裝殼導(dǎo)體部分的材料選擇為金,封裝殼絕緣體部分的材料為陶瓷;封裝殼以上是SAW濾波器芯片,芯片的壓電材料部分(立方體)為鉭酸鋰,匯流條和鍵合線的材料均為鋁;濾波器芯片上的換能器指條全部去除。模型左右各有3根鍵合線,左邊中間和右邊中間分別為輸入信號(hào)鍵合線和輸出信號(hào)鍵合線,其余為接地鍵合線。計(jì)算時(shí),兩個(gè)集總端口分別放在電信號(hào)的流入和流出點(diǎn)。在模型中放入集總端口,計(jì)算得到任意兩端口之間的S參數(shù),并將其轉(zhuǎn)換為兩端口等效電路中的電磁寄生參數(shù),包括電阻(R)、電感(L)和對(duì)地電容(C),如圖3(b)所示。通過上述方法可計(jì)算得到封裝內(nèi)具有主要影響的電磁寄生參數(shù)值。
圖3 計(jì)算封裝和匯流條的電磁寄生參數(shù)
將COM模型仿真方法得到的各諧振器導(dǎo)納參數(shù)與上述計(jì)算得到的封裝和匯流條的電磁寄生參數(shù)通過等效電路連接,即建立了電聲-電磁聯(lián)合仿真模型,如圖4所示。為簡(jiǎn)化計(jì)算過程,電路為左右對(duì)稱結(jié)構(gòu),其中Cb為橋電容,M為互感,左側(cè)L1,R1,C1分別為輸入端口到輸入焊盤之間(包含信號(hào)鍵合線)的總電感,電阻及對(duì)地電容;L2,R2,C2分別為并聯(lián)臂匯流條的電感,電阻及對(duì)地電容;L3,R3分別為接地端口到接地焊盤之間(包含接地鍵合線)的總電感,電阻;Y1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y6,Y7分別為各個(gè)諧振器的導(dǎo)納。在設(shè)計(jì)過程中,通過模擬退火優(yōu)化算法得到最佳性能的SAW濾波器的諧振器的孔徑、柵周期、指條數(shù)和占空比等設(shè)計(jì)參數(shù)。最后,通過半導(dǎo)體工藝制備以上設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)應(yīng)的SAW濾波器,其諧振器局部形貌如圖5所示。圖中金屬指條寬度為499 nm,周期(λ)為2 216 nm,假指長度為1.5×λ,假指與換能器指條間距為0.5×λ。
圖4 包含封裝及匯流條的電磁寄生參數(shù)的SAW濾波器等效電路
圖5 濾波器的諧振器局部形貌
文獻(xiàn)中通常報(bào)道芯片以外的封裝殼的電磁寄生參數(shù)對(duì)SAW濾波器的影響,忽略了諧振器之間的匯流條的電磁寄生參數(shù)[4]。我們認(rèn)為在高頻情況下,匯流條的電磁寄生參數(shù)也是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù),所以利用圖4所示電路對(duì)比分析了在設(shè)計(jì)時(shí)考慮和不考慮匯流條的電磁寄生參數(shù)的設(shè)計(jì)方案的模擬結(jié)果,以獲得匯流條電磁寄生參數(shù)對(duì)器件性能影響的關(guān)系。
圖6為匯流條寄生參數(shù)對(duì)濾波器頻響值和駐波產(chǎn)生影響的模擬結(jié)果。方案1為考慮封裝殼的寄生參數(shù)(L1,R1,C1,Cb,M)而不考慮匯流條寄生參數(shù)的仿真設(shè)計(jì)結(jié)果。方案2為在方案1的電路中添加圖4所述匯流條寄生參數(shù)(L2,R2,L4,R4,C2)的模擬結(jié)果。由圖可知,未考慮匯流條的電磁寄生參數(shù)設(shè)計(jì)方案的仿真結(jié)果因受匯流條寄生參數(shù)的影響而出現(xiàn)了通帶內(nèi)駐波及波動(dòng)惡化等問題。其原因在于串聯(lián)臂匯流條的電感L4(0.2 nH)引起串聯(lián)臂諧振器的諧振頻點(diǎn)向低頻端移動(dòng),并聯(lián)臂匯流條的電感L2(0.6 nH)引起并聯(lián)臂諧振器的諧振頻點(diǎn)向低頻端移動(dòng),匯流條對(duì)地電容C2(0.25 pF)導(dǎo)致并聯(lián)臂諧振器的反諧振頻率向低頻端移動(dòng),以上因素導(dǎo)致濾波器通帶阻抗不匹配[4-5]。
圖6 匯流條寄生參數(shù)對(duì)濾波器的S21頻響和駐波產(chǎn)生影響的仿真結(jié)果
為了獲得更好的濾波器性能,我們將圖4所示的全部匯流條的寄生參數(shù)納入設(shè)計(jì)參數(shù)中,以解決濾波器研制過程中遇到的通帶波動(dòng)大,駐波大等問題。圖7為考慮封裝和全部匯流條寄生參數(shù)的設(shè)計(jì)方案(方案3)的仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果。由圖可見,實(shí)驗(yàn)測(cè)試值與仿真設(shè)計(jì)值吻合較好,表明此仿真模型用于設(shè)計(jì)高頻SAW濾波器的有效性。
圖7 考慮封裝和匯流條的寄生參數(shù)設(shè)計(jì)的濾波器的仿真和實(shí)測(cè)頻響
經(jīng)測(cè)試,在高頻情況下,封裝、鍵合線和匯流條的電磁寄生參數(shù)對(duì)SAW濾波器的性能有明顯影響。本文通過建立包含封裝、鍵合線和匯流條寄生參數(shù)的等效電路模型實(shí)現(xiàn)了電聲-電磁聯(lián)合仿真,所設(shè)計(jì)的SAW濾波器可有效避免因封裝、鍵合線和匯流條的電磁寄生參數(shù)而引起的濾波器通帶波動(dòng)大,駐波大的問題。所制備的濾波器通帶中心頻率為1 746.6 MHz,通帶內(nèi)駐波最大值為2.1,最小插入損耗0.87 dB,波動(dòng)0.5 dB,-1.5 dB帶寬75.7 MHz, -3 dB帶寬84 MHz (相對(duì)帶寬為4.8%),-30 dB帶寬112 MHz,BW-3 dB/BW-30 dB矩形系數(shù)1.33,帶外抑制優(yōu)于-30 dB。