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        基于開口諧振環(huán)的毫米波差分移相器設(shè)計

        2022-11-18 04:54:36周漢西嚴仲明
        壓電與聲光 2022年5期

        周漢西,王 平,嚴仲明,王 豫

        (西南交通大學 電氣工程學院,四川 成都 611756)

        0 引言

        近年來,隨著相控陣天線技術(shù)的迅速發(fā)展,其應(yīng)用已深入軍事雷達、反恐安防及衛(wèi)星遙感等領(lǐng)域[1-2]。隨著先進微電子技術(shù)和集成工藝的不斷發(fā)展,相控陣天線正向毫米波及以上頻段發(fā)展,充分利用高頻段的豐富頻譜資源,以提升電子裝備性能[3]。移相器作為相控陣天線系統(tǒng)中的重要器件,其主要作用是改變電磁波的相位,從而控制天線波束方向。隨著相控陣系統(tǒng)向毫米波頻段的發(fā)展,對移相器的工作頻段、插入損耗及移相誤差等指標均提出了一定要求。

        目前已實現(xiàn)的毫米波移相器主要基于半導體集成電路、液晶材料及超材料等技術(shù)路線。采用半導體集成電路設(shè)計的毫米波移相器尺寸小,工作頻段高,但其插入損耗普遍較大,耐受功率較小。文獻[4]介紹了一款采用COMS技術(shù)設(shè)計的毫米波移相器,其插入損耗可達7 dB。采用液晶材料設(shè)計制作的毫米波移相器插入損耗較小,但其移相誤差較大。文獻[5]采用液晶材料設(shè)計的毫米波移相器,其在30~32.5 GHz頻段內(nèi)的最大移相誤差可達25.1°。文獻[6-7]分別介紹了兩款運用超材料技術(shù)設(shè)計的毫米波移相器,但該工作設(shè)計工藝復雜,難以滿足大規(guī)模相控陣系統(tǒng)集成應(yīng)用需求。

        本文采用開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)(SRR)設(shè)計了一款基于微帶傳輸線的毫米波差分移相器,該移相器工作頻段為30~32 GHz,插入損耗小于1.4 dB,能實現(xiàn)22.5°、45°、90°差分移相,且仿真的最大移相誤差小于5°。該移相器具有插損低,移相誤差小及結(jié)構(gòu)簡單,易制造等優(yōu)點。

        1 移相器設(shè)計與分析

        本文設(shè)計的毫米波移相器結(jié)構(gòu)及等效電路如圖1所示。圖中,R為中心圓環(huán)半徑,W0為中心圓環(huán)寬度,W1、W2分別為微帶線寬度,L0為中心圓環(huán)圓心與開口諧振環(huán)圓心的距離。由圖1(a)可知,移相器的基本結(jié)構(gòu)由一中心圓環(huán)和一組對稱的開口諧振環(huán)共同組成。圖1(b)中Y3部分表示中心圓環(huán)的等效電路,其中L、Cg分別為中心圓環(huán)的等效電感及電容。開口諧振環(huán)對應(yīng)的等效電路由Y1、Y2部分表示,由等效電感LS及電容CSRR并聯(lián)組成。

        圖1 移相器結(jié)構(gòu)及等效電路

        圖2為開口諧振環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖和等效電路圖。圖中,w為開口諧振環(huán)環(huán)寬,g為環(huán)間距,r為開口諧振環(huán)半徑。開口諧振環(huán)的金屬部分可等效成電感Ls,兩環(huán)之間的間隙可等效成電容CSRR[8]。與兩環(huán)間的電容相比,兩個開口諧振環(huán)開口處的電容較小,可忽略。開口諧振環(huán)的環(huán)間電容在其開口處被分為上下兩部分,其電容值均為CS/2,該諧振環(huán)的總電容由兩者串聯(lián)所得,故總電容CSRR=CS/4。

        圖2 開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)及等效電路

        圖1(b)電路的傳輸矩陣可表示為

        (1)

        式中:Y1=Y2=1/(jωLS)+jωCSRR;Y3=1/(jωL)+1/(jωCg)。

        由傳輸矩陣可推導出移相器回波損耗:

        (2)

        式中Z0為特性阻抗。

        將A、B、C、D的值代入式(2),則有:

        (3)

        同樣,移相器插入損耗S21可表示為

        (4)

        將A、B、C、D的值代入式(4),則有:

        (5)

        其相位可表示為

        (6)

        式中:a=1/(ωLS)-ωCSRR;b=1/(ωCg)-ωL。

        由以上推導可看出,移相器結(jié)構(gòu)決定了其對應(yīng)等效電感及電容,從而進一步?jīng)Q定移相器的散射參數(shù)。其中心圓環(huán)半徑R是直接影響移相器工作性能的關(guān)鍵參數(shù)之一。圖3為保持開口諧振環(huán)半徑r=1 mm時,S11及S21隨R的變化。

        圖3 r=1 mm時,S11及S21隨R的變化

        由圖3(a)可看出,隨著R從1.6 mm增加至2.4 mm,S11均小于-15 dB,諧振點逐步向低頻端移動,當R>2 mm,S11將隨著R的增加而逐漸增大。由圖3(b)可知,隨著R的增加,S21在0.6 dB上下起伏,且其幅度逐漸增大。

        保持R不變,改變r以實現(xiàn)一定梯度的輸出相位。選定其中一條相位曲線作為參考線,其余相位曲線與其差值即為差分移相Δθ,即:

        Δθ=|Ang(S21)n-Ang(S21)0|

        (7)

        式中:Ang(S21)0為參考線的輸出相位;Ang(S21)n為第n條傳輸線的輸出相位。

        經(jīng)仿真發(fā)現(xiàn),當Δθ越大,其對應(yīng)的移相誤差也越大,且在R取值不同時,其移相誤差也不同。

        令r=1 mm為參考線,改變r以實現(xiàn)90°移相。圖4為R分別取1.8 mm、2.0 mm、2.2 mm時對應(yīng)的90°移相曲線。

        圖4 不同R取值下的90°移相曲線

        由圖4可看出,當R=1.8 mm時,其移相曲線呈現(xiàn)下降趨勢,誤差逐步增大;當R=2.2 mm時,其移相曲線呈上升趨勢,誤差逐步增大;當R=2 mm時,移相曲線較平穩(wěn),誤差相對較小。

        綜上分析可知,通過改變R可實現(xiàn)對移相器性能的優(yōu)化。為了使移相器在30~32 GHz工作頻段內(nèi)保持相對較小的S11、較平穩(wěn)的S21及較小的移相誤差,最終R取值為2 mm。

        圖5(a)為R=2 mm,r分別為1 mm、1.23 mm、1.43 mm、1.66 mm時所對應(yīng)的相位曲線。圖5(b)為以r=1 mm為參考,其余傳輸線與其的差分移相。從圖5(b)可看出,該結(jié)構(gòu)的移相器能實現(xiàn)22.5°、45°、90°且最大移相誤差小于5°的差分移相。

        圖5 R=2 mm時不同r對應(yīng)的相位及不同相角差分移相

        2 移相器制作與測試

        針對以上分析與仿真設(shè)計,對移相器樣品進行加工與測試。本次加工測試的移相器采用Rogers RT5880作為介質(zhì)基板,其尺寸為30 mm×18 mm,其介電常數(shù)為2.2,損耗角正切為0.000 4,厚度為0.127 mm。

        移相器結(jié)構(gòu)尺寸為:W1=W2=0.39 mm,L0=5 mm,R=2 mm,W0=0.1 mm;w=0.16 mm,g=0.16 mm,r分別為1 mm、1.23 mm、1.43 mm、1.66 mm。加工出的實物如圖6所示。其中腔體材料采用鋁,表面電鍍0.5 μm金。連接器采用Gwave公司的2.92-KFD0405。

        圖6 差分移相器實物圖

        圖7為本文提出移相器的S參數(shù)仿真與實測對比。由圖可得出,該差分移相器的S21<1.4 dB,S11<-10 dB。測試結(jié)果表明,該移相器具有較低的損耗及較良好的透射性能。圖8為差分移相仿真與實測對比圖,由圖可知,該移相器能分別實現(xiàn)22.5°、45°、90°的差分移相。測試結(jié)果與仿真結(jié)果具有近似的變化趨勢,但由于加工和焊接產(chǎn)生的誤差及測試過程中電纜損耗帶來的誤差,測試結(jié)果與仿真結(jié)果有一定差異。

        圖7 移相器的S參數(shù)仿真與實測對比

        圖8 22.5°、45°、90°差分移相仿真與實測對比

        3 結(jié)束語

        本文提出了一種工作于30~32 GHz的毫米波差分移相器。該移相器尺寸為30 mm×18 mm×0.127 mm,由1個中心圓環(huán)和一組開口諧振環(huán)共同組成。隨著開口諧振環(huán)半徑的改變,依次實現(xiàn)了22.5°、45°、90°的差分移相,仿真的最大移相誤差小于5°。該組移相器具有結(jié)構(gòu)簡單,易制造,插入損耗小,移相誤差小等優(yōu)點,具有一定的實際意義和工程價值。

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